JPH01171236A - プローバ装置 - Google Patents
プローバ装置Info
- Publication number
- JPH01171236A JPH01171236A JP62328291A JP32829187A JPH01171236A JP H01171236 A JPH01171236 A JP H01171236A JP 62328291 A JP62328291 A JP 62328291A JP 32829187 A JP32829187 A JP 32829187A JP H01171236 A JPH01171236 A JP H01171236A
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- JP
- Japan
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- wafer
- probes
- probe
- ultrasonic
- supersonic
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- Pending
Links
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 40
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06794—Devices for sensing when probes are in contact, or in position to contact, with measured object
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩの試験装置に関し、特にＰ／Ｗテスト
つまり、半導体ウェハーを試験するために使用するプロ
ーバ装置に関する。
つまり、半導体ウェハーを試験するために使用するプロ
ーバ装置に関する。
一般に、Ｌ Ｓ Ｉ （Ｌａｒｇｅ ５ｃａｌｅ Ｉｎ
ｔｅｇｒａｔｉｏｎ ）の製造工程において半導体ウ
ェハー上に多数形成されたＬＳＩチップは、まずカット
されるまえのウェハーの状態で良品選別が行われる。こ
のＰ／Ｗテスト（Ｐｒｏｂｉｎｇ ｂｙ Ｗｅｆｅｒ
）ではプローツクを用いて被試験チップをＬＳＩテスタ
ーに接続する。
ｔｅｇｒａｔｉｏｎ ）の製造工程において半導体ウ
ェハー上に多数形成されたＬＳＩチップは、まずカット
されるまえのウェハーの状態で良品選別が行われる。こ
のＰ／Ｗテスト（Ｐｒｏｂｉｎｇ ｂｙ Ｗｅｆｅｒ
）ではプローツクを用いて被試験チップをＬＳＩテスタ
ーに接続する。
すなわち、プローバの探針をＬＳＩチップの人出力パッ
ドに立てることによってＬＳＩテスターと被試験チップ
とを電気的に接続することによって行っていた。
ドに立てることによってＬＳＩテスターと被試験チップ
とを電気的に接続することによって行っていた。
ところで、上述した従来のブローバ装置にあっては、Ｐ
／Ｗテストを行うに先だって被試験半導体ウェハーを乗
せるステージの位置ぎめをまず行う。このステージは、
水平および垂直両方向に微動可能であり、被試験ウェハ
ーと同じ厚さのダミー・ウェハーを用いて探針が確実に
被試験ウェハーと接触する垂直方向の位置を決定する。
／Ｗテストを行うに先だって被試験半導体ウェハーを乗
せるステージの位置ぎめをまず行う。このステージは、
水平および垂直両方向に微動可能であり、被試験ウェハ
ーと同じ厚さのダミー・ウェハーを用いて探針が確実に
被試験ウェハーと接触する垂直方向の位置を決定する。
この位置ぎめ操作ではダミー・ウェハーと探針との接触
は探針とダミー・ウェハーの導通の有無により確認され
る。実際のＰ／Ｗテストでは被試験ウェハーをステージ
に乗せ、上述の手順で予め定められた位置にステージを
移動させて探針をたてる。。
は探針とダミー・ウェハーの導通の有無により確認され
る。実際のＰ／Ｗテストでは被試験ウェハーをステージ
に乗せ、上述の手順で予め定められた位置にステージを
移動させて探針をたてる。。
このとき、ウェハーと探針との接触は、直接確認するこ
とはできない。従って、従来のＰ／Ｗテストではウェハ
ーに異常がなくとも探針の接触不良が原因でテストが不
成功になるおそれがあった。
とはできない。従って、従来のＰ／Ｗテストではウェハ
ーに異常がなくとも探針の接触不良が原因でテストが不
成功になるおそれがあった。
このような危険性は、ＬＳＩのピンの数が増えれば増え
るほど増加するものである。また、この探針の接触不良
によるテスト不成功はその原因をつきとめる事が困難で
ありＰ／Ｗテストに多大の時間を要するという欠点があ
った。
るほど増加するものである。また、この探針の接触不良
によるテスト不成功はその原因をつきとめる事が困難で
ありＰ／Ｗテストに多大の時間を要するという欠点があ
った。
