JPH01165113A - 拡散層の形成方法 - Google Patents
拡散層の形成方法Info
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- JPH01165113A JPH01165113A JP32472987A JP32472987A JPH01165113A JP H01165113 A JPH01165113 A JP H01165113A JP 32472987 A JP32472987 A JP 32472987A JP 32472987 A JP32472987 A JP 32472987A JP H01165113 A JPH01165113 A JP H01165113A
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- boron
- diffusion layer
- nitride film
- diffused layer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は微細化された半導体装置の製造方法のうち、
ボロン拡散層を形成する方法に関するものである。
ボロン拡散層を形成する方法に関するものである。
この発明は半導体基板中にボロン拡散層を形成する方法
において、半導体基板上表面にシラン、アンモニア、窒
素系を用いて気相成長法によりボロンナイトライド膜を
堆積した後、ランプアニール法などの短時間アニール法
により熱処理を行うことにより、半導体基板中にボロン
拡散層を形成するものである。
において、半導体基板上表面にシラン、アンモニア、窒
素系を用いて気相成長法によりボロンナイトライド膜を
堆積した後、ランプアニール法などの短時間アニール法
により熱処理を行うことにより、半導体基板中にボロン
拡散層を形成するものである。
従来、集積回路において半導体基板中にボロン拡散層を
形成する方法として、イオン打ち込みによりボロンイオ
ンを半導体基［２１中に打ち込んでボロン打ち込み層２
２を設けた後、熱処理により活性化を行いボロン拡散層
２３を得る方法が行われている。（第２図） 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし従来のボロン拡散層形成法では、素子が微細化さ
れ、０．２μｍ程度以下の浅い拡散層の形成が必要とな
るに従い、以下の問題が生じてきた。
形成する方法として、イオン打ち込みによりボロンイオ
ンを半導体基［２１中に打ち込んでボロン打ち込み層２
２を設けた後、熱処理により活性化を行いボロン拡散層
２３を得る方法が行われている。（第２図） 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし従来のボロン拡散層形成法では、素子が微細化さ
れ、０．２μｍ程度以下の浅い拡散層の形成が必要とな
るに従い、以下の問題が生じてきた。
すなわち、ボロンイオンを打ち込む場合、打ち込んだ時
点で、ある程度の深さ方向の分布を持つということであ
る。打ち込みエネルギーを低くすることにより、分布を
浅くすることは可能であるが、ゼロにすることはできな
い、さらに活性化のための熱処理後により、分布がさら
に深くなると同時にボロンの表面濃度が低下する。特に
ボロンは熱元素であるために投影飛程、熱拡散係数が大
きく、このような影響が大きいために、低い層抵抗で、
０．２μｍ程度以下の浅い拡散層を形成するのは、非常
に困難であるという問題点があった。
点で、ある程度の深さ方向の分布を持つということであ
る。打ち込みエネルギーを低くすることにより、分布を
浅くすることは可能であるが、ゼロにすることはできな
い、さらに活性化のための熱処理後により、分布がさら
に深くなると同時にボロンの表面濃度が低下する。特に
ボロンは熱元素であるために投影飛程、熱拡散係数が大
きく、このような影響が大きいために、低い層抵抗で、
０．２μｍ程度以下の浅い拡散層を形成するのは、非常
に困難であるという問題点があった。
上記問題点を解決するために本発明は、半導体基板表面
上にシラン、アンモニア、窒素系を用いて、気相成長法
によりボロンナイトライド膜を堆積した後、ランプアニ
ーラ−を用いて短時間アニールを行うことにより、半導
体基板中にボロン拡散層を形成した。
上にシラン、アンモニア、窒素系を用いて、気相成長法
によりボロンナイトライド膜を堆積した後、ランプアニ
ーラ−を用いて短時間アニールを行うことにより、半導
体基板中にボロン拡散層を形成した。
シラン、アンモニア、窒素系を用いて、気相成長法によ
り堆積したボロンナイトライド膜中には、１立方センチ
メートル当たり、１０２２原子以上のボロンが含まれて
いるためにボロンの高濃度の拡散源として用いることが
できる。ボロン拡散層の形成は、ランプアニーラ−によ
る短時間アニールで行うために、ボロンの熱拡散距離を
短く抑えることができる。このようにして、ボロンの表
面濃度が、はぼ固溶限に保たれたままで、拡散層深さが
０．２μｍ程度以下の高濃度で浅いボロン拡散層の形成
が可能である。
り堆積したボロンナイトライド膜中には、１立方センチ
メートル当たり、１０２２原子以上のボロンが含まれて
いるためにボロンの高濃度の拡散源として用いることが
できる。ボロン拡散層の形成は、ランプアニーラ−によ
