JPH01170017A

JPH01170017A - 半導体処理装置

Info

Publication number: JPH01170017A
Application number: JP32717187A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Oketa; 桶田　立夫; Naohiko Aku; 安久　直彦
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-12-25
Filing date: 1987-12-25
Publication date: 1989-07-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は半導体処理装置に関する。

（従来の技術）従来、ウェハの酸化・拡散等の処理を行なう装置として
第４図に示す半導体処理装置が知られいる。その構造に
ついて説明すると、加熱炉４０５内に石英からなる反応
容器である反応管４０３が水平に配設され、これにガス
導入口４０１が設けられている。そして反応管４０３は
ガス排気口４０９が設けられた石英からなる密閉部であ
る蓋体４０７により密閉される。ここで蓋体４０７は反
応管４０３の開口端部４０３ａに蓋体４０７の開口端部
４０７ａが密着するようにはめ込まれている。加熱炉４
０５で所定の温度に設定された反応管４０３内にウェハ
（図示せず）を載置し、ガス導入口４０１より反応ガス
を導入してウェハの酸化・拡散等の処理を行う。そして
未反応ガス等はガス排気口４０９から排出される。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、反応管４０３及び蓋体４０７は８００℃
以上の温度雰囲気中にさらされるため、開口端部４０３
ａと開口端部４０７ａが歪み、その密着面にわずかなす
き間が生じてしまうことがあった。このため酸化・拡散
等の処理を行う際、すき間から外気が侵入し、反応管４
０３内を汚染したり、反応ガスの組成を変化させてしま
うことがあった。また、定期的に反応管４０３及び蓋体
４０７内にガス導入口４０１より例えば塩酸を導入しク
リーニングする際、そのすき間より外部に塩酸が漏れ出
し、クリーンルーム内を汚染することがあった。

本発明においては、反応容器と密閉部との密着面でのリ
ークにより発生する上記問題点を解決する半導体処理装
置を提供することを目的とする。

［発明の構成〕（問題点を解決するための手段）上記問題点を解決するために本発明においては、半導体
ウェハが搬入される反応容器と、この反応容器を密閉す
る密閉部を具備し、前記反応容器及び密閉部との密着面
に排気口を有する溝が設けられていることを特徴とする
半導体熱処理装置を提供する。

（作　用）反応容器及び密閉部との密閉面に排気口を有する溝を設
けることにより、密閉面でのリークによる悪影響を防止
できる。

（実施例）以下本発明を酸化・拡散炉に適用した一実施例について
第１図を用いて説明する。加熱炉１０５内に石英からな
る反応容器である反応管１０３が水平に配設され、その
中にはウェハ（図示せず）が所定間隔でボート（図示せ
ず）上に載置される。この反応管１０３の一端にはガス
導入口１０１があり、その反対側には開口端部１０３ａ
がある。そしてこの反応管１０３は密閉部１１６．によ
り密閉されている。この密閉部１１６は蓋体１１５及び
リング１１１から成り、いずれも石英から形成されてい
る。リング１１１は未反応ガス等を排出する主排気口１
０９ａを備え、また第１の開口端部１１１ａ及び第２の
開口端部１１１ｂを備えており、双方共に凹状の環状溝
１１３ａ、１１３ｂ及び第２排気口１０９ｂ。

第３排気口１０９Ｃが設けられている。そして、第１の
開口端部１１１ａの面は摺り合わせにより開口端部１０
３ａの面に密着し、また、第２の開口端部１１１ｂの面
に蓋体１１５が押しつけられ、反応管１０３は密閉され
る。

