JPH01165983A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JPH01165983A JPH01165983A JP62324071A JP32407187A JPH01165983A JP H01165983 A JPH01165983 A JP H01165983A JP 62324071 A JP62324071 A JP 62324071A JP 32407187 A JP32407187 A JP 32407187A JP H01165983 A JPH01165983 A JP H01165983A
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子計算器を利用したX線断層像撮影装置(
以下、X@CT装置という)等に用いるX線検出器に係
り、特に、複数のシンチレータ素子と複数の光電変換素
子よりなるX線検出器において、各素子毎の特性を一定
とすることが可能な技術に関するものである。
以下、X@CT装置という)等に用いるX線検出器に係
り、特に、複数のシンチレータ素子と複数の光電変換素
子よりなるX線検出器において、各素子毎の特性を一定
とすることが可能な技術に関するものである。
〔従来技術〕 ・
従来のX@CT装置は、第10図に示すように、扇形ビ
ームX線を放射するX線源30と、多素子X線検出器(
以下、単に検出器という)31を所定の距離をとって対
向させて設置し、X線源30と検出器31の間の扇形ヒ
ームX線内に被写体32を置き、被写体32を中心とし
てX線源30と検出器31を回転させて多方向から被写
体32にX線を照射して透過X線の強度分布を計測し、
その計測信号を電子計算機で演算処理することによって
被写体32の断層像を得るようになっている。
ームX線を放射するX線源30と、多素子X線検出器(
以下、単に検出器という)31を所定の距離をとって対
向させて設置し、X線源30と検出器31の間の扇形ヒ
ームX線内に被写体32を置き、被写体32を中心とし
てX線源30と検出器31を回転させて多方向から被写
体32にX線を照射して透過X線の強度分布を計測し、
その計測信号を電子計算機で演算処理することによって
被写体32の断層像を得るようになっている。
また、X線源30と検出器31は固定しておき、被写体
32を回転させても同一の断層像を撮影することかでき
、医用以外の撮影にも用いられる。
32を回転させても同一の断層像を撮影することかでき
、医用以外の撮影にも用いられる。
しかしながら、この方式のX1CT装置においては、検
出器31の各素子間に感度ばらつきがあると、再生画像
に同心円状の偽像(リンクアーチファクト)が発生する
という問題があった。
出器31の各素子間に感度ばらつきがあると、再生画像
に同心円状の偽像(リンクアーチファクト)が発生する
という問題があった。
そこで、複数のシンチレータと複数の光電変換素子より
なる検出器31において、ある検出素子に感度ばらつき
の生ずる原因について検討する。
なる検出器31において、ある検出素子に感度ばらつき
の生ずる原因について検討する。
X線源30から放射されたx4gか被写体32を透過し
た後のX線強度分布を検出器31により測定するか、検
出器31の入射面上ではX線ビームのスライス幅りは、
拡大率αたけ拡かったαDとなる。この検出器31のス
ライス幅αD内の場所による感度は、均一ではなくそれ
ぞれ異なる感度分布をもっている。この感度分布の形状
は中央部の感度か大きく、両端部分が低下する山形とな
るのか一般的である。このようにスライス幅方向に感度
分布があり、さらに各素子毎に分布の状態が異なる検出
器31を用いて被写体32を計測する場合、第1】則(
側面図)の(A)に示すごとく円筒状型体ではスライス
方向の感度分布は平均化されるため素子毎の出力値はほ
ぼ一定となる(第]2図A)が、第11図(側面図)の
(B)のごとく円錐台状の物体ではスライス方向にX線
の強度分布(第12図B)があるために、検出器31の
スライス方向感度分布の影響か現われ、出力値は各素子
毎にばらつき、単純な補正処理では除去できない誤差か
残り、誤差の値か一定値以」二ある素子に対応する位置
にリンク状アーチファクトが発生し、断層画像の画質を
劣化させることがわかった。
た後のX線強度分布を検出器31により測定するか、検
出器31の入射面上ではX線ビームのスライス幅りは、
拡大率αたけ拡かったαDとなる。この検出器31のス
ライス幅αD内の場所による感度は、均一ではなくそれ
ぞれ異なる感度分布をもっている。この感度分布の形状
は中央部の感度か大きく、両端部分が低下する山形とな
るのか一般的である。このようにスライス幅方向に感度
分布があり、さらに各素子毎に分布の状態が異なる検出
器31を用いて被写体32を計測する場合、第1】則(
側面図)の(A)に示すごとく円筒状型体ではスライス
方向の感度分布は平均化されるため素子毎の出力値はほ
ぼ一定となる(第]2図A)が、第11図(側面図)の
(B)のごとく円錐台状の物体ではスライス方向にX線
の強度分布(第12図B)があるために、検出器31の
スライス方向感度分布の影響か現われ、出力値は各素子
毎にばらつき、単純な補正処理では除去できない誤差か
