JPH01165185A - 薄膜磁気センサー - Google Patents
薄膜磁気センサーInfo
- Publication number
- JPH01165185A JPH01165185A JP62325030A JP32503087A JPH01165185A JP H01165185 A JPH01165185 A JP H01165185A JP 62325030 A JP62325030 A JP 62325030A JP 32503087 A JP32503087 A JP 32503087A JP H01165185 A JPH01165185 A JP H01165185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic sensor
- rotor
- film magnetic
- ceramics
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、薄膜磁気センサーに関するものであり、例え
ばＶＴＲやオーディオ機器などにおけるキャプスタンモ
ータの速度検出に用いられるものである。
ばＶＴＲやオーディオ機器などにおけるキャプスタンモ
ータの速度検出に用いられるものである。
〈従来の技術〉
ＶＴＲやオーディオ機器などにおいては、キャプスタン
モータの速度制御が行なわれる。この速度制御のために
キャプスタンモータの速度を検出する方法として、ｉ）
一定ピツチで周期着磁が施されたモータのロータ外周部
にプリントコイルを対向させてモータの回転に伴う誘導
起電圧を測定する方法、１ｉ）ｉ）のロータ外周部にバ
ルクヘッドを対向させて直接信号を検出する方法、１ｉ
ｉ）ｉ）のロータ外周部に薄膜磁気抵抗素子を対向させ
て信号を検出する方法などがある。
モータの速度制御が行なわれる。この速度制御のために
キャプスタンモータの速度を検出する方法として、ｉ）
一定ピツチで周期着磁が施されたモータのロータ外周部
にプリントコイルを対向させてモータの回転に伴う誘導
起電圧を測定する方法、１ｉ）ｉ）のロータ外周部にバ
ルクヘッドを対向させて直接信号を検出する方法、１ｉ
ｉ）ｉ）のロータ外周部に薄膜磁気抵抗素子を対向させ
て信号を検出する方法などがある。
第２図はｉ）の方法を示しており、キャプスタンモータ
のロータ１１の外周面１１ａに一定ヒッチで周期着磁が
施されており、このロータ１１の周面１１ａの直下の基
板１２上にロータ１１の着磁ピッチと対応したジクザク
の導体パターン１３がロータ１１と近接した位置に形成
されている。
のロータ１１の外周面１１ａに一定ヒッチで周期着磁が
施されており、このロータ１１の周面１１ａの直下の基
板１２上にロータ１１の着磁ピッチと対応したジクザク
の導体パターン１３がロータ１１と近接した位置に形成
されている。
ロータ１１の回転に応じて、導体パターン１３の両端子
（図示せず）間に磁気誘導起電圧が発生し、この起電圧
の周期変化によってモータの速度を検出する。
（図示せず）間に磁気誘導起電圧が発生し、この起電圧
の周期変化によってモータの速度を検出する。
第３図と第４図はｉｉ ）とｉｉｉ ）の方法を示して
おり、ｉ）と同様の着磁されたロータ１１の周面１１ａ
にバルク磁気ヘッド１４あるいは薄膜磁気抵抗素子１５
を近接して対向配置したものであり、バルり磁気ヘッド
１４あるいは薄膜磁気抵抗素子１５によって信号を直接
検出する。
おり、ｉ）と同様の着磁されたロータ１１の周面１１ａ
にバルク磁気ヘッド１４あるいは薄膜磁気抵抗素子１５
を近接して対向配置したものであり、バルり磁気ヘッド
１４あるいは薄膜磁気抵抗素子１５によって信号を直接
検出する。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ｉ）の方法では、信号の出力レベルがロータ１１の回転
速度に依存し、低速では出力レベルが低下すること、導
体１３のジクザクパターンを微細に形成することが困難
であること、さらに、小型キャプスタンモータにおいて
はジクザクパターンを形成するためのスペースが取りに
くい等の欠点があった。
速度に依存し、低速では出力レベルが低下すること、導
体１３のジクザクパターンを微細に形成することが困難
であること、さらに、小型キャプスタンモータにおいて
はジクザクパターンを形成するためのスペースが取りに
くい等の欠点があった。
また、ｉｉ）の方法では、信号の出力レベルがロータ１
１の回転速度に依存すること、バルク磁気ヘッド１４と
ロータ周面１１ａとの間の距離が大きいと出力の減衰が
大きいこと、バルク磁気ヘッド１４の形状が大きく、小
型あるいは薄型のキャプスタンモータへの適用が困難で
ある等の欠点があった。
１の回転速度に依存すること、バルク磁気ヘッド１４と
ロータ周面１１ａとの間の距離が大きいと出力の減衰が