本発明の目的は、上述した従来の欠点に鑑みなされたも
ので、被試験ウェハーと探針との接触を確実なものとし
、半導体ウェハーの欠陥のみを検出することの出来るプ
ローバ装置を提供することにある。
ので、被試験ウェハーと探針との接触を確実なものとし
、半導体ウェハーの欠陥のみを検出することの出来るプ
ローバ装置を提供することにある。
本発明に係るブローバ装置は、水平・垂直方向に微動可
能で被試験半導体ウェハーを固定するステージと、この
ステージに装着された超音波振動子と、これを励振する
超音波発振器と、探針と、探針に装着した超音波ピック
・アップと、このビック・アップからの出力信号を増幅
し超音波信号を検出する検出回路と、複数の検出回路の
出力信号の論理積を得るアンド回路とを有し、それぞれ
の探針に確実にウェハーを接触させる。このため、探針
の接触不良に起因するテストの不成功を未然に防止する
ことができる。
能で被試験半導体ウェハーを固定するステージと、この
ステージに装着された超音波振動子と、これを励振する
超音波発振器と、探針と、探針に装着した超音波ピック
・アップと、このビック・アップからの出力信号を増幅
し超音波信号を検出する検出回路と、複数の検出回路の
出力信号の論理積を得るアンド回路とを有し、それぞれ
の探針に確実にウェハーを接触させる。このため、探針
の接触不良に起因するテストの不成功を未然に防止する
ことができる。
以下本発明の一実施例を添付図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
同図において、ブローバ装置は、被試験ウェハー１の載
置されるステージ２と、このステージ２を振動させる超
音波振動子３とこの超音波振動子３を励振する超音波発
振器４と、探針５．６と、この探針にそれぞれ装着され
た超音波ピックアップ８．９と、この超音波ピックアッ
プと接続された検出回路９，１０と、検出回路と接続さ
れた論理量の１つであるアンド回路１１等から構成され
ている。また、探針７，８は図示しない測定装置あるい
はＩＣテスタ等に接続されておりＬＳＩチップの特性を
測定する。一方、アンド回路１１は図外の測定装置ある
いはＩＣテスタ等に接続され全ての探針が被試験ウェハ
ー１に正しく接触しているか否かを検出し、正しく接触
している場合のみ信号を発生する。
置されるステージ２と、このステージ２を振動させる超
音波振動子３とこの超音波振動子３を励振する超音波発
振器４と、探針５．６と、この探針にそれぞれ装着され
た超音波ピックアップ８．９と、この超音波ピックアッ
プと接続された検出回路９，１０と、検出回路と接続さ
れた論理量の１つであるアンド回路１１等から構成され
ている。また、探針７，８は図示しない測定装置あるい
はＩＣテスタ等に接続されておりＬＳＩチップの特性を
測定する。一方、アンド回路１１は図外の測定装置ある
いはＩＣテスタ等に接続され全ての探針が被試験ウェハ
ー１に正しく接触しているか否かを検出し、正しく接触
している場合のみ信号を発生する。
次に本実施例のプローバ装置の使用手順について説明す
る。まず、ステージ２の位置を探針５゜６の先端高さよ
り下げた状態で被試験ウェハー１をステージ２に図外の
クランプで固定する。この状態で超音波発振器４を起動
し超音波振動子３を励振して被試験ウェハー１に微妙な
超音波振動を与える。次にステージ２を上方向に移動さ
せ、予め位置ぎめされている被試験ウェハー１のパッド
に２本の探針５，６を近づけていく。ここで被試験ウェ
ハー１と探針５とが接触すると被試験ウェハー１の超音
波振動が探針５，６に伝わる。この超音波振動は探針５
．６に装着された超音波ピックアップ７．８によって電
気信号に変換されたのち増幅され検出回路９，１０によ
って探針の超音波振動の有無が判別される。
る。まず、ステージ２の位置を探針５゜６の先端高さよ
り下げた状態で被試験ウェハー１をステージ２に図外の
クランプで固定する。この状態で超音波発振器４を起動
し超音波振動子３を励振して被試験ウェハー１に微妙な
超音波振動を与える。次にステージ２を上方向に移動さ
せ、予め位置ぎめされている被試験ウェハー１のパッド
に２本の探針５，６を近づけていく。ここで被試験ウェ
ハー１と探針５とが接触すると被試験ウェハー１の超音
波振動が探針５，６に伝わる。この超音波振動は探針５
．６に装着された超音波ピックアップ７．８によって電
気信号に変換されたのち増幅され検出回路９，１０によ
って探針の超音波振動の有無が判別される。
超音波振動が有るということは探針が被試験ウェハー１
に接触しているということである。本実施例では検出回
路９と検出回路１０との論理積をアンド回路１１で作成
しており、探針５と探針６の双方が被試験ウェハー１に
接触した時初めてアンド回路１１からの出力を（与るこ
とができる。
に接触しているということである。本実施例では検出回
路９と検出回路１０との論理積をアンド回路１１で作成
しており、探針５と探針６の双方が被試験ウェハー１に
