JPH01165163A - イメージセンサーｉｃ - Google Patents
イメージセンサーｉｃInfo
- Publication number
- JPH01165163A JPH01165163A JP62324724A JP32472487A JPH01165163A JP H01165163 A JPH01165163 A JP H01165163A JP 62324724 A JP62324724 A JP 62324724A JP 32472487 A JP32472487 A JP 32472487A JP H01165163 A JPH01165163 A JP H01165163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- diffused layer
- image sensor
- photoelectric conversion
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ファクシミリやイメージスキャナーに用い
る、密着型イメージセンサ−のイメージセンサ−ＩＣに
関する。
る、密着型イメージセンサ−のイメージセンサ−ＩＣに
関する。
この発明は、゛一導電型半導体基盤に複数の光電変換素
子を直線状に形成した密着型イメージセンサ−のイメー
ジセンサ−ＩＣにおいて、前記光電変換素子を、基盤と
反対の導電型の拡散層内に形成することにより、前記拡
散層外の領域に入射する光により発生する少数キャリア
の光電変換素子への流入を防ぎ、分解能を改善するもの
である。
子を直線状に形成した密着型イメージセンサ−のイメー
ジセンサ−ＩＣにおいて、前記光電変換素子を、基盤と
反対の導電型の拡散層内に形成することにより、前記拡
散層外の領域に入射する光により発生する少数キャリア
の光電変換素子への流入を防ぎ、分解能を改善するもの
である。
第２図は従来の密着型イメージセンサ−のイメージセン
サ−ＩＣの一例を示す平面図で、一導電型半導体基盤１
にＰｎ接合等からなる光電変換素子３と走査回路部５が
つくられている。光電変換素子３の周辺は、アルミ等の
遮光膜４で覆われている。
サ−ＩＣの一例を示す平面図で、一導電型半導体基盤１
にＰｎ接合等からなる光電変換素子３と走査回路部５が
つくられている。光電変換素子３の周辺は、アルミ等の
遮光膜４で覆われている。
しかし、従来のイメージセンサ−ＩＣにおいては、走査
回路部５内のアルミ配線の隙間やスクライブライン部に
おいて、光が半導体基盤ｌに入射し少数キャリアが発生
する。この光電変換素子３の外部で発生する少数キャリ
アが、光電変換素子３に流入し分解能が低下するという
欠点があった。
回路部５内のアルミ配線の隙間やスクライブライン部に
おいて、光が半導体基盤ｌに入射し少数キャリアが発生
する。この光電変換素子３の外部で発生する少数キャリ
アが、光電変換素子３に流入し分解能が低下するという
欠点があった。
そこで、この発明は、従来のこのような欠点を解決する
ため、充電変換素子３の外部で発生する少数キャリアの
光電変換素子３への流入を防ぎ、分解能の高いイメージ
センサ−ＩＣを得ることを目的としている。
ため、充電変換素子３の外部で発生する少数キャリアの
光電変換素子３への流入を防ぎ、分解能の高いイメージ
センサ−ＩＣを得ることを目的としている。
上記問題点を解決するために、この発明は、一導電型半
導体基盤に複数の光電変換素子を直線状に形成した密着
型イメージセンサ−のイメージセンサ−ＩＣにおいて、
この光電変換素子を、基盤と反対の導電型の拡散層内に
形成し、基盤と拡散層の間に逆バイアスの電圧を印加す
ることにより、分解能を改善した。
導体基盤に複数の光電変換素子を直線状に形成した密着
型イメージセンサ−のイメージセンサ−ＩＣにおいて、
この光電変換素子を、基盤と反対の導電型の拡散層内に
形成し、基盤と拡散層の間に逆バイアスの電圧を印加す
ることにより、分解能を改善した。
〔作用〕
上記のように構成されたイメージセンサ−ＩＣにおいて
は、拡散層と基盤の間に逆バイアスの電圧を印加するこ
とで、拡散層外の領域に入射する光により発生する少数
キャリアは、この拡散層と基盤の間の空乏層に吸収され
光電変換素子へ流入することはない、このようにして分
解能を改善することができるのである。
は、拡散層と基盤の間に逆バイアスの電圧を印加するこ
とで、拡散層外の領域に入射する光により発生する少数
キャリアは、この拡散層と基盤の間の空乏層に吸収され
光電変換素子へ流入することはない、このようにして分
解能を改善することができるのである。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図において、一導電型半導体基盤１に、基！！１１
と反対の導電型の拡散層２がつくられている。この拡散
Ｎ２は、基盤１との接合部に逆バイアスが加わるように
する。この拡散層２の内部に、光電変換素子３が形成さ
れている。光電変換素子は、ホトトランジスタまたはホ
トダイオードであり、拡散Ｎ２との間にＰｎ接合をもっ
ている。拡散層２は、接合不良が生じない程度でイメー
ジセンサ−の端まで到達していてもかまわない。
と反対の導電型の拡散層２がつくられている。この拡散
Ｎ２は、基盤１との接合部に逆バイアスが加わるように
する。この拡散層２の内部に、光電変換素子３が形成さ
れている。光電変換素子は、ホトトランジスタまたはホ
トダイオードであり、拡散Ｎ２との間にＰｎ接合をもっ
ている。拡散層２は、接合不良が生じない程度でイメー
ジセンサ−の端まで到達していてもかまわない。
拡散層２の上は、光電変換素子３の開孔部を除いて、ア
ルミ等の遮光膜４で覆われている。また、イメージセン
サ−ＩＣ内には、走査回路や増幅回路５が形成されてい
る。
