JPH01162346A - 半導体素子の搬送装置 - Google Patents
半導体素子の搬送装置Info
- Publication number
- JPH01162346A JPH01162346A JP62321748A JP32174887A JPH01162346A JP H01162346 A JPH01162346 A JP H01162346A JP 62321748 A JP62321748 A JP 62321748A JP 32174887 A JP32174887 A JP 32174887A JP H01162346 A JPH01162346 A JP H01162346A
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- Japan
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- carrier
- carriers
- guide
- along
- pieces
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 241001144608 Xyrias Species 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は半導体素子の搬送装置に関し、特に半導体素子
を保持可能とするキャリアを循環移送する形式の搬送装
置に関する。
を保持可能とするキャリアを循環移送する形式の搬送装
置に関する。
(従来の技術)
半導体製造工程の一つに検査工程がある。これは製造さ
れた半導体素子の特性を個々に検査し、例えばその特性
に応じて分類収納する工程でおる。
れた半導体素子の特性を個々に検査し、例えばその特性
に応じて分類収納する工程でおる。
この検査工程に用いられる検査装置の一例としては特公
昭51−10947@公報により公知である。この技術
によれば、傾斜シュートに沿ってキャリアに保持された
半導体素子をその自重で落下させるとともに、その途中
にてキャリアを一時的に停止せしめ、この停止したキャ
リアに保持されている半導体素子に接触装置を作動させ
て特性を測定するものである。
昭51−10947@公報により公知である。この技術
によれば、傾斜シュートに沿ってキャリアに保持された
半導体素子をその自重で落下させるとともに、その途中
にてキャリアを一時的に停止せしめ、この停止したキャ
リアに保持されている半導体素子に接触装置を作動させ
て特性を測定するものである。
(発明が解決しようとする問題点)
上記技術によれば、半導体素子はキャリアに保持された
状態で搬送されるため、素子を直接シュー1〜に沿って
搬送させる場合に比較して、素子の破損か大幅に低減さ
せられる。ところかキャリアは上記したように傾斜シュ
ー1〜に沿って自重落下する形式のため、キャリアの送
りが不確実であるという問題点を有していた。またキャ
リアを収納側で回収しなければならず、作業効率も非常
に悪いものであった。
状態で搬送されるため、素子を直接シュー1〜に沿って
搬送させる場合に比較して、素子の破損か大幅に低減さ
せられる。ところかキャリアは上記したように傾斜シュ
ー1〜に沿って自重落下する形式のため、キャリアの送
りが不確実であるという問題点を有していた。またキャ
リアを収納側で回収しなければならず、作業効率も非常
に悪いものであった。
そこで本発明においては、半導体素子を確実に搬送でき
るとともに、稼動率の向上を図ることができる半導体素
子の搬送装置を提供することを目的とする。
るとともに、稼動率の向上を図ることができる半導体素
子の搬送装置を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
上記目的を達成するため本発明においては、半導体素子
を保持可能とする複数のキレリアを順次所定位置に搬送
する半導体素子の搬送装置において、複数個のキャリア
を四角形の各辺に沿って配列し、この四角形の少なくと
も一辺に相当する位置に少なくともキャリア1個分のス
ペースを設け、前記四角形の各辺に対応して各辺に位置
するキャリアをその辺に沿って移動させるためのアクチ
ュエータを配設したことを特徴とする。