大きいこと、バルク磁気ヘッド１４の形状が大きく、小
型あるいは薄型のキャプスタンモータへの適用が困難で
ある等の欠点があった。
ｉｉｉ ）の方法は、上述のｉ）とｉｉ）の方法の欠点
を解消するものとして開発されたものである。着磁ロー
タ１１と対向する磁気抵抗素子１５は、Ｎｉ／Ｆｅ、Ｎ
ｔ／Ｃｏ等の合金薄膜で形成されたセンサーエレメント
の上を一般には無機質膜で被覆して機械的保護が行なわ
れ、さらに耐湿度対策として有機膜がコーティングされ
る。したがって、センサーエレメントの膜の総厚は３０
〜７０μｍと極めて厚くなる。このセンサー１５を着磁
ロータ１１に近接して設置する場合、上記膜厚に依る着
磁ロータ１１との間隔が信号出力の大きさに直接影響す
るため、センサー１５の取り付けに高精度を要するとい
う問題があった。
を解消するものとして開発されたものである。着磁ロー
タ１１と対向する磁気抵抗素子１５は、Ｎｉ／Ｆｅ、Ｎ
ｔ／Ｃｏ等の合金薄膜で形成されたセンサーエレメント
の上を一般には無機質膜で被覆して機械的保護が行なわ
れ、さらに耐湿度対策として有機膜がコーティングされ
る。したがって、センサーエレメントの膜の総厚は３０
〜７０μｍと極めて厚くなる。このセンサー１５を着磁
ロータ１１に近接して設置する場合、上記膜厚に依る着
磁ロータ１１との間隔が信号出力の大きさに直接影響す
るため、センサー１５の取り付けに高精度を要するとい
う問題があった。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明は、絶縁性基板上に信号磁界検出用強磁性体であ
る抵抗体と導体配線層を有する薄膜磁気センサーにおい
て、抵抗体と導体配線層の上に５ｉ−Ａ ｌ−０−Ｎ系
セラミックスからなる保護膜が形成された構造である。
る抵抗体と導体配線層を有する薄膜磁気センサーにおい
て、抵抗体と導体配線層の上に５ｉ−Ａ ｌ−０−Ｎ系
セラミックスからなる保護膜が形成された構造である。
く作用〉
本発明に係る薄膜磁気センサーにおいては、５ｉ−Ａ
１−０−Ｎ系セラミックスからなる保護膜が極めて薄く
ても機械的強度が大きく、しかも耐湿性を備えているこ
とから、センサーエレメントの膜厚を薄くでき、着磁ロ
ータとの距離を実質的に小さくすることができる。
１−０−Ｎ系セラミックスからなる保護膜が極めて薄く
ても機械的強度が大きく、しかも耐湿性を備えているこ
とから、センサーエレメントの膜厚を薄くでき、着磁ロ
ータとの距離を実質的に小さくすることができる。
〈実施例〉
第１図は本実施例の薄膜磁気センサーの断面構造を示す
。図において、１は絶縁性基板、２は強磁性体薄膜、３
は電極端子、４はＳｉ−ＡＩ−０−Ｎ系セラミックスか
らなる保護膜である。
。図において、１は絶縁性基板、２は強磁性体薄膜、３
は電極端子、４はＳｉ−ＡＩ−０−Ｎ系セラミックスか
らなる保護膜である。
絶縁性基板１は、ガラス、アルミナ、フェライト等によ
り形成されている。感磁部を構成する強磁性体薄膜２は
、絶縁性基板１上にパターン形成されている。電極端子
３は、このセンサーエレメントに電源供給するための端
子であり、導体配線層の一部分を構成している。この電
極端子３は、外部配線端子と結線するために半田付は性
を良くするための材料がその表面にメツキまたは蒸着等
の方法により付着形成されている。
り形成されている。感磁部を構成する強磁性体薄膜２は
、絶縁性基板１上にパターン形成されている。電極端子
３は、このセンサーエレメントに電源供給するための端
子であり、導体配線層の一部分を構成している。この電
極端子３は、外部配線端子と結線するために半田付は性
を良くするための材料がその表面にメツキまたは蒸着等
の方法により付着形成されている。
保護膜４は、一般にサイアロンと称する５ｉ−Ａ １−
０−Ｎ系セラミックスによって形成されている。この５
ｉ−ＡＩ−０−Ｎ系セラミックスには、シリコンナイト
ライド型サイアロン（β゛ −５ｉａｌｏｎ）、アルミ
ニウムナイトライド型サイアロン（８Ｈ，１２Ｈ，１５
Ｒ，２１Ｒ，２７Ｒ）等があり、シリコンナイトライド
とアルミナとの混合物を焼結して得られる。この焼結体
をスパタッリングにより形成した薄膜は、約３μｍ程度
の膜厚でビッカース硬度が１４００と高く、且つ耐湿度
性も極めてすぐれている。また、熱伝導性も良好であり
、第４図に示すような着磁ロータに近接させるデバイス
に対しては最適で−ある。
０−Ｎ系セラミックスによって形成されている。この５
ｉ−ＡＩ−０−Ｎ系セラミックスには、シリコンナイト
ライド型サイアロン（β゛ −５ｉａｌｏｎ）、アルミ
ニウムナイトライド型サイアロン（８Ｈ，１２Ｈ，１５
Ｒ，２１Ｒ，２７Ｒ）等があり、シリコンナイトライド
とアルミナとの混合物を焼結して得られる。この焼結体
をスパタッリングにより形成した薄膜は、約３μｍ程度
の膜厚でビッカース硬度が１４００と高く、且つ耐湿度
