JPH01162002A - マイクロ波半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導装置、特にマイクロ波帯において使用され
る半導体装置の構造に関する。

〔従来の技術〕

半導体素子又は半導体素子とマイクロ波回路を同一容器
内に収納してなるマイクロ波半導体装置は、一般ニ、マ
イクロストリップ線路への実装カ容易なようにマイクロ
ストリップタイプ又はキャンタイプが主であった。すな
わち、第４図は従来のマイクロ波半導体装置１０を同じ
くマイクロストリップタイプの容器に実装した状態を示
す平面図で、第４図において、左右にコネクタ接栓を有
するケース１１内の入力基板１２と出力基板１２に、半
導体装置１００人、出力端子がそれぞれはんだ付けで接
続されている。

また、第５図は従来のキャンタイプマイロ波半導体装置
な導波管回路へ実装した状態を示す断面図で、第５図に
おいては、キャンケース１３の底部から突き出された入
力ピン１４および出力ピン１４は、その外周を整合用の
絶縁体スリーブ１５で包まれたまま、入力および出力導
波管１６と１６の空洞内に突き出して取付けられている
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前述のマイクロストリップタイプの容器に実装したもの
は、増幅器を中心にして現在Ｋｕバンド（〜１８ＧＨｚ
）位までの製品が発売されている。

一方、キャンタイプのものについても、Ｋｕバンド位ま
での製品が発売されている。しかして、上述の実装形態
では、いずれも入出力端子が外部回路と接触した状態で
回路調整あるいは検査されるのに対し、実装では半田付
けなどの方法が用いられる。周波数が高くなり・Ｘ−に
バンドになるとストリップラインへの接触状態によって
インピーダンスが変わり、製品検査時と応用回路への実
装時のインピーダンスが違うため、入出力端子部におけ
る不整合がしばしばおこり、このため振幅特性に定在波
がのる等の問題が生じる。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体装置では前述の欠点を除くため、外部回
路を線路で接続する方法をとらず、外部回路と非接触で
接続している。すなわち、本発明のマイクロ波半導体装
置は、絶縁基板の一面に半導体素子又は半導体素子とマ
イクロ波回路が設けられ、入出力部は先端開放または短
絡のマイクロストリップ線路で構成され、このマイクロ
ストリップ線路と直交結合されたスロットラインが、前
記絶縁基板の反対面に形成されている。そして、このス
ロットラインが外部回路人、出力端ともなって非接触で
結合が行なわれる。

〔実施例〕

つぎに本発明を実施例により説明する。

第１図（ａ）は本発明の一実施例の平面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。第１図（ａ）　、
　（ｂ）において、外囲側壁２により周縁が取囲まれた
絶縁基板１の上面の長さ方向のほぼ中央には、マイクロ
波用の半導体素子３がマウントされ、さらに、半導体素
子３を間にはさんで両側には、マイクロストリップ線路
４，４が左右両方向に延長した形で設けられている。し
かして、左右それぞれのマイクロストリップ線路４，４
は側壁２の近くにおいて基板面に沿って直角方向に曲げ
られ、そのまま側壁２と平行に少し延びたのち、開放終
端となっている。また、基板１の下面には、前記上面側
のマイクロストリップ線路の直角に曲げられた部分と直
交し、かつ、基板縁端部に終るスロットライン５が形成
されている。

第２図はこのようなマイクロ波半導体装置を外部回路と
接続したときの回路例を示す平面図である。第２図にお
いて、入力および出力のスロットライン５，５は、隣接
して設けたコプレーナ基板６．６上のコプレーナ線路７
と無接触で結合されている。

第３図は本発明の他の実施例の平面図である。

本実施例では、半導体素子近傍にマイクロ波回路、特に
増幅回路８を備えている。この増幅回路８は第２図に示
したコプレーナ線路への励塚が可能である。スロット、
コプレーナ線路はともに外部回路の特性インピーダンス
（一般には５０Ω）に合わせればよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、従来使用されていたマイ
クロストリップ線路に対して、接続用リード線を接続す
ることなく接続が可能である。このため、第２図のよう
にコプレーナ線路に接続して使用する場合、線路の精度
で検査データと実際の応用時のデータが合致する。よっ
て、従来接続点でトラブルが発生したものが大幅に軽減
できる。

なお本発明例のストリップ線路とスロットの変換部にお
いて、ストリップ線路が先端開放でなく先端短絡の場合
でも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の一実施例の平面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図、第２図は第１図の半導体
装置の実装形態を示す平面図、第３図は本発明の他の実
施例の平面図、第４図は従来のマイクロストリップタイ
プの半導体装置の実装形態を示す平面図、第５図は従来
のキャンタイプの半導体装置の実装形態を示す断面図で
ある。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・側壁、３・・
・・・・半導体素子、５・・・・・・スロットライン、
６・・・・・・コプレーナ基板、７・・・・・・コプレ
ーナ線路、８・・・・・・マイクロ波回路、１０・・・
・・・従来の半導体装置、１１・・・・・・ケース、１
２・・・・・・人、出力基板、１３・・・・・・キャン
ケース、ｌ４・・・・・・入力、出力ピン、１５・・・
・・・絶縁スリーブ、１６・・・・・・導波管。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　絶縁基板の一方の面に半導体素子又は半導体素子とマ
   イクロ波回路が設けられ、前記半導体素子又はマイクロ
   波回路の入出力回路としての、先端開放または短絡のマ
   イクロストリップ線路が接続され、さらに前記基板の反
   対面には前記先端開放または短絡のマイクロストリップ
   線路と直交するスロット線路が形成されていることを特
   徴とするマイクロ波半導体装置。