残り、誤差の値か一定値以」二ある素子に対応する位置
にリンク状アーチファクトが発生し、断層画像の画質を
劣化させることがわかった。
本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので
ある。
ある。
本発明の目的は、スライス幅方向の感度分布を平担化し
、かつ各素子毎の感度分布のばらつきを低減させ、いか
なる形状の被写体に対しても各素子間の感度差を低減す
ることができる技術を提供することにある。
、かつ各素子毎の感度分布のばらつきを低減させ、いか
なる形状の被写体に対しても各素子間の感度差を低減す
ることができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれは、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれは、下記のとおりである。
すなわち、放射線により発光する複数のシンチレータと
シンチレータの発光を受光する複数の光電変換素子より
なる多素子放射線検出器において、前記光電変換素子か
長方形でありかつ有感部の幅が中央部より両端部の方が
広い形状に構成し、中央部より両端部の方が感度が高い
特性を有する光電変換素子を備えたことを主な特徴とす
るものである。
シンチレータの発光を受光する複数の光電変換素子より
なる多素子放射線検出器において、前記光電変換素子か
長方形でありかつ有感部の幅が中央部より両端部の方が
広い形状に構成し、中央部より両端部の方が感度が高い
特性を有する光電変換素子を備えたことを主な特徴とす
るものである。
前述の手段によれば、放射線シンチレータからの光出力
の強度分布の状態に対応して、光電変換素子の感度分布
を変化させ、電気出力としては−様な特性となるように
したことにより、スライス幅方向の感度分布を平担化し
、かつ各素子毎の感度分布のばらつきを低減させ、いか
なる形状の被写体に対しても各素子間の感度差を無くす
ることができるので、再生画像に同心円状の偽像(リン
クアーチファクト)が発生するのを低減することができ
る。
の強度分布の状態に対応して、光電変換素子の感度分布
を変化させ、電気出力としては−様な特性となるように
したことにより、スライス幅方向の感度分布を平担化し
、かつ各素子毎の感度分布のばらつきを低減させ、いか
なる形状の被写体に対しても各素子間の感度差を無くす
ることができるので、再生画像に同心円状の偽像(リン
クアーチファクト)が発生するのを低減することができ
る。
以下、本発明の実施例を図面を用いて具体的に説明する
。
。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
第1図は、本発明の一実施例の複数素子検出器のフォト
タイオートアレイの概略構成を示す平面図、第2図は、
第1図に示す1素子のフォトダイオードの概略構成を示
す平面図である。
タイオートアレイの概略構成を示す平面図、第2図は、
第1図に示す1素子のフォトダイオードの概略構成を示
す平面図である。
第1図及び第2図において、フォトダイオードアレイ8
は、配線基板6の上に複数のフォトダイオード8Aがア
レイ状に配列されている。フォトタイオードアレイ8の
1素子のフォトタイオード8Aは、配線基板6の上に固
定され、その出力は配線3及びボンデインクワイヤ4A
を介して端子4から取り出される。フォトダイオード8
Aは、第2図に示すように、光を検出する有感部1の周
辺に額ぶち状に不感帯部2が設けられ、その上に不感帯
光遮蔽膜か設けられている。不感帯光遮蔽膜の形成方法
は、フォトタイオード8Aのチップ」二に光が不透過な
樹脂を印刷する等の手段がある。
は、配線基板6の上に複数のフォトダイオード8Aがア
レイ状に配列されている。フォトタイオードアレイ8の
1素子のフォトタイオード8Aは、配線基板6の上に固
定され、その出力は配線3及びボンデインクワイヤ4A
を介して端子4から取り出される。フォトダイオード8
Aは、第2図に示すように、光を検出する有感部1の周
辺に額ぶち状に不感帯部2が設けられ、その上に不感帯
光遮蔽膜か設けられている。不感帯光遮蔽膜の形成方法
は、フォトタイオード8Aのチップ」二に光が不透過な
樹脂を印刷する等の手段がある。
不感帯部2の形状はフォトダイオード8Aの有感部1の
スライス幅方向の端部の幅が中央部より広くなるように
作られる。
スライス幅方向の端部の幅が中央部より広くなるように
作られる。
これにより、フォ1〜ダイオード8Aの出力のスライス
幅方向感度分布は、第3図に示すフォl−ダイオード感
度分布曲線5のように両端部が大きい特性となる。
幅方向感度分布は、第3図に示すフォl−ダイオード感
度分布曲線5のように両端部が大きい特性となる。
第4図は、第1図に示すフォトダイオードアレイ8の一
例であるPIN型シリコンフォトダイオードアレイの概
略構造を示す断面図である。
例であるPIN型シリコンフォトダイオードアレイの概
略構造を示す断面図である。
第4図において、フォトタイオード8Aの配列ピッチを
]、 m mとすると、チャンネル分離帯の幅は0.2
mmが必要であり、分離のためN層21が置かれ、受光
面拡散層の2層20は隣り素子と完全に分離されている
。分離帯すなわち不感帯部2にはさらに光遮蔽膜23を
