JPH01171134A - 光メモリ素子 - Google Patents

光メモリ素子

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JPH01171134A
JPH01171134A JP62332645A JP33264587A JPH01171134A JP H01171134 A JPH01171134 A JP H01171134A JP 62332645 A JP62332645 A JP 62332645A JP 33264587 A JP33264587 A JP 33264587A JP H01171134 A JPH01171134 A JP H01171134A
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JP
Japan
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recording
dielectric layer
tracks
layer
optical memory
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JP62332645A
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Junichiro Nakayama
純一郎 中山
Hiroyuki Katayama
博之 片山
Tetsuya Inui
哲也 乾
Akira Takahashi
明 高橋
Kenji Ota
賢司 太田
Yoshiteru Murakami
善照 村上
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】 本発明は、光学的に情報の記録、再生、消去のうちの少
なくとも一つを行うことのできる光ディスクや光カード
等に用いられる光メモリ素子に関するものである。 〔従来の技術〕 一般に、高密度記録ができる光メモリ素子は、1μm程
度の記録トラック幅を有しているため、細く絞り込まれ
たレーザ光で記録または再生を行う場合には、レーザ光
が記録トランクから外れて他の記録トラックにデータが
記録されないようにする必要がある。そのためには、非
常に精密な光学系を用いるか、若しくは何らかのガイド
トランクを設けたサーボシステムが必要となる。 従来のガイドトラックとしては、 (1) 記録トラック自体を利用したもの、(2) 第
3図に示すように、基板10に積層された記録層11に
おける記録トラックの記録面に、あらかじめガイドトラ
ック12としての溝が形成されているもの、 (3) 基板上に形成された磁性体薄膜の上部に帯状の
反射膜を形成し、この反射膜のない非形成部位をガイド
トラックとしたもの(特開昭57−183647号公報
参照)、 などが知られている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記した従来のガイドトラックでは、そ
れぞれ次のような問題点がある。 (1) 記録トラック自体を利用したものでは、再生の
みの光メモリ装置には有効であるが、情報が記録されて
いない部分に新たに情報を書き加えて記録する場合には
、有効に利用できない。 (2) 記録トランクの記録面に予めガイドトラックと
しての溝を形成したものでは、光メモリ素子を製造する
ときの工程が複雑化するばかりでなく、記録媒体の大き
さによってガイドトラックの形成に著しい制約を受ける
。 (3) 反射層を帯状に形成し、この反射膜の非形成部
位をガイドトランクとして利用するものでは、エツチン
グ処理やカッティング加工等の製造工程が必要となる。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の光メモリ素子は、上記の問題点を解決するため
に、基板上に、レーザ光により情報の記録、再生、消去
のうちの少なくとも一つを行うことのできる記録層と、
誘電体層とが積層された構造の光メモリ素子において、
上記誘電体層に、光学的に識別可能なガイドトラックが
形成されていることを特徴としている。 上記した光学的に識別可能なガイドトラックは、具体的
には例えば、誘電体層に光透過率の差異を形成し、すな
わち光透過率の高い部位と低い部位とを形成して、その
何れか一方、好ましくは光透過率の低い部位をガイドト
ラックとして利用したものである。 〔作 用〕 上記の構成によれば、誘電体層に形成されたガイドトラ
ックによって、情報の記録、再生、および消去時に、い
ずれもレーザ光が記録トラックから外れなくなり、また
、光メモリ素子の製造に際しても、記録面に溝を形成し
たりエツチング処理やカッティング加工等が不要となる
ので製造工程が著しく筒素化されるとともに、高密度で
精度の高いガイドトラックを形成することができること
になる。 〔実施例〕 本発明の一実施例を第1図および第2図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。 光メモリ素子は、第1図に示すように、ガラス製または
プラスチック製の基板1上に、AIN系の薄膜からなる
誘電体層2、GdTbFe系薄膜からなる記録層3、お
よび保護N4が、順に積層して形成されている。 上記の記録層3は、基板1側からレーザ光が照射される
ことにより、情報の記録、再生、消去のうちの少なくと
も一つを行うことができるように構成されており、情報
の記録時においてレーザ光が照射されると、記録層3に
おける記録トラック上に多数の記録ビット7・・・(記
録データ)が配列されるように成っている。 上記の誘電体層2、記録層3、および保護層4の積層体
からなる記録媒体5において、誘電体層2には、記録層
3に帯状の記録トラックが形成されるように、光学的に
識別可能なガイドトラック6・・・が形成されている。 このガイドトラック6・・・は、具体的には、X線照射
装置によってX線を誘電体層2に対して部分的に照射す
ることにより形成されるものである。 このように、誘電体層2にガイドトラック6・・・が形
