JPH01172930A - 反射型液晶表示デバイス - Google Patents
反射型液晶表示デバイスInfo
- Publication number
- JPH01172930A JPH01172930A JP62331905A JP33190587A JPH01172930A JP H01172930 A JPH01172930 A JP H01172930A JP 62331905 A JP62331905 A JP 62331905A JP 33190587 A JP33190587 A JP 33190587A JP H01172930 A JPH01172930 A JP H01172930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- reflective
- reflective liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プロジェクション表示デバイスに利用するア
クティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスに関する
ものである。
クティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスに関する
ものである。
従来の技術
近年、アクティブ素子を利用した液晶表示デバイスはポ
ケットテレビまたは情報端末として利用されるようにな
ってきた。
ケットテレビまたは情報端末として利用されるようにな
ってきた。
以下に従来の反射型液晶表示デバイスについて説明する
。
。
第３図は従来の反射型液晶表示デバイスの断面図であり
、１は絶縁基板、２は配線電極、３はスイッチング素子
、４は絶縁体層、５は反射画素型−極、６は液晶層、７
は対向共通電極、８は対向透明基板である。
、１は絶縁基板、２は配線電極、３はスイッチング素子
、４は絶縁体層、５は反射画素型−極、６は液晶層、７
は対向共通電極、８は対向透明基板である。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスについ
て、以下その動作について説明する。
て、以下その動作について説明する。
まず、スイッチング素子３がオン状態になると反射画素
電極５に電流が流れる。これにより、反射画素電極５と
対向共通電極７に挟まれた液晶層６に電圧が印加され、
液晶が動作する。このとき、表示を見やす（するための
光は対向透明電極側から照射され、反射画素電極５で入
射光は反射される。ここで、光は液晶層６を通る際に偏
光され、偏光されなかった画素との間にコントラストの
差が生じ、画像が得られる。
電極５に電流が流れる。これにより、反射画素電極５と
対向共通電極７に挟まれた液晶層６に電圧が印加され、
液晶が動作する。このとき、表示を見やす（するための
光は対向透明電極側から照射され、反射画素電極５で入
射光は反射される。ここで、光は液晶層６を通る際に偏
光され、偏光されなかった画素との間にコントラストの
差が生じ、画像が得られる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記従来の構成ではスイッチング素子３や
配線電極２の形状を反映して、反射画素電極５の表面形
状に凹凸が生じていたために、反射画素電極５と対向共
通電極７間の距離、言い替えると、液晶層６の厚みにバ
ラツキが生じ、こ些がデイスプレィ画面において画素間
の色むらの原因となっていた。この理由として、反射率
と液晶層の厚さとの関係は第２図のようであることが知
られている。たとえばソサイティー フォー インター
ナシラナル デイスプレィ”７７ ダイジェスト（ＳＯ
ＣＩＩ！ＴＶ ＦＯＲＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ｔ
ｌｌｓＰＬＡＹ’７７ ＤＩＧＦ、ＳＴ）これから解る
ように、ある波長λの入射光において液晶層の厚さによ
って透過率（反射率においても等価である）が変化し、
画素における輝度の差（色むら）となるためである、第
２図においては、液晶層の厚さが３．４μｍと６．０μ
ｍのときの特性曲線であるが、この間の厚さにおいても
特性曲線が変化することは当然予想される。
配線電極２の形状を反映して、反射画素電極５の表面形
状に凹凸が生じていたために、反射画素電極５と対向共
通電極７間の距離、言い替えると、液晶層６の厚みにバ
ラツキが生じ、こ些がデイスプレィ画面において画素間
の色むらの原因となっていた。この理由として、反射率
と液晶層の厚さとの関係は第２図のようであることが知
られている。たとえばソサイティー フォー インター
ナシラナル デイスプレィ”７７ ダイジェスト（ＳＯ
ＣＩＩ！ＴＶ ＦＯＲＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ｔ
ｌｌｓＰＬＡＹ’７７ ＤＩＧＦ、ＳＴ）これから解る
ように、ある波長λの入射光において液晶層の厚さによ
って透過率（反射率においても等価である）が変化し、
画素における輝度の差（色むら）となるためである、第
２図においては、液晶層の厚さが３．４μｍと６．０μ
ｍのときの特性曲線であるが、この間の厚さにおいても
特性曲線が変化することは当然予想される。
本発明は上記従来の問題点を解決するものでテ］、イス
プレイ画面の色むらを解消することができる反射型液晶
表示デバイスを提供することを目的と□ する。
プレイ画面の色むらを解消することができる反射型液晶
表示デバイスを提供することを目的と□ する。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の反射型液晶表示デバ
イスは、反射画素電極の液晶と接する面を研磨によって
平坦化された反射画素電極の構成を有している。
イスは、反射画素電極の液晶と接する面を研磨によって
平坦化された反射画素電極の構成を有している。
作用
この構成によって、液晶による偏光作用が反射 、画素
電極上および各反射画素電極間で一様となり、一画素上
および画素間で色むらのないデイスプレィ画面を実現す
ることができる。
電極上および各反射画素電極間で一様となり、一画素上
および画素間で色むらのないデイスプレィ画面を実現す
ることができる。
実施例
以下本発明の一実施例の反射型液晶表示デバイスについ
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第１１１は本発明の一実施例における反射型液晶表示デ
バイスの断面構造牽示すものである。第１図において、
１１は！ｌ！縁基板基板２は配線電極、１３はスイッチ
ング素子としてＴＰＴ、１４は絶縁体層、１５は表面粗
さが０．５μｍ以下に機械研磨により加工された反射画
素電極である。同時に、対向共通電極と各反射電極間の
距層の差が０．５μｍ以内に機械研磨加工されている。
バイスの断面構造牽示すものである。第１図において、
１１は！ｌ！縁基板基板２は配線電極、１３はスイッチ
ング素子としてＴＰＴ、１４は絶縁体層、１５は表面粗
さが０．５μｍ以下に機械研磨により加工された反射画
素電極である。同時に、対向共通電極と各反射電極間の
距層の差が０．５μｍ以内に機械研磨加工されている。