付けて外部からの光が不感帯部2に入らないようにする
。光遮蔽膜は表面保護膜(パッシベーション)24の上
に付けるために、その幅Wは接続する放射線シンチレー
タの光出力状態に応じて変化させることができる。
]、 m mとすると、チャンネル分離帯の幅は0.2
mmが必要であり、分離のためN層21が置かれ、受光
面拡散層の2層20は隣り素子と完全に分離されている
。分離帯すなわち不感帯部2にはさらに光遮蔽膜23を
付けて外部からの光が不感帯部2に入らないようにする
。光遮蔽膜は表面保護膜(パッシベーション)24の上
に付けるために、その幅Wは接続する放射線シンチレー
タの光出力状態に応じて変化させることができる。
光遮蔽膜は光不透過な樹脂材料を印刷して形成するかあ
るいは金属を蒸着させることによって形成する。
るいは金属を蒸着させることによって形成する。
次に、本実施例のフォトダイオードアレイ8の作用につ
いて説明する。
いて説明する。
第5図に示す放射線シンチレータ9において、入射放射
線10によるシンチレータ光11がフォトダイオード8
Aの有感部1に入射する強度分布は、両端部からの放出
光12のために第6図(光出力特性図)に示す放射線シ
ンチレータ光出力分布曲線13のようにスライス幅αD
方向に両端部が低下する。放射線シンチレーション9の
光出力特性を測定し、それに対応して光遮蔽膜の幅Wを
スライス幅αDの方向で変化させる。すなわち、中央部
を狭くし両端部の幅を広くすることにより、放射線シン
チレータ9とフォトダイオード8Aを組合せた信号出力
のスライス幅αD方向の信号出力分布は、第8図(第7
図に示す検出器の1素子の出力特性曲線図)に示す検出
器の出力特性曲線15のごとく平担な特性とすることか
できる。第7図(斜視図)は検出器の1素子の例を示し
、第9図(斜視図)は3素子を並列にした多素子検出器
を示している。
線10によるシンチレータ光11がフォトダイオード8
Aの有感部1に入射する強度分布は、両端部からの放出
光12のために第6図(光出力特性図)に示す放射線シ
ンチレータ光出力分布曲線13のようにスライス幅αD
方向に両端部が低下する。放射線シンチレーション9の
光出力特性を測定し、それに対応して光遮蔽膜の幅Wを
スライス幅αDの方向で変化させる。すなわち、中央部
を狭くし両端部の幅を広くすることにより、放射線シン
チレータ9とフォトダイオード8Aを組合せた信号出力
のスライス幅αD方向の信号出力分布は、第8図(第7
図に示す検出器の1素子の出力特性曲線図)に示す検出
器の出力特性曲線15のごとく平担な特性とすることか
できる。第7図(斜視図)は検出器の1素子の例を示し
、第9図(斜視図)は3素子を並列にした多素子検出器
を示している。
本実施例によれば、放射線シンチレータ9からの光出力
の強度分布の状態に対応して、フォ1〜ダイオード8A
の感度分布を変化させ、電気出力とじては−様な特性と
なるようにしたことにより、スライス幅方向の感度分布
を一定にすることができ、かつ各素子毎の感度分布のば
らつきを低減させ、いかなる形状の被写体に対しても各
素子間の感度差を低減することができるので、再生画像
にリンクアーチファク1へか発生するのを低減すること
かできる。これにより、良好な画質の画像を得ることか
できる。さらにX線ヒームのスライス幅方向の位置すれ
変化が生した場合にも影響を受けることはなく、時間的
変動が無く較正のための計11111操作の手間を省く
ことができる。
の強度分布の状態に対応して、フォ1〜ダイオード8A
の感度分布を変化させ、電気出力とじては−様な特性と
なるようにしたことにより、スライス幅方向の感度分布
を一定にすることができ、かつ各素子毎の感度分布のば
らつきを低減させ、いかなる形状の被写体に対しても各
素子間の感度差を低減することができるので、再生画像
にリンクアーチファク1へか発生するのを低減すること
かできる。これにより、良好な画質の画像を得ることか
できる。さらにX線ヒームのスライス幅方向の位置すれ
変化が生した場合にも影響を受けることはなく、時間的
変動が無く較正のための計11111操作の手間を省く
ことができる。
以上、本発明を実施例にもとすき具体的に説明したか、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
以上説明したように、本発明によれは、放射線シンチレ
ータからの光出力の強度分布の状態に対応して、フォト
タイオードの感度分布を変化させ、電気出力としては−
様な特性となるようにしたことにより、スライス幅方向
の感度分布を一定にすることかでき、かつ各素子毎の感
度分布のばらつきを低減させ、いかなる形状の被写体に
対しても各素子間の感度差を低減することができるので
、再生画像にリンクアーチファク1−が発生するのを低
減することができる。これにより、良質な断層画像を得
ることができる。
ータからの光出力の強度分布の状態に対応して、フォト
タイオードの感度分布を変化させ、電気出力としては−
様な特性となるようにしたことにより、スライス幅方向
の感度分布を一定にすることかでき、かつ各素子毎の感
度分布のばらつきを低減させ、いかなる形状の被写体に
対しても各素子間の感度差を低減することができるので
、再生画像にリンクアーチファク1−が発生するのを低
減することができる。これにより、良質な断層画像を得
