JPH0548307B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0548307B2 JPH0548307B2 JP60286055A JP28605585A JPH0548307B2 JP H0548307 B2 JPH0548307 B2 JP H0548307B2 JP 60286055 A JP60286055 A JP 60286055A JP 28605585 A JP28605585 A JP 28605585A JP H0548307 B2 JPH0548307 B2 JP H0548307B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manifold
- face plate
- reaction products
- temperature
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体デバイス等の製造において薄膜
形成工程に使用される気相化学蒸着装置に関する
ものである。
形成工程に使用される気相化学蒸着装置に関する
ものである。
さらに詳しくは、PolySi、Si3N4、SiO2、
Si3N4、PSG、BPSG等の絶縁性薄膜、あるいは、
Al、Mo、Ｗ、等の導電性薄膜、あるいは、Si、
GaAs等の半導体材料の薄膜形成に利用できる減
圧気相化学蒸着装置に関するものである。
Si3N4、PSG、BPSG等の絶縁性薄膜、あるいは、
Al、Mo、Ｗ、等の導電性薄膜、あるいは、Si、
GaAs等の半導体材料の薄膜形成に利用できる減
圧気相化学蒸着装置に関するものである。
従来の技術
従来、減圧気相化学蒸着装置は、縦型や横型の
拡散炉本体にガス導入部と排気部を付加させた
り、真空蒸着装置本体にヒータやガス導入口を付
加したものが主流となつている。
拡散炉本体にガス導入部と排気部を付加させた
り、真空蒸着装置本体にヒータやガス導入口を付
加したものが主流となつている。
発明が解決しようとする問題点
ところが、従来の装置では、排気口付近に反応
生成物が付着するため、たびたびこの付着物を除
去しなければならず、このメンテナンス時間が稼
動率低下の大きな原因となつていた。また、この
付着物除去をおこたると薄膜形成中にはがれたり
して、基板表面を汚す原因ともなつていた。
生成物が付着するため、たびたびこの付着物を除
去しなければならず、このメンテナンス時間が稼
動率低下の大きな原因となつていた。また、この
付着物除去をおこたると薄膜形成中にはがれたり
して、基板表面を汚す原因ともなつていた。
例えば、第２図に示すようなウエハボート１１
とガス導入部１２とヒータ１３により包囲された
炉心部（炉心管）１４と前記炉心部に接がる排気
口１５を有するマニホールド部１６を持つ縦型減
圧気相化学蒸着装置においては、通常マニホール
ド部１６と石英炉心管１４はＯリング等で接続さ
れており、加熱によるＯリングの損傷を防止する
ため、マニホールド部は常に冷却されるようにな
つている。ところが、マニホールド部全体が冷却
されているとマニホールド内面に薄膜堆積時に生
じる反応生成物１８が第３図に示すごとく付着
し、ボートの出し入れする際、はがれおちたり再
蒸発して基板を汚染する大きな原因となつてい
た。
とガス導入部１２とヒータ１３により包囲された
炉心部（炉心管）１４と前記炉心部に接がる排気
口１５を有するマニホールド部１６を持つ縦型減
圧気相化学蒸着装置においては、通常マニホール
ド部１６と石英炉心管１４はＯリング等で接続さ
れており、加熱によるＯリングの損傷を防止する
ため、マニホールド部は常に冷却されるようにな
つている。ところが、マニホールド部全体が冷却
されているとマニホールド内面に薄膜堆積時に生
じる反応生成物１８が第３図に示すごとく付着
し、ボートの出し入れする際、はがれおちたり再
蒸発して基板を汚染する大きな原因となつてい
た。
なお、第２図中１９は炉体、２０はエレベー
タ、２１は炉心管フタ、５０は半導体ウエハを示
す。
タ、２１は炉心管フタ、５０は半導体ウエハを示
す。
問題点を解決するための手段
以上述べてきたような従来の欠点に鑑み、本発
明は、上述のような反応生成物のマニホールド内
面への付着を防止するために、内部面板１を付
け、この内部面板の温度を所定の温度以上に昇温
しておくことを特徴とするものである。
明は、上述のような反応生成物のマニホールド内
面への付着を防止するために、内部面板１を付
け、この内部面板の温度を所定の温度以上に昇温
しておくことを特徴とするものである。
作 用
すなわち、Ｏリングの熱劣化を防止するために
冷却されたマニホールドの温度はそのまゝにして
おき、反応ガスと接触する内面にさらに高温の内
部面板を接置して従来、マニホールド内面に接触
して付着していた反応生成物を内部面板表面に接
触させるような構成を取ることにより（なおこの
とき、内部面板の温度は石英管外部ヒータより放
射された熱源で加熱され、マニホールド内面には
直接接触しない構造にしておけば、反応生成物が
付着しない温度にまで十分昇温できる。）、反応生
成物の付着を防止できる。
冷却されたマニホールドの温度はそのまゝにして
おき、反応ガスと接触する内面にさらに高温の内
部面板を接置して従来、マニホールド内面に接触
して付着していた反応生成物を内部面板表面に接
触させるような構成を取ることにより（なおこの
とき、内部面板の温度は石英管外部ヒータより放
