JPH012376A - フオトセンサ - Google Patents
フオトセンサInfo
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- JPH012376A JPH012376A JP62-159122A JP15912287A JPH012376A JP H012376 A JPH012376 A JP H012376A JP 15912287 A JP15912287 A JP 15912287A JP H012376 A JPH012376 A JP H012376A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type semiconductor
- thin film
- pin photodiode
- semiconductor thin
- semiconductor layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以“ドの順序に従って本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ０発明の概要
Ｃ０従来技術［第４図乃至第６図］
Ｄ８発明が解決しようとする問題点［第７図］Ｅ０問題
点を解決するための手段 Ｆ０作用 Ｇ、実施例［第１図乃至第３図］ Ｈ０発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明はフォトセンサ、特に絶縁基板上にｐ ｆｉ＋４
半導体層、真性半導体層及びＮ ’Ｊ４半導体層をラテ
ラルに配置してなるＰＩＮフォトダイオードを形成した
フォトセンサに関する。
点を解決するための手段 Ｆ０作用 Ｇ、実施例［第１図乃至第３図］ Ｈ０発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明はフォトセンサ、特に絶縁基板上にｐ ｆｉ＋４
半導体層、真性半導体層及びＮ ’Ｊ４半導体層をラテ
ラルに配置してなるＰＩＮフォトダイオードを形成した
フォトセンサに関する。
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、上記のフォトセンサにおいて、ダイナミック
レンジを広くするため、 ＰＩＮフォトダイオードにパラレルに接続された積層タ
イプのキャパシタを絶縁基板ヒに没けたものである。
レンジを広くするため、 ＰＩＮフォトダイオードにパラレルに接続された積層タ
イプのキャパシタを絶縁基板ヒに没けたものである。
（Ｃ，従来技術）［第４図乃至第６図］フすトセンサと
して第４図に示すように、石英等からなる透明な絶縁基
板ａ上にＰ型半導体薄膜すとＮ型半導体薄１１５！ｃと
を適宜離間して形成し、１τ亥を導体薄ｒＩ５！、ｂ−
ｃ間上に真性（１）アモルファス半導体薄１１！２ｄを
形成してラテラル型のＰＩＮフォトダイオードＰＤを設
け、これを受光素子とし・たちのがある。第５図はＰＩ
ＮフォトダイオードＰＤの等価回路図である。このＰＩ
ＮフォトダイオードＰＤは第６図に示すようにＭＯＳト
ランジスタＱと直列に接続されて光検知回路を構成する
。尚、図面において、φはＭＯＳトランジスタＱをスイ
ッチングするスイッチングパルス、Ｃ１ｌはＰＩＮフォ
トダイオードＰＤの等価逆バイアス容量である。
して第４図に示すように、石英等からなる透明な絶縁基
板ａ上にＰ型半導体薄膜すとＮ型半導体薄１１５！ｃと
を適宜離間して形成し、１τ亥を導体薄ｒＩ５！、ｂ−
ｃ間上に真性（１）アモルファス半導体薄１１！２ｄを
形成してラテラル型のＰＩＮフォトダイオードＰＤを設
け、これを受光素子とし・たちのがある。第５図はＰＩ
ＮフォトダイオードＰＤの等価回路図である。このＰＩ
ＮフォトダイオードＰＤは第６図に示すようにＭＯＳト
ランジスタＱと直列に接続されて光検知回路を構成する
。尚、図面において、φはＭＯＳトランジスタＱをスイ
ッチングするスイッチングパルス、Ｃ１ｌはＰＩＮフォ
トダイオードＰＤの等価逆バイアス容量である。
ラテラル型のＰＩＮフォトダイオードＰＤは、Ｐ型半導
体薄膜、真性（Ｉ）アモルファス半導体薄膜、Ｎ型半導
体薄膜を積層したサンドインチ構造のＰＩＮフォトタイ
オードに比較して製造プロセスが簡四で、必要とするフ
ォトマスクのパターンも比較的簡単で済む。従って、低
コスト化を図ることができる点で優れているといえる。
