JPH01170968A - 画像形成方法 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Developing For Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は画像形成方法に関し、特に電子写真複写方法に
関するものである。
関するものである。
口、従来技術
カールソン方法の電子写真複写方法においては、感光体
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成する
と共に、その静電潜像をトナーによって現像し、次いで
その可視像を紙等に転写、定着させる。 同時に、感光
体は付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、
長期に亘って反復使用される。
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成する
と共に、その静電潜像をトナーによって現像し、次いで
その可視像を紙等に転写、定着させる。 同時に、感光
体は付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、
長期に亘って反復使用される。
従って、電子写真感光体としては、帯電特性および感度
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論である
が、加えて繰り返し使用での耐剛性、耐摩耗性、゛耐湿
性等の物理的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、
露光時の紫外線等への耐性(耐環境性)においても良好
であることが要求される。
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論である
が、加えて繰り返し使用での耐剛性、耐摩耗性、゛耐湿
性等の物理的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、
露光時の紫外線等への耐性(耐環境性)においても良好
であることが要求される。
従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられている。
化カドミウム等の無機光導電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられている。
一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
例えば、特公昭50−10496号公報には、ポリ−N
−ビニルカルバゾールと2. 4. 7−1−ジニトロ
−9−フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光
体について記載されている。 しかし、この感光体は、
感度及び耐久性において必ずしも満足できるものではな
い。 このような欠点を改善するために、感光層におい
て、キャリア発生機能とキャリア輸送機能とを異なる物
質に個別に分担させることにより、感度が高くて耐久性
の大きい有機感光体を開発する試みがなされている。
−ビニルカルバゾールと2. 4. 7−1−ジニトロ
−9−フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光
体について記載されている。 しかし、この感光体は、
感度及び耐久性において必ずしも満足できるものではな
い。 このような欠点を改善するために、感光層におい
て、キャリア発生機能とキャリア輸送機能とを異なる物
質に個別に分担させることにより、感度が高くて耐久性
の大きい有機感光体を開発する試みがなされている。
このようないわば機能分離型の電子写真感光体において
は、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択す
ることができるので、任意の特性を有する電子写真感光
体を比較的容易に作製することが可能である。 そのた
め、感度が高く、耐久性の大きい有機感光体が得られる
ことが期待されている。
は、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択す
ることができるので、任意の特性を有する電子写真感光
体を比較的容易に作製することが可能である。 そのた
め、感度が高く、耐久性の大きい有機感光体が得られる
ことが期待されている。
第6図は、こうした有機光導電性物質を用いる機能分離
型の電子写真感光体を示すものである。
型の電子写真感光体を示すものである。
この電子写真感光体は、導電性基体1の上にキャリア発
生層6、キャリア輸送層4を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。 即
ち、感光層8はキャリア発生層6とキャリア輸送層4か
ら構成されている。
生層6、キャリア輸送層4を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。 即
ち、感光層8はキャリア発生層6とキャリア輸送層4か
ら構成されている。
上述のような層構成を有する電子写真感光体においては
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移動度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でき、光感度等の点で有利である。
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移動度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でき、光感度等の点で有利である。
これに対し、電子輸送性の材料には優れた特性を持つも
のが殆どなく、あるいは発がん性を有するので使用に適
さない。 かかる理由より、上述のような感光体は負帯
電用に使用されている。
のが殆どなく、あるいは発がん性を有するので使用に適
さない。 かかる理由より、上述のような感光体は負帯
電用に使用されている。
この場合、高感度を達成する上で、ホール輸送能の大き
な材料を使用することが有利である。
な材料を使用することが有利である。
しかしながら、上述のような感光体においては、第6図
に示すように負帯電時に導電性基体又は下層側からのキ
ャリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。 こうした局所
的なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電
性基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一
等が原因として考えられる。
に示すように負帯電時に導電性基体又は下層側からのキ
ャリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。 こうした局所
的なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電
性基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一
等が原因として考えられる。
そして、こうした局所的なキャリア注入によって以下の
問題点が生じている。
問題点が生じている。
即ち、最近、例えばデジタル処理を伴うプリンタ等にお
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部(表面電荷の消失した部分、Vt)にト
ナー像が形成され、未露光部(表面電荷が保持されてい
る部分、VH)にはトナー像が形成されない。
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部(表面電荷の消失した部分、Vt)にト
ナー像が形成され、未露光部(表面電荷が保持されてい
る部分、VH)にはトナー像が形成されない。
しかしながら、反転現像法において、上記した如くにし
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分にトナーが現像され、いわゆるカブリ画像となる
。 このようなカプリは通常のカプリとは異なり、上述
のように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的
に消失、減少することにより発生する現象であり、「黒
ポチ」と呼ばれている。 こうした黒ポチは、白地にト
ナーが局所的に付着した状態であるから、黒地部分が白
く抜ける場合と比べて非常に目立ち、画像の品質を著し
く低下させるものであって、不適当な画像欠陥である。
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分にトナーが現像され、いわゆるカブリ画像となる
。 このようなカプリは通常のカプリとは異なり、上述
のように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的
に消失、減少することにより発生する現象であり、「黒
ポチ」と呼ばれている。 こうした黒ポチは、白地にト
ナーが局所的に付着した状態であるから、黒地部分が白
く抜ける場合と比べて非常に目立ち、画像の品質を著し
く低下させるものであって、不適当な画像欠陥である。
こうした問題を解決する方法として、キャリア輸送層4
において、キャリア輸送物質(以下、CTMと呼ぶこと
がある。)の含有量を減らし、あるいはCTMやバイン
ダー樹脂の種類を変更することが考えられる。 これら
はいずれも、キャリア輸送層4のホール輸送能を低下せ
しめて感光体表面へのキャリア注入を抑制しようとする
ものであるが、この感光体では、光感度の低下、残留電
位の上昇、IVLIの上昇、繰り返し使用時の1vtl
安定性の低下を招き、しかも温度特性の低下を生じ、低
温においては特にIVLIの上昇等、感光体特性が大き
く悪化する。
において、キャリア輸送物質(以下、CTMと呼ぶこと
がある。)の含有量を減らし、あるいはCTMやバイン
ダー樹脂の種類を変更することが考えられる。 これら
はいずれも、キャリア輸送層4のホール輸送能を低下せ
しめて感光体表面へのキャリア注入を抑制しようとする
ものであるが、この感光体では、光感度の低下、残留電
位の上昇、IVLIの上昇、繰り返し使用時の1vtl
安定性の低下を招き、しかも温度特性の低下を生じ、低
温においては特にIVLIの上昇等、感光体特性が大き
く悪化する。
また、キャリア発生層6において、キャリア発生物質の
バインダー樹脂に対する含有率を減少せしめる方法もあ
るが、これでは光感度の低下、IVLIの上昇を招き、
画像濃度が不充分となる。
バインダー樹脂に対する含有率を減少せしめる方法もあ
るが、これでは光感度の低下、IVLIの上昇を招き、
画像濃度が不充分となる。
更に、導電性基体1とキャリア発生層6との間に電荷注
入を遮へいする機能を有する下引層を設けることも考え
られるが、キャリア発生層6を下引層上に塗布する際に
、キャリア発生物質の種類によってはキャリア発生物質
の凝集を生じて塗布不良となり、黒ポチの増加、画像濃
度の低下、更には画像ムラをも招き、著しい不都合を生
じた。
入を遮へいする機能を有する下引層を設けることも考え
られるが、キャリア発生層6を下引層上に塗布する際に
、キャリア発生物質の種類によってはキャリア発生物質
の凝集を生じて塗布不良となり、黒ポチの増加、画像濃
度の低下、更には画像ムラをも招き、著しい不都合を生
じた。
一方、プロセス面からの対策としては、帯電電位VHと
バイアス電圧Vゎ。との差を大きくすることが考えられ
るが、これでは露光部の電位■、とバイアス電圧VOC
との差が小さくなるため、画像濃度が低下する。
バイアス電圧Vゎ。との差を大きくすることが考えられ