接触した時初めてアンド回路１１からの出力を（与るこ
とができる。
従って、このアンド回路１１からの出力があるときのみ
測定装置を操作すれば被試験ウェハーｌの良品選別を正
確に行うことができる。
測定装置を操作すれば被試験ウェハーｌの良品選別を正
確に行うことができる。
なお、以上の実施例においては探針が２本の場合につい
て説明したが本発明は、これに限ることなく複数の探針
、具体的には１０本以上であってもよい。
て説明したが本発明は、これに限ることなく複数の探針
、具体的には１０本以上であってもよい。
以上詳細に説明したように、本発明のブローバ装置は被
試験ウェハーに微少な超音波振動を与え、これを探針に
装着した超音波ピックアップを用いて検出し、複数の探
針から得られた複数の検出出力の論理積をアンド回路に
より求めることにより複数の探針と被試験ウェハーとの
接触を確実なものとすることができる。従って、ウェハ
ーの検査を能率的に行うことができる。また、ウェハー
は正常であるにもかかわらす探針との接触不良でテスト
が不成功となることもない。
試験ウェハーに微少な超音波振動を与え、これを探針に
装着した超音波ピックアップを用いて検出し、複数の探
針から得られた複数の検出出力の論理積をアンド回路に
より求めることにより複数の探針と被試験ウェハーとの
接触を確実なものとすることができる。従って、ウェハ
ーの検査を能率的に行うことができる。また、ウェハー
は正常であるにもかかわらす探針との接触不良でテスト
が不成功となることもない。
図は本発明の一実施例を示すプローバ装置の機器構成図
である。 １・・・・・・被試験ウェハー、 ２・・・・・・ステージ、 ３・・・・・・超音波振動子、 ４・・・・・・超音波発振器、 ５．６・・・・・・探針、 ７．８・・・・・・超音波ピックアップ、９．１０・・
・・・・検出回路、 １１・・・・・・アンド回路
である。 １・・・・・・被試験ウェハー、 ２・・・・・・ステージ、 ３・・・・・・超音波振動子、 ４・・・・・・超音波発振器、 ５．６・・・・・・探針、 ７．８・・・・・・超音波ピックアップ、９．１０・・
・・・・検出回路、 １１・・・・・・アンド回路
Claims (1)
- 水平および垂直方向に微動可能で被試験半導体ウェハ
ーを固定載置するステージと、このステージに装着され
た超音波振動子と、この超音波振動子を励振する超音波
発振器と、前記半導体ウェハーと接触させる複数の探針
と、これらの探針に装着された超音波ピック・アップと
、この超音波ピック・アップの検出した信号を増幅し超
音波信号を検出する検出回路と、複数の検出回路の出力
信号の論理積を得る論理回路とからなることを特徴とす
るプローバ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328291A JPH01171236A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | プローバ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328291A JPH01171236A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | プローバ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171236A true JPH01171236A (ja) | 1989-07-06 |
Family
ID=18208589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62328291A Pending JPH01171236A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | プローバ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01171236A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119104880A (zh) * | 2024-09-26 | 2024-12-10 | 深圳米飞泰克科技股份有限公司 | 晶圆级超声波芯片的测试方法、测试装置及测试系统 |
-
1987
- 1987-12-26 JP JP62328291A patent/JPH01171236A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119104880A (zh) * | 2024-09-26 | 2024-12-10 | 深圳米飞泰克科技股份有限公司 | 晶圆级超声波芯片的测试方法、测试装置及测试系统 |
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