JPH06235940A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射型液晶表示装置の開口率を向上し、表示
品位を向上する。 【構成】 基板１１表面１１ａには第１の導電体層１２
が帯状に形成され、さらにその表面に絶縁体層１３が形
成される。絶縁体層１３上には、第２の導電体層１４が
形成される。第１の導電体層１２、絶縁体層１３および
第２の導電体層１４は、いわゆるＭＩＭ素子であり、第
１の導電体層１２は信号配線でもある。また、第２の導
電体層１４は反射板および画素電極でもある。このよう
な基板１１は、帯状の対向電極が形成された基板と二色
性色素を含む液晶層、または液晶を分散した高分子樹脂
層を介して配置される。したがって、開口率が向上し、
表示品位が向上する。
品位を向上する。 【構成】 基板１１表面１１ａには第１の導電体層１２
が帯状に形成され、さらにその表面に絶縁体層１３が形
成される。絶縁体層１３上には、第２の導電体層１４が
形成される。第１の導電体層１２、絶縁体層１３および
第２の導電体層１４は、いわゆるＭＩＭ素子であり、第
１の導電体層１２は信号配線でもある。また、第２の導
電体層１４は反射板および画素電極でもある。このよう
な基板１１は、帯状の対向電極が形成された基板と二色
性色素を含む液晶層、または液晶を分散した高分子樹脂
層を介して配置される。したがって、開口率が向上し、
表示品位が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射型液晶表示装置に
関し、特にＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal)素子を有す
る反射型液晶表示装置に関する。
関し、特にＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal)素子を有す
る反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
型パーソナルコンピュータ、携行用テレビなどへの液晶
表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表示
装置の中でも外部から入射した光を反射させて表示を行
なう反射型液晶表示装置は、バックライトが不要であ
り、消費電力が低く、かつ薄型、軽量化が可能となるの
で、注目されている。
型パーソナルコンピュータ、携行用テレビなどへの液晶
表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表示
装置の中でも外部から入射した光を反射させて表示を行
なう反射型液晶表示装置は、バックライトが不要であ
り、消費電力が低く、かつ薄型、軽量化が可能となるの
で、注目されている。
【０００３】従来、反射型液晶表示装置にはＴＮ(Twist
ed Nematic）方式、ならびにＳＴＮ(Super Twisted Nem
atic）方式が用いられているけれども、これらの方式で
は偏光板によって入射光の光強度の３／４が遮断されて
しまうので、表示が暗くなるという問題がある。
ed Nematic）方式、ならびにＳＴＮ(Super Twisted Nem
atic）方式が用いられているけれども、これらの方式で
は偏光板によって入射光の光強度の３／４が遮断されて
しまうので、表示が暗くなるという問題がある。
【０００４】このような問題に対して、偏光板を用いず
入射光の全ての光線を有効に利用しようとする表示モー
ドが提案されている。このような表示モードの例とし
て、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる。この相
転移型ゲスト・ホスト方式の表示装置は、たとえばＤ．
Ｌ．Ｗｈｉｔｅ ａｎｄ Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ：Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４５ ４７１２ １９７４に開示
されている。このモードは、電界によるコレステリック
・ネマティック相転移現象を利用したものである。さら
に、この方式を応用したマイクロカラーディスプレイが
Ｔｏｈｒｕ Ｋｏｉｚｕｍｉ ａｎｄ Ｔａｔｓｕｏ
Ｕｃｈｉｄａ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ｔｈｅ
ＳＩＤ，Ｖｏｌ． ２９／２，１５７，１９８８に提案
されている。
入射光の全ての光線を有効に利用しようとする表示モー
ドが提案されている。このような表示モードの例とし
て、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる。この相
転移型ゲスト・ホスト方式の表示装置は、たとえばＤ．
Ｌ．Ｗｈｉｔｅ ａｎｄ Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ：Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４５ ４７１２ １９７４に開示
されている。このモードは、電界によるコレステリック
・ネマティック相転移現象を利用したものである。さら
に、この方式を応用したマイクロカラーディスプレイが
Ｔｏｈｒｕ Ｋｏｉｚｕｍｉ ａｎｄ Ｔａｔｓｕｏ
Ｕｃｈｉｄａ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ｔｈｅ
ＳＩＤ，Ｖｏｌ． ２９／２，１５７，１９８８に提案
されている。
【０００５】また、前記ＴＮ方式では、装置の大型化や
生産コストの面から望まれる電圧平均化法によるマルチ
プレクス駆動を行うと、充分なコントラストが得られな
いので、非線形素子、すなわちＴＦＴ（Thin Film Tran
sistor）素子などの三端子素子や、ダイオード素子およ
びＭＩＭ素子などの二端子素子を用いたアクティブ駆動
が実施される。特に、三端子素子に比べて開口率、すな
わち表示画面面積に対する実能動画面面積の割合が大き
い二端子素子が好適に用いられる。
生産コストの面から望まれる電圧平均化法によるマルチ
プレクス駆動を行うと、充分なコントラストが得られな
いので、非線形素子、すなわちＴＦＴ（Thin Film Tran
sistor）素子などの三端子素子や、ダイオード素子およ
びＭＩＭ素子などの二端子素子を用いたアクティブ駆動
が実施される。特に、三端子素子に比べて開口率、すな
わち表示画面面積に対する実能動画面面積の割合が大き
い二端子素子が好適に用いられる。
【０００６】図１３は、従来のＭＩＭ素子４を用いた表
示装置の１画素を示す平面図である。１画素は、ガラス
基板１上に形成された表示に機能する画素電極２と、表
示に機能しない信号配線３およびＭＩＭ素子４とで構成
される。図１３の斜線で示されるＭＩＭ素子４は、画素
電極２と信号配線３とを接続する二端子素子の非線形ス
イッチング素子である。
示装置の１画素を示す平面図である。１画素は、ガラス
基板１上に形成された表示に機能する画素電極２と、表
示に機能しない信号配線３およびＭＩＭ素子４とで構成
される。図１３の斜線で示されるＭＩＭ素子４は、画素
電極２と信号配線３とを接続する二端子素子の非線形ス
イッチング素子である。
【０００７】図１４は、図１３に示されるＭＩＭ素子４
を切断面線Ａ−Ａで切断したときの断面図である。ＭＩ
Ｍ素子４は、ガラス基板１上に形成された信号配線３の
一部分である下部電極３ａと絶縁体５と上部電極６とか
ら構成される。下部電極３ａ上には絶縁体５が形成さ
れ、さらに絶縁体５上には上部電極６が形成される。上
部電極６の一部を含むガラス基板１上には前記画素電極
２が形成される。このようなＭＩＭ素子４が複数の画素
にそれぞれ設けられたガラス基板１は、液晶層を介して
対向電極が形成された対向基板と貼合わせられる。
を切断面線Ａ−Ａで切断したときの断面図である。ＭＩ
Ｍ素子４は、ガラス基板１上に形成された信号配線３の