るが、これでは露光部の電位■、とバイアス電圧VOC
との差が小さくなるため、画像濃度が低下する。
以上のように、従来黒ポチ等の画像欠陥を解消し、かつ
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる互いに相反する課題の技術的解決が望まれていたの
である。
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる互いに相反する課題の技術的解決が望まれていたの
である。
また、近年、電子写真複写方法において、安価、小型で
直接変調できる等の特徴を有する半導体レーザー光源が
用いられている。 現在、半導体レーザーとして広範に
用いられているガリウムーアルミニウムーヒ素(Ga
−Ad −As )系発光素子は、発振波長が750n
m程度以上である。 このような長波長光に高感度の電
子写真感光体を得るために、従来数多くの検討がなされ
てきた。 例えば、可視光領域に高感度を有するセレン
、硫化カドミウム等の感光材料に、新たに長波長化する
ための増感剤を添加する方法が考えられたが、セレン、
硫化カドミウムは温度、湿度等に対する耐環境性が十分
でなく、毒性もあって、実用化には問題がある。 また
、多数知られている有機系光導電材料も、その感度が通
常700nm以下の可視光領域に限定され、これより長
波長域に十分な感度を有する材料は少ないため、高信顛
性の期待される半導体レーザー光源を用いるレーザープ
リンタに用いることは困難であった。
直接変調できる等の特徴を有する半導体レーザー光源が
用いられている。 現在、半導体レーザーとして広範に
用いられているガリウムーアルミニウムーヒ素(Ga
−Ad −As )系発光素子は、発振波長が750n
m程度以上である。 このような長波長光に高感度の電
子写真感光体を得るために、従来数多くの検討がなされ
てきた。 例えば、可視光領域に高感度を有するセレン
、硫化カドミウム等の感光材料に、新たに長波長化する
ための増感剤を添加する方法が考えられたが、セレン、
硫化カドミウムは温度、湿度等に対する耐環境性が十分
でなく、毒性もあって、実用化には問題がある。 また
、多数知られている有機系光導電材料も、その感度が通
常700nm以下の可視光領域に限定され、これより長
波長域に十分な感度を有する材料は少ないため、高信顛
性の期待される半導体レーザー光源を用いるレーザープ
リンタに用いることは困難であった。
かかるレーザービーム等を用いる技術体系はプリンタへ
の応用が期待されており、を用な反転現像による画像形
成方法の出現が望まれるゆえんである。
の応用が期待されており、を用な反転現像による画像形
成方法の出現が望まれるゆえんである。
ハ0発明の目的
本発明の目的は、黒ポチの生じ易い反転現像法において
、黒ポチ等の画像欠陥を著しく減少せしめ、画像濃度が
高く高品質で均一な画像を得ることのできる画像形成方
法を提供することである。
、黒ポチ等の画像欠陥を著しく減少せしめ、画像濃度が
高く高品質で均一な画像を得ることのできる画像形成方
法を提供することである。
二1発明の構成及びその作用効果
本発明は、キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設け
てなる感光層を有する感光体を使用する画像形成方法に
おいて、 (a)、分子内に下記−最大CI)で表わされるカプラ
ーを有しかつ少なくとも2個のアゾ基を分子内に有する
化合物がキャリア発生物質として含有されているキャリ
ア発生層と、このキャリア発生層と導電性基体との間に
設けられかつノボラック形フェノール樹脂が含有されて
いる電荷ブロッキング層とを有する感光体を使用し、(
b)、この感光体に帯電電位の絶対値が400 V〜9
00 Vである帯電を付与した後、露光により静電潜像
を形成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりも0〜20
0v低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して、
前記静電潜像の反転現像を行う ことを特徴とする画像形成方法に係るものである。
てなる感光層を有する感光体を使用する画像形成方法に
おいて、 (a)、分子内に下記−最大CI)で表わされるカプラ
ーを有しかつ少なくとも2個のアゾ基を分子内に有する
化合物がキャリア発生物質として含有されているキャリ
ア発生層と、このキャリア発生層と導電性基体との間に
設けられかつノボラック形フェノール樹脂が含有されて
いる電荷ブロッキング層とを有する感光体を使用し、(
b)、この感光体に帯電電位の絶対値が400 V〜9
00 Vである帯電を付与した後、露光により静電潜像
を形成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりも0〜20
0v低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して、
前記静電潜像の反転現像を行う ことを特徴とする画像形成方法に係るものである。
−最大〔!〕:
〔但し、上記−最大中、
Ar’ は、アリール基を表わし、
Y、、Zは、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは未
置換のアルキル基、置換 若しくは未置換のアミノ基、又は 置換若しくは未置換のアルコキシ 基を表わし、 Sは、0〜4を表わし、 rは、0〜2を表わす。〕 但し、直流バイアス電圧と帯電電位とは同符号とする。
置換のアルキル基、置換 若しくは未置換のアミノ基、又は 置換若しくは未置換のアルコキシ 基を表わし、 Sは、0〜4を表わし、 rは、0〜2を表わす。〕 但し、直流バイアス電圧と帯電電位とは同符号とする。
本発明においては、キャリア発生物質として前記−最大
(1)で表わされるカプラーを有する特定のアゾ化合物
をキャリア発生層中に含有せしめ、かつこのキャリア発
生層と導電性基体との間に設けられた電荷ブロッキング
層の材質を特定している点に顕著な特徴を有する。
(1)で表わされるカプラーを有する特定のアゾ化合物
をキャリア発生層中に含有せしめ、かつこのキャリア発
生層と導電性基体との間に設けられた電荷ブロッキング
層の材質を特定している点に顕著な特徴を有する。
即ち、導電性基体とキャリア発生層との間に電荷ブロッ
キング層を設けることにより、反転現像において黒ポチ
の発生を防止できる。 この理由は明らかではないが、
−心火のように考えられる。
キング層を設けることにより、反転現像において黒ポチ
の発生を防止できる。 この理由は明らかではないが、
−心火のように考えられる。
即ち、第6図に示したような従来の感光体においては、
基体l側から注入されるキャリア(ホール)はキャリア
発生層6中を容易に通過し、ホール輸送性の高いキャリ
ア輸送層4を介して感光体表面にまで至るのである。
言い変えると、キャリア発生層6は局所的なキャリア注
入に対する障壁としては機能し得ないのである。
基体l側から注入されるキャリア(ホール)はキャリア
発生層6中を容易に通過し、ホール輸送性の高いキャリ
ア輸送層4を介して感光体表面にまで至るのである。
言い変えると、キャリア発生層6は局所的なキャリア注
入に対する障壁としては機能し得ないのである。
これに対し、本発明においては、基体とキャリア発生層
との間に電荷ブロッキング層を設けることにより、導電
性基体側からの局所的なキャリア注入に対する障壁を設
けることができ、局所的なキャリア注入による表面電荷
の消失、減少を阻止できると考えられる。 従って、反
転現像を行った場合に画像上に黒ポチが生ずることはな
く、画像欠陥のない高品質の画像を得るいう顕著な作用
効果を奏することができる。
との間に電荷ブロッキング層を設けることにより、導電
性基体側からの局所的なキャリア注入に対する障壁を設
けることができ、局所的なキャリア注入による表面電荷
の消失、減少を阻止できると考えられる。 従って、反
転現像を行った場合に画像上に黒ポチが生ずることはな
く、画像欠陥のない高品質の画像を得るいう顕著な作用
効果を奏することができる。
しかしながら、ここにおいて重要なことはキャリア発生
物質と電荷ブロッキング層の材質との選択であり、両者
の組み合わせなのである。
物質と電荷ブロッキング層の材質との選択であり、両者
の組み合わせなのである。
即ち、キャリア発生層は電荷ブロッキング層の上に直接
塗布形成され、しかもそれ自体極めて薄いものであるか
ら、キャリア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との
組み合わせのいかんによっては、キャリア発生物質の凝
集、塗布不良を生じ、黒ポチが著しく増加し、光感度の
低下、更には画像ムラを生じるため、はなはだしく不都
合である。
塗布形成され、しかもそれ自体極めて薄いものであるか
ら、キャリア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との
組み合わせのいかんによっては、キャリア発生物質の凝
集、塗布不良を生じ、黒ポチが著しく増加し、光感度の
低下、更には画像ムラを生じるため、はなはだしく不都
合である。
しかし、無数に存在する高分子材料、多数のキャリア発
生物質中から、塗布不良を生じないような好適な組合わ
せを選択するについて、一般的、画一的な選択手段があ
るというものではなく、実験の積み重ねにより良好な組
合わせを決定していく他ないのが実情といえる。
生物質中から、塗布不良を生じないような好適な組合わ
せを選択するについて、一般的、画一的な選択手段があ
るというものではなく、実験の積み重ねにより良好な組
合わせを決定していく他ないのが実情といえる。
ここに、本発明者は、種々検討の結果、上記した特定の
アゾ化合物と、ノボラック形フェノール樹脂との組合せ
を特に選択することにより、極めて良好な結果が得られ
ることを見出した。
アゾ化合物と、ノボラック形フェノール樹脂との組合せ
を特に選択することにより、極めて良好な結果が得られ
ることを見出した。
即ち、上記した特定のアゾ化合物は光感度に優れており
、この化合物をキャリア発生物質として使用することに
より、感光体の繰り返し使用時の電位安定性が良くなり
、メモリー現象も少なく、残留電位も少なく、かつ安定
となる。 しかも、この上記アゾ化合物は長波長域に高
感度を有することから、半導体レーザーを光源とする反
転現像による画像形成方法に特にマツチングした高性能
の感光体を提供できる。
、この化合物をキャリア発生物質として使用することに
より、感光体の繰り返し使用時の電位安定性が良くなり
、メモリー現象も少なく、残留電位も少なく、かつ安定
となる。 しかも、この上記アゾ化合物は長波長域に高
感度を有することから、半導体レーザーを光源とする反
転現像による画像形成方法に特にマツチングした高性能
の感光体を提供できる。
また、ノボラック形フェノール樹脂を電荷ブロッキング
層へと含有せしめることにより、上記アゾ化合物がキャ
リア発生層の塗布形成時に凝集することがなく、従って
反転現像において黒ポチ、画像ムラを防止できると共に
、上記アゾ化合物がキャリア発生層中に均一に分散され
、上記アゾ化合物の本来の光感度を妨げることなく発揮
せしめることができる。
層へと含有せしめることにより、上記アゾ化合物がキャ
リア発生層の塗布形成時に凝集することがなく、従って
反転現像において黒ポチ、画像ムラを防止できると共に
、上記アゾ化合物がキャリア発生層中に均一に分散され
、上記アゾ化合物の本来の光感度を妨げることなく発揮
せしめることができる。
従って、高品質かつ均一な画像を提供でき、画像濃度も
高くできる。
高くできる。
更に、本発明において注目すべきことは、上記したこと
に加えて、既述した lv、tで表わされる帯電電位の
絶対値をIVH1=400 V 〜900 Vと特定範
囲に限定しているので、既述した如き欠陥は生じない。
に加えて、既述した lv、tで表わされる帯電電位の
