JPH01173639A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPH01173639A
JPH01173639A JP62330577A JP33057787A JPH01173639A JP H01173639 A JPH01173639 A JP H01173639A JP 62330577 A JP62330577 A JP 62330577A JP 33057787 A JP33057787 A JP 33057787A JP H01173639 A JPH01173639 A JP H01173639A
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JP
Japan
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package
thermal expansion
ccd imager
glass
imager chip
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JP62330577A
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Hideto Isono
秀人 磯野
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/804Containers or encapsulations

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  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、CCDイメージャーチップを用いた固体撮
像素子に関し、特にパッケージ材料に係るものである。
[発明の概要= この発明は、CCDイメージャーチップを、ガラスセラ
ミックからなるパッケージに載置すると共に、該パッケ
ージにシールガラスを接着してなる固体撮像装置におい
て、 シールガラスを高純度石英ガラスで形成し、前記パッケ
ージの熱膨張率を、CCDイメージャーチップの熱膨張
率と前記シールガラスの熱膨張率との中間の値にしたこ
とにより、 CCDイメージャーチップに入射するα線の粒子数を大
幅に低減し、画像に与える悪影響を防止したものである
[従来の技術] 従来、この種の固体撮像装置としては、アルミナ製のセ
ラミックパッケージ内にCCDイメージャーチップを載
置し、さらに、ケイ酸塩ガラスよりなるシールガラスを
もって前記チップを封入した構造のものがある。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、このような従来例にあっては、以下に示
すような問題点を有している。
即ち、シールガラスに含まれるα線放出核に起因してα
線が、CCDイメージヤ−チップの受光部分、垂直・水
平転送レジスタに入射することによって、正孔・電子対
が誘起され、これが信号源となり瞬間的に画像に輝点や
白線を生じさせる問題点がある。
また、α線が入射することにより、CCDイメージヤ−
チップ側に永久損傷が発生し、例えば暗信号時に、微小
で不安定な白点が生じる等の問題点がある。
そこで、このような問題点を解消するためにα線放出核
の少ない高純度石英ガラスでなるシールガラスを用いた
場合、パッケージを形成するアルミナの熱膨張率7 x
 10−’/”Cに対して高純度石英ガラスの熱膨張率
が50xl(I’/’Cと、その差が大き過ぎるため、
これらを組合わせた場合にシールガラスに割れ等の損傷
が生ずる問題点があり、高純度石英ガラスをシールガラ
スとして使用出来ないものであった。
本発明は、このような従来の問題点に着目して創案され
たものであって、CCDイメージヤ−チップに入射する
α線の粒子数を大幅に低減した固体撮像装置を得んとす
るものである。
[問題点を解決するための手段] そこで、本発明は、CCDイメージヤ−チップをガラス
セラミックからなるパッケージに載置すると共に、該パ
ッケージに高純度石英ガラスよりなるシールガラスを接
着し、前記パッケージの熱膨張率が、前記CCDイメー
ジヤ−チップの熱膨張率と前記シールガラスの熱膨張率
との中間の値であることを、その構成としている。
[作用コ パッケージは、CCDイメージヤ−チップと高純度石英
ガラスでなるシールガラスの夫々の熱膨張率の中間の値
をとる熱膨張率に設定されているため、CCDイメージ
ヤ−チップ及びシールガラスの熱膨張に伴う不均衡を緩
和し、シールガラスに割れ等の損傷が生じるのを防止す
る。そのため、シールガラスに高純度石英ガラスを使用
することが可能となり、CCDイメージヤ−チップに入
射するα線の粒子数を大幅に減少させる。
[実施例] 以下、本発明に係る固体撮像装置の詳細を図面に示す実
施例に基づいて説明する。
第1図中、1は固体撮像装置を示しており、この固体撮
像装置aは、パッケージlと、CCDイメージヤ−チッ
プ2と、該パッケージ1を封止するシールガラス3とか
ら大略構成されている。
前記パッケージlは、硼ケイ酸アルカリ土類ガラスとア
ルミナとで構成されるガラスセラミックで形成されてい
る。このパッケージ1は、−側表面の中央にチップ収容
凹部1aを形成すると共に、シールガラス3を装着する
装着段部tbと該チップ収容凹部1aの開口周縁に形成
した構造となっており、所定の電極4を備えて構成され
ている。
なお、パッケージ1を形成するガラスセラミックは、8
00℃〜850℃の低温焼成が可能であり、電極4を備
えて同時形成することが出来るため、低コスト化を可能
としている。また、ガラスセラミックの膨張率は、30
 X 10−’/”C以下であり、硼ケイ酸アルカリ土
類ガラスとアルミナの混合比を変化させることにより、
膨張率を20×10−’/’Cまで低くすることができ
る。
また、CCDイメージヤ−チップ2を形成するシリコン
の膨張率は、4 X 10−’/”Cであり、前記パッ
ケージlの膨張率20〜30xlO−’/’Cは、当該
CCDイメージヤ−チップ2の40X10−’/℃とシ
ールガラス3の5 x l O−’/℃の中間の値をと
る。即ち、パッケージ1がCCDイメージヤ−チップ2
とシールガラス3との膨張変化を緩和する作用を有して
いる。
なお、図中5はオンチップカラーフィルタである。
このように、ソールガラス3に高純度石英ガラスを用い
ることを可能としたことにより、シールガラス3からC
CDイメージヤ−チップ2へと入射するα線の数を、従
来の硼ケイ酸アルカリ土類ガラスでシールガラスを形成
したものに比してl/10〜1/100に減少させるこ
とが出来る。
以上、実施例について説明したが、この他に各種の設計
変更が可能である。
上記実施例にあっては、パッケージをガラスセラミック
で形成したが、これに限らず、熱膨張率が、CCDイメ
ージヤ−チップを形成するシリコンの熱膨張率と、高純
度石英ガラスの熱膨張率との中間の値をとるものであれ
ば他の材料を用いてもよい。
「発明の効果] 以上の説明から明らかなように、本発明に係る固体撮像
装置にあっては、パッケージの熱膨張率を、CCDイメ
ージヤ−チップの熱膨張率と、高純度石英ガラスでなる
シールガラスの熱膨張率との中間の値であるようにした
ことにより、シールガラスとCCDイメージヤ−チップ
の熱膨張に伴う変形較差をパッケージで緩和し、シール
ガラスの割れ等の損傷及びCCDイメージヤ−チップ側
の配線接続部等の破損を確実に防止出来、しかもCCD
イメージヤ−チップへ入射するα線の粒子数を大幅に低
減して画像の安定性並びに信頼性を向上する効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る固体撮像装置の実施例を示す断
面図である。 a・・・固体撮像装置、l・・・パッケージ、2・・・
CCDイメージヤ−チップ、3・・・シールガラス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  CCDイメージャーチップをガラスセラミックからな
    るパッケージに載置すると共に、該パッケージに高純度
    石英ガラスよりなるシールガラスを接着し、前記パッケ
    ージの熱膨張率が、前記CCDイメージャーチップの熱
    膨張率と前記シールガラスの熱膨張率との中間の値であ
    ることを特徴とする固体撮像装置。
JP62330577A 1987-12-26 1987-12-26 固体撮像装置 Expired - Lifetime JP2666310B2 (ja)

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JP2666310B2 JP2666310B2 (ja) 1997-10-22

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