一部分である下部電極３ａと絶縁体５と上部電極６とか
ら構成される。下部電極３ａ上には絶縁体５が形成さ
れ、さらに絶縁体５上には上部電極６が形成される。上
部電極６の一部を含むガラス基板１上には前記画素電極
２が形成される。このようなＭＩＭ素子４が複数の画素
にそれぞれ設けられたガラス基板１は、液晶層を介して
対向電極が形成された対向基板と貼合わせられる。
【０００８】一般に、前記下部電極３ａとしてタンタル
（Ｔａ）を用い、絶縁体５として酸化タンタル（ＴａＯ
x）を用い、上部電極６としてクロム（Ｃｒ）、チタン
（Ｔｉ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）を用いたＭＩＭ
素子がよく知られている。このようなＭＩＭ素子を用い
た表示装置は、たとえば特開平３−３５２２３、特開平
３−４１４２０、特開平２−３０８１３８、特開平２−
３０４５３４、特開平３−１４９５２６、特開平２−８
３５３８、特開平３−２９６０２４、特開平４−１１４
１３２に開示されている。
（Ｔａ）を用い、絶縁体５として酸化タンタル（ＴａＯ
x）を用い、上部電極６としてクロム（Ｃｒ）、チタン
（Ｔｉ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）を用いたＭＩＭ
素子がよく知られている。このようなＭＩＭ素子を用い
た表示装置は、たとえば特開平３−３５２２３、特開平
３−４１４２０、特開平２−３０８１３８、特開平２−
３０４５３４、特開平３−１４９５２６、特開平２−８
３５３８、特開平３−２９６０２４、特開平４−１１４
１３２に開示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述したＭＩＭ素子４
を用いた表示装置の１画素において、画面表示に機能す
る実能動領域は、上部電極６との重なり部分を除く画素
電極２の形成領域である。また、画面表示に機能しない
非能動領域は、前記実能動領域以外の領域であり、信号
配線３、画素電極２と信号配線３との隙間、および隣接
する画素電極２の隙間などである。この場合、前述した
開口率は、７０％〜５０％となる。
を用いた表示装置の１画素において、画面表示に機能す
る実能動領域は、上部電極６との重なり部分を除く画素
電極２の形成領域である。また、画面表示に機能しない
非能動領域は、前記実能動領域以外の領域であり、信号
配線３、画素電極２と信号配線３との隙間、および隣接
する画素電極２の隙間などである。この場合、前述した
開口率は、７０％〜５０％となる。
【００１０】近年、液晶表示装置の高精細化に伴って画
素数の高密度化が要求されている。これによって、前記
開口率が低下して暗くなり、表示品位が低下するという
問題が生じる。
素数の高密度化が要求されている。これによって、前記
開口率が低下して暗くなり、表示品位が低下するという
問題が生じる。
【００１１】本発明の目的は、開口率を向上し、表示品
位が向上した反射型液晶表示装置を提供することであ
る。
位が向上した反射型液晶表示装置を提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも一
方が透光性を有する一対の絶縁性基板間に介在される二
色性色素を含むネマティック液晶層ないしコレステリッ
ク液晶層、または液晶を分散させた高分子樹脂層と、前
記一対の絶縁性基板のうち、透光性を有する一方基板の
他方基板側表面に間隔をあけて帯状に形成される複数の
共通電極と、前記一対の絶縁性基板のうち、他方基板の
一方基板側表面に、前記共通電極と直交する方向に間隔
をあけて帯状に形成される複数の第１の導電体と、前記
複数の第１の導電体上にそれぞれ形成される帯状の絶縁
体と、前記絶縁体上であって、前記共通電極と重なる領
域に形成される、反射性を有する第２の導電体とを含む
ことを特徴とする反射型液晶表示装置である。
方が透光性を有する一対の絶縁性基板間に介在される二
色性色素を含むネマティック液晶層ないしコレステリッ
ク液晶層、または液晶を分散させた高分子樹脂層と、前
記一対の絶縁性基板のうち、透光性を有する一方基板の
他方基板側表面に間隔をあけて帯状に形成される複数の
共通電極と、前記一対の絶縁性基板のうち、他方基板の
一方基板側表面に、前記共通電極と直交する方向に間隔
をあけて帯状に形成される複数の第１の導電体と、前記
複数の第１の導電体上にそれぞれ形成される帯状の絶縁
体と、前記絶縁体上であって、前記共通電極と重なる領
域に形成される、反射性を有する第２の導電体とを含む
ことを特徴とする反射型液晶表示装置である。
【００１３】
【作用】本発明に従えば、一対の絶縁性基板のうち、透
光性を有する一方基板上には複数の共通電極が間隔をあ
けて帯状に形成される。また、前記一対の絶縁性基板の
うち、他方基板上には複数の第１導電体と絶縁体とがこ
の順に、前記共通電極と直交する方向に間隔をあけて帯
状に形成される。さらに、前記絶縁体上の前記共通電極
と重なる領域には、反射性を有する第２の導電体が形成
される。共通電極が形成された基板と、第１の導電体、
絶縁体および第２の導電体が形成された基板とは、二色
性色素を含むネマティック液晶層ないしコレステリック
液晶層、または液晶を分散させた高分子樹脂層を介して
配置される。
光性を有する一方基板上には複数の共通電極が間隔をあ
けて帯状に形成される。また、前記一対の絶縁性基板の
うち、他方基板上には複数の第１導電体と絶縁体とがこ
の順に、前記共通電極と直交する方向に間隔をあけて帯
状に形成される。さらに、前記絶縁体上の前記共通電極
と重なる領域には、反射性を有する第２の導電体が形成
される。共通電極が形成された基板と、第１の導電体、
絶縁体および第２の導電体が形成された基板とは、二色
性色素を含むネマティック液晶層ないしコレステリック
液晶層、または液晶を分散させた高分子樹脂層を介して
配置される。
【００１４】前記第１の導電体、絶縁体および第２の導
電体は、いわゆるＭＩＭ素子と称される非線形素子を構
成する。また、前記第１の導電体は信号配線としても機
能し、第２の導電体は画素電極および反射板としても機
能する。
電体は、いわゆるＭＩＭ素子と称される非線形素子を構
成する。また、前記第１の導電体は信号配線としても機
能し、第２の導電体は画素電極および反射板としても機
能する。
【００１５】たとえば、透光性を有する一方基板と他方
基板との間に二色性色素を含むネマティック液晶層ない
しコレステリック液晶層を介在した場合、前記液晶層の
液晶分子の配向状態は、共通電極と画素電極である第２
の導電体との間に電圧を印加／無印加することによって
制御される。また、二色性色素の配向状態は、二色性色
素の色素分子が液晶分子に沿って配向する性質を有する
ので、同様に制御される。したがって、一方基板側から
入射した光は、電圧印加時には液晶層を通過して反射性
を有する第２の導電体で反射し、再び液晶層を通過して
出射する。これは、液晶分子および二色性色素が、基板
表面に対してほぼ垂直方向に配列し、入射光が吸収され
ないからである。
基板との間に二色性色素を含むネマティック液晶層ない
しコレステリック液晶層を介在した場合、前記液晶層の
液晶分子の配向状態は、共通電極と画素電極である第２
の導電体との間に電圧を印加／無印加することによって
制御される。また、二色性色素の配向状態は、二色性色
素の色素分子が液晶分子に沿って配向する性質を有する
ので、同様に制御される。したがって、一方基板側から
入射した光は、電圧印加時には液晶層を通過して反射性
を有する第２の導電体で反射し、再び液晶層を通過して
出射する。これは、液晶分子および二色性色素が、基板
表面に対してほぼ垂直方向に配列し、入射光が吸収され
ないからである。
【００１６】また、電圧無印加時には、一方基板側から
入射した光は、遮断される。これは、液晶分子および二
色性色素が不規則に配列し、入射光が二色性色素に吸収
されるからである。
入射した光は、遮断される。これは、液晶分子および二
色性色素が不規則に配列し、入射光が二色性色素に吸収
されるからである。
【００１７】このようにして入射光を透過および反射す
