JPH01167232A - InCrMn↓2O↓5で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents

InCrMn↓2O↓5で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法

Info

Publication number
JPH01167232A
JPH01167232A JP32795487A JP32795487A JPH01167232A JP H01167232 A JPH01167232 A JP H01167232A JP 32795487 A JP32795487 A JP 32795487A JP 32795487 A JP32795487 A JP 32795487A JP H01167232 A JPH01167232 A JP H01167232A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
incrmn2o5
cubic spinel
heated
atmosphere
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP32795487A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0248491B2 (ja
Inventor
Noboru Kimizuka
昇 君塚
Naohiko Mori
毛利 尚彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute for Materials Science
Original Assignee
National Institute for Research in Inorganic Material
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute for Research in Inorganic Material filed Critical National Institute for Research in Inorganic Material
Priority to JP32795487A priority Critical patent/JPH0248491B2/ja
Publication of JPH01167232A publication Critical patent/JPH01167232A/ja
Publication of JPH0248491B2 publication Critical patent/JPH0248491B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Conductive Materials (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規化合物であるInCrMn2O5で示され
る立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその
製造法に関する。この新規化合物は半導体材料、陰イオ
ン導電体および触媒材料として使用し得られるものであ
る。
従来技術 従来立方晶系のスピネル型構造を有する化合物としては
、(1)一般式AB2On  (Aは2価陽イオン。
Bは3価陽イオンを表わす)で示される走化組成の化合
物、(2)7  Fe2O3、TxiCo2Oe、 T
14CO40+zで示される陽イオン欠陥を持つ化合物
が知られている。
これらの化合物は、陽イオン数と陰イオン数との割合が
3対4,2対3あるいは5対8のものであった。
発明の目的 本発明は従来の立方晶系のスピネル型構造を有する化合
物の陽イオン数と陰イオン数の割合とは異なった4対5
の割合である陰イオン欠陥(酸素イオン欠陥)を有する
新規な立方晶系のスピネル型構造を有する化合物を提供
するにある。
発明の構成 本発明の新規化合物はInCrMn2Osで示される立
方晶系のスピネル型構造を有する化合物である。
この化合物は陽イオン数と陰イオン数の割合が4対5で
陰イオン欠陥(酸素イオン欠陥)を有するものであり、
その格子定数はa =8.627±0.001(入)で
ある。この化合物が陰イオン欠陥であるる密度(5,5
4g/c+n3)とアルキメデス法による実測値(5,
53g/cm 3)とがよく一致していることがら結論
づけられる。
この化合物の面指数(hkJ2)、面間隔(d(人))
〔do(人)は実測値、dC(入)は計算値を示す)、
およびX線に対する相対反射強度I(%)を示すと表−
1の通りである。この化合物は陰イオン導電体、半導体
材料、および触媒材料として使用し得られる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
インジウム、クロムおよびマンガンの金属あるいは金属
酸化物もしくは加熱により金属酸化物となる化合物を、
インジウム、クロムおよびマンガンの割合が原子比で1
対1対2になるように混合し、該混合物を1200℃以
上の温度で、インジウムおよびクロムが各々3価イオン
状態、マンガンが2価イオン状態を維持する雰囲気中で
加熱することによって得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進行
させるためには粒径が小さい程よく、特に10μm以下
であることが望ましい。また、陰イオン導電体、半導体
材料、触媒材料等として用いる場合には不純物の混入を
きらうので、出発物質の純度は高いほど好ましい。加熱
により金属酸化物となる化合物としては、それぞれの金
属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。これら
の原料をそのままあるいはアルコールまたはアセトンと
共に充分混合する。混合割合はIn、 Cr。
Mnが原子比で1対1対2の割合である。この割合をは
ずすと目的とする化合物の単一相を得ることができない
。この混合物をInおよびCrが各々3価イオンの状態
、Mnが2価イオン状態を維持する雰囲気の下で120
0″C以上に加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ
以上である。加熱後はo′cに急冷するか、あるいは大
気中に象、速に引き出せばよい。
得られるInCrMnxOs化合物の色は黒色であり、
粉末X−線回折法により結晶構造を有することが分かっ
た。その結晶構造はスピネル型であり、通常のスピネル
型化合物が示す陽イオン数と陰イオン数との比である3
対4がら著しくずれた4対5のものであった。
実施例 純度99.99%以上の酸化インジウム(In2O+)
粉末、純度99.9%以上の酸化クロム(Cr2Oi)
粉末および純度99.9%以上の酸化マンガン(MnO
)粉末をモル比で1対1対4の割合に秤量し、めのう乳
ばち内でエタノールを加えて約30分間混合し、平均粒
径数μmの微粒子状混合物を得た。該混合物を白金管内
に封入し、1450℃に設定された管状シリコニット炉
内に入れ、4日間加熱し、その後試料を炉外で室温まで
象、速に冷却した。得られた試料は.InCrMn2O
5単一相試料であり、粉末X−線回折法によって、面指
数(hkj2)、各反射の面間隔(d(入))および相
対反射強度■(%)を測定した。
その結果は表−1に示す通りであった。
立方晶系としての格子定数は、以下のとおりであった。
a =8.627±0.001 (人)上記の格子定数
および表−1の各反射、hkI!。
より算出した面間隔(d(人))は実測の面間隔(d(
入))と極めてよく一致した。また原料重量を加熱前後
で精密に秤量し、得られた化合物の化学量輸I矢が上記
のようであることが分かった。
発明の効果 本発明は半導体材料、陰イオン導電体、触媒材料として
有用な陰イオン欠陥を有する新規な立方晶系のスピネル
型構造を有する化合物(InCrMn2Os)を提供し
得たものである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.InCrMn_2O_5で示される立方晶系のスピ
    ネル型構造を有する化合物。
  2. 2.インジウム、クロムおよびマンガンの金属あるいは
    金属酸化物もしくは加熱により金属酸化物となる化合物
    を、インジウム,クロムおよびマンガンの割合が原子比
    で1対1対2になるように混合し、該混合物を1200
    ℃以上の温度で、インジウムおよびクロムが各々3価イ
    オン状態、マンガンが2価イオン状態を維持する雰囲気
    中で加熱することを特徴とするInCrMn_2O_5
    で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物の
    製造法。
JP32795487A 1987-12-24 1987-12-24 Incrmn2o5deshimesareruritsuhoshokeinosupinerugatakozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho Expired - Lifetime JPH0248491B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32795487A JPH0248491B2 (ja) 1987-12-24 1987-12-24 Incrmn2o5deshimesareruritsuhoshokeinosupinerugatakozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32795487A JPH0248491B2 (ja) 1987-12-24 1987-12-24 Incrmn2o5deshimesareruritsuhoshokeinosupinerugatakozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01167232A true JPH01167232A (ja) 1989-06-30
JPH0248491B2 JPH0248491B2 (ja) 1990-10-25