る短時間アニールで行うために、ボロンの熱拡散距離を
短く抑えることができる。このようにして、ボロンの表
面濃度が、はぼ固溶限に保たれたままで、拡散層深さが
０．２μｍ程度以下の高濃度で浅いボロン拡散層の形成
が可能である。
第１図は本発明の拡散層の形成方法の工程を表す断面図
である。第１図（ａ）において１１は半導体シリコン基
板を表す。第１図中）において１２はボロンの拡散源と
して用いられるボロンナイトライド膜が気相成長法によ
り堆積された様子を表している。
である。第１図（ａ）において１１は半導体シリコン基
板を表す。第１図中）において１２はボロンの拡散源と
して用いられるボロンナイトライド膜が気相成長法によ
り堆積された様子を表している。
第１図（Ｃ１において１３は、ＣＶＤＢＮ膜からボロン
が熱拡散し、半導体シリコン基板中に高濃度のボロン拡
散層が形成された様子を表している。ランプアニーラ−
を用いて短時間アニールを行っているために、０．２μ
ｍ程度以下の非常に浅い拡散層の形成が可能である。
が熱拡散し、半導体シリコン基板中に高濃度のボロン拡
散層が形成された様子を表している。ランプアニーラ−
を用いて短時間アニールを行っているために、０．２μ
ｍ程度以下の非常に浅い拡散層の形成が可能である。
以上、詳細に説明したように、本発明による拡散層の形
成方法は、微細化された集積回路において、高濃度で浅
いボロン拡散層の形成を可能にする優れた特長を有する
。
成方法は、微細化された集積回路において、高濃度で浅
いボロン拡散層の形成を可能にする優れた特長を有する
。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）は本発明の拡散層の
形成方法の工程順を示す断面図である。 第２図Ｔａｇ、 （ｂ）は従来技術の拡散層の形成方法
の工程順を示す断面図である。 １１・・・半導体シリコン基板 １２・・・ＣＶＤＢＮ膜 １３・・・ボロン拡散層 ２１・・・半導体シリコン基板 ２２・・・ボロン打ち込み層 ２３・・・ボロン拡散層 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ↓ ↓ ↓ 第２図 手続補正書（自船
形成方法の工程順を示す断面図である。 第２図Ｔａｇ、 （ｂ）は従来技術の拡散層の形成方法
の工程順を示す断面図である。 １１・・・半導体シリコン基板 １２・・・ＣＶＤＢＮ膜 １３・・・ボロン拡散層 ２１・・・半導体シリコン基板 ２２・・・ボロン打ち込み層 ２３・・・ボロン拡散層 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ↓ ↓ ↓ 第２図 手続補正書（自船
Claims (1)
- 気相成長法により半導体基板上にボロンナイトライド
膜を堆積した後、短時間アニール法により熱処理するこ
とにより半導体基板中に拡散層を形成することを特徴と
する拡散層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32472987A JPH01165113A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 拡散層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32472987A JPH01165113A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 拡散層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165113A true JPH01165113A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18169050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32472987A Pending JPH01165113A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 拡散層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01165113A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014513416A (ja) * | 2011-03-31 | 2014-05-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 固相拡散により極浅ドーピング領域を形成する方法 |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP32472987A patent/JPH01165113A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014513416A (ja) * | 2011-03-31 | 2014-05-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 固相拡散により極浅ドーピング領域を形成する方法 |
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