ることによる明るい表示（白表示）と、入射光を遮断す
ることによる暗い表示（黒表示）とが行われる。また、
液晶層に代わって高分子樹脂層を用いた場合において
も、電圧を印加／無印加することによって分散させた液
晶層の配向状態を制御することができるので表示を行う
ことができる。
ることによる明るい表示（白表示）と、入射光を遮断す
ることによる暗い表示（黒表示）とが行われる。また、
液晶層に代わって高分子樹脂層を用いた場合において
も、電圧を印加／無印加することによって分散させた液
晶層の配向状態を制御することができるので表示を行う
ことができる。
【００１８】第１の導電体、絶縁体および第２の導電体
から成る、いわゆるＭＩＭ素子の第１の導電体が信号配
線とされ、第２の導電体が画素電極および反射板とさ
れ、第１の導電体上に絶縁体と第２の導電体とが形成さ
れるので、従来の画面表示に機能しない非能動部分であ
る信号配線のみのための場所が不要となる。また、ＭＩ
Ｍ素子のみのための場所も不要となる。このため、画素
間隔を狭くすることができ、かつ画素面積を大きくする
ことができるので、開口率が向上する。したがって、周
囲光を利用する反射型液晶表示装置であっても、明るい
表示が実現され、表示品位が向上する。また、偏光板を
必要としない表示モードであるので、偏光板による入射
光の吸収がなく、表示が明るくなる。
から成る、いわゆるＭＩＭ素子の第１の導電体が信号配
線とされ、第２の導電体が画素電極および反射板とさ
れ、第１の導電体上に絶縁体と第２の導電体とが形成さ
れるので、従来の画面表示に機能しない非能動部分であ
る信号配線のみのための場所が不要となる。また、ＭＩ
Ｍ素子のみのための場所も不要となる。このため、画素
間隔を狭くすることができ、かつ画素面積を大きくする
ことができるので、開口率が向上する。したがって、周
囲光を利用する反射型液晶表示装置であっても、明るい
表示が実現され、表示品位が向上する。また、偏光板を
必要としない表示モードであるので、偏光板による入射
光の吸収がなく、表示が明るくなる。
【００１９】
【実施例】図１は、本発明の第１の実施例である反射型
液晶表示装置２２におけるＭＩＭ素子の構造を示す断面
斜視図であり、図２は、前記ＭＩＭ素子が形成された基
板１１の平面図である。ここで図１（１）は切断面線Ｃ
−Ｃで切断したときの断面斜視図であり、図１（２）は
切断面線Ｂ−Ｂで切断したときの断面斜視図である。
液晶表示装置２２におけるＭＩＭ素子の構造を示す断面
斜視図であり、図２は、前記ＭＩＭ素子が形成された基
板１１の平面図である。ここで図１（１）は切断面線Ｃ
−Ｃで切断したときの断面斜視図であり、図１（２）は
切断面線Ｂ−Ｂで切断したときの断面斜視図である。
【００２０】反射型液晶表示装置２２におけるＭＩＭ素
子は、第１の導電体層１２、絶縁体層１３および第２の
導電体層１４から成る。絶縁性基板１１の表面１１ａに
は、複数の第１の導電体層１２が間隔をあけて帯状に形
成される。この導電体層１２は、たとえばタンタル（Ｔ
ａ）で実現され、その比抵抗が６０μΩ・ｃｍ〜１００
μΩ・ｃｍ、好ましくは８０μΩ・ｃｍとされ、膜厚が
１０００Å〜３０００Å、好ましくは１５００Å以下と
され、さらに誘電率が２１．５以下とされる。前記複数
の帯状の導電体層１２上には、絶縁体層１３がそれぞれ
形成される。この絶縁体層１３は、たとえば酸化タンタ
ル（ＴａＯx）で実現され、膜厚は２００Å〜４００Å
とされる。前記絶縁体層１３上には、第２の導電体層１
４が後述する基板１６に形成される透明電極１８と重な
る領域に形成される。この導電体層１４は反射性を有
し、たとえばアルミニウム（Ａｌ）で実現され、膜厚が
５００Å〜３０００Å、好ましくは２０００Åとされ
る。
子は、第１の導電体層１２、絶縁体層１３および第２の
導電体層１４から成る。絶縁性基板１１の表面１１ａに
は、複数の第１の導電体層１２が間隔をあけて帯状に形
成される。この導電体層１２は、たとえばタンタル（Ｔ
ａ）で実現され、その比抵抗が６０μΩ・ｃｍ〜１００
μΩ・ｃｍ、好ましくは８０μΩ・ｃｍとされ、膜厚が
１０００Å〜３０００Å、好ましくは１５００Å以下と
され、さらに誘電率が２１．５以下とされる。前記複数
の帯状の導電体層１２上には、絶縁体層１３がそれぞれ
形成される。この絶縁体層１３は、たとえば酸化タンタ
ル（ＴａＯx）で実現され、膜厚は２００Å〜４００Å
とされる。前記絶縁体層１３上には、第２の導電体層１
４が後述する基板１６に形成される透明電極１８と重な
る領域に形成される。この導電体層１４は反射性を有
し、たとえばアルミニウム（Ａｌ）で実現され、膜厚が
５００Å〜３０００Å、好ましくは２０００Åとされ
る。
【００２１】前記第１の導電体層１２はＭＩＭ素子の下
部電極であるとともに信号配線でもあり、前記第２の導
電体層１４はＭＩＭ素子の上部電極であるとともに画素
電極および反射板でもある。このように、本実施例の反
射型液晶表示装置２２では、信号配線上に絶縁体層１３
を介して画素電極が形成され、信号配線、絶縁体層１３
および画素電極はＭＩＭ素子でもある。このため、従来
の信号配線のみのための場所が不要となり、またＭＩＭ
素子のみのための場所が不要となるので、画素間隔を狭
くすることができ、かつ画素面積を大きくすることがで
き、開口率が向上する。本実施例の反射型液晶表示装置
２２では、開口率が９７％程度まで向上した。
部電極であるとともに信号配線でもあり、前記第２の導
電体層１４はＭＩＭ素子の上部電極であるとともに画素
電極および反射板でもある。このように、本実施例の反
射型液晶表示装置２２では、信号配線上に絶縁体層１３
を介して画素電極が形成され、信号配線、絶縁体層１３
および画素電極はＭＩＭ素子でもある。このため、従来
の信号配線のみのための場所が不要となり、またＭＩＭ
素子のみのための場所が不要となるので、画素間隔を狭
くすることができ、かつ画素面積を大きくすることがで
き、開口率が向上する。本実施例の反射型液晶表示装置
２２では、開口率が９７％程度まで向上した。
【００２２】図３は、本発明の第１の実施例である反射
型液晶表示装置２２の構成を示す断面図である。反射型
液晶表示装置２２は、絶縁性基板１１，１６、第１の導
電体層１２、絶縁体層１３、第２の導電体層１４、保護
膜１５，１９、カラーフィルタ１７、透明電極１８およ
び液晶層２０を含んで構成される。本実施例の反射型液
晶表示装置２２は、偏光板を使用しない、いわゆるホワ
イトテーラ型表示モードの表示装置である。
型液晶表示装置２２の構成を示す断面図である。反射型
液晶表示装置２２は、絶縁性基板１１，１６、第１の導
電体層１２、絶縁体層１３、第２の導電体層１４、保護
膜１５，１９、カラーフィルタ１７、透明電極１８およ
び液晶層２０を含んで構成される。本実施例の反射型液
晶表示装置２２は、偏光板を使用しない、いわゆるホワ
イトテーラ型表示モードの表示装置である。
【００２３】絶縁性基板１１の表面１１ａ上には前述し
たように第１の導電体層１２、絶縁体層１３、第２の導
電体層１４が形成され、さらにその表面には、平滑性を
向上するための保護膜１５が形成されている。この保護
膜１５は、ポリイミドなどを塗布した後、焼成すること
によって形成される。
たように第１の導電体層１２、絶縁体層１３、第２の導
電体層１４が形成され、さらにその表面には、平滑性を
向上するための保護膜１５が形成されている。この保護
膜１５は、ポリイミドなどを塗布した後、焼成すること
によって形成される。
【００２４】一方、透光性材料、たとえばガラスで実現
される絶縁性基板１６の表面１６ａには、複数画素に対
応して形成されるマゼンタフィルタ１７ａ、シアンフィ
ルタ１７ｂおよびイエローフィルタ１７ｃで構成される
カラーフィルタ１７が、たとえば分散法、染色法、印刷
法、電着法によって形成される。カラーフィルタ１７の
複数の画素は、前記基板１１に形成された第２の導電体
層１４に対応して、それぞれ形成される。カラーフィル
タ１７上には、透明電極１８が図４に示すように間隔を
あけて帯状に、かつ前記第１の導電体層１２と直交する