体薄膜、真性（Ｉ）アモルファス半導体薄膜、Ｎ型半導
体薄膜を積層したサンドインチ構造のＰＩＮフォトタイ
オードに比較して製造プロセスが簡四で、必要とするフ
ォトマスクのパターンも比較的簡単で済む。従って、低
コスト化を図ることができる点で優れているといえる。
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）［第７図］
ところで、ラテラル型のＰＩＮフォトダイオードＰＤを
受光素子としたフォトセンサには、上述したように、製
造プロセスが簡ｉｐ、で、フォトマスクパターンも比較
的部用て済むという利点があるが、その反面においてＰ
ＩＮフォトダイオードＰＤの逆バイアス容ｉ ｃ 、、
が小さく、そのためダイナミックレンジが小さく、信号
保持特性も悪いという問題があった。
受光素子としたフォトセンサには、上述したように、製
造プロセスが簡ｉｐ、で、フォトマスクパターンも比較
的部用て済むという利点があるが、その反面においてＰ
ＩＮフォトダイオードＰＤの逆バイアス容ｉ ｃ 、、
が小さく、そのためダイナミックレンジが小さく、信号
保持特性も悪いという問題があった。
というのは、通常のサンドイッチ構造のＰＩＮフォトダ
イオードに比較してラテラル型のＰＩＮフォトダイオー
ドＰＤはその構造の違いから必然的に逆バイアス容量Ｃ
Ｈが例えば３分の１以下というように非常に小さくなる
。この点について第７図に従って詳しく説明する。
イオードに比較してラテラル型のＰＩＮフォトダイオー
ドＰＤはその構造の違いから必然的に逆バイアス容量Ｃ
Ｈが例えば３分の１以下というように非常に小さくなる
。この点について第７図に従って詳しく説明する。
第７図は第６図に示す光探知回路のダーク時の出力電圧
を示す特性図であり、スイッチングパルスφによってト
ランジスタＱをオンにした状態からトランジスタＱをオ
フに変化したときの光検知回路の出力電圧の変化を示す
（横軸は時間ｔ）。
を示す特性図であり、スイッチングパルスφによってト
ランジスタＱをオンにした状態からトランジスタＱをオ
フに変化したときの光検知回路の出力電圧の変化を示す
（横軸は時間ｔ）。
この図から明らかなように、ラテラルのＰＩＮフォトダ
イオードを受光素子として用いたフォトセンサの従来の
ものは、実線で示すようにスイッチングパルスφが立ち
下ると、電源電圧Ｖｖと略等しいレベルにあった出力電
圧ＶＸはその電源電圧ｖｖレベルから急速にアースレベ
ルに低下してしまう。それに対してそのＰＩＮフォトダ
イオードと同程度のサイズのサンドイッチ構造のＰＩＮ
フすトダイオードの場合には破線で示すようにちっと緩
慢に出力電圧ｖＸが低下する。この違いはＰＩＮフォト
ダイオードの逆バイアス容量の大きさの違いに起因する
ものであり、ラテラルのＩ’ｌＮフォトダイオードの方
がサンドイッチ構造のＰＩＮフォトタイオードに比較し
て逆バイアス容量が小さいことの現われである。
イオードを受光素子として用いたフォトセンサの従来の
ものは、実線で示すようにスイッチングパルスφが立ち
下ると、電源電圧Ｖｖと略等しいレベルにあった出力電
圧ＶＸはその電源電圧ｖｖレベルから急速にアースレベ
ルに低下してしまう。それに対してそのＰＩＮフォトダ
イオードと同程度のサイズのサンドイッチ構造のＰＩＮ
フすトダイオードの場合には破線で示すようにちっと緩
慢に出力電圧ｖＸが低下する。この違いはＰＩＮフォト
ダイオードの逆バイアス容量の大きさの違いに起因する
ものであり、ラテラルのＩ’ｌＮフォトダイオードの方
がサンドイッチ構造のＰＩＮフォトタイオードに比較し
て逆バイアス容量が小さいことの現われである。
そして、逆バイアス容量が小さいと、僅かな光電流で逆
バイアス容量ＣＨの端子電圧か最大値になる。換言すれ
ば、僅かな光電流で飽和し、ダイナミックレンジが小さ
くなる。そして、信号をある程度の時間保持する保持特
性も悪くなる。これはフォトセンサの特性として好まし
いものではなかった。
バイアス容量ＣＨの端子電圧か最大値になる。換言すれ
ば、僅かな光電流で飽和し、ダイナミックレンジが小さ
くなる。そして、信号をある程度の時間保持する保持特
性も悪くなる。これはフォトセンサの特性として好まし
いものではなかった。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、ラテラルタイプのＰＩＮフォトダイオードを受光
