JPH01162244A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、？！！磁エネルギーを用いて光学的に情報を
記録・再生・消去することができる書き換え可能な光記
録媒体に係り、特に記録された情報の高速消去及び長力
命化に好適な光記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

近年になって、所望の部分に高速度かつ高密度で情報を
記録することができる情報記録媒体についての研究開発
が盛んに行なわれている。

そしてレーザ光スポットの照射による情報の記録・再生
が可能で、かつレーザ光スポットの照射によって記録さ
れた情報を消去し、新しい情報に書き換え得る光記録媒
体が見い出されている。

例えば日経エレクトロニクス１９８２年１月４日号の第
８６頁以降に「画像ファイルに使われ出した光デイスク
メモリ」と題して記載されているように、従来の光記録
媒体はレーザ光を用いて媒体を直径１．５　μｍのスポ
ットで加熱し、スポットにどのような物理的変化を生じ
させて情報の記録を行なうようにしているか、に着目し
て分類するとピッＩ〜形成型、泡あるいは凹凸形成型、
光磁気型、相変化型等の各種型式の記録媒体に分類でき
る。

前記した各種型式の記録媒体の内で相変化型に属するも
のは書き換えが可能である。

現在までに相変化型に属する記録媒体としては例えば特
公昭４７−２６８９７号公報記載のように、カルコゲナ
イド系物質の組成物や低級酸化物の薄膜を用いたものが
提案されている。

相変化型の記録媒体には、非晶質と結晶との間の相変化
、あるいは結晶と結晶との間の相変化を利用するものが
ある。

前者は前記特公昭４７−２Ｇ８９７号公報記載のように
主としてカルコゲナイド系物質であり、その他時開昭６
０−２５３０３４号公報記載のようにテルル化合物等が
知られている。

後者は特開昭６０−４６３３９号公報記載のようにＣｕ
−ＡＱ−Ｎｉ合金やＩｎ−３ｂ合金等が知られている。

これらの記録媒体は、いずれも二つの構造状態を可逆的
に状態変化させることで記録・消去を行なう。

一般に非晶質と結晶との間の相変化型では、非晶質状態
を記録状態、結晶状態を未記録状態に対応させて記録・
消去が行なわれている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

光記録媒体に要求される主要な性質として、記録・消去
の高速化及び記録情報の長寿命化がある。

記録の高速化は融点を最適な値に持つ物質を用い、高エ
ネルギーのレーザ光を照射することで実用性能（０，１
μ秒以下）を満足している現状にある。

しかし従来の書き換え可能な相変化型光記録媒体は、非
晶質（以下アモルファスともいう）と結晶との間を相変
化する記録媒体、あるいは結晶と結晶との間を相変化す
る記録媒体のいずれにおいても、消去速度が遅く、また
記録状態がアモルファスであるため熱的安定性に欠は記
録情報の寿命が短いという問題点があった。

本発明の目的は、記録情報の消去を高速で行うことがで
き、かつ、記録情報の寿命の長い書き換え可能なアモル
ファスと結晶との間の相変化による光記録媒体を提供す
ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、電磁エネルギーを供給する手段と、結晶状態
とアモルファス状態との間を可逆的に相変化する記録層
と、第一の結晶状態と第二の結晶状態との間を可逆的に
相変化する機能性膜とからなる。

電磁エネルギーには例えばレーザ光、赤外線集光、電子
線９粒子線等が使用される。

機能性膜は、記録層を構成する物質の結晶化速度（アモ
ルファス状態から結晶状態に変化するために費やす時間
）を制御する機能を有する囚であり１機能性膜を構成す
る物質の相変化温度以上で第一の結晶状態を形成し、前
記記録層を構成する物質の結晶状態における結晶構造と
ブラベー格子分類上同種であり、かつ、機能性膜を構成
する物質の相変化温度以下で第二の結晶状態を形成し、
前記記録層を構成する物質の結晶状態における結晶構造
とブラベー格子分類上異種である物質から構成されてい
る。

ここでブラベー格子分類（小原嗣部著、朝倉書店発行、
「金属組織学概論」参照）上の同種とは結晶系が等しい
ということであり、同分類上の異種とは結晶系が異なる
ということである。