方向に複数形成される。この透明電極１８は、たとえば
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で実現され、その厚さは１
０００Åとされる。さらに、透明電極１８上には平滑性
を向上するための保護膜１９が、前記保護膜１５と同様
にして形成される。
される絶縁性基板１６の表面１６ａには、複数画素に対
応して形成されるマゼンタフィルタ１７ａ、シアンフィ
ルタ１７ｂおよびイエローフィルタ１７ｃで構成される
カラーフィルタ１７が、たとえば分散法、染色法、印刷
法、電着法によって形成される。カラーフィルタ１７の
複数の画素は、前記基板１１に形成された第２の導電体
層１４に対応して、それぞれ形成される。カラーフィル
タ１７上には、透明電極１８が図４に示すように間隔を
あけて帯状に、かつ前記第１の導電体層１２と直交する
方向に複数形成される。この透明電極１８は、たとえば
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で実現され、その厚さは１
０００Åとされる。さらに、透明電極１８上には平滑性
を向上するための保護膜１９が、前記保護膜１５と同様
にして形成される。
【００２５】このような基板１１，１６は、たとえば黒
色色素で実現される二色性色素２１を混入したゲストホ
スト液晶（メルク社製 商品名 ＺＬＩ２３２７）に光
学活性剤（メルク社製 商品名 Ｓ８１１）を４．５％
混入したもので実現される液晶層２０を介して配置され
る。また、前記基板１１，１６は、たとえば直径が７μ
ｍのスペーサを混入した図示しない接着剤によって接着
されている。前記液晶層２０は、接着された基板１１，
１６を真空脱気した後、徐々に常圧に戻すことによって
注入される。前記液晶層２０は、光学活性剤を添加しな
いものであってもよく、この場合でも本実施例と同様の
表示を実施することができる。
色色素で実現される二色性色素２１を混入したゲストホ
スト液晶（メルク社製 商品名 ＺＬＩ２３２７）に光
学活性剤（メルク社製 商品名 Ｓ８１１）を４．５％
混入したもので実現される液晶層２０を介して配置され
る。また、前記基板１１，１６は、たとえば直径が７μ
ｍのスペーサを混入した図示しない接着剤によって接着
されている。前記液晶層２０は、接着された基板１１，
１６を真空脱気した後、徐々に常圧に戻すことによって
注入される。前記液晶層２０は、光学活性剤を添加しな
いものであってもよく、この場合でも本実施例と同様の
表示を実施することができる。
【００２６】図５は、前記ＭＩＭ素子を形成する手順を
段階的に示す断面図である。まず、図５（１）のように
基板１１の表面１１ａ全面に第１の導電体層１２がリア
クティブ方式スパッタリング法、あるいは焼結体ターゲ
ット方式スパッタリング法によって成膜される。さら
に、導電体層１２の表面が陽極酸化法あるいはスパッタ
法によって酸化され、絶縁体層１３が形成される。形成
された導電体層１２、絶縁体層１３は、フォトリソグラ
フィ法およびドライエッチング法によって同時に、図５
（２）に示すようにパターン形成される。
段階的に示す断面図である。まず、図５（１）のように
基板１１の表面１１ａ全面に第１の導電体層１２がリア
クティブ方式スパッタリング法、あるいは焼結体ターゲ
ット方式スパッタリング法によって成膜される。さら
に、導電体層１２の表面が陽極酸化法あるいはスパッタ
法によって酸化され、絶縁体層１３が形成される。形成
された導電体層１２、絶縁体層１３は、フォトリソグラ
フィ法およびドライエッチング法によって同時に、図５
（２）に示すようにパターン形成される。
【００２７】導電体層１２、絶縁体層１３のパターン形
成方法は、前記導電体層１２を成膜した後にウェットエ
ッチングあるいはドライエッチングによってパターン化
し、さらにたとえば陽極酸化法によって絶縁体層１３を
形成する方法であってもかまわない。続いて、パターン
形成された導電体層１２、絶縁体層１３を含む基板１１
の表面１１ａ全面に、第２の導電体層１４が図５（３）
に示すように成膜される。さらに、この導電体層１４が
フォトリソグラフィ法およびエッチング法によって図５
（４）に示すようにパターン形成される。
成方法は、前記導電体層１２を成膜した後にウェットエ
ッチングあるいはドライエッチングによってパターン化
し、さらにたとえば陽極酸化法によって絶縁体層１３を
形成する方法であってもかまわない。続いて、パターン
形成された導電体層１２、絶縁体層１３を含む基板１１
の表面１１ａ全面に、第２の導電体層１４が図５（３）
に示すように成膜される。さらに、この導電体層１４が
フォトリソグラフィ法およびエッチング法によって図５
（４）に示すようにパターン形成される。
【００２８】このような反射型液晶表示装置２２の信号
配線である第１の導電体層１２に電流を供給すると、Po
ole-Frenkel電流に従って第２の導電体層１４に電流が
流れる。透明電極１８と画素電極である第２の導電体層
１４との間が選択状態にある場合は両者間に電圧が印加
され、液晶分子２０ａおよび二色性色素２１が基板１
１，１６表面１１ａ，１６ａに対してほぼ垂直に配列す
る。このため、基板１６側から入射した光は液晶層２０
を通過して反射板である第２の導電体層１４で反射し、
再び液晶層２０を通過して出射する。
配線である第１の導電体層１２に電流を供給すると、Po
ole-Frenkel電流に従って第２の導電体層１４に電流が
流れる。透明電極１８と画素電極である第２の導電体層
１４との間が選択状態にある場合は両者間に電圧が印加
され、液晶分子２０ａおよび二色性色素２１が基板１
１，１６表面１１ａ，１６ａに対してほぼ垂直に配列す
る。このため、基板１６側から入射した光は液晶層２０
を通過して反射板である第２の導電体層１４で反射し、
再び液晶層２０を通過して出射する。
【００２９】一方、透明電極１８と画素電極である第２
の導電体層１４との間が非選択状態にある場合には電圧
が印加されず、液晶分子２０ａおよび二色性色素２１は
不規則に配列する。このため、基板１６側から入射した
光は二色性色素２１に吸収されて遮断される。このよう
にして入射光を透過および反射することによる表示と、
入射光を遮断することによる表示とが行われる。
の導電体層１４との間が非選択状態にある場合には電圧
が印加されず、液晶分子２０ａおよび二色性色素２１は
不規則に配列する。このため、基板１６側から入射した
光は二色性色素２１に吸収されて遮断される。このよう
にして入射光を透過および反射することによる表示と、
入射光を遮断することによる表示とが行われる。
【００３０】以上のように、第１の実施例によれば、第
１の導電体層１２と絶縁体層１３と第２の導電体層１４
とはＭＩＭ素子とされ、さらに信号配線としても機能す
る第１の導電体層１２上に画素電極および反射板として
も機能する第２の導電体層が形成されるので、従来の、
画面表示に機能しない非能動部分である信号配線のみの
ための場所やＭＩＭ素子のみのための場所が不要とな
る。このため、画素間隔を狭くすることができて画素面
積を大きくすることができるので、開口率が向上して、
表示が明るくなり、表示品位が向上する。
１の導電体層１２と絶縁体層１３と第２の導電体層１４
とはＭＩＭ素子とされ、さらに信号配線としても機能す
る第１の導電体層１２上に画素電極および反射板として
も機能する第２の導電体層が形成されるので、従来の、
画面表示に機能しない非能動部分である信号配線のみの
ための場所やＭＩＭ素子のみのための場所が不要とな
る。このため、画素間隔を狭くすることができて画素面
積を大きくすることができるので、開口率が向上して、
表示が明るくなり、表示品位が向上する。
【００３１】また、ホワイトテーラ型表示モードである
ので、偏光板が不要となり、表示がさらに明るくなる。
さらに、前記表示モードには、配向処理が不要、つまり
ラビング処理が不要となるので、ＭＩＭ素子の物理的破
壊および静電破壊が防止できるとともに、絶縁体層１３
の膜厚を薄くすることが可能となるので、スイッチング
性を向上することができる。