素子とするフォトセンサのダイナミックレンジを広くし
、信号保持特性の向上を図ることを目的とする。
あり、ラテラルタイプのＰＩＮフォトダイオードを受光
素子とするフォトセンサのダイナミックレンジを広くし
、信号保持特性の向上を図ることを目的とする。
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明フォトセンサは上記問題点を解決するため、絶縁
基板上にＰＩＮフォトダイオードと共にサンドイッチ構
造のキャパシタを設け、このキャパシタをＰ夏Ｎフォト
ダイオードに並列接続したことを特徴とする特 （Ｆ、作用） 本発明フすトセンサによれば、ＰＩＮフォトダイオード
の逆バイアス容量にキャパシタが並列接続されているの
で逆バイアス容量がそのキャパシタによりて叉質的に増
え、その結果、タイナミック、レンジが広くなり、また
、光検知信号保持特性か良くなる。
基板上にＰＩＮフォトダイオードと共にサンドイッチ構
造のキャパシタを設け、このキャパシタをＰ夏Ｎフォト
ダイオードに並列接続したことを特徴とする特 （Ｆ、作用） 本発明フすトセンサによれば、ＰＩＮフォトダイオード
の逆バイアス容量にキャパシタが並列接続されているの
で逆バイアス容量がそのキャパシタによりて叉質的に増
え、その結果、タイナミック、レンジが広くなり、また
、光検知信号保持特性か良くなる。
（Ｇ、実施例）［第１図乃至第３図］
以丁、本発明フォトセンサを図示実施例に従って詳細に
説明する。
説明する。
第１図乃至第３図は本発明フォトセンサの一つの実施例
を示すものであり、第１図はフォトセンサの絶縁膜を除
く各層のパターンを示す平面図、第２図は第１図の２−
２線に沿う断面図、第３図は光検知回路図である。
を示すものであり、第１図はフォトセンサの絶縁膜を除
く各層のパターンを示す平面図、第２図は第１図の２−
２線に沿う断面図、第３図は光検知回路図である。
図面において、１は例えばガラス等からなる透明な絶縁
基板、２はＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱのドレイ
ン、チャンネル及びソースを成す半導体薄膜で、２ｎ、
２ｎはトレイン、ソースを成すＮチャンネル領域、３は
ＭＯ５Ｉ−ランシスタＱのケート絶縁膜、４はシリコン
ケ−１・電極、５は絶縁膜、６はソース電極取出し用窓
部、７はドレイン′准横取出し用窓部、８は註窓部７を
通してＭＯＳトランジスタＱのトレイン２ｎに接続され
たアルミニウムからなる配線膜、９は該配線１１！≧８
のポンディングパッド用窓開部である。
基板、２はＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱのドレイ
ン、チャンネル及びソースを成す半導体薄膜で、２ｎ、
２ｎはトレイン、ソースを成すＮチャンネル領域、３は
ＭＯ５Ｉ−ランシスタＱのケート絶縁膜、４はシリコン
ケ−１・電極、５は絶縁膜、６はソース電極取出し用窓
部、７はドレイン′准横取出し用窓部、８は註窓部７を
通してＭＯＳトランジスタＱのトレイン２ｎに接続され
たアルミニウムからなる配線膜、９は該配線１１！≧８
のポンディングパッド用窓開部である。
１０はＰＩＮフォトダイオードＰＤを構成するＮ＋型半
導体薄膜で、櫛形に形成されている。
導体薄膜で、櫛形に形成されている。
１１は同じくＰ＋型半導体・薄膜で、やはり櫛型に形成
されており、Ｎ４型半導体薄膜１０と２１型半導体薄膜
１１とは互いにその一方の間の部分に他方が入り込み、
両者間に略一定の間隔か生じるような位置関係で設けら
れている。このようにＮ”型半導体薄膜１０とＰ＋型半
導体薄膜１１とを櫛形に形成して対向させるのは同じ占
有面積に対する対向面積の比を大きくして大きな光電流
を得ることにより感度を高めるためである。
されており、Ｎ４型半導体薄膜１０と２１型半導体薄膜
１１とは互いにその一方の間の部分に他方が入り込み、
両者間に略一定の間隔か生じるような位置関係で設けら
れている。このようにＮ”型半導体薄膜１０とＰ＋型半
導体薄膜１１とを櫛形に形成して対向させるのは同じ占
有面積に対する対向面積の比を大きくして大きな光電流
を得ることにより感度を高めるためである。
１２はＮ＋型半導体薄膜１０と２０型半導体薄膜１１と
の間の部分上に形成されたアモルファスの真性（１）半
導体薄膜で、該真性（１）半導体薄膜１２、半導体薄膜