絶対値をIVH1=400 V 〜900 Vと特定範
囲に限定しているので、既述した如き欠陥は生じない。
即ち、1V141<400 vでは、必要とされる電
界強度を得ることが困難であるが、lv、l>900■
とするとこのためには感光層の膜厚が大きくなり、これ
によって感度が低下し、好ましくない。 また、本発明
では lV、lと1vocl(直流バイアス電圧の絶対
値)との差であるIVHI Ivoclを0〜20
0vと特定していることも重要である。
界強度を得ることが困難であるが、lv、l>900■
とするとこのためには感光層の膜厚が大きくなり、これ
によって感度が低下し、好ましくない。 また、本発明
では lV、lと1vocl(直流バイアス電圧の絶対
値)との差であるIVHI Ivoclを0〜20
0vと特定していることも重要である。
即チ看VHI IvIlcl < OV(7)場合に
は、カプリが発生してしまい、また、IVHI IV
DcI >200■の場合は、キャリア付着(二成分現
像剤のとき)や逆極性トナーの付着(両極性−成分現像
剤のとき)が生じてしまうのである。
は、カプリが発生してしまい、また、IVHI IV
DcI >200■の場合は、キャリア付着(二成分現
像剤のとき)や逆極性トナーの付着(両極性−成分現像
剤のとき)が生じてしまうのである。
従って、本発明に基イテ、1v、I 〜400〜900
V(望ましくは500〜700 V )とすべきであり
、か”) IVHI IVDCI =0〜20
0 V (望マシ<ハ50〜150V)とすべきであり
、これらの条件で反転現像を行うことが高感度を保持し
ながら、高画質で黒ポチのない良好な画像を得るための
必須不可欠な条件である。
V(望ましくは500〜700 V )とすべきであり
、か”) IVHI IVDCI =0〜20
0 V (望マシ<ハ50〜150V)とすべきであり
、これらの条件で反転現像を行うことが高感度を保持し
ながら、高画質で黒ポチのない良好な画像を得るための
必須不可欠な条件である。
しかも、反転現像法によるものであるから、特に、プリ
ンタに適用した場合等においては、文字部(黒地部)が
白地部よりも面積が小(即ち、露光面積が小)であり、
正規現像法による場合に比べて感光体の劣化防止等の面
で有利である。
ンタに適用した場合等においては、文字部(黒地部)が
白地部よりも面積が小(即ち、露光面積が小)であり、
正規現像法による場合に比べて感光体の劣化防止等の面
で有利である。
以上述べてきたように、本発明によれば、キャリア発生
物質の種類と電荷ブロッキング層の材質とを特に選択す
ること等により、反転現像において黒ポチ、画像ムラ、
キャリア付着、カブリを防止し、かつ均一で画像濃度が
高い高品質の画像を提供できる。
物質の種類と電荷ブロッキング層の材質とを特に選択す
ること等により、反転現像において黒ポチ、画像ムラ、
キャリア付着、カブリを防止し、かつ均一で画像濃度が
高い高品質の画像を提供できる。
本発明に使用する感光体、例えば電子写真感光体の一般
的な構成を第1図に例示する。
的な構成を第1図に例示する。
第1図の感光体においては、導電性基体1の上に電荷ブ
ロッキング層7を介してキャリア発生層6が設けられ、
キャリア発生層6上にキャリア輸送層4が設けられてい
る。 8は感光層を示す。
ロッキング層7を介してキャリア発生層6が設けられ、
キャリア発生層6上にキャリア輸送層4が設けられてい
る。 8は感光層を示す。
第1図のような感光体において、キャリア発生層とキャ
リア輸送層との間に、ブロッキング機能等を付与された
中間層を設けても良い。 また、耐刷性向上等のため感
光体表面に保護層(保護膜)を形成しても良く、例えば
合成樹脂被膜をコーティングして良い。
リア輸送層との間に、ブロッキング機能等を付与された
中間層を設けても良い。 また、耐刷性向上等のため感
光体表面に保護層(保護膜)を形成しても良く、例えば
合成樹脂被膜をコーティングして良い。
キャリア発生層において一般的には、粒状のキャリア発
生物質とキャリア輸送物質とがバインダー物質で結着さ
れている。 即ち、層中に顔料の形で分散されている。
生物質とキャリア輸送物質とがバインダー物質で結着さ
れている。 即ち、層中に顔料の形で分散されている。
次に、本発明でキャリア発生物質として使用する特定の
アゾ化合物について述べる。
アゾ化合物について述べる。
これは、分子内に一般式(1)で表わされるカプラーを
有しかつ少なくとも2個のアゾ基を分子内に有する化合
物である。
有しかつ少なくとも2個のアゾ基を分子内に有する化合
物である。
具体的には、分子内にアゾ基を2個有するジスアゾ化合
物や、アゾ基を3個有するトリスアゾ化合物、アゾ基を
4個以上有するものがある。
物や、アゾ基を3個有するトリスアゾ化合物、アゾ基を
4個以上有するものがある。
ジスアゾ化合物として、下記−最大(n)に示すものが
例示される。
例示される。
一般式〔■〕 :
Cp −N=N−D−N=N−Cp
(但し、Dとしては、
また、その他のアゾ化合物として、下記−最大%式%
一般式〔■〕 :
N=N−Cp
一般式〔■〕 :
Cp −N=N−Ar”−N=N−Ar3−N=N−
Cp−最大〔V〕 : Cp −N=N−Ar”−N=N−Ar”−N=N−
−Ar’−N=N−Cp 〔但し、Ar”、Ar3、Ar’は、それぞれ置換若し
くは未置換の炭素環式芳香族環基、又は置換若しくは未
置換の複素環式芳香族環基を表わす。
Cp−最大〔V〕 : Cp −N=N−Ar”−N=N−Ar”−N=N−
−Ar’−N=N−Cp 〔但し、Ar”、Ar3、Ar’は、それぞれ置換若し
くは未置換の炭素環式芳香族環基、又は置換若しくは未
置換の複素環式芳香族環基を表わす。
更に、Ar”、Ar3、Ar’の具体例を例示すると、
また、Cp (カプラー)としては、例えば次のよう
なものがある。
また、Cp (カプラー)としては、例えば次のよう
なものがある。
〔但し、Aとしては、
次に、ノボラック形フェノール樹脂について述べる。
これはフェノール類とアルデヒド類とを酸性媒体下にお
いて反応させて得られるものである。
いて反応させて得られるものである。
フェノール類としては、フェノール、m−クレゾール、
O−クレゾール、p−クレゾール、キシレノール、レゾ
ルシン等が挙げられ、アルデヒド類としては、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール等が挙げら
れる。
O−クレゾール、p−クレゾール、キシレノール、レゾ
ルシン等が挙げられ、アルデヒド類としては、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール等が挙げら
れる。
なお、ここでフェノール樹脂とは、フェノール変性樹脂
をも含む総称である。
をも含む総称である。
具体的商品としては、5K−1,2,3,4,5,6,
7,8,9,10,101,102,103,104,
105,106,107,108,109,110、1
11,112,113,114,115,136,13
7,156,15B 、159(以上、仕入シュレス社
製)等が挙げられる。
7,8,9,10,101,102,103,104,
105,106,107,108,109,110、1
11,112,113,114,115,136,13
7,156,15B 、159(以上、仕入シュレス社
製)等が挙げられる。
電荷ブロッキング層の膜厚ば0.05〜2μmの範囲内
とするのが好ましく 、0.1〜0.5μmが更に好ま
しい。
とするのが好ましく 、0.1〜0.5μmが更に好ま
しい。
キャリア発生層において、キャリア発生物質のバインダ
ー物質に対する含有量比は3/1〜l/10とするのが
好ましく、3/1〜1/3とすると更に好ましい。 キ
ャリア発生物質の含有量比が上記範囲より大きいと黒ポ
チ等が著しく現れるか或いは現れ易くなる。 但し、キ
ャリア発生物質の割合があまり小さいと、却って光感度
等が低下してしまう。
ー物質に対する含有量比は3/1〜l/10とするのが
好ましく、3/1〜1/3とすると更に好ましい。 キ
ャリア発生物質の含有量比が上記範囲より大きいと黒ポ
チ等が著しく現れるか或いは現れ易くなる。 但し、キ
ャリア発生物質の割合があまり小さいと、却って光感度
等が低下してしまう。
キャリア発生層の膜厚は0.1μI以上とすることが好
ましく、0.2〜5μmの範囲内とすることがより好ま
しい。
ましく、0.2〜5μmの範囲内とすることがより好ま
しい。
キャリア輸送層の膜厚は10μm以上であることが好ま
しい。 ゛ 感光層全体の膜厚は10〜40μmの範囲内とするのが
好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好まし
い。 この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いために
帯電電位が小さくなり、耐剛性も低下する傾向がある。
しい。 ゛ 感光層全体の膜厚は10〜40μmの範囲内とするのが
好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好まし
い。 この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いために
帯電電位が小さくなり、耐剛性も低下する傾向がある。
また、膜厚が上記範囲よりも大きいと、かえって残留
電位は上昇する上に、上記したキャリア発生層が厚すぎ
る場合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がた
くなる傾向が現れ、このため繰り返し使用時には残留電
位の上昇が起こり易くなる。
電位は上昇する上に、上記したキャリア発生層が厚すぎ
る場合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がた
くなる傾向が現れ、このため繰り返し使用時には残留電
位の上昇が起こり易くなる。
キャリア発生層中にキャリア輸送物質をも含有せしめる
ことも可能である。
ことも可能である。
粒状のキャリア発生物質を分散せしめて感光層を形成す
る場合においては、当該キャリア発生物質は2μ醜以下
、好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.5μm以
下の平均粒径の粉粒体とされるのが好ましい。
る場合においては、当該キャリア発生物質は2μ醜以下
、好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.5μm以
下の平均粒径の粉粒体とされるのが好ましい。
また、キャリア輸送層において、キャリア輸送物質は、
バインダー物質との相溶性に優れたものが好ましい。
バインダー物質との相溶性に優れたものが好ましい。
これにより、バインダー物質に対する量を多くしても濁
り及び不透明化を生ずることがないので、バインダー物
質との混合割合を非常に広くとることができ、また、相
溶性がすぐれていることから電荷発生層が均一、かつ安
定であり、結果的に感度、帯電特性がより良好となり、
更に高感度で鮮明な画像を形成できる感光体をうろこと
ができる。
り及び不透明化を生ずることがないので、バインダー物
質との混合割合を非常に広くとることができ、また、相
溶性がすぐれていることから電荷発生層が均一、かつ安
定であり、結果的に感度、帯電特性がより良好となり、
更に高感度で鮮明な画像を形成できる感光体をうろこと
ができる。
更に、特に反復転写式電子写真に用いたとき、疲労劣化
を生ずることが少ないという作用効果を奏することがで
きる。
を生ずることが少ないという作用効果を奏することがで
きる。
本発明においては、前述したカプラーを有するアゾ化合
物と共に、他のキャリア発生物質の一種又は二種以上を
併用することも可能である。 併用できるキャリア発生
物質としては、アントラキノン顔料、ペリレン顔料、多
環キノン顔料、スクアリック酸メチン顔料、シアニン色