ので、偏光板が不要となり、表示がさらに明るくなる。
さらに、前記表示モードには、配向処理が不要、つまり
ラビング処理が不要となるので、ＭＩＭ素子の物理的破
壊および静電破壊が防止できるとともに、絶縁体層１３
の膜厚を薄くすることが可能となるので、スイッチング
性を向上することができる。
【００３２】図６は、本発明の第２の実施例である反射
型液晶表示装置３３におけるＭＩＭ素子の構造を示す断
面斜視図であり、図７は、ＭＩＭ素子が形成された基板
１１の平面図である。図６（１）は切断面線Ｅ−Ｅで切
断したときの断面斜視図であり、図６（２）は切断面線
Ｄ−Ｄで切断したときの断面斜視図である。第２の実施
例である反射型液晶表示装置３３のＭＩＭ素子は、前述
した第１の実施例のＭＩＭ素子とほぼ同じ構造を有する
が、絶縁体層１３と第２の導電体層１４との間に有機絶
縁体層３１が形成され、さらに有機絶縁体層３１にコン
タクトホール３２が形成されていることを特徴とする。
型液晶表示装置３３におけるＭＩＭ素子の構造を示す断
面斜視図であり、図７は、ＭＩＭ素子が形成された基板
１１の平面図である。図６（１）は切断面線Ｅ−Ｅで切
断したときの断面斜視図であり、図６（２）は切断面線
Ｄ−Ｄで切断したときの断面斜視図である。第２の実施
例である反射型液晶表示装置３３のＭＩＭ素子は、前述
した第１の実施例のＭＩＭ素子とほぼ同じ構造を有する
が、絶縁体層１３と第２の導電体層１４との間に有機絶
縁体層３１が形成され、さらに有機絶縁体層３１にコン
タクトホール３２が形成されていることを特徴とする。
【００３３】絶縁性基板１１の表面１１ａには、第１の
実施例と同様に第１の導電体層１２と絶縁体層１３とが
パターン形成される。さらに第１の導電体層１２と絶縁
体層１３とが形成された基板１１の表面１１ａには、そ
の全面に有機絶縁体層３１が形成される。この有機絶縁
体層３１は感光性樹脂であり、たとえばポリイミド樹脂
やアクリル樹脂で実現され、さらにその膜厚は０．５μ
ｍ〜３μｍ、好ましくは２μｍに形成される。本実施例
では、有機絶縁体層３１として２μｍの厚さを有するポ
リイミド樹脂を形成した。基板１１の表面１１ａ全面に
形成された有機絶縁体層３１は、後述するコンタクトホ
ール３２を形成するために、フォトリソグラフィ法およ
びドライエッチング法によってコンタクトホール３２と
なる領域が除去される。
実施例と同様に第１の導電体層１２と絶縁体層１３とが
パターン形成される。さらに第１の導電体層１２と絶縁
体層１３とが形成された基板１１の表面１１ａには、そ
の全面に有機絶縁体層３１が形成される。この有機絶縁
体層３１は感光性樹脂であり、たとえばポリイミド樹脂
やアクリル樹脂で実現され、さらにその膜厚は０．５μ
ｍ〜３μｍ、好ましくは２μｍに形成される。本実施例
では、有機絶縁体層３１として２μｍの厚さを有するポ
リイミド樹脂を形成した。基板１１の表面１１ａ全面に
形成された有機絶縁体層３１は、後述するコンタクトホ
ール３２を形成するために、フォトリソグラフィ法およ
びドライエッチング法によってコンタクトホール３２と
なる領域が除去される。
【００３４】有機絶縁体層３１の表面には、第１の実施
例と同様に第２の導電体層１４が形成される。第２の導
電体層１４と絶縁体層３１との接続は、有機絶縁体層３
１に形成されたコンタクトホール３２によって実現され
る。このコンタクトホール３２は、複数の導電体層１４
が形成される絶縁体層３１にそれぞれ形成され、かつ１
つのコンタクトホール３２の断面積が２μｍ2 〜１００
μｍ2、好ましくは２５μｍ2 となるように形成され
る。
例と同様に第２の導電体層１４が形成される。第２の導
電体層１４と絶縁体層３１との接続は、有機絶縁体層３
１に形成されたコンタクトホール３２によって実現され
る。このコンタクトホール３２は、複数の導電体層１４
が形成される絶縁体層３１にそれぞれ形成され、かつ１
つのコンタクトホール３２の断面積が２μｍ2 〜１００
μｍ2、好ましくは２５μｍ2 となるように形成され
る。
【００３５】本実施例のＭＩＭ素子も、第１の実施例と
同様に第１の導電体層１２、絶縁体層１３および第２の
導電体層１４から構成され、第１の導電体層１２は信号
配線でもあり、第２の導電体層１４は画素電極および反
射板でもある。このため、従来の信号配線のみのための
場所が不要となり、またＭＩＭ素子のみのための場所が
不要となるので、画素間隔を狭くすることができ、かつ
画素面積を大きくすることができ、開口率が向上する。
本実施例の反射型液晶表示装置３３では、開口率が第１
の実施例と同様に９７％程度まで向上した。
同様に第１の導電体層１２、絶縁体層１３および第２の
導電体層１４から構成され、第１の導電体層１２は信号
配線でもあり、第２の導電体層１４は画素電極および反
射板でもある。このため、従来の信号配線のみのための
場所が不要となり、またＭＩＭ素子のみのための場所が
不要となるので、画素間隔を狭くすることができ、かつ
画素面積を大きくすることができ、開口率が向上する。
本実施例の反射型液晶表示装置３３では、開口率が第１
の実施例と同様に９７％程度まで向上した。
【００３６】図８は、本発明の第２の実施例である反射
型液晶表示装置３３の構成を示す断面図である。絶縁性
基板１１の表面１１ａ上には、前述したように第１の導
電体層１２、絶縁体層１３、有機絶縁体層３１、第２の
導電体層１４が形成され、絶縁体層１３と第２の導電体
層１４とはコンタクトホール３２によって接続される。
また、その表面には保護膜１５が形成される。一方、絶
縁性基板１６の表面１６ａ上には、第１の実施例と同様
にカラーフィルタ１７、透明電極１８、および保護膜１
９がこの順に形成される。このような基板１１，１６の
表面１１ａ，１６ａは、第１の実施例と同様に液晶層２
０を介して接着される。
型液晶表示装置３３の構成を示す断面図である。絶縁性
基板１１の表面１１ａ上には、前述したように第１の導
電体層１２、絶縁体層１３、有機絶縁体層３１、第２の
導電体層１４が形成され、絶縁体層１３と第２の導電体
層１４とはコンタクトホール３２によって接続される。
また、その表面には保護膜１５が形成される。一方、絶
縁性基板１６の表面１６ａ上には、第１の実施例と同様
にカラーフィルタ１７、透明電極１８、および保護膜１
９がこの順に形成される。このような基板１１，１６の
表面１１ａ，１６ａは、第１の実施例と同様に液晶層２
０を介して接着される。
【００３７】このような反射型液晶表示装置３３の第１
の導電体層１２に電流を供給すると、Poole-Frenkel電
流に従って第２の導電体層１４に電流が流れる。このた
め、第１の実施例と同じようにして表示が実施され、同
様の効果が得られる。
の導電体層１２に電流を供給すると、Poole-Frenkel電
流に従って第２の導電体層１４に電流が流れる。このた
め、第１の実施例と同じようにして表示が実施され、同
様の効果が得られる。
【００３８】図９は、本発明の第３の実施例である反射
型液晶表示装置３４の構成を示す断面図である。反射型
液晶表示装置３４は、第２の実施例である反射型液晶表
示装置３３とほぼ同じように構成されるが、第２の導電
体層１４の表面に凹凸を形成したことを特徴とする。基
板１１の表面１１ａには、第２の実施例と同じようにし
て第１の導電体層１２、絶縁体層１３および有機絶縁体
層３１が形成される。有機絶縁体層３１の表面には、後
述する方法によって凹凸が形成される。凹凸が形成され
た有機絶縁体層３１上には第２の導電体層１４が形成さ
れるが、この第２の導電体層１４の膜厚は、５００Å〜
３０００Å、好ましくは２０００Åとされ、非常に薄い
ため、有機絶縁体層３１の表面に形成された凹凸が導電
体層１４の表面にも形成される。凹凸が形成された導電
体層１４の表面には、保護膜１５が形成される。このよ
うな基板１１は、第１および第２の実施例と同様に、カ
ラーフィルタ１７、透明電極１８、および保護膜１９が
この順に形成された基板１６と液晶層２０を介して接着
される。
型液晶表示装置３４の構成を示す断面図である。反射型
液晶表示装置３４は、第２の実施例である反射型液晶表
