JPH01167701A - 二波長域反射防止膜 - Google Patents

二波長域反射防止膜

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JPH01167701A
JPH01167701A JP62326176A JP32617687A JPH01167701A JP H01167701 A JPH01167701 A JP H01167701A JP 62326176 A JP62326176 A JP 62326176A JP 32617687 A JP32617687 A JP 32617687A JP H01167701 A JPH01167701 A JP H01167701A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 皮呈上立科度豆! 本発明は、例えば可視光と赤外光のように比較的離れた
三波長域の多層反射防止膜に関する。
l来肢歪 従来の反射防止膜は、単波長域のみの反射防止であり、
例えば可視域の3層反射防止膜では、赤外域の反射が基
板のまま以上に増加してしまう。
従って、使用波長域が単波長域では問題はないが、2波
長域、例えば可視と赤外域を同一光学系で使用するとき
は、ゴーストやフレアーが発生したり光量不足となった
りする。一方、上記3層反射防止膜を赤外域(例えば、
λ。−3750nm)で反射防止するようにすると、可
視域での反射防止が困難となる。しかし、λ。/3、λ
。15、・・・の波長帯域では反射防止になっており、
従来はこのような2次、3次・・・の反射防止帯域を利
用して三波長域の反射防止を行なっていたが、波長域は
上述のようにλa/3、λ。15、・・・に限ぎられて
おり利用の制約が大きかった。
lII口1直 本発明は、従来の三波長帯域に対する反射防止膜の上述
の問題点に鑑みてなされたものであって、任意の三波長
帯域について反射防止が可能な反射防止膜を提供するこ
とを目的とし、かつ該三波長帯域のうちの短波長の反射
防止帯域が広い反射防止膜を提供することを目的とする
1里■盪底 本発明は、基板S上に順次積層する多層膜であって、中
心波長λ1、λバλ、〈λ2)の二波長について の反射防止膜において、 波長λ、に対する第1基板屈折率調整層と、第1反射防
止層を有し、基板Sと第1基板屈折率調整層、第1基板
屈折率調整層と第1反射防止層、及び第1反射防止層と
媒質との間の少なくとも1ケ所に波長λ、に対する不関
与層を挿入した膜構成であり、不関与層の構成が、nt
(λI/2)の整数倍、またはn、(λt/4)−nz
(λI/2)−n、(λI/4)のどちらか一方、又は
、それらの組合わせからなり、上記第1不関与層の屈折
率は上記第1基板屈折率調整層、第1反射防止層及び第
1不関与層がλ2に対して基板屈折率調整層及び反射防
止層に相 当するように、上記不関与層の屈折率が選択
されていることを特徴とする二波長反射防止膜である。
原1!I【吸 211反射防止膜(Vコート)の基本型は、基板Sの屈
折率をn□、とすると、n5ub/n((λ、/4)−
ng(λ+/−4)/airの二層構成である。n2(
λ1/4)は、通常MgFz (n=1.38)を使用
するが、そのときn箇はn、 y 、/”ii”譜τ・
n2にすれば中心波長λ1にて反射率0となる。・・・
・・・・・(1)例えば、BK7(n=1.52)/1
.70(λ、/4)−1,38(λl/ 4 ) /a
ir(n n= 1 )つまりある波長λ、にて反射防
止を効率よく行うためには、光学的膜厚n、d、−λI
/4、n、mJ−π・n2の基板屈折率調整層と、n、
dt=λ1/4の低屈折率物質n2の反射防止層が必要
となる。
通常は、n、の物質として八1203 、nzの物質と
してMg F、を用いる。
しかし、この2層反射防止膜(Vコート)では、λ、近
傍では反射防止となるが、他の波長λ!(> A +)
においては、通常、反射防止膜無しの基板自体の反射率
より増大する。すなわち、長波長域では、λ8〉〉λ、
である場合、基板とほぼ同じになる。言い換えれば、長
波長域においては膜厚が薄く無視できる。
一方、λtについては、■コートにより反射防止を行う
と、λ諺より短波長側ではλg/3、λ815、λ!/
7、・・・において反射防止になっているが、その帯域
は非常に狭い。
λいλ、の三波長域で効率よく反射防止を行うためには
、λ、でのVコートの特性をくずさずに、λ8で反射防
止ができるようにλ霊基板屈折率調整層とλ2反射防止
層を設ければよい、λ1の特性をくずさない層(λ1に
関与しない層)は、λ、の波長に応じてλ8が短かいと