機能性膜は、機能性膜を構成する物質の相変化温度以上
で第一の結晶状態を形成し、前記記録層の結晶化を促進
し、かつ、機能性膜を構成する物質の相変化温度以下で
第二の結晶状態を形成し、前記記録層の結晶化を抑制す
る物質から構成されている。

一般に結晶化とはアモルファス状態から結晶状態への変
化をいう。

機能性膜は、機能性膜を構成する物質の相変化温度以上
で第一の結晶状態を形成し、前記記録層を構成する物質
の結晶状態における結晶構造と結晶系が等しく、かつ、
機能性膜を構成する物質の相変化温度以下で第二の結晶
状態を形成し、前記記録層を構成する物質の結晶状態に
おける結晶構造と結晶系が異なる物質から構成されてい
る。

機能性膜は、機能性膜を構成する物質の相変化温度以上
で第一の結晶状態を形成し、前記記録層の核生成を促進
し、かつ、機能性膜を構成する物質の相変化温度以下で
第二の結晶状態を形成し、前記記録層の核生成を抑制す
る物質から構成されている。

こうして、記録された情報の高速消去及び長寿命化がで
きるという本発明の目的は、機能性膜を設けた光記録媒
体において実際に達成される。

光記録媒体とは、例えば光カード、光ディスク。

光テープ等をいう。

さらに、機能性膜を構成する物質の相変化温度は、前記
記録層を構成する物質の結晶化温度近傍にあることが好
ましいが、機能性膜を構成する°物質の相変化温度が前
記記録層を構成する物質の結晶化温度以上、または１機
能性膜を構成する物質の相変化温度が前記記録層を構成
する物質の結晶化温度以下の物質を用いても、充分本発
明の目的である記録情報の高速消去及び長寿命化が達成
される。

ここで、相変化温度とは結晶状態から結晶状態へ相変化
する熱力学的な一義的温度であり、結晶化温度とはアモ
ルファス状態から結晶状態へ結晶化する熱力学的な一義
的温度である。

そして、記録層を構成する物質の結晶化温度は記録層を
構成する物質の融点以下にある。

また、機能性膜を構成する物質の相変化温度は記録層を
構成する物質の融点以下である必要がある。

機能性膜としては記録層を構成する物質の結晶化温度と
機能性膜を構成する物質の相変化温度との関係で選択さ
れるが、例えばＡｇ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ａｇ−Ｃｄ、
Ａｇ−Ｉ　ｎ、Ｃｕ−ＡＱ−Ｎｉ、Ｃｏ、ＴＱ、Ｔｉ、
Ｃａ、Ｕ等の金属やそイセ５ の合金または化合物が考えられ、その揺誘電体。

高分子、半導体等が考えられる。

つまり機能性膜は、機能性膜を構成する物質の相変化温
度以上（第一の結晶状態）では記録情報の高速消去２機
能性膜を構成する物質の相変化温度以下（第二の結晶状
態）では記録情報の長寿命化の要求に答えるものである
。

また機能性膜は、記り層を構成する物質の結晶化速度を
制御するという本来の機能のほか、耐環境性を向上させ
る保護干渉層としての機能を有する。

機能性膜は、電磁エネルギー投入側、電磁エネルギー投
入側の反対側、？！！磁エネルギー投入側及びその反対
側の両方に設けることができる。

例えば、記録層が透過率が高く吸収率が低い物質で構成
されている場合、つまり記録層を構成する物質の反射率
が高い場合には、機能性膜を電磁エネルギー投入側に設
けることによって、機能性膜は吸収膜としての機能を発
揮し記８層の光吸収を高めることができる。

例えば、記録層が熱拡散率の高い物質で構成されている
場合、つまり記録層を構成する物質の熱伝導率が高い場
合には５機能性膜を電磁エネルギー投入側の反対側に設
けることによって、機能性膜は断熱膜としての機能を発
揮し記録層の熱拡散を弱めることができる。

また、機能性膜を電磁エネルギー投入側及びその反対側
の両方に設けることによって、機能性膜本来の機能を高
めることができると同時に保護干渉層としての機能を一
層高めることができる。