示装置３３とほぼ同じように構成されるが、第２の導電
体層１４の表面に凹凸を形成したことを特徴とする。基
板１１の表面１１ａには、第２の実施例と同じようにし
て第１の導電体層１２、絶縁体層１３および有機絶縁体
層３１が形成される。有機絶縁体層３１の表面には、後
述する方法によって凹凸が形成される。凹凸が形成され
た有機絶縁体層３１上には第２の導電体層１４が形成さ
れるが、この第２の導電体層１４の膜厚は、５００Å〜
３０００Å、好ましくは２０００Åとされ、非常に薄い
ため、有機絶縁体層３１の表面に形成された凹凸が導電
体層１４の表面にも形成される。凹凸が形成された導電
体層１４の表面には、保護膜１５が形成される。このよ
うな基板１１は、第１および第２の実施例と同様に、カ
ラーフィルタ１７、透明電極１８、および保護膜１９が
この順に形成された基板１６と液晶層２０を介して接着
される。
【００３９】図１０は、前記凹凸を形成する手順を段階
的に示す断面図である。まず、基板１１の表面１１ａ
に、図１０（１）に示すように第１の導電体層１２と絶
縁体層１３とがパターン形成され、さらに有機絶縁体層
３１がパターン形成される。有機絶縁体層３１が形成さ
れた基板１１の表面１１ａ上には、レジスト３５が全面
に形成される。このレジスト３５上には、図１１に示さ
れるようなマスク３６が配置され、露光および現像処理
される。マスク３６には、図１１の斜線で示される円形
の遮光領域３６ａが不規則に形成されている。この遮光
領域３６ａ以外の領域は、透光領域３６ｂである。パタ
ーン形成されたレジスト３５は、角をなくすために１２
０℃〜２５０℃の範囲の適当な温度で熱処理される。本
実施例では、２００℃で３０分間熱処理を行い、図１１
（２）に示されるように丸みを帯びたレジスト３５を得
た。
的に示す断面図である。まず、基板１１の表面１１ａ
に、図１０（１）に示すように第１の導電体層１２と絶
縁体層１３とがパターン形成され、さらに有機絶縁体層
３１がパターン形成される。有機絶縁体層３１が形成さ
れた基板１１の表面１１ａ上には、レジスト３５が全面
に形成される。このレジスト３５上には、図１１に示さ
れるようなマスク３６が配置され、露光および現像処理
される。マスク３６には、図１１の斜線で示される円形
の遮光領域３６ａが不規則に形成されている。この遮光
領域３６ａ以外の領域は、透光領域３６ｂである。パタ
ーン形成されたレジスト３５は、角をなくすために１２
０℃〜２５０℃の範囲の適当な温度で熱処理される。本
実施例では、２００℃で３０分間熱処理を行い、図１１
（２）に示されるように丸みを帯びたレジスト３５を得
た。
【００４０】続いて、前記レジスト３５に応じて有機絶
縁体層３１がエッチング処理され、凹凸が形成される。
有機絶縁体層３１の凸部３１ａと凹所３１ｂとの距離
Ｈ、すなわち凹凸の高さは、０．５μｍとなるように形
成される。また、前述したようにレジスト３５には熱処
理が施され、角が除去されているので、有機絶縁体層３
１に形成される凹凸も、図１１（３）に示されるように
角のない丸みを帯びたものとなる。前記凹凸の高さＨ
は、有機絶縁体層３１やコンタクトホール３２を確実に
形成するため、およびセル厚のバラツキを小さくするた
めに、一般的なセル厚である１０μｍ以下とすることが
望ましい。また凸部３１ａの形状は、マスク３６の形
状、レジスト３５の厚さ、エッチング処理の時間によっ
て制御される。
縁体層３１がエッチング処理され、凹凸が形成される。
有機絶縁体層３１の凸部３１ａと凹所３１ｂとの距離
Ｈ、すなわち凹凸の高さは、０．５μｍとなるように形
成される。また、前述したようにレジスト３５には熱処
理が施され、角が除去されているので、有機絶縁体層３
１に形成される凹凸も、図１１（３）に示されるように
角のない丸みを帯びたものとなる。前記凹凸の高さＨ
は、有機絶縁体層３１やコンタクトホール３２を確実に
形成するため、およびセル厚のバラツキを小さくするた
めに、一般的なセル厚である１０μｍ以下とすることが
望ましい。また凸部３１ａの形状は、マスク３６の形
状、レジスト３５の厚さ、エッチング処理の時間によっ
て制御される。
【００４１】凹凸が形成された有機絶縁体層３１上に
は、第１および第２の実施例と同様にして第２の導電体
層１４が形成される。この導電体層１４は、非常に薄い
ので、図１１（４）に示されるように前記凹凸が導電体
層１４の表面にも形成される。
は、第１および第２の実施例と同様にして第２の導電体
層１４が形成される。この導電体層１４は、非常に薄い
ので、図１１（４）に示されるように前記凹凸が導電体
層１４の表面にも形成される。
【００４２】図１２は、上述したような凹凸が形成され
た基板１１の平面図である。このように、第２の導電体
層１４に形成された複数の凸部１４ａと有機絶縁体層３
１形成された複数の凸部３１ａとが基板１１の表面に不
規則に形成される。
た基板１１の平面図である。このように、第２の導電体
層１４に形成された複数の凸部１４ａと有機絶縁体層３
１形成された複数の凸部３１ａとが基板１１の表面に不
規則に形成される。
【００４３】以上のように、本実施例における反射型液
晶表示装置３４では、第２の実施例と同じようにして表
示が実施され、第１および第２の実施例と同様の効果が
得られる。また、反射板である第２の導電体層１４の表
面に凹凸が形成され、入射光が散乱し、かつ表示画面に
対して垂直方向に散乱する光の強度が増加するので、輝
度およびコントラストが向上する。
晶表示装置３４では、第２の実施例と同じようにして表
示が実施され、第１および第２の実施例と同様の効果が
得られる。また、反射板である第２の導電体層１４の表
面に凹凸が形成され、入射光が散乱し、かつ表示画面に
対して垂直方向に散乱する光の強度が増加するので、輝
度およびコントラストが向上する。
【００４４】第１〜第３の実施例の表示装置２２，３
３，３４は、画素電極である第２の導電体層１４が反射
板の機能を備えた反射型の表示装置であるので、基板１
１の材料としては、たとえばプラスチック、セラミッ
ク、ガラス、および鉄板やアルミ箔など金属板を使用す
ることが可能である。ただし、金属板を使用する場合、
金属板全面あるいは金属板と第１の導電体層１２との間
に絶縁体材料から成る下地膜を設ける必要がある。
３，３４は、画素電極である第２の導電体層１４が反射
板の機能を備えた反射型の表示装置であるので、基板１
１の材料としては、たとえばプラスチック、セラミッ
ク、ガラス、および鉄板やアルミ箔など金属板を使用す
ることが可能である。ただし、金属板を使用する場合、
金属板全面あるいは金属板と第１の導電体層１２との間
に絶縁体材料から成る下地膜を設ける必要がある。
【００４５】なお、第１〜第３の実施例では、ホワイト
テーラ型の表示モードの例を説明したけれども、偏光板
を使用しない高分子分散型表示モードを用いる例も本発
明の範囲に属する。
テーラ型の表示モードの例を説明したけれども、偏光板
を使用しない高分子分散型表示モードを用いる例も本発
明の範囲に属する。
【００４６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１の導
電体、絶縁体および第２の導電体から成るＭＩＭ素子の
第１の導電体が信号配線として機能し、第２の導電体が
画素電極および反射板として機能するので、従来の信号
配線のみのための場所やＭＩＭ素子のみのための場所が
不要となる。したがって、画素間隔を狭くすることがで
き、画素面積を大きくすることが可能となるので、開口
率が向上し、表示が明るくなって表示品位が向上する。
また、偏光板を必要としない表示モードであるので、偏
光板による光の吸収がなくなり、表示が明るくなる。
電体、絶縁体および第２の導電体から成るＭＩＭ素子の
第１の導電体が信号配線として機能し、第２の導電体が
画素電極および反射板として機能するので、従来の信号
配線のみのための場所やＭＩＭ素子のみのための場所が
不要となる。したがって、画素間隔を狭くすることがで
き、画素面積を大きくすることが可能となるので、開口
率が向上し、表示が明るくなって表示品位が向上する。