素、アズレニ −ラム化合物等が挙げられる。
物と共に、他のキャリア発生物質の一種又は二種以上を
併用することも可能である。 併用できるキャリア発生
物質としては、アントラキノン顔料、ペリレン顔料、多
環キノン顔料、スクアリック酸メチン顔料、シアニン色
素、アズレニ −ラム化合物等が挙げられる。
本発明で使用するキャリア輸送物質は、カルバゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、
イミダゾリジン誘温−体、ビスイミダゾリジン誘導体、
スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体
、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベン
ズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラ
ン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミ
ノスチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、フェ
ニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−
9−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二種以
上であってよい。
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、
イミダゾリジン誘温−体、ビスイミダゾリジン誘導体、
スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体
、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベン
ズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラ
ン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミ
ノスチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、フェ
ニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−
9−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二種以
上であってよい。
かかるキャリア輸送物質の具体的化合物例は特願昭61
−195881号明細書に記載されている。 以下にそ
の一般式を掲げる。
−195881号明細書に記載されている。 以下にそ
の一般式を掲げる。
キャリア輸送物質としての次の一般式(Vl)又は〔■
〕のスチリル化合物が使用可能である。
〕のスチリル化合物が使用可能である。
−最大〔■〕 :
(但、この−最大中、
R1、R2、置換若しくは未置換のアルキル基、アリー
ル基を表わし、置換基とし てはアルキル基、アルコキシ基、 置換アミノ基、水酸基、ハロゲン 原子、アリール基を用いる。
ル基を表わし、置換基とし てはアルキル基、アルコキシ基、 置換アミノ基、水酸基、ハロゲン 原子、アリール基を用いる。
Ar’、Arb:置換若しくは未置換のアリール基を表
わし、置換基としてはアルキ ル基、アルコキシ基、置換アミノ 基、水酸基、ハロゲン原子、アリ ール基を用いる。
わし、置換基としてはアルキ ル基、アルコキシ基、置換アミノ 基、水酸基、ハロゲン原子、アリ ール基を用いる。
R3、R4、置換若しくは未置換のアリール基、水素原
子を表わし、置換基として はアルキル基、アルコキシ基、置 換アミノ基、水酸基、ハロゲン原 子、了り−ル基を用いる。) 一般式〔■〕 : RS (但、この−最大中、 RS :置換若しくは未置換のアリール基、R6:水素
原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基
、アル コキシ基、アミノ基、置換アミノ 基、水酸基、 R? :置換若しくは未置換のアリール基、置換若し
くは未置換の複素環基を 表わす。) マタ、キャリア輸送物質として次の一般式〔■〕、(I
X)、(IX a )、(IXb)又は〔X〕のヒドラ
ゾン化合物も使用可能である。
子を表わし、置換基として はアルキル基、アルコキシ基、置 換アミノ基、水酸基、ハロゲン原 子、了り−ル基を用いる。) 一般式〔■〕 : RS (但、この−最大中、 RS :置換若しくは未置換のアリール基、R6:水素
原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基
、アル コキシ基、アミノ基、置換アミノ 基、水酸基、 R? :置換若しくは未置換のアリール基、置換若し
くは未置換の複素環基を 表わす。) マタ、キャリア輸送物質として次の一般式〔■〕、(I
X)、(IX a )、(IXb)又は〔X〕のヒドラ
ゾン化合物も使用可能である。
一般式〔■〕 :
(但、この−最大中、
R@及びR9,それぞれ水素原子又はハロゲン原子、
RIO及びR11,それぞれ置換若しくは未置換のアリ
ール基、 Ar’:置換若しくは未置換のアリー レン基を表わす。) 一般式〔■〕 : R12\ /R“ CミN−N RI5′ \R14 (但、この−最大中、 R”:置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは
未置換のカルバゾリ ル基、又は置換若しくは未置換の 複素環基を表わし、 RI 3、R′4及びR”:水素原子、アルキル基、置
換若しくは未置換のアリール基、 又は置換若しくは未置換のアラル キル基を表わす、) 一般式(IXa): RI? (但、この−最大中、 R16:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチ ル基、 R′″I:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニ
ル基、 R18:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基を示す。
ール基、 Ar’:置換若しくは未置換のアリー レン基を表わす。) 一般式〔■〕 : R12\ /R“ CミN−N RI5′ \R14 (但、この−最大中、 R”:置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは
未置換のカルバゾリ ル基、又は置換若しくは未置換の 複素環基を表わし、 RI 3、R′4及びR”:水素原子、アルキル基、置
換若しくは未置換のアリール基、 又は置換若しくは未置換のアラル キル基を表わす、) 一般式(IXa): RI? (但、この−最大中、 R16:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチ ル基、 R′″I:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニ
ル基、 R18:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基を示す。
一般式(IXb):
(但、この−最大中、R”は置換若しくは未置換のナフ
チル基;R20は置換若しくは未置換のアルキル基、ア
ラルキル基又はアリール基iR”は水素原子、アルキル
基又はアルコキシ基;Rat及びRZ2は置換若しくは
未置換のアルキル基、アラルキル基又はアリール基から
なる互いに同一の若しくは異なる基を示す。) −最大(X): (但、この−最大中、 R24:置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素環 基、 R25:水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは来賓 換のアリール基、 Q:水素原子、ハロゲン原子、アルキ ル基、置換アミノ基、アルコキシ 基又はシアノ基、 ゛ S:0又は1の整数を表わす。) また、キャリア輸送物質として、次の一般式(XI)の
ピラゾリン化合物も使用可能である。
チル基;R20は置換若しくは未置換のアルキル基、ア
ラルキル基又はアリール基iR”は水素原子、アルキル
基又はアルコキシ基;Rat及びRZ2は置換若しくは
未置換のアルキル基、アラルキル基又はアリール基から
なる互いに同一の若しくは異なる基を示す。) −最大(X): (但、この−最大中、 R24:置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素環 基、 R25:水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは来賓 換のアリール基、 Q:水素原子、ハロゲン原子、アルキ ル基、置換アミノ基、アルコキシ 基又はシアノ基、 ゛ S:0又は1の整数を表わす。) また、キャリア輸送物質として、次の一般式(XI)の
ピラゾリン化合物も使用可能である。
−最大(XI):
〔但、この−最大中、
1:0又は1、
RZ&及びR27:置換若しくは未置換のアリール基、
R18:置換若しくは未置換のアリール基若しくは複素
環基、 R29及びR30:水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは 未置換のアリール基若しくはア ラルキル基(但、R”及びR30 は共に水素原子であることはな く、また前記lがOのときはRg 9 は水素原子ではない。)〕 更に、次の一般式(xn)のアミン誘導体もキャリア輸
送物質として使用できる。
環基、 R29及びR30:水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは 未置換のアリール基若しくはア ラルキル基(但、R”及びR30 は共に水素原子であることはな く、また前記lがOのときはRg 9 は水素原子ではない。)〕 更に、次の一般式(xn)のアミン誘導体もキャリア輸
送物質として使用できる。
−最大(Xn):
(但、この−最大中、
Ar”、Ar9:置換若しくは未置換のフェニル基を表
し、置換基としてはハロゲン 原子、アルキル基、ニトロ基、ア ルコキシ基を用いる。
し、置換基としてはハロゲン 原子、アルキル基、ニトロ基、ア ルコキシ基を用いる。
Arl0:置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フル オレニル基、複素環基を表し、置 換基としてはアルキル基、アルコ キシ基、ハロゲン原子、水酸基、 アリールオキシ基、アリール基、 アミノ基、ニトロ基、ピペリジノ 基、モルホリノ基、ナフチル基、 アンスリル基及び置換アミノ基を 用いる。 但、置換アミノ基の置 換基としてアシル基、アルキル基、 アリール基、アラルキル基を用い る。) 更に、次の一般式(X DI)の化合物もキャリア輸送
物質として使用できる。
基、アントリル基、フル オレニル基、複素環基を表し、置 換基としてはアルキル基、アルコ キシ基、ハロゲン原子、水酸基、 アリールオキシ基、アリール基、 アミノ基、ニトロ基、ピペリジノ 基、モルホリノ基、ナフチル基、 アンスリル基及び置換アミノ基を 用いる。 但、置換アミノ基の置 換基としてアシル基、アルキル基、 アリール基、アラルキル基を用い る。) 更に、次の一般式(X DI)の化合物もキャリア輸送
物質として使用できる。
一般式(Xlll) :
R34R33
(但、この−最大中、
Arl′=置換又は未置換のアリーレン基を表し、
R”% R”、R33及びR34
:置換若しくは未置換のアルキル基、
置換若しくは未置換のアリール基、
又は置換若しくは未置換のアラル
キル基を表す。)
更に、次の一般式(XIV)の化合物もキャリア輸送物
質として使用できる。
質として使用できる。