きは薄く、長いときは厚(する。
このλ、に関与しない層とは、屈折率naSn=、nc
の物質に対して na(λ1/2)、ns(λ+/4) −n c(λ+
/2) −n m(λ1/4)、等を示す。これらは膜
の特性行列M となるため、λ、での特性に関与しないことが理解でき
る。
このようなλ1不関与層の群を(1)、(If)、(1
′)、(■′)とすると、λ1のVコートを組合せた という構成の膜はいずれもλ、でのVコートとなる。こ
こで、A :  AjltOs(λ、/4)層、M;M
gFz(λ1/4)層を示す。
(3)の構成でさらにλ2についても反射防止とするた
めには、前半部がλ22基板屈折率調整、後半がλ3反
射防止層となるように、つまり前半部の数層の等価膜な
屈折率をNl、膜厚(膜厚)をDI、後半のそれらをN
* 、Dzとすると、(1)より、となるように(1)
、(II)、(■′)、(■′)等の屈折率、暦数ある
いは、組合せを決定すればよい。
このとき、λ、不関与層(1)、(II)、(■′)、
(■′)は、n(λl/2)の広帯域化層を含めること
によってλ、での反射防止帯域を本来のVコートより広
帯域化することも可能である。
λ1基板屈折率調整層 λ1反射防止層λ2基板屈折率
調整層 λ2反射防止層(関連技術の説明) まず、ガラス基板と空気の境界面での複素振幅反射率r
(reiδ)は、第5図に示すように、横軸Xを実数軸
、縦軸Yを虚数軸とすると、実数軸Yの−0,20の点
0 + (r = 0.20、δ=180°)で表わさ
れる。これはApfe1表示と呼ばれる。そして、この
ガラス基板に薄膜が蒸着されると、rの値が変化する。
例えば、Zn5i(n I= 2.30 )に蒸着する
と、光学的膜厚n、d、が増加し、第5図の点0x(r
=  0.39)を中心に半径0.02の円周上を描き
、該円周上の点Pから原点Oまでの路次に、二層反射防
止を考える。n5ub=1.52の基板をn=1.38
の第1層を用いてλ。で残留反射θ%とするためには、
n Sub =1.52を等価膜にn、。−1,9にし
てやればよいことが知られている。そのためには、第6
図に示すように、n = 1.7の物質をλ。/4蒸着
し、さらにn=1.38をλ。/4蒸着すればよいこと
がわかる。なお、第6図において点線1O112は反射
率R=1%、0.5%(7)領域を示し、マタ点114
.16.18の波長比ν=1.1、ν=1.2、ν=1
.3を示す。
n = 1.7の物質が得られない場合は、第6図に示
すように、n > l、 7なる物質例えばZrOg(
n−2,03)と、n < 1.7なる物質、例えばM
gF。
(n=1.38)でn = 1.7と等価になるように
、2.03(位相膜厚:δ、)−1,38(位相膜厚:
62)で置換すればよい。これは二層等価膜(またはコ
ンポジット膜と呼ばれるもので、三層対称等価膜ととも
に、単波長においてnH<n<nLの屈折率の単層膜と
等価の膜を得るため極めて有効な手法である。ただしこ
の場合、膜厚をλ。74以下で制御する技術が必要にな
る。
以上述べてきた二層反射防止膜では、前半の1.7(λ
(1/4) 、2.03 (δ目)−1,38(δ2)
という層は、後半の1.38(λ。/4)層で無反射す
るための、すなわち基板の屈折率を等価膜にnswb’
−1,38”=1.9にするための基板屈折率調整層と
考えることができる。
これらの二層反射防止膜(Vコート)は単波長域反射防
止膜であり、中心波長以外においては、波長比によって
第6図の点線14.16.18で示すように反射率は単
調に増加する。
大皇旦曵 (1)紫外域可視域二波長反射防止膜(λI−250n
s、λ3 諺 633ns) A         M この構成は(5)の条件より、同時に非常に大雑把な近
イ以により 1.50/Ns(λ!/4)  Nz(λ1八)/ai
r ・・(6’)を満足すればよい、これを第1図に1
04により示す。
厳密には、N l (λ、/4)層は第1図の実線10
0■−■に、Nバス8/4)層は、実線ioo■−■に
相当するが、簡単のために全光学的膜厚(λ、/4)×
6の半分(λI/4)X3、つまり1.46(λ1/4
)−1,90(λI/2)の部分をN + (λt/4
)と考え、1、46 (λt/4)  1.63(λ、
/4)−1,38(λI/4)の部分をNx(λ!/4
)と考える。このとき、N t D t ” N t 
Dオー(λ+/4) X 3諺750/4 lq 63
3/4 (−λ8/4)  ・・・(7)Dr 故に、NI ”il、727   Nx 1=11.4
83よって、(6′)はIO2で示されるように、1.