また、偏光板を必要としない表示モードであるので、偏
光板による光の吸収がなくなり、表示が明るくなる。
【図１】本発明の第１の実施例である反射型液晶表示装
置２２におけるＭＩＭ素子の構造を示す断面斜視図であ
る。
置２２におけるＭＩＭ素子の構造を示す断面斜視図であ
る。
【図２】前記ＭＩＭ素子が形成された基板１１の平面図
である。
である。
【図３】前記反射型液晶表示装置２２の構成を示す断面
図である。
図である。
【図４】反射型液晶表示装置２２における基板１６の平
面図である。
面図である。
【図５】前記ＭＩＭ素子を形成する手順を段階的に示す
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の第２の実施例である反射型液晶表示装
置３３におけるＭＩＭ素子の構造を示す断面斜視図であ
る。
置３３におけるＭＩＭ素子の構造を示す断面斜視図であ
る。
【図７】前記ＭＩＭ素子が形成された基板１１の平面図
である。
である。
【図８】前記反射型液晶表示装置３３の構成を示す断面
図である。
図である。
【図９】本発明の第３の実施例である反射型液晶表示装
置３４の構成を示す断面図である。
置３４の構成を示す断面図である。
【図１０】凹凸を形成する手順を段階的に示す断面図で
ある。
ある。
【図１１】マスク３６を示す平面図である。
【図１２】凹凸が形成された基板１１の平面図である。
【図１３】従来のＭＩＭ素子４が形成された表示装置の
１画素を示す平面図である。
１画素を示す平面図である。
【図１４】前記ＭＩＭ素子４を切断面線Ａ−Ａで切断し
たときの断面図である。
たときの断面図である。
１１，１６ 絶縁性基板 １２ 第１の導電体層 １３ 絶縁体層 １４ 第２の導電体層 １８ 透明電極 ２０ 液晶層 ２１ 二色性色素 ２２，３３，３４ 反射型液晶表示装置 ３１ 有機絶縁体層 ３２ コンタクトホール
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年５月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】有機絶縁体層３１の表面には、第１の実施
例と同様に第２の導電体層１４が形成される。第２の導
電体層１４と絶縁体層１３との接続は、有機絶縁体層３
１に形成されたコンタクトホール３２によって実現され
る。このコンタクトホール３２は、複数の導電体層１４
が形成される有機絶縁体層３１にそれぞれ形成され、か
つ１つのコンタクトホール３２の断面積が２μｍ2 〜１
００μｍ2、好ましくは２５μｍ2 となるように形成さ
れる。
例と同様に第２の導電体層１４が形成される。第２の導
電体層１４と絶縁体層１３との接続は、有機絶縁体層３
１に形成されたコンタクトホール３２によって実現され
る。このコンタクトホール３２は、複数の導電体層１４
が形成される有機絶縁体層３１にそれぞれ形成され、か
つ１つのコンタクトホール３２の断面積が２μｍ2 〜１
００μｍ2、好ましくは２５μｍ2 となるように形成さ
れる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】図１０は、前記凹凸を形成する手順を段階
的に示す断面図である。まず、基板１１の表面１１ａ
に、図１０（１）に示すように第１の導電体層１２と絶
縁体層１３とがパターン形成され、さらに有機絶縁体層
３１がパターン形成される。有機絶縁体層３１が形成さ
れた基板１１の表面１１ａ上には、レジスト３５が全面
に形成される。このレジスト３５上には、図１１に示さ
れるようなマスク３６が配置され、露光および現像処理
される。マスク３６には、図１１の斜線で示される円形
の遮光領域３６ａが不規則に形成されている。この遮光
領域３６ａ以外の領域は、透光領域３６ｂである。パタ
ーン形成されたレジスト３５は、角をなくすために１２
０℃〜２５０℃の範囲の適当な温度で熱処理される。本
実施例では、２００℃で３０分間熱処理を行い、図１０
（２）に示されるように丸みを帯びたレジスト３５を得
た。
的に示す断面図である。まず、基板１１の表面１１ａ
に、図１０（１）に示すように第１の導電体層１２と絶
縁体層１３とがパターン形成され、さらに有機絶縁体層
３１がパターン形成される。有機絶縁体層３１が形成さ
れた基板１１の表面１１ａ上には、レジスト３５が全面
に形成される。このレジスト３５上には、図１１に示さ
れるようなマスク３６が配置され、露光および現像処理
される。マスク３６には、図１１の斜線で示される円形
の遮光領域３６ａが不規則に形成されている。この遮光
領域３６ａ以外の領域は、透光領域３６ｂである。パタ
ーン形成されたレジスト３５は、角をなくすために１２
０℃〜２５０℃の範囲の適当な温度で熱処理される。本
実施例では、２００℃で３０分間熱処理を行い、図１０
（２）に示されるように丸みを帯びたレジスト３５を得
た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】続いて、前記レジスト３５に応じて有機絶
縁体層３１がエッチング処理され、凹凸が形成される。
有機絶縁体層３１の凸部３１ａと凹所３１ｂとの距離
Ｈ、すなわち凹凸の高さは、０．５μｍとなるように形
成される。また、前述したようにレジスト３５には熱処
理が施され、角が除去されているので、有機絶縁体層３
１に形成される凹凸も、図１０（３）に示されるように
角のない丸みを帯びたものとなる。前記凹凸の高さＨ
は、有機絶縁体層３１やコンタクトホール３２を確実に
形成するため、およびセル厚のバラツキを小さくするた
めに、一般的なセル厚である１０μｍ以下とすることが
望ましい。また凸部３１ａの形状は、マスク３６の形
状、レジスト３５の厚さ、エッチング処理の時間によっ
て制御される。
縁体層３１がエッチング処理され、凹凸が形成される。
有機絶縁体層３１の凸部３１ａと凹所３１ｂとの距離
Ｈ、すなわち凹凸の高さは、０．５μｍとなるように形
成される。また、前述したようにレジスト３５には熱処
理が施され、角が除去されているので、有機絶縁体層３
１に形成される凹凸も、図１０（３）に示されるように
角のない丸みを帯びたものとなる。前記凹凸の高さＨ
は、有機絶縁体層３１やコンタクトホール３２を確実に
形成するため、およびセル厚のバラツキを小さくするた
めに、一般的なセル厚である１０μｍ以下とすることが
望ましい。また凸部３１ａの形状は、マスク３６の形
状、レジスト３５の厚さ、エッチング処理の時間によっ
て制御される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４１】凹凸が形成された有機絶縁体層３１上に
は、第１および第２の実施例と同様にして第２の導電体
層１４が形成される。この導電体層１４は、非常に薄い
ので、図１０（４）に示されるように前記凹凸が導電体
層１４の表面にも形成される。
は、第１および第２の実施例と同様にして第２の導電体
層１４が形成される。この導電体層１４は、非常に薄い
ので、図１０（４）に示されるように前記凹凸が導電体
層１４の表面にも形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉水 敏幸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透光性を有する一対の
絶縁性基板間に介在される二色性色素を含むネマティッ
ク液晶層ないしコレステリック液晶層、または液晶を分
散させた高分子樹脂層と、 前記一対の絶縁性基板のうち、透光性を有する一方基板
の他方基板側表面に間隔をあけて帯状に形成される複数
の共通電極と、 前記一対の絶縁性基板のうち、他方基板の一方基板側表
面に、前記共通電極と直交する方向に間隔をあけて帯状
に形成される複数の第１の導電体と、 前記複数の第１の導電体上にそれぞれ形成される帯状の
絶縁体と、 前記絶縁体上であって、前記共通電極と重なる領域に形
成される、反射性を有する第２の導電体とを含むことを