を保持可能とする複数のキレリアを順次所定位置に搬送
する半導体素子の搬送装置において、複数個のキャリア
を四角形の各辺に沿って配列し、この四角形の少なくと
も一辺に相当する位置に少なくともキャリア1個分のス
ペースを設け、前記四角形の各辺に対応して各辺に位置
するキャリアをその辺に沿って移動させるためのアクチ
ュエータを配設したことを特徴とする。
(作用)
本発明によれば、キャリアが四角形の各辺に沿って強制
的に循環移送させられる。これにより各キャリアに保持
された半導体素子は、順次確実に所定位置に位置付けら
れるとともに、キャリアの回収作業を必要としないため
、従来に比べ装置の稼動率をはるかに向上させることが
できる。
的に循環移送させられる。これにより各キャリアに保持
された半導体素子は、順次確実に所定位置に位置付けら
れるとともに、キャリアの回収作業を必要としないため
、従来に比べ装置の稼動率をはるかに向上させることが
できる。
(実施例)
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第1図は本発明をフラットパッケージタイプのI
C(以下ICという)の加熱部に適用した例を示す斜視
図、第2図は第1図で用いられるキャリアの斜視図、第
3図は第2図にあけるI−I[I断面拡大図を各々示す
。
する。第1図は本発明をフラットパッケージタイプのI
C(以下ICという)の加熱部に適用した例を示す斜視
図、第2図は第1図で用いられるキャリアの斜視図、第
3図は第2図にあけるI−I[I断面拡大図を各々示す
。
まず第2図、第3図に示されるように、この例ではキャ
リア1はIC2を2個保持可能とする。
リア1はIC2を2個保持可能とする。
づなわらキャリアの上面1aには2個の凹部3が長手方
向に間隔を有して設けられるとともに、各凹部3の底面
には、IC2のパッケージ2aの側面に接することでI
C2を位置決めする凸部4がパッケージ2aの4側面に
対応して形成されている。また図示のようにIC2がキ
ャリア1に保持される状態において、IC2の端子リー
ド2bと凹部3の底面との間に間隙を有し、端子リード
2bとは非接触状態とされる。さてこのようなキャリア
1は、第1図に示すように四角形の台片に沿って複数個
が配設される。第1図において10は板状ヒータ、11
はヒータ10上方に配設された案内ガイドで、対向する
ガイド片11a、11G並びに11b、11dにより四
角形が形成される。
向に間隔を有して設けられるとともに、各凹部3の底面
には、IC2のパッケージ2aの側面に接することでI
C2を位置決めする凸部4がパッケージ2aの4側面に
対応して形成されている。また図示のようにIC2がキ
ャリア1に保持される状態において、IC2の端子リー
ド2bと凹部3の底面との間に間隙を有し、端子リード
2bとは非接触状態とされる。さてこのようなキャリア
1は、第1図に示すように四角形の台片に沿って複数個
が配設される。第1図において10は板状ヒータ、11
はヒータ10上方に配設された案内ガイドで、対向する
ガイド片11a、11G並びに11b、11dにより四
角形が形成される。
また11eは四角形内に設けられた中央ガイド片であり
、この中央ガイド片11eはガイド片11a、11Gに
平行かつガイド片11b、11dの長手方向の中間位置
に設けられ、中央ガイド片11eと、ガイド片11a並
びに11Cとの間隙は、1個のキャリア1の長手方向幅
とほぼ同一に設定される。さらにこの中央ガイド片11
eの両端部と、それぞれ対向するガイド片11b、11
dとの間には1個のキャリア1の長手方向と直交する方
向の幅分の間隙が形成される。また案内ガイド11に沿
ってキャリア1を配設した状態において、各キャリア1
の下面1bは板状ヒータ10の上面と接触状態とされ、
キャリア1は板状ヒータ10により加熱されることとな
る。
、この中央ガイド片11eはガイド片11a、11Gに
平行かつガイド片11b、11dの長手方向の中間位置
に設けられ、中央ガイド片11eと、ガイド片11a並
びに11Cとの間隙は、1個のキャリア1の長手方向幅
とほぼ同一に設定される。さらにこの中央ガイド片11
eの両端部と、それぞれ対向するガイド片11b、11
dとの間には1個のキャリア1の長手方向と直交する方