〔作用〕

アモルファスと結晶との間の相変化による光記録では一
般に、記録情報はアモルファス状態からなり、それを結
晶化させて記録情報を消去する。

従ってアモルファス状態の結晶化過程は、記録情報の消
去及び熱的安定性を支配するといえる。

前記結晶化過程の起こる温度について考えるならば、ア
モルファス状態の結晶化が巨視的に起こる温度、つまり
結晶化温度であるが、この結晶化温度以上で起こる結晶
化が消去、結晶化温度以下で起こる結晶化が熱的安定性
に寄与するといえる。

光記録媒体ではなるべく速く消去し、−度記録された情
報は長寿命であることが要求される。

つまりこれは、結晶化温度以上で起こる結晶化の速度を
大きく、結晶化温度以下で起こる結晶化の速度を小さく
することを意味する。

実際に、こうした速度論的条件、例えば０．１μ秒で記
録層を構成する物質の結晶化を生じさせるという条件は
、例えば活性化エネルギーや緩和時間という動力学的パ
ラメータや結晶化温度で定義され、理論的に設定される
。

しかしこれを解決し、満足する記録層材料の開発は非常
に困難である。

このことは、記録層材料の組成を調整することで記録さ
れた情報の高速消去及び長寿命化を達成しようとする従
来の方式では限界があることを示唆する。

光記録媒体では一般に、記録層単独で用いられることは
なく、光の透過、吸収９反射の効率を調整し向上させる
干渉層や耐環境性を向上させる保護層等が前後に設けら
れたサンドインチ（積層）構造である場合が多い。

事実、現在の多くの光記録媒体は数層から構成され、光
記録媒体の性能向上が計られている。

従って、前述のような積層も３造における記録層の状態
変化について考える必要がある。

一方、アモルファス状態の結晶化過程は、核生成と核成
長との過程と考えられる。

結晶核は一般に熱活性的に生成される数〜数十入オーダ
の局所的な微結晶構造である。

バルク材では核生成は各種の形態をとるが、記録層のよ
うな１００人程度の薄膜においては、核生成はその膜表
面において支配的に起こることが知られている。

しかしながら、前述したような積層構造では、記録層表
面は異なった結晶構造からなる他の膜（層）と接触して
いるため、つまり原子の配列の乱れた状態の界面を形成
しているため、核生成は難しい。

つまりこうした状態での界面では歪エネルギー等の負の
要因のため核生成は難しくなる。

一方、記録層が記録状態（アモルファス状態）にあると
き、結晶化温度以上でのみ結晶化が進行するように見え
るが、実際にはアモルファス状態は非平衡状態のため高
エネルギー状態にあり、低エネルギー状態の平衡状態へ
の駆動力は結晶化温度以下でも存在する。

ただし、低温における原子の移動速度は非常に小さいた
め、結晶化温度以下での結晶化速度は小さくなる。

光記録媒体では記録情報の信頼性から６０℃〜７０’Ｃ
で１０年以上の寿命が要求されている。

現実にはこの要請はカルコゲナイド系アモルファス材料
には難しい。

そこで記録層の少なくとも一方の面に機能性膜を設ける
ことが本発明の特徴である。

この機能性膜は前述したアモルファス状態の結晶化が薄
膜界面の構造における歪エネルギーに敏感であるという
事実にもとづいて、記録層を構成する物質の結晶化速度
を制御することを特徴とする。

前述したように数々の材料が機能性膜として考えられる
が次の事項が必要条件である。

機能性膜は、機能性膜を構成する物質の相変化温度で第
一の結晶状態と第二の結晶状態との間を可逆的に相変化
するものである。

この機能性膜は１機能性膜を構成する物質の相変化温度
以上（第一の結晶状態）と機能性膜を構成する物質の相
変化温度以下（第二の結晶状態）とが異なった結晶構造
からなり、第一の結晶状態の結晶構造が記録層を構成す
る物質の結晶状態における結晶構造とブラベー格子によ
る結晶構造分類上同種であり、第二の結晶状態の結晶構
造が記録層を構成する物質の結晶状態における結晶構造
とブラベー格子による結晶構造分類上異種である必要が
ある。