１６は第晶層、１７は対向共通電極として、スパッタに
＋り成膜されたＩＴＯであり、この表面は平滑である。
＋り成膜されたＩＴＯであり、この表面は平滑である。
１８は対向透明基板である。ここで、液晶の屈折率異方
性を０．１、入射光の波長を５００ｎｍに設定した。こ
のとき反射率を最小となる液晶−の厚みは５μｍとなる
が、この１０％を許容誤差範囲とした。
性を０．１、入射光の波長を５００ｎｍに設定した。こ
のとき反射率を最小となる液晶−の厚みは５μｍとなる
が、この１０％を許容誤差範囲とした。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスについ
て、その動作は従来例の動作と同様である。
て、その動作は従来例の動作と同様である。
以上のように本実施例によれば、反射画素電極を平坦化
し、液晶層の厚さを一様にすることにより色むらのない
十分な特性を持つ画像を表示できる。
し、液晶層の厚さを一様にすることにより色むらのない
十分な特性を持つ画像を表示できる。
また、反射画素電極の液晶との接する興を平滑にするこ
とにより、入射光の反射（反射率）を増すことができる
。
とにより、入射光の反射（反射率）を増すことができる
。
、なお、反射画素電極の研摩を機械研磨で行ったが化学
研磨、スパッタリング等の研磨で行ってもよい。
研磨、スパッタリング等の研磨で行ってもよい。
発明の効果
以上のように本発明は反射型液晶表示デバイスにおいて
、反射画素電極の液晶と接する面を研磨により平坦化す
ることにより液晶層の厚みのバラツキを軽減し、これに
よって、ｒｉ素間の色むらを軽減でき、さらに、反射画
素電極表面を平滑にすることにより、反射率を向上し、
高輝度のデイスプレィ画面を得る。ことができる優れた
反射型液晶表示デバイスを実現できるものである。
、反射画素電極の液晶と接する面を研磨により平坦化す
ることにより液晶層の厚みのバラツキを軽減し、これに
よって、ｒｉ素間の色むらを軽減でき、さらに、反射画
素電極表面を平滑にすることにより、反射率を向上し、
高輝度のデイスプレィ画面を得る。ことができる優れた
反射型液晶表示デバイスを実現できるものである。
第１図は本発明一実施例に、おける反射型液晶表示デバ
イスの断面図、第２図は反射率特性曲線図、第３図は従
来の反射型液晶表示デバイスを示す断面図である。 １１・・・・・・絶縁基板、１２・・・・・・配線電極
、１３・・・・・・ＴＦＴ、１４・・・・・・絶縁体層
、１５・・・・・・反射画素電極、１６・・・・・・液
晶層、１７・・・・・・対向共通電極、１８・・・・・
・対向透明基板。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名ｆ１・−絶
縁基板 １５−−一反奔顔ｎ垂第 ２２１ 実効電圧（Ｖ）
イスの断面図、第２図は反射率特性曲線図、第３図は従
来の反射型液晶表示デバイスを示す断面図である。 １１・・・・・・絶縁基板、１２・・・・・・配線電極
、１３・・・・・・ＴＦＴ、１４・・・・・・絶縁体層
、１５・・・・・・反射画素電極、１６・・・・・・液
晶層、１７・・・・・・対向共通電極、１８・・・・・
・対向透明基板。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名ｆ１・−絶
縁基板 １５−−一反奔顔ｎ垂第 ２２１ 実効電圧（Ｖ）
Claims (4)
- （１）スイッチング素子を有した反射型液晶表示デバイ
スにおいて、反射画素電極の液晶と接する面を研磨によ
り平坦化された反射画素電極で構成されていることを特
徴とする反射型液晶表示デバイス。 - （２）各表示画素に補助容量が形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の反射型液晶表示デ
バイス。 - （３）スイッチング素子が薄膜トランジスタ、ダイオー
ド、非線形素子で形成されていることを特徴とする反射
型液晶表示デバイス。 - （４）スイッチング素子が各画素に複数形成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の反射型液
晶表示デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331905A JPH01172930A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 反射型液晶表示デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331905A JPH01172930A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 反射型液晶表示デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01172930A true JPH01172930A (ja) | 1989-07-07 |
Family
ID=18248943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62331905A Pending JPH01172930A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 反射型液晶表示デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01172930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000214490A (ja) * | 1990-12-29 | 2000-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | テレビ受像機 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683781A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Image display unit and production thereof |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62331905A patent/JPH01172930A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683781A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Image display unit and production thereof |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000214490A (ja) * | 1990-12-29 | 2000-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | テレビ受像機 |
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