向の幅分の間隙が形成される。また案内ガイド11に沿
ってキャリア1を配設した状態において、各キャリア1
の下面1bは板状ヒータ10の上面と接触状態とされ、
キャリア1は板状ヒータ10により加熱されることとな
る。
−5=
カイト片11a〜11dにより形成された四角形の各辺
に対応して、シリンダA−Dより成るキャリア移動部1
2が設けられる。シリンダAは、カイト片11aの矢示
a方向端部に配設され、そのピストンロッドの伸張によ
り矢示a方向端部に位置するキャリア1をガイド片11
bに沿って矢示す方向に移動させる。シリンダCは、ガ
イド片11Gの矢示C方向端部に配設され、そのビス1
〜ンロツドの伸張により矢示C方向端部に位置するキャ
リア1をガイド片11dに沿って矢示d方向に移動させ
る。またシリンダB並びにDは、それぞれカイト片11
G、11aに沿って位置する一連のギヤリア1を1ピッ
チ分それぞれ矢示C,a方向に移動させる。
に対応して、シリンダA−Dより成るキャリア移動部1
2が設けられる。シリンダAは、カイト片11aの矢示
a方向端部に配設され、そのピストンロッドの伸張によ
り矢示a方向端部に位置するキャリア1をガイド片11
bに沿って矢示す方向に移動させる。シリンダCは、ガ
イド片11Gの矢示C方向端部に配設され、そのビス1
〜ンロツドの伸張により矢示C方向端部に位置するキャ
リア1をガイド片11dに沿って矢示d方向に移動させ
る。またシリンダB並びにDは、それぞれカイト片11
G、11aに沿って位置する一連のギヤリア1を1ピッ
チ分それぞれ矢示C,a方向に移動させる。
なお第1図の状態にあけるキャリア1−には、例えばX
Yテーブル上に配置されたトレイ13から2個のIC2
が図示省略の第1のピックアツプ具により供給される。
Yテーブル上に配置されたトレイ13から2個のIC2
が図示省略の第1のピックアツプ具により供給される。
従って図示の状態においてキャリア1′が位置するとこ
ろがIC供給位置とされる。また図示の状態においてキ
ャリア1″が位置するところがIC取出位置とされ、キ
ャリア1″が保持していたICは図示省略の第2のピッ
クアツプ具により保持されキャリア1″から取り出され
る。
ろがIC供給位置とされる。また図示の状態においてキ
ャリア1″が位置するところがIC取出位置とされ、キ
ャリア1″が保持していたICは図示省略の第2のピッ
クアツプ具により保持されキャリア1″から取り出され
る。
次に上記構成の作動について説明する。
まず複数個のキャリア1を案内ガイド11に沿って四角
形に配置する。ただし対向するガイド片1’lb、11
dに沿ってキャリア1の1個分のスペースm、nがそれ
ぞれ設けられる。第1図の状態において、トレイ13か
らは図示省略の第1のピックアツプ具によりICが2個
吸着保持されるとともに、この2個のICをキャリア1
′の凹部3まで移送し、キレリア1′に供給する。供給
されたIC2は第3図に示されるような状態でキャリア
1′に保持される。そこでシリンダA並びにCのピスト
ンロッドが収縮する。そして次にシリンダB、Dが駆動
されてそのピストンロッドが伸張すると、ガイド片11
a、11cに沿って位置する一連のキャリア1は、それ
ぞれ矢示a、C方向に1ピツチ移動させられる。次にシ
リンダB、Dのピストンロッドを収縮させ、その後シリ
ンダA、Cのピストンロッドを伸張させると、IC供給
位置には新たなキャリアか到達する。この状態での各シ
リンダA〜Dのピストンロッドの作動状態は第1図に示
される状態と再度同じとなる。そこでこの新たなキャリ
アには前記したキャリア1′と同様にトレイ13よりI
C2が2個供給される。さて上記した順序で各シリンダ
A〜Dが駆動されると、各キシリア1は、その下面が板
状ヒータ10の上面と接触を保ちながら間歇的に移動さ
せられ、従って供給位置にてIC2の供給されたキシリ
ア1はガイド片11a→11b→11Gと移動し、同キ
ャリア1に保持されているIC2は移動中に昇温させら
れ、そして適温まで昇温したIC2を保持するキャリア
1は、IC取出位置、すなわら第1図の状態にあけるキ
ャリア1″の位@するところに到達する。そしてキャリ
ア1が今まで保持していたIC2は図示省略の第2のピ
ックアツプ具によって取り出され、例えば特性測定のた
めのソケットまで搬送される。