本発明は前述の必要条件を満足するとき記録された情報
の高速消去及び長寿命化を達成する機能を発揮する。

光記録媒体では記録層の所望の部分に電磁エネルギーを
局所的に照射して、記録層を構成する物質を融点まで昇
温し、溶解する。

その後に自然冷却による急冷によって照射冷却部はアモ
ルファス状態を形成する。

未照射部は結晶状態にあるので照射部と未照射部とは、
アモルファス状態と結晶状態との間に生じる屈折率の差
のため著しい反射、透過または吸収率の差を生じ、コン
トラストを帯びる。

このアモルファス状態の記録層を、記録層を構成する物
質の結晶化温度以上融点以下の温度に昇温できるような
適度な電磁エネルギーを照射するとアモルファスは結晶
化し、未照射部と同一の結晶状態になるためコントラス
トが消失し、記録情報の消去ができる。

この消去過程はアモルファス状態の結晶化過程に対応し
核生成と核成長とに律速される。

記り層の所望の部分が電磁エネルギーの照射によって、
記録層を構成する物質の結晶化温度以上融点以下に加熱
されると、機能性膜は機能性膜を構成する物質の相変化
温度以上に加熱され、記録層を構成する物質の結晶状態
における結晶構造とブラベー格子分類上同種の結晶構造
を有した第一の結晶状態に変化する。

例えば、記録層を構成する物質の結晶状態における結晶
構造をブラベー格子分類上の立方晶系。

機能性膜を構成する物質の第一の結晶状態における結晶
構造を同分類上の立方晶系９撮能性膜を構成する物質の
第二の結晶状態における結晶構造を同分類上の六方晶系
とする物質を用いた場合である。

第一の結晶状態では、記録層と機能性膜との界面はブラ
ベー格子分類上同種であり、記録層のアモルファス状態
が機能性膜との界面に整合し、歪を緩和するような結晶
核を優先的に形成するため核生成が非常に容易であり、
結晶化速度は大きくなる。

つまり、アモルファスの結晶化が強力に促進される。

第二の結晶状態では、記録層と機能性膜との界面はブラ
ベー格子分類上異種であり、界面での整合は難しく常に
大きな歪を蓄え、仮にアモルファス状態から結晶核が生
成されても大きな歪エネルギーのため核成長ができない
。

つまり、アモルファスの結晶化が強力に抑制される。

本発明は記録層のアモルファス（情報）の結晶化速度を
促進したり抑制したりするものである。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面により説明する。

第１図は、ガラス基板１１上にＡｇａθＺｎ５゜（原子
％）合金機能性膜１２を形成し、その後にＩ　ｎｚｚｓ
　ｂａａＴ　ｅａｓ　（原子％）三元系合金記録層１３
を形成し、さらにその後にＡｇ５ｏＺｎ５ｏ（原子％）
合金機能性膜１２を形成した光記録媒体の膜構成図であ
る。

ＡｇｅｏＺｎｅｏ（原子％）合金機能性膜１２は、ｄｃ
マグネトロンスパッタ法もしくは真空蒸着法を用い、膜
厚３００人に形成されている。

Ｉ　ｎｚｚｓ　ｂｓｓＴｅ４５（原子％）三元系合金記
録Ｆ！１１３は、Ｒ滲マグネトロンスパッタ法もしくは
真空蒸着法を用い、膜厚１０００人に形成されている。

Ａｇ５ｏＺｎ６ｏ（原子％）合金のスパッタ条件は、合
金ターゲットによるＡｒガス分圧が２０　ｍＴｏｒｒ＋
スパッタ面積１００ｎｎφ、スパッタ出力１００Ｗであ
る。

Ｉ　ｎｚｚｓ　ｂｓｓＴ　ｅｂｂ　（原子％）三元系合
金のスパッタ条件は、合金ターゲットによるＡｒガス分
圧が１ｍＴｏｒｒ、スパッタ面積１００　＋ｍ１φ、ス
パッタ出力２００ｗである。