性も極めてすぐれている。また、熱伝導性も良好であり
、第４図に示すような着磁ロータに近接させるデバイス
に対しては最適で−ある。
本実施例では、強磁性体薄膜２の膜厚が約１０００人で
あり、この強磁性体薄膜２の上にサイアロンからなる保
護膜４が約３μｍの厚さで形成されている。この場合、
機械的強度及び耐湿度性は、極めて良好であった。
あり、この強磁性体薄膜２の上にサイアロンからなる保
護膜４が約３μｍの厚さで形成されている。この場合、
機械的強度及び耐湿度性は、極めて良好であった。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、磁気抵抗素子の上にＳｉ
−Ａｌ−０−Ｎ系セラミックスからなる保護膜を形成し
たことにより、保護膜が１層ですむので、薄膜磁気セン
サーの製造工程が簡単化できる。しかも、薄い膜厚でも
機械的強度の向上及び耐湿度性の向上が図れ、薄膜磁気
センサーの信頼性が高められるとともに、着磁ロータと
近接して取り付けることが容易となり、取り付は精度を
それ程必要としない。
−Ａｌ−０−Ｎ系セラミックスからなる保護膜を形成し
たことにより、保護膜が１層ですむので、薄膜磁気セン
サーの製造工程が簡単化できる。しかも、薄い膜厚でも
機械的強度の向上及び耐湿度性の向上が図れ、薄膜磁気
センサーの信頼性が高められるとともに、着磁ロータと
近接して取り付けることが容易となり、取り付は精度を
それ程必要としない。
第１図は本発明実施例の断面構造を示す図、第２図、第
３図、第４図は従来例を示す図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・強磁性体薄膜 ３・・・・・・電極端子 ４・・・・・・保護膜 特許出願人 シャープ株式会社 代 理 人 弁理士 西１）新 築１図 第２図 第３図 第４図 １１ａ １５
３図、第４図は従来例を示す図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・強磁性体薄膜 ３・・・・・・電極端子 ４・・・・・・保護膜 特許出願人 シャープ株式会社 代 理 人 弁理士 西１）新 築１図 第２図 第３図 第４図 １１ａ １５
Claims (1)
- 絶縁性基板上に信号磁界検出用強磁性体である抵抗体
と導体配線層を有する薄膜磁気センサーにおいて、上記
抵抗体と導体配線層の上にＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系セラミ
ックスからなる保護膜が形成されてなる薄膜磁気センサ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325030A JPH01165185A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 薄膜磁気センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325030A JPH01165185A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 薄膜磁気センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165185A true JPH01165185A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18172363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62325030A Pending JPH01165185A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 薄膜磁気センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01165185A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6459551B1 (en) * | 1998-12-21 | 2002-10-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP62325030A patent/JPH01165185A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6459551B1 (en) * | 1998-12-21 | 2002-10-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
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