JPS6161481A - 磁電変換素子 - Google Patents
磁電変換素子Info
- Publication number
- JPS6161481A JPS6161481A JP59183307A JP18330784A JPS6161481A JP S6161481 A JPS6161481 A JP S6161481A JP 59183307 A JP59183307 A JP 59183307A JP 18330784 A JP18330784 A JP 18330784A JP S6161481 A JPS6161481 A JP S6161481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- thin film
- magnetic
- bias
- ferrite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は磁気抵抗効果を利用して磁気の検出を行なう磁
電変換素子の耐湿度性、耐機械的衝撃性の向上、並びに
磁界−電気特性の改善に関する。
電変換素子の耐湿度性、耐機械的衝撃性の向上、並びに
磁界−電気特性の改善に関する。
〈従来技術〉
従来、一般的ニニッケルーコバルト、ニッケルー鉄等の
合金からなる強磁性体蒸着薄膜を用いてなる磁電変換素
子において上記強磁性体薄膜の厚みは３００〜５０００
Ａと極めてうすい。従って、耐湿度性及び耐機械的衝撃
性については弱い性質を有していた。一方第２図に示す
様に、強磁性体薄膜１による信号検出に際しては、その
内部磁化（Ｍ）と検出電流（ｉｓ）とのなす角度θによ
り強磁性体薄膜１の抵抗値が変化する性質を用いている
が、強磁性体薄膜１のエレメント内部の磁化の局部的な
乱れ、あるいは多磁区の発生、あるいは膜内への不純物
等の混入により、外部磁界Ｈｅｘの変化に対応してエレ
メント内部の磁化が円滑に動かない場合があった。この
様な場合磁電変換素子はヒステリシスを有した動きを示
すことになり、磁界・電気信号の変換特性が不十分であ
った。この問題に対処すべ〈従来では強磁性体薄膜のエ
レメント外部に小型永久磁石を取り付け、該小型永久磁
石によってバイアス磁界を印加する手法が用いられてい
たが上記小型永久磁石を取り付ける為の製造工程が複雑
であり、コストアップの要因になっていた。
合金からなる強磁性体蒸着薄膜を用いてなる磁電変換素
子において上記強磁性体薄膜の厚みは３００〜５０００
Ａと極めてうすい。従って、耐湿度性及び耐機械的衝撃
性については弱い性質を有していた。一方第２図に示す
様に、強磁性体薄膜１による信号検出に際しては、その
内部磁化（Ｍ）と検出電流（ｉｓ）とのなす角度θによ
り強磁性体薄膜１の抵抗値が変化する性質を用いている
が、強磁性体薄膜１のエレメント内部の磁化の局部的な
乱れ、あるいは多磁区の発生、あるいは膜内への不純物
等の混入により、外部磁界Ｈｅｘの変化に対応してエレ
メント内部の磁化が円滑に動かない場合があった。この
様な場合磁電変換素子はヒステリシスを有した動きを示
すことになり、磁界・電気信号の変換特性が不十分であ
った。この問題に対処すべ〈従来では強磁性体薄膜のエ
レメント外部に小型永久磁石を取り付け、該小型永久磁
石によってバイアス磁界を印加する手法が用いられてい
たが上記小型永久磁石を取り付ける為の製造工程が複雑
であり、コストアップの要因になっていた。
第３図に従来の磁電変換素子の構造を示し、同図（ａ）
は側断面図、同図（ｂ）は正面断面図を示す。同図にお
いて２はシリコンまたはガラスの基板であ秒、該基板２
上に強磁性蒸着薄膜からなる感磁エレメント及び配線パ
ターン３が形成され、更にその上に保護膜４が施こされ
、配線パターン３の電極端子にリード線５が接続される
。又素子の下部にバイアス磁界用として小型磁石６が取
り付けられる。ここで上記保護膜４の厚みは数ミクロン
−２０ミクロンと薄く、父上記保護膜４の材質が５ｉＯ
ｚ 、ＳｉＯ等の無機材料よりできている為機械的衝撃
が加わることにより、容易にカケ、割れ等が入り、素子
として甚大な損傷を受ける事があった。更に強磁性体薄
膜の持つ特異性、即ち、−軸異方性のズレ、単磁区構造
からのズレ、磁化リップルそして局部的不純物等の混入
より発生するヒステリシスを抑制するため、上記の如く
素子下部または上部に別途永久磁石を取り付け、上記感
磁エレメントに磁気バイアスをかけなければならなかっ
た。
は側断面図、同図（ｂ）は正面断面図を示す。同図にお
いて２はシリコンまたはガラスの基板であ秒、該基板２
上に強磁性蒸着薄膜からなる感磁エレメント及び配線パ
ターン３が形成され、更にその上に保護膜４が施こされ