成されるのは、AIN系の薄膜がX線の照射を受けると
、薄膜の被照射部位のみ光透過率が著しく低下するから
であって、この光透過率の著しい低下を利用して、誘電
体層2に高い光透過率の形成部位と、低い光透過率の形
成部位とを形成し、誘電体層2に形成される光透過率の
差異によりガイドトラック6・・・とじたものである。 なお、誘電体層2に形成される光透過率の高い部位と低
い部位は、その何れか一方をガイドトラック6・・・と
じて利用すれば良いのであるが、好ましくは光透過率の
低い部位をガイドトラック6・・・とじて利用すれば、
高い光透過率を有する部位によって記録層3の記録トラ
ックへの透過光量を多く確保できるので、基板1側から
照射されるレーザ光による情報の記録および再生の場合
における信号品質が良好なものとなる。 上記の構成において、情報の記録、再生、または消去時
においては、ガイドトラック6・・・の形成時よりも長
波長側であって低パワーのレーザ光が用いられるので、
情報の記録、再生、或いは消去によってガイドトラック
6・・・が破壊される虞れは生じない。 なお、上記した実施例では、記録層3の素材としてGd
TbFe系の薄膜を用いたが、これに限定されるもので
はなく、レーザ光によって再生、若しくは記録・再生、
或いは消去できる素材であれば、その材質について具体
的に問うものではない。 また、誘電体層2としてAIN系薄膜を用い、このAI
N系薄膜にX線を照射してガイドトラック6・・・を形
成してなる光メモリ素子を例示したが、この誘電体層2
に形成されるガイドトラック6・・・が光学的に識別で
きるものであれば、ガイドトランク6・・・の種類につ
いて具体的に限定するものではない。また、光透過率の
差異によってガイドトラック6・・・を形成する場合で
あっても、誘電体N2の材質をAIN系の薄膜材に限定
するものではなく、さらに、この誘電体層2へのX線の
照射によってガイドトラック6・・・を形成することに
ついても特に限定しないものである。 〔発明の効果〕 本発明の光メモリ素子は、以上のように、基板上に、レ
ーザ光により情報の記録、再生、消去のうちの少なくと
も一つを行うことのできる記録層と、誘電体層とが積層
された構造の光メモリ素子において、上記誘電体層に、
光学的に識別可能なガイドトラックが形成されている構
成である。 これにより、比較的簡単な光学系により情報の記録、再
生、消去が可能であって、しかも誘電体層に形成された
ガイドトラックによって、情報の記録、再生、および消
去時に、いずれもレーザ光は記録トラックから外れる虞
れがなくなる。そのうえ、光メモリ素子の製造に際して
も、記録面に溝を形成したりエツチング処理やカンティ
ング加工等を施す必要がなくなるので、製造工程が著し
く筒素化されるとともに、ガイドトラックを光学的に形
成しているので高密度で精度の高いガイドトラックを形
成することができるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第1図は光メモリ素子の縦断説明図、第2図は第
1図に示した光メモリ素子の記録部位を拡大した平面説
明図である。第3図は従来例を示す光メモリ素子の縦断
説明図である。 1は基板、2は誘電体層、3は記録層、4は保護層、6
はガイドトラック、7は記録ピット(記録データ)であ
る。 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板上に、レーザ光により情報の記録、再生、消去
    のうちの少なくとも一つを行うことのできる記録層と、
    誘電体層とが積層された構造の光メモリ素子において、 上記誘電体層に、光学的に識別可能なガイドトラックが
    形成されていることを特徴とする光メモリ素子。
JP62332645A 1987-12-25 1987-12-25 光メモリ素子 Expired - Fee Related JPH0786982B2 (ja)

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JP62332645A JPH0786982B2 (ja) 1987-12-25 1987-12-25 光メモリ素子

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JPH01171134A true JPH01171134A (ja) 1989-07-06
JPH0786982B2 JPH0786982B2 (ja) 1995-09-20

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07311984A (ja) * 1994-05-13 1995-11-28 Nec Corp 相変化光ディスク記録媒体の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60129946A (ja) * 1983-12-16 1985-07-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 情報記録用デイスク
JPS60173732A (ja) * 1984-02-09 1985-09-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光学デイスク
JPS62150539A (ja) * 1985-12-25 1987-07-04 Toshiba Corp 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法
JPS62277642A (ja) * 1986-05-27 1987-12-02 Toshiba Corp 光学的情報記録媒体及びその製造方法

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JPH0786982B2 (ja) 1995-09-20

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