本実施例においては第１及び第２の開口端部１１１ａ、
１ｌｌｂには夫々環状溝１１３ａ。

１１３ｂ及び第２．第３の排出口１０９ｂ。

１０９ｃが形成されている。このため、例えば開口端部
１１３ａと第１の開口端部１１１ａの密着面１１２ａ若
しくは密着面１１２ｂに隙間が生じ、外気がこの隙間を
通して内部に侵入してきても途中の環状溝１１３ａ、１
１３ｂで全て取り込まれ第２排気口、１０９より排出さ
れる。これにより外気の反応管１０３内へのリークを防
止できる。また、反応管１０３及びリング１１１内の汚
れを例えば塩酸等でクリーニングした場合、従来装置に
おいては密着面１１２ａ、１１２ｂから外へ塩酸が漏れ
出す恐れがあったが、本装置では、塩酸は環状溝１１３
ａ、１１３ｂに全て取り込まれ、主排気口から排出され
る塩酸と同様に第２．第３の排気口１０９ｂ、１０９ｃ
より排出される。よってクリーンルーム内を塩酸で汚染
することを防止できる。また、開口端部１０３ａのテー
パー装置（テーパー比的０．１）に比べ大きくなってい
る。このため開口端部１０３ａと第２開口端部１１１ａ
を摺り合わせた場合、極度に密着させることがないため
、両者を容易にはずすことができる。よってウェハを載
置したボートを反応管１０３に搬入搬出する際の蓋体１
１５の開閉を容易に自動化させることができる。さらに
、反応管１０３と蓋体１１５の間のリング１１１の排気
口を全て設け、ているため、反応管１０３には余分な突
起物はなく、メンテナンス時には加熱炉１０５より容易
に取り出すことができる。

次に本実施例の変形例を要部拡大図である第２図を用い
て説明する。密着面１１２ａ側の環状溝１１３ａは開口
端部１０３ａ側に形成されており、密着面１１２ｂ側の
環状溝１１３ｂは蓋体１１５側に設けられている。この
ような構成としても第１の実施例と同様の効果を奏する
ことができる。

続いて第２の実施例を要部拡大図である第３図を用いて
説明する。反応管１０３の開口端部１０３ａに直接石英
からなる密閉部である蓋体・１１７が摺り合わせにより
密着している。そしてこの蓋体１１７に主排気口１０９
ａと第２の排気口１０９ｂが設けられている。このため
、密着面１１２ａからの外気等のリークによる悪影響は
環状溝１１３ａと第２の排気口１０９ｂにより防止する
ことができる。

尚、第１の実施例においては反応管１０３．リング１１
１及び第１乃至第２の実施例においては蓋体１１５．１
１７はいずれも石英から形成されていたが、これに限ら
ず例えば炭化珪素を用いてもよい。また第１乃至ｆｓ２
の実施例において各部に設けられた溝は環状としたがこ
れに限らず、例えば溝が一本のうず巻き状となっていて
もよい。

さらに本発明による半導体処理装置はＣＶＤ装置にも用
いられることは言うまでもない。

［発明の効果］以上詳述したように本発明においては、反応容。

器及び密閉部との密着面でのリークによる悪影響を防止
できる。

Ｌｌ、、　［図面の簡単な説明］１０３・・・反応管１０３ａ・・・開口端部１０５・・・加熱炉１０９ａ・・・主排出口１０９ｂ・・・第２の排出口１０９ｃ・・・第３の排出口１１１・・・す°ング１１１ａ・・・第２の開口端部１１１ｂ・・・第３の開口端部１１２ａ、１１２ｂ−・・密着面１１３ａ、　　１１３ｂ・・・環状溝１１５．１１７・・・蓋体出願代理人　弁理士　則近憲佑同　　竹花喜久男１−１ｍ蝉　２　　閏療　Ｊ　　図１’　　今　　図手　　続　　補　　正　　書　（方式）１．事件の表示特願昭、６２−３＞７１７１　　号＆補正をする者事件との関係　　　　　　時昨出願人（３０７）　　株式会社　東芝４、代理人〒１０５東京都港区芝浦−丁目１番１号株式会社東芝　本社事務所内昭和３３年　３月２２日（発送日）以上詳述したように本発明においては、反応容器及び密
閉部との密着面でのリークによる悪影響を防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による第１の実施例を示す酸化・拡散装
置。第２図は第１の実施例の装置の変形例の要部拡大図
。第３図は第２の実施例を示す酸化拡散装置の要部拡大
図。第４図は従来の酸化拡散装置。１０１・・・ガス導入管１０３・・・反応管１０３ａ・・・開口端部１０５・・・加熱炉１０９ａ・・・主排出口１０９ｂ・・・第２の排出口１０９ｃ・・・第３の排出口１１１・・・リング１１１ａ・・・第２の開口端部１１１ｂ・・・第３の開口端部１１２　ａ　、　　１１２　ｂ　−・・密着面１１３ａ
、１１３ｂ−環状溝１１５．１１７・・・蓋体出願代理人　弁理士　則近憲佑

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体ウェハが搬入される反応容器と、この反応
容器を密閉する密閉部を具備し、前記反応容器及び密閉
部との密着面に排気口を有する溝が設けられていること
を特徴とする半導体熱処理装置。
（２）前記密閉部がリング及び蓋体からなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の熱半導体処理装置。
（３）前記溝は前記リングの第１開口部及び第２開口部
に形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の熱半導体処理装置。