、配線パターン３の電極端子にリード線５が接続される
。又素子の下部にバイアス磁界用として小型磁石６が取
り付けられる。ここで上記保護膜４の厚みは数ミクロン
−２０ミクロンと薄く、父上記保護膜４の材質が５ｉＯ
ｚ 、ＳｉＯ等の無機材料よりできている為機械的衝撃
が加わることにより、容易にカケ、割れ等が入り、素子
として甚大な損傷を受ける事があった。更に強磁性体薄
膜の持つ特異性、即ち、−軸異方性のズレ、単磁区構造
からのズレ、磁化リップルそして局部的不純物等の混入
より発生するヒステリシスを抑制するため、上記の如く
素子下部または上部に別途永久磁石を取り付け、上記感
磁エレメントに磁気バイアスをかけなければならなかっ
た。
く目 的〉
本発明は以上の従来問題点に鑑みなされたものであり、
磁電変換素子の耐久性の向上と磁気バイアス印加との両
方を行なう補助手段を備えることにより効率的な素子構
造を得ることを目的とする０〈実施例〉 以下本発明に係る磁電変換素子の一実施例について詳細
に説明を行なう。
磁電変換素子の耐久性の向上と磁気バイアス印加との両
方を行なう補助手段を備えることにより効率的な素子構
造を得ることを目的とする０〈実施例〉 以下本発明に係る磁電変換素子の一実施例について詳細
に説明を行なう。
第１図に本発明に係る磁電変換素子の一実施例の構造を
示し、同図（ａ）は側断面図、同図（ｂ）は正面断面図
を示す。同図において２はシリコン、ガラス等の基板で
あり、その基板２上に強磁性薄膜からなる感磁エレメン
ト及び配線パターン３が形成され、更にその上に保護膜
４が施され、配線パターン３の両極端子にリード線５が
接続され、更に高い抗磁力（５００〜ＬＯＯＯＯｅ）を
有するフェライト等磁性粉を混入したエポキシ等の有機
樹脂７が塗布される。ここで、上記感磁エレメント３は
ニッケルーコバルト、ニッケルー鉄等の合金を上記基板
２上において抵抗加熱法、電子ビーム法。
示し、同図（ａ）は側断面図、同図（ｂ）は正面断面図
を示す。同図において２はシリコン、ガラス等の基板で
あり、その基板２上に強磁性薄膜からなる感磁エレメン
ト及び配線パターン３が形成され、更にその上に保護膜
４が施され、配線パターン３の両極端子にリード線５が
接続され、更に高い抗磁力（５００〜ＬＯＯＯＯｅ）を
有するフェライト等磁性粉を混入したエポキシ等の有機
樹脂７が塗布される。ここで、上記感磁エレメント３は
ニッケルーコバルト、ニッケルー鉄等の合金を上記基板
２上において抵抗加熱法、電子ビーム法。
スパッタリング法により被覆形成し、それをホトエツチ
ングの手法により所定のエレメントに整形している。又
、保護膜４は硬度の高い酸化ケイ素等を蒸着して形成し
ている。この酸化ケイ素等による保護膜４によって耐湿
度性及び耐衝撃性が向上する。父上記有機樹脂７を硬化
後着磁装置により上記フェライト等の磁性粉に着磁を行
う事により第１図（ｂ）で示す様に磁性粉を含む有機樹
脂層７に磁極（Ｎ、Ｓ）が発生し、これにより弱い磁界
（Ｈ）が感磁エレメント３に働きバイアス磁界として作
用する。このバイアス磁界により感磁エレメント３内の
磁化は、−軸方向に揃いそこに外部からの信号磁界（Ｈ
ｅｘ）が作用する事となり、ヒステリシスを解消したき
れいな信号出力を取り出すことが可能となる。この時、
感磁エレメントを含む平行面内であれば、着磁方向は特
に問題とはならない。ただ、樹脂コート両端に発生する
磁極の強さは取り扱う信号磁界の強さ及び感磁エレメン
ト形状と関係するため条件設定に注意を要す。
ングの手法により所定のエレメントに整形している。又
、保護膜４は硬度の高い酸化ケイ素等を蒸着して形成し
ている。この酸化ケイ素等による保護膜４によって耐湿
度性及び耐衝撃性が向上する。父上記有機樹脂７を硬化
後着磁装置により上記フェライト等の磁性粉に着磁を行
う事により第１図（ｂ）で示す様に磁性粉を含む有機樹
脂層７に磁極（Ｎ、Ｓ）が発生し、これにより弱い磁界
（Ｈ）が感磁エレメント３に働きバイアス磁界として作
用する。このバイアス磁界により感磁エレメント３内の
磁化は、−軸方向に揃いそこに外部からの信号磁界（Ｈ
ｅｘ）が作用する事となり、ヒステリシスを解消したき
れいな信号出力を取り出すことが可能となる。この時、
感磁エレメントを含む平行面内であれば、着磁方向は特
に問題とはならない。ただ、樹脂コート両端に発生する
磁極の強さは取り扱う信号磁界の強さ及び感磁エレメン
ト形状と関係するため条件設定に注意を要す。
く効 果ン
本発明によれば硬質フェライト粉末を混入した有機樹脂
膜を強磁性体薄膜上に被覆することにより、上記強磁性
体薄膜に対して磁気バイアスを印加することができると
共に素子に対する機械的衝撃を防ぎ、チップのかけ、感