特徴とする反射型液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036693A JP3012421B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 反射型液晶表示装置 |
| US08/186,459 US5521731A (en) | 1993-02-08 | 1994-01-25 | Reflective type liquid crystal display device and method of making the same whereby the switching MIM has its first electrode used for signal wiring and its second electrode used as pixel electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036693A JP3012421B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 反射型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06235940A true JPH06235940A (ja) | 1994-08-23 |
| JP3012421B2 JP3012421B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=12025086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2036693A Expired - Fee Related JP3012421B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5521731A (ja) |
| JP (1) | JP3012421B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6876407B2 (en) | 2002-03-29 | 2005-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6005260A (en) * | 1993-10-19 | 1999-12-21 | U.S. Philips Corporation | Non-linear switching element of an electro-optical display device with metallic protective layer |
| US5610741A (en) * | 1994-06-24 | 1997-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflection type liquid crystal display device with bumps on the reflector |
| JP3085633B2 (ja) * | 1994-11-08 | 2000-09-11 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
| US5680182A (en) * | 1994-11-11 | 1997-10-21 | Hitachi, Ltd. | Nonlinear resistance films suitable for an active matrix LCD |
| JP3311194B2 (ja) * | 1995-02-24 | 2002-08-05 | 旭光学工業株式会社 | 光位相変調素子 |
| JP2918875B1 (ja) * | 1998-03-02 | 1999-07-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 反射型液晶素子、製造方法およびプロジェクション表示装置 |
| US6008872A (en) * | 1998-03-13 | 1999-12-28 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | High aperture liquid crystal display including thin film diodes, and method of making same |
| JP5082172B2 (ja) * | 2001-02-05 | 2012-11-28 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| KR20020028754A (ko) * | 2001-05-04 | 2002-04-17 | 안준영 | 액정표시겸 지문입력 패널 |
| JP5114947B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2013-01-09 | 富士通株式会社 | 窒化物半導体装置とその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4632514A (en) * | 1984-01-31 | 1986-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Color liquid crystal display apparatus |
| US4671642A (en) * | 1985-04-24 | 1987-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
| JPH0341420A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Seiko Epson Corp | Ｍｉｍ液晶電気光学装置およびその製造方法 |
| JPH02304534A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Fuji Electric Co Ltd | 表示装置駆動用非線形素子 |
| JPH0363623A (ja) * | 1989-08-01 | 1991-03-19 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置の駆動方法 |
| KR960002202B1 (ko) * | 1991-02-04 | 1996-02-13 | 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨쇼 | 액정 전기 광학 장치 제작 방법 |
| JPH05107556A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Hosiden Corp | 液晶表示素子画素 |
| JP2738613B2 (ja) * | 1991-10-31 | 1998-04-08 | シャープ株式会社 | 液晶演算素子及びこれを用いた画像処理システム |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP2036693A patent/JP3012421B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-25 US US08/186,459 patent/US5521731A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6876407B2 (en) | 2002-03-29 | 2005-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5521731A (en) | 1996-05-28 |
| JP3012421B2 (ja) | 2000-02-21 |
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