一般式(XIV) :
〔但、この−最大中、R35S R36、R37及びR
コ8は、それぞれ水氷原子、置換若しくは未置換のアル
キル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基
、ベンジル基又はアラルキル基、R″9及びR411は
、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数
1〜40のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基
(但、R39とR40とが共同して炭素原子数3〜1o
の飽和若しくは不飽和の炭化水素環を形成してもよい。
コ8は、それぞれ水氷原子、置換若しくは未置換のアル
キル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基
、ベンジル基又はアラルキル基、R″9及びR411は
、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数
1〜40のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基
(但、R39とR40とが共同して炭素原子数3〜1o
の飽和若しくは不飽和の炭化水素環を形成してもよい。
)
R”XR”、R41及びR”は、それぞれ水素原子、ハ
ロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未置換のア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール
基、アラルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル
アミノ基又はアリールアミノ基である。〕 キャリア輸送層、キャリア発注層中に酸化防止剤を含有
せしめることができる。 これにより放電で発生するオ
ゾンの影響を抑制でき、繰り返し使用時の残留電位上昇
や帯電電位の低下を防止できる。
ロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未置換のア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール
基、アラルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル
アミノ基又はアリールアミノ基である。〕 キャリア輸送層、キャリア発注層中に酸化防止剤を含有
せしめることができる。 これにより放電で発生するオ
ゾンの影響を抑制でき、繰り返し使用時の残留電位上昇
や帯電電位の低下を防止できる。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダー
ドアミン、バラフェニレンジアミン、アリールアルカン
、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン
及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等
が挙げられる。
ドアミン、バラフェニレンジアミン、アリールアルカン
、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン
及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等
が挙げられる。
これらの具体的化合物としては、特願昭61−1628
66号、同61−188975号、同61−19587
8号、同61−157644号、同61−195879
号、同61−162867号、同61−204469号
、同61−217493号、同61−217492号及
び同61−221541号に記載がある。
66号、同61−188975号、同61−19587
8号、同61−157644号、同61−195879
号、同61−162867号、同61−204469号
、同61−217493号、同61−217492号及
び同61−221541号に記載がある。
感光層中に高分子有機半導体を含有せしめることもでき
る。
る。
こうした高分子有機半導体のうちポリ−N−ビニルカル
バゾール又はその誘導体が効果が大であり、好ましく用
いられる。 かかるポリ−N−ビニルカルバゾール誘導
体とは、その繰り返し単位における全部又は一部のカル
バゾール環が種々の置換基、例えばアルキル基、ニトロ
基、アミノ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子によって
置換されたものである。
バゾール又はその誘導体が効果が大であり、好ましく用
いられる。 かかるポリ−N−ビニルカルバゾール誘導
体とは、その繰り返し単位における全部又は一部のカル
バゾール環が種々の置換基、例えばアルキル基、ニトロ
基、アミノ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子によって
置換されたものである。
また、感光層内に感度の向上、残留電位ないし反復使用
時の疲労低減等を目的として、少なくとも1種の電子受
容性物質を含有せしめることができる。
時の疲労低減等を目的として、少なくとも1種の電子受
容性物質を含有せしめることができる。
本発明の感光体に使用可能な電子受容性物質としては、
例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレ
イン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テ
トラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4
−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリ
ット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメ
タン、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、
1.3.5−)ジニトロベンゼン、バラニトロベンゾニ
トリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、ク
ロラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジク
ロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジニ
トロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フ
ルオレニリデンー〔ジシアノメチレンマロノジニトリル
〕、ポリニトロ−9−フルオレニリデンー〔ジシアノメ
チレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ安
息香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニトロ安息香
酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロサリチル酸、
3,5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット酸、
その他の電子親和力の大きい化合物の一種又は二種以上
を挙げることができる。 これらのうち、フルオレノン
系、キノン系や、CI CN、No□等の電子吸引性の
置換基のあるベンゼン誘導体が特によい。
例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレ
イン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テ
トラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4
−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリ
ット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメ
タン、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、
1.3.5−)ジニトロベンゼン、バラニトロベンゾニ
トリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、ク
ロラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジク
ロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジニ
トロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フ
ルオレニリデンー〔ジシアノメチレンマロノジニトリル
〕、ポリニトロ−9−フルオレニリデンー〔ジシアノメ
チレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ安
息香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニトロ安息香
酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロサリチル酸、
3,5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット酸、
その他の電子親和力の大きい化合物の一種又は二種以上
を挙げることができる。 これらのうち、フルオレノン
系、キノン系や、CI CN、No□等の電子吸引性の
置換基のあるベンゼン誘導体が特によい。
また更に表面改質剤としてシリコーンオイル、フッ素系
界面活性剤を存在させてもよい。 また耐久性向上剤と
してアンモニウム化合物が含有されていてもよい。
界面活性剤を存在させてもよい。 また耐久性向上剤と
してアンモニウム化合物が含有されていてもよい。
更に紫外線吸収剤を用いてもよい。
好ましい紫外線吸収剤としては、安息香酸、スチルベン
化合物等及びその誘導体、トリアゾール化合物、イミダ
ゾール化合物、トリアジン化合物、クマリン化合物、オ
キサジアゾール化合物、チアゾール化合物及びその誘導
体等の含窒素化合物類が用いられる。
化合物等及びその誘導体、トリアゾール化合物、イミダ
ゾール化合物、トリアジン化合物、クマリン化合物、オ
キサジアゾール化合物、チアゾール化合物及びその誘導
体等の含窒素化合物類が用いられる。
感光体の構成層に使用可能なバインダ樹脂としては、例
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合
型樹脂並びにこれらの繰り返し単位のうち2つ以上を含
む共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂
等の絶縁性樹脂、スチレン−ブタジェン共重合体樹脂、
塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体樹脂等、更
にはN−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体を挙
げることができる上記のバインダーは、単独であるいは
二種以上の混合物として用いることができる。
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合
型樹脂並びにこれらの繰り返し単位のうち2つ以上を含
む共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂
等の絶縁性樹脂、スチレン−ブタジェン共重合体樹脂、
塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体樹脂等、更
にはN−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体を挙
げることができる上記のバインダーは、単独であるいは
二種以上の混合物として用いることができる。
必要に応じて設けられる保護層のバインダーとしては、
体積抵抗10”Ω・Cl11以上、好ましくはIQIO
Ω・cn+以上、より好ましくは10″Ω・0111以
上の透明樹脂が用いられる。 又前記バインダーは光又
は熱により硬化する樹脂を用いてもよく、かかる光又は
熱により硬化する樹脂としては、例えば熱硬化性アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、ポリ
エステル樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化
性桂皮酸樹脂等又はこれらの共重合若しくは縮合樹脂が
あり、その他電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹
脂の全てが利用される。 又前記保護層中には加工性及
び物性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として
必要により熱可塑性樹脂を50重量%未満含有せしめる
ことができる。 かかる熱可塑性樹脂としては、例えば
ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカー
ボネート樹脂又はこれらの共重合樹脂、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール等の高分子有機半導体、その他電子写真
材料に供される熱可塑性樹脂の全てが利用される。
体積抵抗10”Ω・Cl11以上、好ましくはIQIO
Ω・cn+以上、より好ましくは10″Ω・0111以
上の透明樹脂が用いられる。 又前記バインダーは光又
は熱により硬化する樹脂を用いてもよく、かかる光又は
熱により硬化する樹脂としては、例えば熱硬化性アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、ポリ
エステル樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化
性桂皮酸樹脂等又はこれらの共重合若しくは縮合樹脂が
あり、その他電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹
脂の全てが利用される。 又前記保護層中には加工性及
び物性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として
必要により熱可塑性樹脂を50重量%未満含有せしめる
ことができる。 かかる熱可塑性樹脂としては、例えば
ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカー
ボネート樹脂又はこれらの共重合樹脂、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール等の高分子有機半導体、その他電子写真
材料に供される熱可塑性樹脂の全てが利用される。
キャリア発生層は、次のような方法によって設けること
ができる。
ができる。
(イ)キャリア発生物質等にバインダー、溶媒を加えて
混合溶解した溶液を塗布する方法。
混合溶解した溶液を塗布する方法。
(ロ)キャリア発生物質等をボールミル、ホモミキサー
、サンドミル、超音波分散機、アトライタ等によって分
散媒中で微細粒子とし、バインダーを加えて混合分散し
て得られる分散液を塗布する方法。
、サンドミル、超音波分散機、アトライタ等によって分
散媒中で微細粒子とし、バインダーを加えて混合分散し
て得られる分散液を塗布する方法。
これらの方法において超音波の作用下に粒子を分散させ
ると、均一分散が可能になる。
ると、均一分散が可能になる。
また、キャリア輸送層は、既述のキャリア輸送物質を単
独であるいは既述したバインダー樹脂と共に溶解、分散
せしめたものを塗布、乾燥して形成することができる。
独であるいは既述したバインダー樹脂と共に溶解、分散
せしめたものを塗布、乾燥して形成することができる。
この場合、キャリア発生層中にキャリア輸送物質を含有
せしめる場合には、上記(イ)の溶液、(ロ)の分散液
中に予めキャリア輸送物質を溶解又は分散せしめる方法
、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加する
方法がある。 この場合は、キャリア輸送物質の添加量
をバインダー100重量部に対して1〜100重量部の
範囲内とするのが好ましい。 また、キャリア輸送物質
を含有する溶液をキャリア発生層上に塗布し、キャリア
発生層を膨潤あるいは一部溶解せしめてキャリア輸送物
質をキャリア発生層内に拡散せしめる方法がある。 こ
の方法を採用した場合は、上述のようにキャリア発生層
中にキャリア輸送物質を添加しておく必要はないが、上
述の三方法を同時に行うことも差し支えない。
せしめる場合には、上記(イ)の溶液、(ロ)の分散液
中に予めキャリア輸送物質を溶解又は分散せしめる方法
、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加する
方法がある。 この場合は、キャリア輸送物質の添加量
をバインダー100重量部に対して1〜100重量部の
範囲内とするのが好ましい。 また、キャリア輸送物質
を含有する溶液をキャリア発生層上に塗布し、キャリア
発生層を膨潤あるいは一部溶解せしめてキャリア輸送物
質をキャリア発生層内に拡散せしめる方法がある。 こ
の方法を採用した場合は、上述のようにキャリア発生層
中にキャリア輸送物質を添加しておく必要はないが、上
述の三方法を同時に行うことも差し支えない。
層の形成に使用される溶剤あるいは分散媒としては、n
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチレンジアミン、N、 N−ジメチルホルムアミド
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1.2
−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパ
ツール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシ
ド等を挙げることができる。
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチレンジアミン、N、 N−ジメチルホルムアミド
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1.2
−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパ
ツール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシ
ド等を挙げることができる。
上記感光層、下引き層、中間層、保護層等は、例えばブ
レード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗布
、スパイラル塗布等により設けることができる。
レード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗布
、スパイラル塗布等により設けることができる。
なお、導電性基体は金属板、金属ドラム又は導電性ポリ
マー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネート等の手段により、紙、プラスチ
ックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる。
マー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネート等の手段により、紙、プラスチ
ックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる。
次に、本発明の好ましい実施の態様について説明する。
第2図は本発明の方法を実施する記録装置の一例を示す
構成概要図、第3図は像露光のためのレーザービームス
キャナの概要構成図、第4図は現像器の一例を示す部分
断面図、第5図は本発明の方法の実施フローチャートで
ある。
構成概要図、第3図は像露光のためのレーザービームス
キャナの概要構成図、第4図は現像器の一例を示す部分
断面図、第5図は本発明の方法の実施フローチャートで
ある。
第2図の装置において、23は上述した有機光導電性物
質の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担
持体、22は像担持体23の表面を一様帯電する本帯電
器、24は像露光、15は現像器である。 20は像担
持体23上にトナー像が形成された画像を記録体Pに転
写し易くするために必要に応じて設けられる転写前露光
ランプ、21は転写器、19は分離用コロナ放電器、1
2は記録体Pに転写されたトナー像を定着させる定着器
である。 13は除電ランプと除電用コロナ放電器の一
方又は両者の組合せからなる除電器、14は像担持体2
3の画像を転写した後の表面の残留トナーを除去するた
めのクリーニングブレードやファーブラシを有するクリ
ーニング装置である。
質の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担
持体、22は像担持体23の表面を一様帯電する本帯電
器、24は像露光、15は現像器である。 20は像担
持体23上にトナー像が形成された画像を記録体Pに転
写し易くするために必要に応じて設けられる転写前露光
ランプ、21は転写器、19は分離用コロナ放電器、1
2は記録体Pに転写されたトナー像を定着させる定着器
である。 13は除電ランプと除電用コロナ放電器の一
方又は両者の組合せからなる除電器、14は像担持体2
3の画像を転写した後の表面の残留トナーを除去するた
めのクリーニングブレードやファーブラシを有するクリ
ーニング装置である。
像露光を半導体レーザーで行う場合、第2図の記録装置
のようにドラム状の像担持体23を用いるものにあって
は、像露光24は、第3図に示したようなレーザービー
ムスキャナによるものが好ましい。
のようにドラム状の像担持体23を用いるものにあって
は、像露光24は、第3図に示したようなレーザービー
ムスキャナによるものが好ましい。
第3図のレーザービームスキャナの動作を次に述べる。
半導体レーザー41で発生されたレーザービームは、駆
動モータ42により回転されるポリゴンミラー43によ
り回転走査され、f−θレンズ44を経て反射鏡45に
より光路を曲げられて像担持体23の表面上に投射され
輝線46を形成する。 47はビーム走査開始を検出す
るためのインデックスセンサで、48.49は倒れ角補
正用のシリンドリカルレンズである。 50a、50b
、50cは反射鏡でビーム走査光路及びビーム検知の光
路を形成する。
動モータ42により回転されるポリゴンミラー43によ
り回転走査され、f−θレンズ44を経て反射鏡45に
より光路を曲げられて像担持体23の表面上に投射され
輝線46を形成する。 47はビーム走査開始を検出す
るためのインデックスセンサで、48.49は倒れ角補
正用のシリンドリカルレンズである。 50a、50b
、50cは反射鏡でビーム走査光路及びビーム検知の光
路を形成する。
走査が開始されるとビームがインデックスセンサ47に
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。 変調されたビームは、
帯電器22により予め一様に帯電されている像担持体2
