JPH0256748A - 光メモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光により情報を記録、再生、または消去を行
う光メモリ素子に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、このような光メモリ素子は、持ち運びができる高
密度大容量メモリ媒体として注目されている。この光メ
モリ素子は情報の記録、再生、または消去を行う手段と
して、半導体レーザ等の光が利用される。上記の半導体
レーザや、この半導体レーザの光を集光してメモリ媒体
としての光メモリ素子に照射するためのレンズ系や、メ
モリ媒体からの返り光量を検出する光検出器などから成
る光学素子（光ピツクアップ）は、光メモリ素子に対し
て２次元的に高速に移動させる必要があるので、メモリ
媒体の必要な位置に該光学素子を高精度に位置ぎめする
うえにおいて甚だ困難を伴う。

そこで、上記の光メモリ素子を円板状に形成し、この光
メモリ素子自体を回転させながら、上記光学素子を光メ
モリ素子の半径方向に１次元的に移動させることにより
、光メモリ素子である円板面上において情報を記録、再
生または消去させるように構成しているのが通例である
。

このような円板形をなす光メモリ素子は、一般には第６
図に断面一部拡大図として示すように、基板９の一方の
片面に、集光した光ビームを案内するための多数の案内
溝１０・・・が設けられ、これら案内溝１０・・・の形
成されている基板面上に記録膜１１が設けられている。

そして、基板９の他方の片面から、対物レンズ１３で集
光された半導体レーザ光１２を記録溝部１４・・・に照
射して、情報の記録、再生または消去をなし得るように
構成されている。

上記のように、基板９に多数の案内溝１０・・・が設け
られているのは、集光した先ビームの位置制御を正確に
行うためであり、所定の位置に情報を記録したり、記録
されている情報を所定の位置から再生したりするための
ものである。そのため、第７図に示すように記録溝部１
４・・・を一部ピソト状１５・・・に断続し、該ビット
１５・・・の長さまたは位置で記録溝の番地（アドレス
）を指定することが一般であった。換言すれば、透明基
板に凹凸で案内溝やアドレスビットを作り、記録膜はそ
の基板上に連続して設けられるのが通例であった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、このような光メモリ素子においては、記録に
用いる半導イホレーザのパワーがあらかじめ予想してい
た値よりも大きい時（実際の光メモリ装置では、装置間
の記ｊ、１パワーのばらつきにより、成る装置で記録す
る場合と他の装置で記録する場合では、記録パワーか異
なることがしばしば生じる。）、記録溝ｌｌ上の記録膜
に記録された記録ビット１６が、第８図に示すように、
隣の案内溝１０　・上の記録膜にも広がり、隣接記録溝
に記録された信号を光ビームが再生しようとする時、本
来再生されないはずの信号が紛れこみクロストークが生
じる。

また、記録溝方向でも同様のことがいえる。即ち、記録
パワーの変動により記録ビ、２トの大きさが記録溝方向
にばらつき、信号の品質が劣化することかある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明に係る光メモリ素子は、上記の問題点を解決する
ために、記録膜を記録ビットの大きさに制限したことを
特徴とする。即ち、記録ビットと同じ大きさの記録膜が
記録ビット間隔だけ離して構成されていることを特徴と
している。

〔作用〕

上記の構成をなす光メモリ素子を用いることにより、記
録装置間の記録パワーのばらつきによる記録ビットの記
録溝からのはみだしや、記録溝上に並んだ記録ビットの
不揃いがなくなり、クロストークを低減できると共に信
号品質が向上する。