形に配置する。ただし対向するガイド片1’lb、11
dに沿ってキャリア1の1個分のスペースm、nがそれ
ぞれ設けられる。第1図の状態において、トレイ13か
らは図示省略の第1のピックアツプ具によりICが2個
吸着保持されるとともに、この2個のICをキャリア1
′の凹部3まで移送し、キレリア1′に供給する。供給
されたIC2は第3図に示されるような状態でキャリア
1′に保持される。そこでシリンダA並びにCのピスト
ンロッドが収縮する。そして次にシリンダB、Dが駆動
されてそのピストンロッドが伸張すると、ガイド片11
a、11cに沿って位置する一連のキャリア1は、それ
ぞれ矢示a、C方向に1ピツチ移動させられる。次にシ
リンダB、Dのピストンロッドを収縮させ、その後シリ
ンダA、Cのピストンロッドを伸張させると、IC供給
位置には新たなキャリアか到達する。この状態での各シ
リンダA〜Dのピストンロッドの作動状態は第1図に示
される状態と再度同じとなる。そこでこの新たなキャリ
アには前記したキャリア1′と同様にトレイ13よりI
C2が2個供給される。さて上記した順序で各シリンダ
A〜Dが駆動されると、各キシリア1は、その下面が板
状ヒータ10の上面と接触を保ちながら間歇的に移動さ
せられ、従って供給位置にてIC2の供給されたキシリ
ア1はガイド片11a→11b→11Gと移動し、同キ
ャリア1に保持されているIC2は移動中に昇温させら
れ、そして適温まで昇温したIC2を保持するキャリア
1は、IC取出位置、すなわら第1図の状態にあけるキ
ャリア1″の位@するところに到達する。そしてキャリ
ア1が今まで保持していたIC2は図示省略の第2のピ
ックアツプ具によって取り出され、例えば特性測定のた
めのソケットまで搬送される。
このように上記実施例によれば、各IC2はキャリア1
に保持されて板状ヒータ10上を搬送させられるために
、IC2の特に端子リード2bが保護され破損すること
が防止できる。しかも各キャリア1は、シリンダA〜D
で構成されるキャリア駆動部12により強制的に移動さ
せられるため、自重落下に比べるとキャリア1の送りが
極めて確実となり、従ってIC2をミスなく搬送するこ
とができる。そしてまたキャリア1は、矢示a−+b→
c −> d −) aと循環移送させられるために、
キャリア1の回収作業がまったくいらない。このため装
置の稼動率の向上が図れる。
に保持されて板状ヒータ10上を搬送させられるために
、IC2の特に端子リード2bが保護され破損すること
が防止できる。しかも各キャリア1は、シリンダA〜D
で構成されるキャリア駆動部12により強制的に移動さ
せられるため、自重落下に比べるとキャリア1の送りが
極めて確実となり、従ってIC2をミスなく搬送するこ
とができる。そしてまたキャリア1は、矢示a−+b→
c −> d −) aと循環移送させられるために、
キャリア1の回収作業がまったくいらない。このため装
置の稼動率の向上が図れる。
上記した実施例においては、スペースm、nをガイド片
11b、11dに沿って計2ケ所に設けた例を説明した
が、これは例えばガイド片11bに沿ってのみスペース
mを設けた場合でも実施できる。なおこの場合、シリン
ダA〜Dに順次個別に伸張、収縮動作を行なわせる必要
があるため、コ(固のキシリア1に注目した時の間歇的
停止時間は上記実施例の約2倍となる。またシリンダA
〜Dに代えて、カム・リンク機構、チェーン機構等を用
いてもよい。また加熱装置に適用した場合について説明
したが、冷却装置にも適用可能で、キャリア1の下面1
bと熱作用部間に間隙を設けた状態で循環移送させても
よい。また熱作用とは特に関係なく単にバッファー装置
として用いることもてきる。またガイド片11b、11
dに沿ってそれぞれ1個のキャリア分に相当するスペー
スを設け1個のみのキャリア1の移動を可能としたが、
第4図に模式的に示すように複数個から成る一連のキャ
リアを移動可能としてもよい。また第5図に模式的に示
すように、キャリア1を並列に移動させることには第1
図と同様であるが、一方をキャリア1の早送り範囲とし
てもよい。
11b、11dに沿って計2ケ所に設けた例を説明した
が、これは例えばガイド片11bに沿ってのみスペース
mを設けた場合でも実施できる。なおこの場合、シリン