機能性膜としてのＡｇ５ｏＺｎ５ｏ（原子％）合金の相
変化温度は２８０℃である。

記録層としてのＩ　ｎｚｚｓ　ｂ３３Ｔ　ｅ４５（原子
％）三元系合金の結晶化温度は２００°Ｃであり、融点
は６５０℃である。

この機能性膜及び記録層を構成する物質の各温度の関係
を第２図に示す。

第３図は、第１図のように作製した光記録媒体の記録状
態（アモルファス状態）と未記録状態（結晶状態）との
分光反射率を示す。

これにより第１図のように膜構成した元肥Ｒ媒体では記
録状態と未記録状態とでは反射率に著しい差を生じるこ
とがわかる。

またアモルファス状態が結晶状態に変化すると反射率は
大きくなることがわかる。

第４図は、出力３０ｍＷの半導体レーザパルスを１μ秒
照射し、直径１．５　μｍのアモルファスビットを記録
層に形成した後、０．０１μ秒〜１μ秒の間で出力１０
ｍＷの半導体レーザパルスを照射したときの反射率比（
未記録状態の反射率／記録状態の反射率）の変化を示す
。

これにより消去時間の測定ができる。

消去時間は第４図における消去完了までの時間であり、
記録層がアモルファス状態の場合と結晶状態の場合との
反射率をそれぞれＲａとＲｘとすると、Ｒ＆がＲ，にな
る時間をいう。

つまり記録状態の反射率が未記録状態の反射率に回復す
るレーザ照射最短時間をいう。

ここで出力１０ｍＷの半導体レーザパルスを照射したと
きの光記録媒体の機能性膜及び記Ｂ層を構成する物質の
各温度について説明する。

前述の場合に、出力１０ｍＷの半導体レーザパルスを照
射すると、記録層の所望の部分は実質１土 消去温度（４００’Ｃ前後）に＃する。

消去温度とはアモルファス状態を結晶状態にする実際の
操作上の温度であり、実際に効力が発生する温度である
。

消去温度は光記録媒体に投入する電磁エネルギー量に対
し、膜構成から決まる熱伝導率、光学特性（反射率、透
過率、吸収率）によって変化するが、投入する電磁エネ
ルギーによって実質的に制御できる温度である。

そして消去温度は一般に記Ｏ層を構成する物質の結晶化
温度以上融点以下である。

この消去温度と機能性膜及び記録層を構成する物質の各
温度との関係を第５図に示す。

第４図より、本発明の機能性膜を伴った光記録媒体１１
よ、伴わなかった光記録媒体２に比較して消去時間が１
では０．０５　μ秒であるのに対して２では０．２　　
μ秒であり１機能性膜を設けることによって消去時間が
著しく短縮され、消去速度が高速化していることがわか
る。

これは、第５図の関係からもわかるように、Ａｇ５ｏＺ
ｎｓｏ（原子％）合金機能性膜の相変化温度が２８０℃
であり、Ｉ　ｎｚｚＳ　ｂａａＴ　ｅｂｂ　（原子％）
三元系合金記録層の結晶化温度が２００℃であり、消去
温度において機能性膜は第一の結晶状態にあり、機能性
膜を構成する物質は記録層を構成する物質の結晶状態に
おける結晶構造とブラベー格子分類上同種の結晶構造と
なり、結晶化が促進される。

詳細には、Ａｇ５ｏＺｎＩＳｏ　（ｙＫ子％）合金は第
一の結晶状態では結晶構造の結晶系が立方晶系上の体心
立方格子構造をとること、Ｉ　ＩＩ　２２Ｓ　ｂ　ａａ
Ｔｅ４Ｒ（原子％）三元系合金の結晶状態における結晶
構造の結晶系が立方晶系であることによる。

第６図は記録後の光記録媒体の等温（３００℃保持）に
おける結晶化にともなう反射率の変化を示す。

一般に等温における結晶化では何の変化も示さない時間
があり、これを潜伏期という。

これは主として核生成をしている段階であり。

従って潜伏期が長いほど核生成が困難であるということ
になる。

第６図に示すように等温における反射率の変化において
、機能性膜がない場合２では著しい潜伏期を示すが、機
能性膜がある場合１では潜伏期をほとんど示さない。

これは等温３００℃保持の状態のもとではＡｇａｏＺｎ
ａｏ（原子％）合金機能性膜が結晶核の源となっている
ことを示すものである。

また、消去速度が機能性膜の存在によって高速化するに
は、第一の結晶状態において記録層を構成する物質の結
晶化速度近傍または結晶化速度以上で機能性膜を構成す
る物質が相変化する必要があるが、本実施例ではこの条
件を満足しているといえる。