ることができる。
第1図は、本発明の一実施例の複数素子のフォ1−ダイ
オードアレイの概略構成を示す平面図、第2図は、第1
図に示す1素子のフォトタイオードの概略構成を示す平
面図、 第3図は、第2図に示すフォトダイオードの出力特性を
示す特性曲線図、 第4図は、第1図に示すようにフォ1−タイオー1(ア
レイの一例の概略構成を示す断面図、第5図は、本発明
の一実施例の1素子の放射線シンチレータを示す斜視図
、 第6図は、第5図に示す放射線シンテータの光出力特性
を示す特性曲線図、 第7図は、本実施例の検出器の光電変換素子と放射線シ
ンチレータを組合せたl素子の概略構成を示す斜視図、 第8図は、第7図に示す検出器の1素子の出力特性を示
す特性曲線図、 第9図は、第7図に示す素子を複数個組立た状態を示す
斜視図1、 第[0図は1、本発明に係る従来のX線CT装置の原理
を説明するための説明図、 第11図は、被写体として用いたス1へレートファント
ムとテーパファントムの側面図、 −第12図は、第1
1図示すファントムのX線強度を示す特性曲線図である
。 図中、■ ・有感部、2・・・不感帯部、5・・・フォ
トダイオード感度分布曲線、8・・フォトダイオードア
レイ、8A・・・フォトタイオート、9 放射線シンチ
レータ、13・・・放射線シンチレータ光出力分布曲線
、15・・・検出器の出力特性曲線である。
オードアレイの概略構成を示す平面図、第2図は、第1
図に示す1素子のフォトタイオードの概略構成を示す平
面図、 第3図は、第2図に示すフォトダイオードの出力特性を
示す特性曲線図、 第4図は、第1図に示すようにフォ1−タイオー1(ア
レイの一例の概略構成を示す断面図、第5図は、本発明
の一実施例の1素子の放射線シンチレータを示す斜視図
、 第6図は、第5図に示す放射線シンテータの光出力特性
を示す特性曲線図、 第7図は、本実施例の検出器の光電変換素子と放射線シ
ンチレータを組合せたl素子の概略構成を示す斜視図、 第8図は、第7図に示す検出器の1素子の出力特性を示
す特性曲線図、 第9図は、第7図に示す素子を複数個組立た状態を示す
斜視図1、 第[0図は1、本発明に係る従来のX線CT装置の原理
を説明するための説明図、 第11図は、被写体として用いたス1へレートファント
ムとテーパファントムの側面図、 −第12図は、第1
1図示すファントムのX線強度を示す特性曲線図である
。 図中、■ ・有感部、2・・・不感帯部、5・・・フォ
トダイオード感度分布曲線、8・・フォトダイオードア
レイ、8A・・・フォトタイオート、9 放射線シンチ
レータ、13・・・放射線シンチレータ光出力分布曲線
、15・・・検出器の出力特性曲線である。
Claims (1)
- (1)放射線により発光する複数のシンチレータとシン
チレータの発光を受光する複数の光電変換素子よりなる
多素子放射線検出器において、前記光電変換素子が長方
形でありかつ有感部の幅が中央部より両端部の方が広い
形状に構成し、中央部より両端部の方が感度が高い特性
を有する光電変換素子を備えたことを特徴とする放射線
検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324071A JPH01165983A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324071A JPH01165983A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165983A true JPH01165983A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18161823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324071A Pending JPH01165983A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01165983A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000340835A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 高エネルギー線入射位置検出素子及び装置 |
| JP2009532676A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線検出器配列 |
-
1987
- 1987-12-23 JP JP62324071A patent/JPH01165983A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000340835A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 高エネルギー線入射位置検出素子及び装置 |
| JP2009532676A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線検出器配列 |
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