１０及び１１によってＰｆＮフォトダイオードＰＤが構
成される。
の間の部分上に形成されたアモルファスの真性（１）半
導体薄膜で、該真性（１）半導体薄膜１２、半導体薄膜
１０及び１１によってＰｆＮフォトダイオードＰＤが構
成される。
１３はＮ０型半導体薄膜１０の表面が露出する窓開部、
１４はアルミニウムからなる配線膜で、−端部におい゛
て前記窓開部６を通じてＭＯＳトランジスタＱのソース
表面に接続され、他端部において上記窓開部１３を通じ
てＰＩＮフォトダイオードＰＤのＮ１型半導体薄膜１０
の表面に接続されており、該配線膜１４がＭＯＳトラン
ジスタＱとＰＩＮフォトダイオードＰＤを直列に接続す
る役割を果す。
１４はアルミニウムからなる配線膜で、−端部におい゛
て前記窓開部６を通じてＭＯＳトランジスタＱのソース
表面に接続され、他端部において上記窓開部１３を通じ
てＰＩＮフォトダイオードＰＤのＮ１型半導体薄膜１０
の表面に接続されており、該配線膜１４がＭＯＳトラン
ジスタＱとＰＩＮフォトダイオードＰＤを直列に接続す
る役割を果す。
１５は上記Ｐ″″型半導体薄膜１１と一体に同時に形成
されたＰ＋型半導体薄膜で、矩形状に形成されている。
されたＰ＋型半導体薄膜で、矩形状に形成されている。
１６はアルミニウムからなる配線膜で、一端部が窓開部
１７を通して上記配線膜１４の表面に接続されており、
アモルファスの真性（１）半導体薄膜１２上の絶縁膜５
表面を通り、更にＰ＋型半導体薄膜１５と絶縁膜５を介
して対向する位置まで延びている。しかして、Ｐ＋型半
導体薄膜１５と、それと絶縁膜５を介して対向する配線
＋１＃２１６とによってキャパシタＣＰが構成される。
１７を通して上記配線膜１４の表面に接続されており、
アモルファスの真性（１）半導体薄膜１２上の絶縁膜５
表面を通り、更にＰ＋型半導体薄膜１５と絶縁膜５を介
して対向する位置まで延びている。しかして、Ｐ＋型半
導体薄膜１５と、それと絶縁膜５を介して対向する配線
＋１＃２１６とによってキャパシタＣＰが構成される。
該キャパシタＣＰはＰＩＮフォトダイオードＰＤにパラ
レルに接続されることになり、従って、第３図に示すよ
うな光検知回路が構成されることになる。
レルに接続されることになり、従って、第３図に示すよ
うな光検知回路が構成されることになる。
即ち、ＰＩＮフォトダイオードＰＤ自身は固有の逆バイ
アス容］Ｉ Ｃｕを有しているが、それに配線膜１６と
Ｐ１１型半導薄膜１５からなるキャパシタＣＰがパラレ
ルに接続されることになり、このキャパシタＣＰによフ
てＰＩＮフォトタイオードＰＤに固有の逆バイアス容量
Ｃ■の容Ｍ不足を補うことができる。従って、キャパシ
タＣｐの８星不足に起因したダイナミックレンジ不足を
解消し、信−号保持特性を向上させることができる。具
体的には、キャパシタＣＰによってＰＩＮフォト・ダイ
オードＰＤの実効的逆バイアス容量をサンドイッチ構造
のＰＩＮフォトダイオードの天効的逆バイアス容州並に
すること（’Ａ７図の破線参照）が容易になった。
アス容］Ｉ Ｃｕを有しているが、それに配線膜１６と
Ｐ１１型半導薄膜１５からなるキャパシタＣＰがパラレ
ルに接続されることになり、このキャパシタＣＰによフ
てＰＩＮフォトタイオードＰＤに固有の逆バイアス容量
Ｃ■の容Ｍ不足を補うことができる。従って、キャパシ
タＣｐの８星不足に起因したダイナミックレンジ不足を
解消し、信−号保持特性を向上させることができる。具
体的には、キャパシタＣＰによってＰＩＮフォト・ダイ
オードＰＤの実効的逆バイアス容量をサンドイッチ構造
のＰＩＮフォトダイオードの天効的逆バイアス容州並に
すること（’Ａ７図の破線参照）が容易になった。
尚、上記実施例においてはアルミニウムからなる配線膜
１６がアモルファスの真性（１）半導体層１摸１２の上
方を通っているので、ＰＩＮフォトダイオードＰＤの光
変換効率を高めることができるという利点も得られる。
１６がアモルファスの真性（１）半導体層１摸１２の上
方を通っているので、ＰＩＮフォトダイオードＰＤの光
変換効率を高めることができるという利点も得られる。
というのは、配線膜１６を形成するアルミニウムは反射
機能を有し、それが光電変換を行う半導体薄膜１２の上
方に位置しているので、半導体薄膜１２に入った光のう
ちの一部が半導体薄膜１２を通過してもその通過した光
は配線膜１６で反射されて半導体薄膜１２へ戻り、そこ
で光変換されることになる。従って、半導体薄膜に入っ