Family

ID=18204868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32795487A Expired - Lifetime JPH0248491B2 (ja) 1987-12-24 1987-12-24 Incrmn2o5deshimesareruritsuhoshokeinosupinerugatakozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0248491B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6800400B2 (en) 2001-04-19 2004-10-05 Sanyo Electric Co., Ltd. Lithium secondary battery

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6800400B2 (en) 2001-04-19 2004-10-05 Sanyo Electric Co., Ltd. Lithium secondary battery

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0248491B2 (ja) 1990-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0248491B2 (ja) Incrmn2o5deshimesareruritsuhoshokeinosupinerugatakozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0513093B2 (ja)
JPH0435407B2 (ja)
JPH0435424B2 (ja)
JPH0435406B2 (ja)
JPH0437009B2 (ja)
JPH0338210B2 (ja)
JPH0435415B2 (ja)
JPH0435409B2 (ja)
JPH0435408B2 (ja)
JPH0435419B2 (ja)
JPH0336770B2 (ja)
JPH0435421B2 (ja)
JPH0435412B2 (ja)
JPS63295424A (ja) TmGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0435422B2 (ja)
JPS63295420A (ja) YbGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0375491B2 (ja)
JPS63277522A (ja) InFeZn↓8O↓1↓1で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0360778B2 (ja)
JPS63295421A (ja) YbGaZn↓5O↓8で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0338212B2 (ja)
JPH0435414B2 (ja)
JPH0435413B2 (ja)
JPH0435416B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term