第７図は、記録された情報の寿命を調べるために光記録
媒体を１００℃、７０％ＲＨ（相対湿度）に保持したと
きの反射率比の変化を示す。

機能性膜を設けない光記録媒体２では１０３ｈ以降から
結晶化による反射率の上昇が始まるが、機能性膜を設け
た光記録媒体１では反射率の変化は確認されなかった。

これは機能性膜が結晶化を抑制していることを示す。

この効果を明確にするために記録層を構成する物質の結
晶化温度以下、同時に機能性膜を構成する物質の相変化
温度以下の等温（１５０℃保持）における結晶化にとも
なう反射率の変化を調べた。

第８図に示すように機能性膜は潜伏期を著しく大きくす
る効果を有することがわかる。

これはＡｇ５ｏＺｎ５ｏ（原子％）合金機能性膜が。

第二の結晶状態では記録層の核生成を抑制し、光記録媒
体の記録情報の寿命を向上させていることを示す。

詳細には、Ａｇ５ｏＺｎ５ｏ（原子％）合金は第二の結
晶状態では結晶構造の結晶系が立方晶系上の単純六方格
子構造をとること、Ｉ　ｎ　２２Ｓ　ｂ　ａａＴｅａ。

（原子％）三元系合金の結晶状態における結晶構造の結
晶系が立方晶系であることによる。

また別の実施例として、ガラス基板上にＡｇ５゜Ｚｎａ
ｏ（原子％）合金機能性膜を形成し、その後にＩｎａｏ
Ｓｂ１７Ｔｅａａ（原子％）三元系化合物記録層を形成
し、さらにその後にＡ　ｇｓｏＺ　ｎｇｏ　（Ｊｊｉｔ
子％）合金機能性膜を形成した光記録媒体について示す
。

Ａｇ５ｏＺｎｓｏ（原子％）合金機能性膜は、ｄａマグ
ネトロンスパッタ法もしくは真空蒸着法を用い、膜厚３
００人に形成する。

Ｉ　ｎＩＩｏｓ　ｂエフＴ　ｅａａ　（原子％）三元系
化合物記録層は、Ｒ−マグネトロンスパッタ法もしくは
真空蒸着法を用い、膜厚１０００人に形成する。

つまり第１図と同様に膜構成する。

Ａｇ５ｏＺｎｓｏ（原子％）合金のスパッタ条件は、合
金ターゲットによるＡｒガス分圧が２０　ｍＴｏｒｒ。

スパッタ面＠　１００　ｔｒａφ、スパッタ出力１００
ｗである。

Ｉ　ｒ＋ａｏＳ　ｂｔ７Ｔ　ｅ３３（原子％）三元系化
合物のスパッタ条件は、合金ターゲットによるＡｒガス
分圧が１ｍＴｏｒｒ、スパッタ面積１．　ＯＯａｎφ、
スパッタ出力２００ｗである。

機能性膜としてのＡｇ５ｏＺｎ５ｏ（原子％）合金の相
変化温度は２８０℃である。

記ａ層としてのＩ　ｎ５ｏｓ　ｂｔ７Ｔ　ｅ３３（原子
％）三元系化合物の結晶化温度は４２０℃であり、隔点
け６２０℃である。

この機能性膜及び記録層を構成する物質の各温度の関係
を第９図に示す。

本実施例においても、第４図及び第７図に示すような傾
向が確認された。

従って、第一の結晶状態においては記録層の結晶化を促
進し、第二の結晶状態においては記録層の結晶化を抑制
していることがわかった。

つまり、記録された情報の高速消去及び長寿命化という
効果が得られた。

また当然、機能性膜を構成する物質の相変化温度と記録
層を構成する物質の結晶化温度とが近傍にある場合につ
いても、前述した傾向を示すことは前記二実施例から容
易に考えることができる。

ここで近傍とは、前記結晶化温度±５０°Ｃと考えてい
る。

以上の効果は原理的に、全てのアモルファスと結晶との
間の相変化光記録媒体に適用できる。

さらに、機能性膜を構成する物質として銀皿鉛合金を用
いた理由について述べる。

光記録媒体では、保護干渉層としてＡｕ、Ａｇ等の金属
がしばしば使用されるが、これは金属の有する反射率が
大きく、熱伝導率が大きいという特性と、光学的設計が
自由であるという利点からである。