ルミ等の遮光膜４で覆われている。また、イメージセン
サ−ＩＣ内には、走査回路や増幅回路５が形成されてい
る。
以上のような実施例において、拡散Ｍ２の外部である回
路部５内のアルミ配線の隙間やスクライブライン部に入
射する光により発生する少数キャリアは、拡散層２と基
盤１の間の空乏層に吸収され光電変換素子３に流入する
ことはない、また、一般に密着型イメージセンサ−は、
可視光の光源下で用いられるので、光は基盤１の表層部
でほとんど吸収される。従って、光電変換素子３の開孔
部に入射する光は、この光電変換素子３と拡散層２の間
のＰｎ接合の空乏層に吸収され、隣の光電変換素子３に
流入することはない。従って、分解能の高いイメージセ
ンサ−ＩＣが得られる。
路部５内のアルミ配線の隙間やスクライブライン部に入
射する光により発生する少数キャリアは、拡散層２と基
盤１の間の空乏層に吸収され光電変換素子３に流入する
ことはない、また、一般に密着型イメージセンサ−は、
可視光の光源下で用いられるので、光は基盤１の表層部
でほとんど吸収される。従って、光電変換素子３の開孔
部に入射する光は、この光電変換素子３と拡散層２の間
のＰｎ接合の空乏層に吸収され、隣の光電変換素子３に
流入することはない。従って、分解能の高いイメージセ
ンサ−ＩＣが得られる。
以上の説明で、回路部５はなくてもよい。
（発明の効果〕
この発明は、以上説明したように、一導電型半導体基盤
に複数の光電変換素子を直線状に形成した密着型イメー
ジセンサ−のイメージセンサ−ＩＣにおいて、光電変換
素子を、基盤と反対の導電型の拡散層内に形成するとい
う簡単な構造で、分解能の高いイメージセンサ−ＩＣを
得ることができる。
に複数の光電変換素子を直線状に形成した密着型イメー
ジセンサ−のイメージセンサ−ＩＣにおいて、光電変換
素子を、基盤と反対の導電型の拡散層内に形成するとい
う簡単な構造で、分解能の高いイメージセンサ−ＩＣを
得ることができる。
第１図は、この発明の一実施例にかかるイメージセンサ
−ＩＣの平面図、第２図は、従来のイメージセンサ−Ｉ
Ｃの平面図である。 １・・・半導体基盤 ２・・・拡散層 ３・・・光電変換素子 ４・・・遮光膜 ５・・・回路部 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
−ＩＣの平面図、第２図は、従来のイメージセンサ−Ｉ
Ｃの平面図である。 １・・・半導体基盤 ２・・・拡散層 ３・・・光電変換素子 ４・・・遮光膜 ５・・・回路部 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (3)
- （１）一導電型半導体基盤に複数の光電変換素子を直線
状に形成した密着型イメージセンサーのイメージセンサ
ーＩＣにおいて、前記光電変換素子は、基盤と反対の導
電型の拡散層内に形成することを特徴とするイメージセ
ンサーＩＣ。 - （２）前記光電変換素子は、ホトトランジスタであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメージセ
ンサーＩＣ。 - （３）前記光電変換素子は、ホトダイオードであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメージセン
サーＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324724A JPH01165163A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | イメージセンサーｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324724A JPH01165163A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | イメージセンサーｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165163A true JPH01165163A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18169000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324724A Pending JPH01165163A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | イメージセンサーｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01165163A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1041636A3 (en) * | 1999-03-31 | 2004-03-03 | Xerox Corporation | Edge photosite definition by opaque by filter layer |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP62324724A patent/JPH01165163A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1041636A3 (en) * | 1999-03-31 | 2004-03-03 | Xerox Corporation | Edge photosite definition by opaque by filter layer |
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