ダA〜Dに順次個別に伸張、収縮動作を行なわせる必要
があるため、コ(固のキシリア1に注目した時の間歇的
停止時間は上記実施例の約2倍となる。またシリンダA
〜Dに代えて、カム・リンク機構、チェーン機構等を用
いてもよい。また加熱装置に適用した場合について説明
したが、冷却装置にも適用可能で、キャリア1の下面1
bと熱作用部間に間隙を設けた状態で循環移送させても
よい。また熱作用とは特に関係なく単にバッファー装置
として用いることもてきる。またガイド片11b、11
dに沿ってそれぞれ1個のキャリア分に相当するスペー
スを設け1個のみのキャリア1の移動を可能としたが、
第4図に模式的に示すように複数個から成る一連のキャ
リアを移動可能としてもよい。また第5図に模式的に示
すように、キャリア1を並列に移動させることには第1
図と同様であるが、一方をキャリア1の早送り範囲とし
てもよい。
[発明の効果]
以上説明したように本発明による半導体素子の搬送装置
によれば、半導体素子を確実に搬送できるとともに、稼
動率の向上を図ることができる。
によれば、半導体素子を確実に搬送できるとともに、稼
動率の向上を図ることができる。
第1図は本発明をフラットパッケージタイプのICの加
熱部に適用した例を示す斜視図、第2図は第1図で用い
られるキャリアの斜視図、第3図は第2図におけるI−
1断面拡大図、第4図、第5図はそれぞれ本発明の別の
実施例の模式的な平面図を各々示す。 1.1′ 、1″・・・キャリア、2・・・IC111
・・・案内ガイド、12・・・キャリア移動部、A−D
・・・シリンダ(アクチュエータ)。 特許出願人 東芝精機株式会社
熱部に適用した例を示す斜視図、第2図は第1図で用い
られるキャリアの斜視図、第3図は第2図におけるI−
1断面拡大図、第4図、第5図はそれぞれ本発明の別の
実施例の模式的な平面図を各々示す。 1.1′ 、1″・・・キャリア、2・・・IC111
・・・案内ガイド、12・・・キャリア移動部、A−D
・・・シリンダ(アクチュエータ)。 特許出願人 東芝精機株式会社
Claims (1)
- (1)半導体素子を保持可能とする複数のキャリアを順
次所定位置に搬送する半導体素子の搬送装置において、
複数個のキャリアを四角形の各辺に沿つて配列し、この
四角形の少なくとも一辺に相当する位置に少なくともキ
ャリア1個分のスペースを設け、前記四角形の各辺に対
応して各辺に位置するキャリアをその辺に沿って移動さ
せるためのアクチュエータを配設したことを特徴とする
半導体素子の搬送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62321748A JPH01162346A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 半導体素子の搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62321748A JPH01162346A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 半導体素子の搬送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01162346A true JPH01162346A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18136007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62321748A Pending JPH01162346A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 半導体素子の搬送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01162346A (ja) |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62321748A patent/JPH01162346A/ja active Pending
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