〔実施例〕

本発明の実施例を図に基ついて説明すれば、以下の通り
である。

ここでは、光メモリ素子の例として、光磁気メモリ素子
を取り上げている。光磁気メモリ素子は、第１図（ｂ）
に断面一部拡大図として示すように、ガラス等の透明基
板１における一方の片面に、第１図（ａ）に示すような
記録ビットと同じ大きさのビット２・・・が設けられて
おり、該ビット２・・・の深さよりも薄い磁性膜を含む
記録膜３・・・が透明基板上１に形成されている。この
構成において該磁性膜３・・・は記録ビット部分（即ち
ビット部分２・・・）とそれ以外の部分とで分断されて
いる。こうすることにより、ビット部分に記録されたビ
ットは、ビット部分以外にはみ出すことがなく、クロス
トークもなく信号品質も改善される。即ち通常は、光記
録に用いる半導体レーザ光を対物レンズで集光すると、
光の強度分布は、第２図に示すような、ガウス分布に近
い分布となる。このような強度分布をした光を記録膜に
照射すると、記録膜は一時的に光の強度分布に近い強度
分布（例えば、第３図（ａ）のような分布）となり、時
間が経過すると、記録膜の伝熱により第３図（ｂ）のよ
うに、より広がった分布上なる。ところが、本発明の光
メモリ素子を用いると、記録膜がビット部分て途切れて
いるため、上記の様にビットの壁が障壁となって熱がビ
ット外に広まりにくく、例えば第４図（ａ）のような強
度分布の光を照射しても、同図（ｂ）のようにビットの
周辺で不連続な温度分布が得られ、図中Ｂで示す１品度
以上に上がらない七記録出来ない記録膜の場合、記録領
域（即ち記録ビット部分）は、ビット２外に広がらない
。

本発明は、上記説明のように、集光した光により記録膜
の温度をあるスレッショルドより上昇させて記録する場
合に有用であり、光磁気記録や結晶、非結晶等のあいだ
の相転移を利用する記録において利用できる。

第１図に示した記録膜は、第５図に断面一部拡大図とし
て示すように、透明基板４の上に、ＳｉＮ等の第一窒素
化合物５、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＮｄＦｅ
等の磁性膜６、ＳｉＮ等の第二窒素化合物７、ＡＩ、Ｔ
ａ、Ｔｉ等の反射膜８からなる４層膜構造を用いると磁
性膜を薄くてき、基板に掘り込むピットの深さを浅くで
き特に有効である。例えば該４層膜構造においては磁性
膜は１５０〜３００人程度が好ましく、その時深さは３
００Å以上あれば良いことになる。

本発明のようなピット付き基板を得るためには、特開昭
５９−２１０５４７のような、エツチング方式が有効で
ある。特に反応性イオンエツチングのような異方性エツ
チングを行うと、ピットの端面が基板面にほぼ直角とな
り好都合である。

〔発明の効果〕

本発明に係る光メモリ素子は、以上のように、記録膜を
ピット状にして記録ピットのはみだしを防いでいるため
、光メモリの再生信号品質向上し、クロストーク等も低
減でき、高品質光メモリ素子となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光メモリ素子の実施例を示す断面一部
拡大図、第２図はレーザ光の強度分布を、第３図は記録
膜の温度分布、第４図は本発明の効果を示す図、第５図
は本発明に用いる光磁気膜の一構成図、第６図は従来の
光メモリ素子の断面−部拡大図、第７図は記録溝部とピ
ットによるアドレス情報部とを示す概略図、第８図は従
来の光メモリ素子において記録レーザパワーが大きすぎ
、記録膜部が高温になり記録ビットが案内溝部にはみ出
したことを示す概念図である。 図中 １．４．９：透明基板、２：ピット部、３：磁性膜、５
．７：透明窒素化合物誘電体層、６：光磁気用垂直磁化
膜、８；反射膜、ｌＯ；案内溝、１１：記録膜、１３：
対物レンズ、１２：レーザ光、１４：記録溝部、１５：
ピント状をしたアドレス部、１６二案内溝にはみ出した
記録ビットを示している。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、記録されるビット部分の記録膜が、孤立しているこ
   とを特徴とする光メモリ素子。 ２、請求項第１項の光メモリ素子において、記録される
   ビット部分に加えられた熱が該ビット部分以外に伝わる
   ことを抑制する障壁を備えてなることを特徴とする光メ
   モリ素子。３、請求項第２項の光メモリ素子において、
   ビット部分に加えられた熱が該ビット部分以外に伝わる
   ことを抑制する障壁が基板に形成されたビットの壁であ
   ることを特徴とする光メモリ素子。