3上を走査する。 レーザービーム51による主走査と
像担持体23の回転による副走査によりドラム表面に潜
像が形成されてゆく。
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。 変調されたビームは、
帯電器22により予め一様に帯電されている像担持体2
3上を走査する。 レーザービーム51による主走査と
像担持体23の回転による副走査によりドラム表面に潜
像が形成されてゆく。
また、像担持体がベルト状のように平面状態をとり得る
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。
現像器15としては第4図に示したような構造のものが
好ましく用いられる。 第4図において現像剤Deは磁
気ロール62が矢印F方向、スリーブ61が矢印G方向
に回転することにより矢印G方向に搬送される。 現像
剤Deは搬送途中で穂立規制ブレード63によりその厚
さtが規制される。
好ましく用いられる。 第4図において現像剤Deは磁
気ロール62が矢印F方向、スリーブ61が矢印G方向
に回転することにより矢印G方向に搬送される。 現像
剤Deは搬送途中で穂立規制ブレード63によりその厚
さtが規制される。
穂立規制ブレード63は弾性金属板製でスリーブ61の
表面を押圧し、搬送される現像剤の厚さを制御する。
現像剤溜り66内には現像剤Deの攪拌が十分に行われ
るよう攪拌スクリュー65が設けられており、現像剤溜
り66内の現像剤Deが消費された時には、トナー供給
ローラ68が回転することによりトナーホッパー67か
らトナーTが補給される。
表面を押圧し、搬送される現像剤の厚さを制御する。
現像剤溜り66内には現像剤Deの攪拌が十分に行われ
るよう攪拌スクリュー65が設けられており、現像剤溜
り66内の現像剤Deが消費された時には、トナー供給
ローラ68が回転することによりトナーホッパー67か
らトナーTが補給される。
そして、スリーブ61に現像バイアスを印加する直流電
源69及び保護抵抗70が直列に接続されている。
源69及び保護抵抗70が直列に接続されている。
また、スリーブ61と像担持体23とは間隙dを隔てて
対向配列され、現像領域Eで現像剤が像担持体23に対
し接触し、t>dとなっている。
対向配列され、現像領域Eで現像剤が像担持体23に対
し接触し、t>dとなっている。
図は現像スリーブ61と磁石体62がそれぞれ矢印G−
F方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ61が固定であっても、磁石体62が固定であ
っても、あるいは現像スリーブ61と磁石体62が同方
向に回転するようなものであってもよい。 磁石体62
を固定とする場合は、通常、像担持体23に対向する磁
極の磁束密度を他の磁極の磁束密度よりも大きくするた
めに、磁化を強くしたり、そこに同極あるいは異極の2
個の磁極を近接させて設けたりすることが行われる。
F方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ61が固定であっても、磁石体62が固定であ
っても、あるいは現像スリーブ61と磁石体62が同方
向に回転するようなものであってもよい。 磁石体62
を固定とする場合は、通常、像担持体23に対向する磁
極の磁束密度を他の磁極の磁束密度よりも大きくするた
めに、磁化を強くしたり、そこに同極あるいは異極の2
個の磁極を近接させて設けたりすることが行われる。
上記した装置において、本発明に基いて、静電潜像の
IVHIが400〜900 Vとなるように帯電せしめ
、かつ反転現像時(7) IVHI IVDCI =
0〜200vとする。 但し、VDCは像担持体23に
対向する現像剤搬送担体としてのスリーブ61に印加す
る直流バイアス電圧である。 直流バイアス電圧には交
流バイアス電圧を重畳するのが好ましい。
IVHIが400〜900 Vとなるように帯電せしめ
、かつ反転現像時(7) IVHI IVDCI =
0〜200vとする。 但し、VDCは像担持体23に
対向する現像剤搬送担体としてのスリーブ61に印加す
る直流バイアス電圧である。 直流バイアス電圧には交
流バイアス電圧を重畳するのが好ましい。
この際、交流バイアス電圧の実効値は0.5〜4KVが
好ましく、周波数は0.1KH2〜IMHzが好ましい
。
好ましく、周波数は0.1KH2〜IMHzが好ましい
。
以上のような記録装置によって、第5図に示したような
本発明の方法を実施することができる。
本発明の方法を実施することができる。
第5図は、像露光部が背景部よりも低電位の静電像とな
る静電像形成法によって静電像が形成され、現像が静電
像に背景部電位と同極性に帯電するトナーが付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現像の例を示してい
る。
る静電像形成法によって静電像が形成され、現像が静電
像に背景部電位と同極性に帯電するトナーが付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現像の例を示してい
る。
第2図の記録装置を用いた場合の第5図の例について説
明する。
明する。
最初に、除電器13で除電され、クリーニング装置工4
でクリーニングされて、電位がOとなっている初期状態
の像担持体23の表面に、帯電器22によって一様に帯
電を施し、その帯電面に像露光24を投影して静電像部
の電位が略Oとなる像露光を行い、得られた静電像を現
像器15(トナーT)によって現像する。
でクリーニングされて、電位がOとなっている初期状態
の像担持体23の表面に、帯電器22によって一様に帯
電を施し、その帯電面に像露光24を投影して静電像部
の電位が略Oとなる像露光を行い、得られた静電像を現
像器15(トナーT)によって現像する。
なお、本発明の画像形成方法は、ハロゲンランプ、タン
グステンランプ、LED (発光ダイオード)、ヘリウ
ム−ネオン、アルゴン、ヘリウム−カドミウム等の気体
レーザー、半導体レーザー等の各種光源に対し適用でき
る。
グステンランプ、LED (発光ダイオード)、ヘリウ
ム−ネオン、アルゴン、ヘリウム−カドミウム等の気体
レーザー、半導体レーザー等の各種光源に対し適用でき
る。
本発明の画像形成方法は、電子写真複写機、プリンタ等
の多種多様の用途を有するものである。
の多種多様の用途を有するものである。
ホ、実施例
以下、本発明を実施例について更に詳細に説明するが、
これにより本発明は限定されるものではなく、種々の変
形した他の実施例も勿論含むものである。
これにより本発明は限定されるものではなく、種々の変
形した他の実施例も勿論含むものである。
く感光体の製造〉
まず、下記のようにして実施例の感光体A−M及び比較
例の感光体a w dを製造した。 即ち、各感光体の
製造手順は共通である。
例の感光体a w dを製造した。 即ち、各感光体の
製造手順は共通である。
表−2に示す所定のバインダー樹脂15gをアセトン/
シクロヘキサノン(1: 1)混合溶媒1000i中に
溶解させて得た電荷ブロッキング層塗布液を、rKON
I KA U−Bix 1550 (コニカ社製
)用アルミニウム製基体ドラム(径801III11)
にデイツプ塗布し、所定膜厚の電荷ブロッキング層を得
た。
シクロヘキサノン(1: 1)混合溶媒1000i中に
溶解させて得た電荷ブロッキング層塗布液を、rKON
I KA U−Bix 1550 (コニカ社製
)用アルミニウム製基体ドラム(径801III11)
にデイツプ塗布し、所定膜厚の電荷ブロッキング層を得
た。
次に、表−2に示す所定のキャリア発生物質(CGM)
を磁性ボールミルにて4Orpmで18時間粉砕した後
、ポリカーボネート[パンライト K−1300J
(奇人化成社製)20gを1.2−ジクロロエタン10
100O!に溶解させた溶液を加えて更に24時間分散
させ、得られたキャリア発生層用塗布液を前記電荷ブロ
ッキング層上にデイ・ノブ塗布し、表−2に示すP/B
比(キャリア発生物質/バインダー物質の重量比)を有
するキャリア発生層を得た。
を磁性ボールミルにて4Orpmで18時間粉砕した後
、ポリカーボネート[パンライト K−1300J
(奇人化成社製)20gを1.2−ジクロロエタン10
100O!に溶解させた溶液を加えて更に24時間分散
させ、得られたキャリア発生層用塗布液を前記電荷ブロ
ッキング層上にデイ・ノブ塗布し、表−2に示すP/B
比(キャリア発生物質/バインダー物質の重量比)を有
するキャリア発生層を得た。
ただし、比較例の感光体Cについては電荷ブロッキング
層を設けず、導電性基体上に直接キャリア発生層を形成
した。
層を設けず、導電性基体上に直接キャリア発生層を形成
した。
更に、下記構造式(5)のキャリア輸送物質112.5
gとポリカーボネート樹脂[ユーロビンZ−200」
(三菱瓦斯化学社製) 150 gとを1゜2−ジクロ
ロエタン10100Oに溶解し、得られた溶液をキャリ
ア発生層上にデイツプ塗布し、温度90℃で1時間乾燥
してキャリア輸送層を形成し、膜厚約20μIの感光層
とした。
gとポリカーボネート樹脂[ユーロビンZ−200」
(三菱瓦斯化学社製) 150 gとを1゜2−ジクロ
ロエタン10100Oに溶解し、得られた溶液をキャリ
ア発生層上にデイツプ塗布し、温度90℃で1時間乾燥
してキャリア輸送層を形成し、膜厚約20μIの感光層
とした。
以上のようにして、共通の製造手順により、それぞれ個
別の構成及び処方を有する各感光体A〜M及びa ”−
dが製造された。
別の構成及び処方を有する各感光体A〜M及びa ”−
dが製造された。
即ち、各感光体において、電荷ブロッキング層の材質、
キャリア発生物質等はそれぞれ互いに変化させられてい
る。
キャリア発生物質等はそれぞれ互いに変化させられてい
る。
CGM (1)
キャリア輸送物質(5)
樹脂(S)
ポリエステル樹脂「バイロン200」
(東洋紡社製)
樹脂(T)
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂rVYHHJ(ユ
ニオンカーバイド社製) 樹脂(X) SK−102(仕入シュレス社製) 樹脂(Y) SK−105(同 上) 樹脂(Z) SK−9(同 上) 例1 び 炉側1 実施例、比較例の各感光体を、半導体レーザーを光源と
するrKONIcA U−Bix 1550(コニ
カ社製)改造機に搭載し、■、が一600±10(V)
になるようにグリッド電圧を調節し、現像バイアス−4
80(V)で反転現像し、複写画像の白地部分の黒ポチ
、黒地部分(原画の白地部分に対応する部分)の画像濃
度Dmax %キャリア発生層の塗布性、画像欠陥を評
価した。
ニオンカーバイド社製) 樹脂(X) SK−102(仕入シュレス社製) 樹脂(Y) SK−105(同 上) 樹脂(Z) SK−9(同 上) 例1 び 炉側1 実施例、比較例の各感光体を、半導体レーザーを光源と
するrKONIcA U−Bix 1550(コニ
カ社製)改造機に搭載し、■、が一600±10(V)
になるようにグリッド電圧を調節し、現像バイアス−4
80(V)で反転現像し、複写画像の白地部分の黒ポチ
、黒地部分(原画の白地部分に対応する部分)の画像濃
度Dmax %キャリア発生層の塗布性、画像欠陥を評
価した。
なお、黒ポチの評価は、画像解析装置「オムニコン30
00形」 (島津製作所社製)を用いて黒ポチの粒径と
個数を測定し、φ(径) 0.05mm以上の黒ポチが
1cm”当たり何個あるかにより判定した。
00形」 (島津製作所社製)を用いて黒ポチの粒径と
個数を測定し、φ(径) 0.05mm以上の黒ポチが
1cm”当たり何個あるかにより判定した。
黒ポチ評価の判定基準は、表−1に示す通りでなお、黒
ポチ判定の結果が◎、○、△であれば実用になるが、×
、××である場合は実用に適さない。
ポチ判定の結果が◎、○、△であれば実用になるが、×
、××である場合は実用に適さない。
キャリア発生層の塗布性の良、不良については、次のよ