磁エレメントの損傷を大きく防ぐことができるものであ
る。
膜を強磁性体薄膜上に被覆することにより、上記強磁性
体薄膜に対して磁気バイアスを印加することができると
共に素子に対する機械的衝撃を防ぎ、チップのかけ、感
磁エレメントの損傷を大きく防ぐことができるものであ
る。
第１図は本発明に係る磁電変換素子の一実施例の構造を
示すもので、同図（ａ）は側断面図、同図（ｂ）は正面
断面図、第２図は従来の磁電変換素子の一部外観斜視図
、第３図は従来の磁電変換素子の構造を示すもので、同
図（ａ）は側断面図、同図（ｂ）は正面断面図を示す。
示すもので、同図（ａ）は側断面図、同図（ｂ）は正面
断面図、第２図は従来の磁電変換素子の一部外観斜視図
、第３図は従来の磁電変換素子の構造を示すもので、同
図（ａ）は側断面図、同図（ｂ）は正面断面図を示す。
Claims (1)
- １、強磁性体薄膜上に絶縁薄膜を介して硬質フェライト
粉末を混入した有機樹脂膜を被覆し、該有機樹脂膜中の
硬質フェライト粉末に対して所定方向の着磁を施こして
なることを特徴とする磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183307A JPS6161481A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183307A JPS6161481A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 磁電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161481A true JPS6161481A (ja) | 1986-03-29 |
Family
ID=16133391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59183307A Pending JPS6161481A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 磁電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161481A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03135781A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサーの製造方法 |
| US8080993B2 (en) | 2008-03-27 | 2011-12-20 | Infineon Technologies Ag | Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field |
| US8362579B2 (en) | 2009-05-20 | 2013-01-29 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including a magnetic sensor chip |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59183307A patent/JPS6161481A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03135781A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサーの製造方法 |
| US8080993B2 (en) | 2008-03-27 | 2011-12-20 | Infineon Technologies Ag | Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field |
| DE102009013510B4 (de) * | 2008-03-27 | 2015-09-03 | Infineon Technologies Ag | Sensormodul mit Gusseinkapselung zum Anwenden eines Vormagnetfelds |
| US8362579B2 (en) | 2009-05-20 | 2013-01-29 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including a magnetic sensor chip |
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