射された熱源で加熱され、マニホールド内面には
直接接触しない構造にしておけば、反応生成物が
付着しない温度にまで十分昇温できる。）、反応生
成物の付着を防止できる。
実施例
すなわち、第１図に示すように冷却されたマニ
ホールド１６内面に反応生成物付着防止用の内部
面板１（筒状の板２と円板状の板３）を設置す
る。なお、このとき、筒状の板２は、炉心管１４
の内面に接触させ且つ、マニホールド１６内面に
は直接接触しない構造とし、さらに、ステンレス
等の金属で作成しておけば、反応生成物が付着し
ない程度の温度（例えば、SiH2Cl2とNH3を用い
て、Si3N4を堆積する場合、NH4Cl等が、マニホ
ールド部へ付着されていたが、300℃以上に筒の
温度が保持されておれば、NH4Clは、全く付着
しなくなつた。）に十分昇温できた。また、円板
状の板３も、直接フタ２１に密着させずに金属で
作つておけば、炉心よりの熱副射で反応生成物が
付着しない程度に昇温できた。
ホールド１６内面に反応生成物付着防止用の内部
面板１（筒状の板２と円板状の板３）を設置す
る。なお、このとき、筒状の板２は、炉心管１４
の内面に接触させ且つ、マニホールド１６内面に
は直接接触しない構造とし、さらに、ステンレス
等の金属で作成しておけば、反応生成物が付着し
ない程度の温度（例えば、SiH2Cl2とNH3を用い
て、Si3N4を堆積する場合、NH4Cl等が、マニホ
ールド部へ付着されていたが、300℃以上に筒の
温度が保持されておれば、NH4Clは、全く付着
しなくなつた。）に十分昇温できた。また、円板
状の板３も、直接フタ２１に密着させずに金属で
作つておけば、炉心よりの熱副射で反応生成物が
付着しない程度に昇温できた。
発明の効果
本発明の内部面板を設置した、気相化学蒸着装
置においては、炉心管内側に冷却された面が露出
されないので反応生成物の付着等が全く生じず、
付着物を除去する必要がない。また、ウエハの出
入れ時や、成膜時にはがれ落ちたり、再蒸発した
りすることがなく、基板表面を汚す原因を大幅に
少なくできる効果があつた。
置においては、炉心管内側に冷却された面が露出
されないので反応生成物の付着等が全く生じず、
付着物を除去する必要がない。また、ウエハの出
入れ時や、成膜時にはがれ落ちたり、再蒸発した
りすることがなく、基板表面を汚す原因を大幅に
少なくできる効果があつた。
なお、本発明の実施例では、マニホールド内面
に高温の内部面板を設置した例を示したが、マニ
ホールド内面を高温にし、Ｏリング接触部のみを
冷却しても同じ効果が得られることは明らかであ
る。
に高温の内部面板を設置した例を示したが、マニ
ホールド内面を高温にし、Ｏリング接触部のみを
冷却しても同じ効果が得られることは明らかであ
る。
第１図は本発明の内部面板を設置した気相化学
蒸着装置のマニホールド付近の断面図、第２図は
従来の縦型減圧CVD装置の構成図、第３図は反
応生成物が付着される状況を説明するための第２
図におけるマニホールド部の断面図である。 １……面板、２……筒状の板、３……円板状の
板、１４……炉心管、１６……マニホールド部、
５０……ウエハ。
蒸着装置のマニホールド付近の断面図、第２図は
従来の縦型減圧CVD装置の構成図、第３図は反
応生成物が付着される状況を説明するための第２
図におけるマニホールド部の断面図である。 １……面板、２……筒状の板、３……円板状の
板、１４……炉心管、１６……マニホールド部、
５０……ウエハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも、ウエハボートとガス導入部とヒ
ータにより包囲された炉心部と前記炉心部に継が
る排気口を備えたマニホールド部を有し、前記マ
ニホールド内側に反応生成物が付着しない程度に
高温になる内部面板を付けたことを特徴とする気
相化学蒸着装置。 ２ 内部面板が金属であることを特徴として特許
請求の範囲第１項記載の気相化学蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286055A JPS62146265A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 気相化学蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286055A JPS62146265A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 気相化学蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62146265A JPS62146265A (ja) | 1987-06-30 |
| JPH0548307B2 true JPH0548307B2 (ja) | 1993-07-21 |
Family
ID=17699371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286055A Granted JPS62146265A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 気相化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62146265A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2572244B2 (ja) * | 1987-12-01 | 1997-01-16 | 東芝セラミックス株式会社 | ウェーハ熱処理用治具 |
