JPH01165164A - イメージセンサー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明はイメージセンサ−に関し、詳しくは、少なくと
も光電変換素子（受光素子）と、アナログスイッチ、シ
フトレジスタなどを組込んだ集積回路素子とを有したも
のであって、ファクシミリ、デジタル複写機などでのＭ
稿の読みとりに有用なイメージセンサ−に関する。

［従来技術］ これまでのイメージセンサ−（特に密着型イメージセン
サ−）は、第３図にみられるように、その主要部である
光電変換素子１と集積回路素子（アナログスイッチ、シ
フトレジスタよりなる）２とは同一基板３上に形成（担
持）されているか、又は、それぞれが異なった基板に担
持されている場合にあっても共通支持体上でかつ同一平
面に配置されているが普通である。そして、光電変換素
子１の電極（図示せず）と集積回路素子２との接続は、
一般には、ワイヤボンディング法が採用されている。

こうした構成がとられている従来のイメージセンサ−に
おいては、集積回路素子２自体の厚さ（０，２〜０．５
ｍ）に加えてワイヤー４による高さ、並びに、集積回路
素子２及びワイヤー４の保護のため樹脂５がこれらを被
覆するように塗布されていることもあって、集積回路素
子２を担持している周辺の高さＩＩＩＷ＋＜らいにもな
る。

更には、機械的損傷に避けることを意図して、集積回路
素子２の周囲には金属製カバー６が設けられており、前
記の高さは一層高くなるのみならず、周囲の拡がり（幅
）も大きくとる必要がある。

このため、従来のイメージセンサ−は勢い大きなものに
ならざるを得なかったのが実情である。

かかる光電変換素子１の周辺高さと集積回路素子２の周
辺高さとが大きく異なったイメージセンサ−特に結像光
学系を用いない完全密着型イメージセンサ−にあっては
、第４図に示したように、原稿８は光電変換素子１の表
面より高々数ｌＯμｍの位置を通り、しかも、原稿８の
搬送はある程度緩やかにしか行えないので、光電変換素
子１と集積回路素子２との間隔は一層広くする必要が生
じ、イメージセンサ−を更に大型化させてしまう欠点が
ある。なお、第４図中、７は光電変換素子１の保護部材
、９はローラなどの原稿押しつけ用部材、１０は光源で
ある。

［目　　的コ 本発明は上記のごとき欠点を解消し、小型化をはかった
イメージセンサ−を提供するものである。

［構　　成］ 本発明は多数の光電変換素子が一次元的に配列され、そ
れらの光電変換素子を半導体スイッチで選択することに
より、原稿の情報を電気信号に変換させるようにしたイ
メージセンサ−において、前記光電変換素子又はその電
極が担持されている面と前記半導体スイッチ用集積回路
素子が担持されている面とは同一平面にないことを特徴
としている。

端的にいえば１本発明イメージセンサ−は光電変換素子
１が形成されている面と集積回路素子２が担持されてい
る面との間に段差を持たせることにより、より具体的に
いえば、集積回路素子２が担持されている面を光電変換
素子１が形成されている面よりも低くすることによって
（集積回路素子２等を被覆した金属カバー６の上面と光
電変換素子の保護部材７の上面との高低差を極力小さく
することによって）その小型化の実現をはかったもので
ある。

以下に本発明を添付図面（第１図、第２図）を参照しな
がらさらに詳細に説明する。

第１図は本発明例の１つで、ガラスなどの基板３の一部
を薄くし、その薄くしたところ基板３上に集積回路素子
２を担持させるように工夫されている。これにより、光
電変換素子１と集積回路素子２とは接近され、その結果
として、イメージセンサ−のサイズ（幅）は小さくでき
、イメージセンサ−全体の大きさが縮小可能となる。

例えば、この第１図に示したようなイメージセンサ−に
よれば、Ａ−４判の読み取り幅で素子密度が８　ｄｏｔ
ｓ／　ｗｎの等倍イメージセンサ−（完全密着型イメー
ジセンサ−において、従来のもの（第１図及び第２図に
示したイメージセンサ−）では全体の幅（原稿の移動方
向のサイズ）が３５ｍ程度必要であったものが、１３ｍ
くらいまで狭めることができる。

第２図は本発明例の他の１つで、ガラスなどの基板３上
に光電変換素子１を形成し、一方、集積回路素子２をＰ
ＣＢ　（配線基板）１１上に担持せしめ、その集積回路
素子２の担持されていないＰＣＢＩＩ上に、光電変換素
子１を担持したガラスなどの基板３を接着剤又は適当な
手段を用いることにより固定するという工夫がなされて
いる。

この例によれば、第１図に従った説明での効果と同様、
イメージセンサ−全体の幅を１７Ｉｎくらいまで狭める
ことができる。加えて、この例ではその製造時、光電変
換素子１をガラス基板３上に形成させるのに幅の狭い基
板が使用できるので、製膜装置やフォトリソエツチング
関連装置の有利利用が可能となり、結果として、スルー
プットの向上という派生的効果ももたらされる。

なお、第１図及び第２図に基づいたこれまでの説明では
、従来のイメージセンサ−と相違しているところのみを
取り上げて進めてきたが、それ以外は従来のイメージセ
ンサ−何等異なるところはない。

［効　　果］ 本発明イメージセンサ−は従来のものと比べて著しく小
型化されたものとなっている。従って、このイメージセ
ンサ−はファクシミリ、デジタル複写機などを小型化す
るのに充分期待しうる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明に係るイメージセンサ−の二
側の概略図である。 第３図は従来のイメージセンサ−の概略図であり、第４
図はそのイメージセンサ−を用いて原稿の読も取りを行
なっている様子を表わした図である。 １・・・光電変換素子　２・・・集積回路素子３・・・
基　板　　　　４・・・ワ　イ　ヤ５・・・樹　脂　　
　　６・・・金属製カバー７・・・光電変換素子の保護
部材 ８・・・原　稿　　　　９・・・原稿押しつけ用部材ｌ
Ｏ・・・光　源　　　　１１・・・ＰＣＢ昂　３閉 篤４（り

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、多数の光電変換素子が一次元的に配列され、それら
   の光電変換素子を半導体スイッチで選択することにより
   、原稿の情報を電気信号に変換させるようにしたイメー
   ジセンサーにおいて、前記光電変換素子又はその電極が
   担持されている面と前記半導体スイッチ用の集積回路素
   子が担持されている面とは同一平面にないことを特徴と
   するイメージセンサー。