JPH0117615B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0117615B2
JPH0117615B2 JP57024728A JP2472882A JPH0117615B2 JP H0117615 B2 JPH0117615 B2 JP H0117615B2 JP 57024728 A JP57024728 A JP 57024728A JP 2472882 A JP2472882 A JP 2472882A JP H0117615 B2 JPH0117615 B2 JP H0117615B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser diode
current
signal
photoelectric conversion
bias
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57024728A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58142648A (ja
Inventor
Katsuyuki Fujito
Hiroaki Nakada
Takeshige Ichida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP57024728A priority Critical patent/JPS58142648A/ja
Publication of JPS58142648A publication Critical patent/JPS58142648A/ja
Publication of JPH0117615B2 publication Critical patent/JPH0117615B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 近年、レーザダイオードを光源に用いた光伝送
系では、レーザダイオードのコヒーレンシイの良
さが災いしてモーダルノイズが発生し、伝送信号
の品質を劣化させる事は良く知られている。また
その解決策としては、レーザダイオードのコヒー
レンシイを低下させる事が有効であり、その方法
として縦モードマルチのレーザダイオードの使
用、高周波を重畳する方法、強制的に反射光
をレーザダイオードに戻す方法等がある。特に
の高周波重畳法に電気的な方法によるものであ
り、伝送素材を変更しなくても良いので簡易な方
法として採用されている。
従来の高周波重畳法は、伝送信号を高周波パル
スでチヨツピングする事により行なわれていたが
チヨツピング回路はパルスが高周波(数100MHz)
であるため構成が複雑であり、取り扱いも難し
い。
従来の光伝送装置の構成例を第2図に示す。
第2図において、伝送される入力信号は電圧−
電流変換回路1により電流変換され、次の加算器
4にて高周波電流発生器2よりの高周波電流と、
バイアス電流発生器3よりのバイアス電流とが加
算されレーザダイオード5に送られる。加算器4
はコンデンサ、抵抗、インダクタンス等の受動部
品のみで構成される。この時のレーザダイオード
5に流れる電流と光出力の関係を第3図に示す。
第3図aがレーザダイオード5の電流−光出力特
性であり、A点が閾値である。また同図bが高周
波電流、同図cが伝送信号電流波形である。ここ
でバイアスをA点(閾値)に設定しており、この
ため、この時の光出力波形は同図dのようにな
り、高周波でチヨツプしたと同じ光出力波形が得
られる。ここで、高周波電流発生器2より発生さ
れた高周波電流波形が矩形波であり、光出力波形
も矩形波であれば、この光出力を受光素子で検出
し、低域フイルターを通すと元の信号が再生され
る。
ところが、高周波電流が矩形波でなく正弦波の
場合には、光出力の平均パワーは、元の信号に比
例しなくなる。
次に、レーザダイオードの温度特性について述
べる。レーザダイオードの温度特性は良く知られ
ているように、温度上昇により光−電流特性の閾
値が上昇する。今、一定のバイアス電流印加状態
においてレーザダイオードが温度上昇したとする
と閾値が上昇し、波形の歪の量が変動する。閾値
の上昇が大きいと、ついには伝送信号のレベルの
小さい時に、その電流値は閾値以下となり発光し
なくなる。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、簡
易でかつ低コストな方法で正弦波の高周波重畳を
可能にするとともに、高品質な信号伝送を可能と
する光伝送装置を提供するものである。
本発明による実施例を第1図に示す。
第1図において、入力信号は電圧−電流変換回
路6により電流変換され、加算器9により正弦波
高周波電流発生器7とバイアス電流発生器14の
出力電流が加算されてレーザダイオード10に送
られる。レーザダイオード10の光出力の一部が
光電変換素子11により検出されて光電変換さ
れ、増幅器12により増幅され、電圧−電流変換
回路6に帰還される。また、増幅器12の出力の
直流成分はローパスフイルタ(LPF)13より
抽出され、バイアス電流発生回路8に帰還され
る。ここでこのバイアス電流発生回路8は、
LPF13の出力に反比例してバイアス電流を増
減させる機能を有している。
上記構成により、加算される高周波電流が正弦
波の場合に生じる光出力の誤差は、先の帰還手段
により解消され、歪が補正される。この帰還によ
る効果は、波形歪の補正のみでなく、レーザダイ
オード自体の非線形の補償や、レーザダイオード
への反射再注入光により発生するレーザダイオー
ドの歪の補償にも効果があり、極めて有用であ
る。また、後の帰還手段を設けることにより、レ
ーザダイオードの閾値が増大しても、それに応じ
てレーザダイオードのバイアス電流が変化するた
めにレーザダイオードの平均光出力が一定化され
る。
以上のように本発明によると、高周波電流とし
て正弦波を用いているため、簡単な回路構成によ
る高周波重畳が可能になるとともに、この正弦波
高周波の重畳による非線形性歪みの問題を解消で
き、さらに温度変化にも安定で、かつ歪の少ない
高品質な信号伝送が可能な光伝送装置を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における光伝送装置
のブロツク図、第2図は従来の光伝送装置のブロ
ツク図、第3図はレーザダイオードの電流−光出
力特性図である。 6……電圧−電流変換回路、7……正弦波高周
波電流発生器、8……バイアス電流発生器、9…
…加算器、10……レーザダイオード、11……
光電変換素子、12……増幅器、13……ローパ
スフイルタ(LPF)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 伝送信号に正弦波の高周波信号とバイアス電
    流を加える加算器と、前記加算器の出力信号を入
    力とするレーザダイオードと、前記レーザダイオ
    ードの出力光の一部を電流に変換する光電変換素
    子と、前記光電変換素子の出力信号を前記伝送信
    号に帰還する帰還手段と、前記光電変換素子の出
    力信号の直流成分で前記レーザダイオードの前記
    バイアス電流を閾値電流近傍に設定するバイアス
    設定手段とを備えたことを特徴とする光伝送装
    置。
JP57024728A 1982-02-17 1982-02-17 光伝送装置 Granted JPS58142648A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57024728A JPS58142648A (ja) 1982-02-17 1982-02-17 光伝送装置

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JP57024728A JPS58142648A (ja) 1982-02-17 1982-02-17 光伝送装置

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Publication Number Publication Date
JPS58142648A JPS58142648A (ja) 1983-08-24
JPH0117615B2 true JPH0117615B2 (ja) 1989-03-31

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ID=12146209

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JP57024728A Granted JPS58142648A (ja) 1982-02-17 1982-02-17 光伝送装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60208129A (ja) * 1984-03-31 1985-10-19 Toshiba Corp 半導体レ−ザ光伝送方式

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5914936B2 (ja) * 1981-02-13 1984-04-06 三菱電機株式会社 半導体レ−ザのアナログ変調方式

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JPS58142648A (ja) 1983-08-24

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