た光のほとんどを光電変換することができ、光電変換効
率を高めることができる。
機能を有し、それが光電変換を行う半導体薄膜１２の上
方に位置しているので、半導体薄膜１２に入った光のう
ちの一部が半導体薄膜１２を通過してもその通過した光
は配線膜１６で反射されて半導体薄膜１２へ戻り、そこ
で光変換されることになる。従って、半導体薄膜に入っ
た光のほとんどを光電変換することができ、光電変換効
率を高めることができる。
（Ｈ，発明の効果）
以上に述べたように、本発明フォトセンサは、絶縁基板
上にＰ型半導体層、真性半導体層及びＮ型半導体層をラ
テラルに配置してなるＰＩＮフォトダイオードを形成し
たフォトセンサにおいて、絶縁基板上の上記ＰＩＮフォ
トタ゛イオートの近傍に、上記Ｐ型半導体層とＮ型半導
体層とのうちの一方に接続された電極と、３亥電極上に
絶！ｉ膜を介して形成され上記Ｐ型半導体層とＮ型半導
体層とのうちの他方に接続された電極とからなるキャパ
シタを形成したことを特徴とするものである。
上にＰ型半導体層、真性半導体層及びＮ型半導体層をラ
テラルに配置してなるＰＩＮフォトダイオードを形成し
たフォトセンサにおいて、絶縁基板上の上記ＰＩＮフォ
トタ゛イオートの近傍に、上記Ｐ型半導体層とＮ型半導
体層とのうちの一方に接続された電極と、３亥電極上に
絶！ｉ膜を介して形成され上記Ｐ型半導体層とＮ型半導
体層とのうちの他方に接続された電極とからなるキャパ
シタを形成したことを特徴とするものである。
従って、本発明フォトセンサによれば、ＰＩＮフォトダ
イオードの逆バイアス容量にキャパシタが並列接続され
ているので逆バイアス容量がそのキャパシタによって実
質的に増え、ダイナミックレンジが広くなり、また、光
検知信号保持特性か良くなる。
イオードの逆バイアス容量にキャパシタが並列接続され
ているので逆バイアス容量がそのキャパシタによって実
質的に増え、ダイナミックレンジが広くなり、また、光
検知信号保持特性か良くなる。
第１図乃至第３図は本発明フォトセンサの一つの実施例
を説明するためのもので、第１図はフォトセンサの絶縁
膜を除く冬服のパターンを示す平面図、第２図はフォト
センサの断面構造を示すところの第１図の２−２線に沿
う断面図、第３図は光検知回路を示す回路図、第４図乃
至第６図は従来技術を示すもので、第４図はフォトセン
サの断面図、第５図は等価回路図、第６図は光検知回路
図、第７図は発明が解決しようとする問題点を説明する
ためのダーク時の出力電圧を示す特性図である。 符号の説明 １・・・絶縁基板、５・・・絶縁膜、 １０・・・Ｎ型半導体層、 １１・・・Ｐ型半導体層、 １２・・・真性半導体層、 １４．１５・・・電極、 ＰＤ・・・ＰＩＮフォトダイオード、 ＣＰ・・・キャパシタ。 ＼ ト ＼ｑ シニ （ミ 童 トー＄
を説明するためのもので、第１図はフォトセンサの絶縁
膜を除く冬服のパターンを示す平面図、第２図はフォト
センサの断面構造を示すところの第１図の２−２線に沿
う断面図、第３図は光検知回路を示す回路図、第４図乃
至第６図は従来技術を示すもので、第４図はフォトセン
サの断面図、第５図は等価回路図、第６図は光検知回路
図、第７図は発明が解決しようとする問題点を説明する
ためのダーク時の出力電圧を示す特性図である。 符号の説明 １・・・絶縁基板、５・・・絶縁膜、 １０・・・Ｎ型半導体層、 １１・・・Ｐ型半導体層、 １２・・・真性半導体層、 １４．１５・・・電極、 ＰＤ・・・ＰＩＮフォトダイオード、 ＣＰ・・・キャパシタ。 ＼ ト ＼ｑ シニ （ミ 童 トー＄
Claims (1)
- （１）絶縁基板上にＰ型半導体層、真性半導体層及びＮ
型半導体層をラテラルに配置してなるＰＩＮフォトダイ
オードを形成したフォトセンサにおいて、絶縁基板上の
上記ＰＩＮフォトダイオードの近傍に、上記Ｐ型半導体
層とＮ型半導体層とのうちの一方に接続された電極と、
該電極上に絶縁膜を介して形成され上記Ｐ型半導体層と
Ｎ型半導体層とのうちの他方に接続された電極とからな
るキャパシタを形成したことを特徴とするフォトセンサ
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62159122A JPS642376A (en) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Photosensor |