50/1,727(750nm/4)−1,483(7
50nm/4)/air ・・Qlと表わされる。しか
し、α・は厳密には、(5)の条件を満していない、す
なわち、n!=1.483ならば、106で示すように
、n□、=1.50に対してはnt−1,816となる
ところで、(5)の条件は、あくまで反射Oの条件であ
るが、反射防止の種類によっては、波長λ1−又はλ8
について反射率≦1%、あるいは基板自身の反射より減
少すれば良いという緩い条件のものもある。なお、(6
)の厳密な複素振幅グラフは第1図に102として示さ
れる。また、Qlの反射特性は、第2図に示す通りであ
り、λ1における反射率は0.25%である。これは屈
折率の加乗平均に相当する。 厳密には上に述べたよう
に(6)の構成は633n■において、第1図の実線1
00■〜■〜■のような等価膜なVコートになっている
第1図からNい N8を求めると実線104■〜■〜■
テ近似してNII=11.88、Nz#1.50となる
叉施■盟 可視・赤外二波長域反射防止(可視:λ1=430〜6
50nm、赤外:λg=3.0〜5.0μm)へりの構
成も、λ2においては、第3図の実線2000〜[相]
〜0のような等価膜になり、204に示すようにNt=
 1.747、N、−1,420と近似される。 ・ 
・ ・ ・ ・ ・ ・ (11’ )大雑把な近似と
して実施例(1)と同様に考゛えると全光学的膜厚は(
λl/4)X12となり前半部1.63(λI/4) 
−2,03(λ、/2)−1,63(,11/4) −
1,46(λI/2)をλ2基板屈折率調整層、後半部
1.46(λ、/2)−1,38(λ、/2)−1,6
3(λl/4) −1,38(λ、/4)をλ2反射防
止層と考える。このとき、 N r D t = N t D t = (λI/ 
4 ) X 6 = (550/4)X 6− (33
00/4)二(3750/4)= (λt/4)故に、
N、=1.675、Nz−1,433よって、aυの近
似は、206で示されるように、1.50/ 1.67
5 (3300nm/ 4) −1,433(3300
ns/ 4)  /air  ・・−−・・・−・・Q
21となる。これは厳密には(5)の条件を満していな
いが、その反射特性は第4図に示す通りであり、実用上
反射防止膜として十分使用できるものである。
なおαυの厳密な複素振幅グラフを第3図に202とし
て示す。
【図面の簡単な説明】
第1WJは本発明の第1実施例のApfe1表示による
複素振幅反射率グラフ図、第2図は第1実施例の反射特
性図、第3図は第2実施例のApfe1表示による複素
振幅反射率グラフ図、第4図は第2実施例の反射特性図
、第5図及び第6図はApfe1表示による複素反射率
グラフの説明図である。 10・・・反射率1%の領域を示すグラフ12・・・反
射率0.5%の領域を示すグラフ14・・・波長比1.
1 16・・・波長比1.2 18・・・波長比1.3 100・・・第1実施例の複素振幅反射率グラフ200
・・・第2実施例の複素振幅反射率グラフ手続補正書(
方式) 1.事件の表示   昭和62年特許願第326176
号2、発明の名称   二波長域反射防止膜3、補正を
する者 事件との関係  出願人 名 称  東京光学機械株式会社 4、代理人 6、補正の対象     全図面 7、補正の内容 願書に最初に添付した図面の浄書

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板S上に順次積層する多層膜であって、中心波
    長λ_1、λ_2(λ_1<λ_2)の二波長について
    の反射防止膜において、 波長λ_1に対する第1基板屈折率調整層と、第1反射
    防止層を有し、基板Sと第1基板屈折率調整層、第1基
    板屈折率調整層と第1反射防止層、及び第1反射防止層
    と媒質との間の少なくとも1ヶ所に波長λ_1に対する
    不関与層を挿入した膜構成であり、不関与層の構成が、 n(λ_1/2)の整数倍、またはn_1(λ_1/4
    )−n_2(λ_1/2)−n_1(λ_1/4)のど
    ちらか一方、又は、それらの組合わせからなり、上記第
    1不関与層の屈折率は上記第1基板屈折率調整層、第1
    反射防止層及び第1不関与層がλ_2に対して基板屈折
    率調整層及び反射防止層に相当するように、上記不関与
    層の屈折率が選択されていることを特徴とする二波長反
    射防止膜。
  2. (2)上記第1基板屈折率調整層、上記第1反射防止層
    及び第1不関与層の膜厚の和が略λ_2/2に等しく、
    これらを略λ_2/4の膜厚で2分したときの基板側の
    膜の屈折率の加重平均をN_1、他方の膜の屈折率の加
    重平均をN_2としたとき、N_1≒√(n_s_u_
    b)・N_2 なる関係となるように構成されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の二波長反射防止膜。
  3. (3)上記第1反射防止層の構成のうち、n(λ_1/
    2)の膜をn(λ_1/4)−n′(λ_1/4)また
    はn_1(λ_1/4)−n_2(λ_1/2)−n_
    1(λ_1/4)の膜をn_1、(λ_1/4)−n_
    2(λ_1/2)−n′_1(λ_1/4)に置き換え
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の二波長
    反射防止膜。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5557466A (en) * 1993-09-07 1996-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Two-wavelength antireflection film
JP2010060587A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Sony Corp 偏光素子及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5557466A (en) * 1993-09-07 1996-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Two-wavelength antireflection film
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