うにした。
うにした。
即ち、キャリア発生層のデイツプ塗布時における塗布液
液面の相対的降下速度を一定(0,5cm /sec
)とし、キャリア発生層を塗布したときの100cm2
(l dn”)当りのCGMの付着量を測定し、これが
2mg/dm2未満の場合は塗布不良とした。
液面の相対的降下速度を一定(0,5cm /sec
)とし、キャリア発生層を塗布したときの100cm2
(l dn”)当りのCGMの付着量を測定し、これが
2mg/dm2未満の場合は塗布不良とした。
また、キャリア発生層の凝集については、キャリア発生
層の濃度ムラの有無を目視により確認した。
層の濃度ムラの有無を目視により確認した。
なお、キャリア発生層の凝集が見られる場合も塗布不良
とした。
とした。
また、画像欠陥については、複写画像の黒ベタ部分の濃
度ムラの有無等を目視により確認した。
度ムラの有無等を目視により確認した。
各感光体における黒ポチ評価の結果等は下記表−2に示
す。
す。
表−2に示す結果から、本発明の画像形成方法に基づい
て複写画像形成を行えば、黒ポチが著しく減少し、画像
の濃度ムラも生じず、また画像濃度も高くでき、均一か
つ高品質の画像が得られることが解る。
て複写画像形成を行えば、黒ポチが著しく減少し、画像
の濃度ムラも生じず、また画像濃度も高くでき、均一か
つ高品質の画像が得られることが解る。
施 2及び 炉側2
下記表−3に示す条件で、実施例1 (又は比較例1)
と同様に反転現像を行い、黒ポチ、複写画像の黒地部分
の画像濃度Dmax 、キャリア付着及びカブリをみた
。 但し、キャリア付着については、○は付着のないこ
とを表わし、×は付着の発生を表わす。
と同様に反転現像を行い、黒ポチ、複写画像の黒地部分
の画像濃度Dmax 、キャリア付着及びカブリをみた
。 但し、キャリア付着については、○は付着のないこ
とを表わし、×は付着の発生を表わす。
、(以下余白、次頁に続く)
第1図〜第5図は本発明の実施例を示すものであって、
第1図は本発明に使用する感光体の断面図、第2図は像
形成装置の構成概要図、 第3図は像露光のためのレーザービームスキャナの構成
概要図、 第4図は現像器の要部断面図、 第5図は像形成の過程を示すフローチャートである。 第6図は従来使用されている感光体の一部断面図である
。 なお、図面に示す符号において、 1−−−−−・−一−−−導電性基体 4−−−−−−−−−−−キャリア輸送層6−−−−−
−−・−キャリア発生層 7−・−・−・−電荷ブロッキング層 8−−−−−−−−−−一感光層 12−−−−−−−−−−一定着器 13・−・−・−一一一一一除電器 14・−・−・−・・−クリーニング装置15−−−−
−−−−−−・−現像器 20−・−−−−−−−一転写前露光ランプ21−−−
−−−−−−−一転写器 22−−−−−−−−−−−帯電器 23−−−−−−−−−−一像担持体 41−・−・−−−−−レーザー 43・−−一−−−−−−−ミラースキャナ44− ・
−・−−−−−一結像用f−θレンズ48.49・−・
−−−−−−一−−シリンドリカルレンズ5t−−−−
−−−−−−・レーザービーム6t−一一一−・・−現
像スリーブ 62−−−−−−−・−磁石体 63−・−−−−−m−層厚規制ブレード69−−−−
−・−・・−バイアス電源70−−−−−−−−−−一
保護抵抗 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第2図 第5図 第6図 (自引手続補正書 昭和63年3月11日 1、事件の表示 昭和62年 特許願第329070号 2、発明の名称 画像形成方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称
(127)コニカ株式会社 4、代理人 住 所 東京都立川市柴崎町2−4−11FINEビル
酋 0425−24−5411■ 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
6、補正の内容 (1)、特許請求の範囲を別紙の通りに訂正します(2
)、明細書第11頁7行目の と訂正します。 (3)、同第21頁5行目の 」を 一以 上− ■、特許請求の範囲、 1.キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設けてなる
感光層を有する感光体を使用する画像形成方法において
、 (a)0分子内に下記一般式〔I〕で表わされるカプラ
ーを有しかつ少なくとも2個のアゾ基を分子内に有する
化合物がキャリア発生物質として含有されているキャリ
ア発生層と、このキャリア発生層と導電性基体との間に
設けられかつノボラック形フェノール樹脂が含有されて
いる電荷ブロッキング層とを有する感光体を使用し、β
)、この感光体に帯電電位の絶対値が400V〜900
■である帯電を付与した後、露光により静電潜像を形成
し、次いで前記帯電電位の絶対値よりも0〜200■低
い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して、前記静
電潜像の反転現像を行う ことを特徴とする画像形成方法。 一般式〔I〕: 〔但し、上記−最大中、 Ar’は、アリール基を表わし、 Yl 2は、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは未
置換のアルキル基、置換若し くは未置換のアミノ基、又は置換若 しくは未置換のアルコキシ基を表わ し、 Sは、0〜4を表わし、 rは、0〜2を表わす。〕
形成装置の構成概要図、 第3図は像露光のためのレーザービームスキャナの構成
概要図、 第4図は現像器の要部断面図、 第5図は像形成の過程を示すフローチャートである。 第6図は従来使用されている感光体の一部断面図である
。 なお、図面に示す符号において、 1−−−−−・−一−−−導電性基体 4−−−−−−−−−−−キャリア輸送層6−−−−−
−−・−キャリア発生層 7−・−・−・−電荷ブロッキング層 8−−−−−−−−−−一感光層 12−−−−−−−−−−一定着器 13・−・−・−一一一一一除電器 14・−・−・−・・−クリーニング装置15−−−−
−−−−−−・−現像器 20−・−−−−−−−一転写前露光ランプ21−−−
−−−−−−−一転写器 22−−−−−−−−−−−帯電器 23−−−−−−−−−−一像担持体 41−・−・−−−−−レーザー 43・−−一−−−−−−−ミラースキャナ44− ・
−・−−−−−一結像用f−θレンズ48.49・−・
−−−−−−一−−シリンドリカルレンズ5t−−−−
−−−−−−・レーザービーム6t−一一一−・・−現
像スリーブ 62−−−−−−−・−磁石体 63−・−−−−−m−層厚規制ブレード69−−−−
−・−・・−バイアス電源70−−−−−−−−−−一
保護抵抗 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第2図 第5図 第6図 (自引手続補正書 昭和63年3月11日 1、事件の表示 昭和62年 特許願第329070号 2、発明の名称 画像形成方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称
(127)コニカ株式会社 4、代理人 住 所 東京都立川市柴崎町2−4−11FINEビル
酋 0425−24−5411■ 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
6、補正の内容 (1)、特許請求の範囲を別紙の通りに訂正します(2
)、明細書第11頁7行目の と訂正します。 (3)、同第21頁5行目の 」を 一以 上− ■、特許請求の範囲、 1.キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設けてなる
感光層を有する感光体を使用する画像形成方法において
、 (a)0分子内に下記一般式〔I〕で表わされるカプラ
ーを有しかつ少なくとも2個のアゾ基を分子内に有する
化合物がキャリア発生物質として含有されているキャリ
ア発生層と、このキャリア発生層と導電性基体との間に
設けられかつノボラック形フェノール樹脂が含有されて
いる電荷ブロッキング層とを有する感光体を使用し、β
)、この感光体に帯電電位の絶対値が400V〜900
■である帯電を付与した後、露光により静電潜像を形成
し、次いで前記帯電電位の絶対値よりも0〜200■低
い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して、前記静
電潜像の反転現像を行う ことを特徴とする画像形成方法。 一般式〔I〕: 〔但し、上記−最大中、 Ar’は、アリール基を表わし、 Yl 2は、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは未
置換のアルキル基、置換若し くは未置換のアミノ基、又は置換若 しくは未置換のアルコキシ基を表わ し、 Sは、0〜4を表わし、 rは、0〜2を表わす。〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設けてなる
感光層を有する感光体を使用する画像形成方法において
、 (a)、分子内に下記一般式〔 I 〕で表わされるカプ
ラーを有しかつ少なくとも2個のアゾ基を分子内に有す
る化合物がキャリア発生物質として含有されているキャ
リア発生層と、このキャリア発生層と導電性基体との間
に設けられかつノボラック形フェノール樹脂が含有され
ている電荷ブロッキング層とを有する感光体を使用し、 (b)、この感光体に帯電電位の絶対値が400V〜9
00Vである帯電を付与した後、露光により静電潜像を
形成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりも0〜200
V低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して、前
記静電潜像の反転現像を行う ことを特徴とする画像形成方法。 一般式〔 I 〕: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、上記一般式中、 Ar^1は、アリール基を表わし、 Y、Zは、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは未置
換のアルキル基、置換若しくは未置換のアミノ基、又は
置換若しくは未置換のアルコキシ基を表わし、 sは、0〜4を表わし、 rは、0〜2を表わす。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32907087A JPH01170968A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32907087A JPH01170968A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 画像形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01170968A true JPH01170968A (ja) | 1989-07-06 |
Family
ID=18217279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32907087A Pending JPH01170968A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01170968A (ja) |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP32907087A patent/JPH01170968A/ja active Pending
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