特に、銀亜鉛は耐食性に優れ、かつ、Ａ　ｇ　４６Ｚｎ
ｏｏ（原子％）　〜Ａ　ｇｅｏＺ　ｎ４ｏ　（原子％）
で相変化温度が２４０℃〜２８０℃と機能性膜としての
設計１優れているからである。

〔発明の効果〕

本発明の光記録媒体を用いることにより、記録情報の高
速消去及び長寿命化が達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録媒体の膜構成図、第２図は機能
性膜及び記り層を構成する物質の各温度の関係図、第３
図は膜構成を行った場合の分光反射率、第４図は消去試
験の測定例、第５図は消去温度と機能性膜及び記り層を
構成する物質の各温度との関係図、第６図は等温反射率
変化、第７図は寿命試験の測定例、第８図は等温反射率
変化、第９図は別の実施例における機能性膜及び記録層
を構成する物質の各温度の関係図である。 １・・・機能性膜あり、２・・・機能性膜なし、１１・
・・基躬１図 帛２−図 記録１　１　機亀＝１′！Ｌ＠ 躬３図 躬４−図 閃ｒｔ時間（μＳ） 来５０ 率６四 コ 躬１図 時ｌｓ′１（ｈ＋ Ｂ−［間（Ｔｎｊ４１〕 １目

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電磁エネルギーを供給する手段と、 結晶状態とアモルファス状態との間を可逆的に相変化す
   る記録層と、 第一の結晶状態と第二の結晶状態との間を可逆的に相変
   化する機能性膜とを有し、 該機能性膜は、機能性膜を構成する物質の相変化温度以
   上で第一の結晶状態を形成し、前記記録層を構成する物
   質の結晶状態における結晶構造とブラベー格子分類上同
   種であり、且つ、機能性膜を構成する物質の相変化温度
   以下で第二の結晶状態を形成し、前記記録層を構成する
   物質の結晶状態における結晶構造とブラベー格子分類上
   異種である物質から構成されることを特徴とする光記録
   媒体。 ２、前記機能性膜を構成する物質の相変化温度は、前記
   記録層を構成する物質の結晶化温度近傍にあることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 ３、前記機能性膜を構成する物質の相変化温度は、前記
   記録層を構成する物質の結晶化温度以上にあることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 ４、前記機能性膜を構成する物質の相変化温度は、前記
   記録層を構成する物質の結晶化温度以下にあることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 ５、電磁エネルギーを供給する手段と、 結晶状態とアモルファス状態との間を可逆的に相変化す
   る記録層と、 第一の結晶状態と第二の結晶状態との間を可逆的に相変
   化する機能性膜とからなり、 該機能性膜は、機能性膜を構成する物質の相変化温度以
   上で第一の結晶状態を形成し、前記記録層の結晶化を促
   進し、且つ、機能性膜を構成する物質の相変化温度以下
   で第二の結晶状態を形成し、前記記録層の結晶化を抑制
   する物質から構成されることを特徴とする光記録媒体。 ６、電磁エネルギーを供給する手段と、 結晶状態とアモルファス状態との間を可逆的に相変化す
   る記録層と、 第一の結晶状態と第二の結晶状態との間を可逆的に相変
   化する機能性膜とからなり、 該機能性膜は、機能性膜を構成する物質の相変化温度以
   上で第一の結晶状態を形成し、前記記録層を構成する物
   質の結晶状態における結晶構造と結晶系が等しく、且つ
   、機能性膜を構成する物質の相変化温度以下で第二の結
   晶状態を形成し、前記記録層を構成する物質の結晶状態
   における結晶構造と結晶系が異なる物質から構成される
   ことを特徴とする光記録媒体。 ７、電磁エネルギーを供給する手段と、 結晶状態とアモルファス状態との間を可逆的に相変化す
   る記録層と、 第一の結晶状態と第二の結晶状態との間を可逆的に相変
   化する機能性膜とからなり、 該機能性膜は、機能性膜を構成する物質の相変化温度以
   上で第一の結晶状態を形成し、前記記録層の核生成を促
   進し、且つ、機能性膜を構成する物質の相変化温度以下
   で第二の結晶状態を形成し、前記記録層の核生成を抑制
   する物質から構成されることを特徴とする光記録媒体。