| KR1019880006419A KR970004849B1 (ko) | 1987-06-25 | 1988-05-31 | 포토센서 |
| DE3889587T DE3889587T2 (de) | 1987-06-25 | 1988-06-01 | Photodetektoren. |
| EP88305014A EP0296725B1 (en) | 1987-06-25 | 1988-06-01 | Photosensors |
| CA000569381A CA1295402C (en) | 1987-06-25 | 1988-06-14 | Photosensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62159122A JPS642376A (en) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Photosensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH012376A true JPH012376A (ja) | 1989-01-06 |
| JPS642376A JPS642376A (en) | 1989-01-06 |
Family
ID=15686716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62159122A Pending JPS642376A (en) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Photosensor |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0296725B1 (ja) |
| JP (1) | JPS642376A (ja) |
| KR (1) | KR970004849B1 (ja) |
| CA (1) | CA1295402C (ja) |
| DE (1) | DE3889587T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03289759A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-12-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2002176162A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | エリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置 |
| US7030551B2 (en) | 2000-08-10 | 2006-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Area sensor and display apparatus provided with an area sensor |
| KR101189268B1 (ko) | 2005-03-08 | 2012-10-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 표시판 및 구동 장치와 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| JP2008171871A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Hitachi Displays Ltd | 高感度光センサ素子及びそれを用いた光センサ装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0162307A3 (en) * | 1984-04-24 | 1988-07-27 | Hitachi, Ltd. | Image sensor and method of manufacturing same |
-
1987
- 1987-06-25 JP JP62159122A patent/JPS642376A/ja active Pending
-
1988
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