| US5221201A (en) * | 1990-07-27 | 1993-06-22 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical heat treatment apparatus |
| JP2628264B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1997-07-09 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 熱処理装置 |
| US6585823B1 (en) * | 2000-07-07 | 2003-07-01 | Asm International, N.V. | Atomic layer deposition |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4871783A (ja) * | 1971-12-29 | 1973-09-28 | ||
| JPS54160172A (en) * | 1978-06-09 | 1979-12-18 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device and cvd device used for the said manufacture |
| JPS59151419A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 反応処理装置 |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60286055A patent/JPS62146265A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62146265A (ja) | 1987-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6103014A (en) | Chemical vapor deposition chamber | |
| US6117244A (en) | Deposition resistant lining for CVD chamber | |
| JP2766774B2 (ja) | 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置 | |
| JP3624628B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JPH06244123A (ja) | 改良された排出システムを有する単一基板式の真空処理装置 | |
| JP2002280378A (ja) | バッチ式リモートプラズマ処理装置 | |
| JP3162955B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5916370A (en) | Semiconductor processing chamber having diamond coated components | |
| KR920010728B1 (ko) | 반도체 제조장치 | |
| US11866821B2 (en) | Substrate support cover for high-temperature corrosive environment | |
| JPH0548307B2 (ja) | ||
| JPH07142408A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2560986B2 (ja) | タングステンｃｖｄ装置 | |
| JP2990551B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| JPH0766139A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH0639709B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP4286981B2 (ja) | 枚葉式熱処理装置 | |
| JPH0560256B2 (ja) | ||
| JP3907546B2 (ja) | 縦型熱処理装置および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP3070567B2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置とこれを用いた気相成長方法 | |
| JPH0727870B2 (ja) | 減圧気相成長方法 | |
| JP3056240B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2004289166A (ja) | バッチ式リモートプラズマ処理装置 | |
| JP3029953B2 (ja) | 半導体ウェーハの熱処理装置 | |
| JP2686465B2 (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |