JPS58142648A - 光伝送装置 - Google Patents
光伝送装置Info
- Publication number
- JPS58142648A JPS58142648A JP57024728A JP2472882A JPS58142648A JP S58142648 A JPS58142648 A JP S58142648A JP 57024728 A JP57024728 A JP 57024728A JP 2472882 A JP2472882 A JP 2472882A JP S58142648 A JPS58142648 A JP S58142648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- current
- high frequency
- signal
- optical output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザダイオード乍光源Ｖこ用いた）Ｔ、ｉＦ
送装置ｔにおいて、モーダルノイズの影響を減少させて
、高品質な信号の伝送を可能にしコニうとするものであ
る。
送装置ｔにおいて、モーダルノイズの影響を減少させて
、高品質な信号の伝送を可能にしコニうとするものであ
る。
レーザダイオードを光源に用いた先広１ス糸でＣ］レー
ザダイオードのコヒーレンシイの良さか災いしてモーダ
ルノイズが発生し、伝送信号の＋’ｎ’＋ ’／’Ｊを
劣化させる事は良く知らγしている。またその解決ボと
して幻：、レーザダイオードのコヒーレンシイ全低丁さ
せる小が有効であり、その方法とし■縦モードマルチの
レーザダイオードの１更用、■高周波を重・ｋする方法
、に）強制的に反射光をレーザダイオードに戻す方人等
がある。′待に■の商周γ皮−屯督法は電気的な方法に
よるものであり、伝送系材金変史しなくても良いので簡
易な方法として採用さ扛ている。
ザダイオードのコヒーレンシイの良さか災いしてモーダ
ルノイズが発生し、伝送信号の＋’ｎ’＋ ’／’Ｊを
劣化させる事は良く知らγしている。またその解決ボと
して幻：、レーザダイオードのコヒーレンシイ全低丁さ
せる小が有効であり、その方法とし■縦モードマルチの
レーザダイオードの１更用、■高周波を重・ｋする方法
、に）強制的に反射光をレーザダイオードに戻す方人等
がある。′待に■の商周γ皮−屯督法は電気的な方法に
よるものであり、伝送系材金変史しなくても良いので簡
易な方法として採用さ扛ている。
に来の高周波重−ｉイ法は、伝送信号を高周波パルスで
チヨノビノグする事により行なわれていたがチヨノピン
ク回路に、ｌ：パルスか高周波（数１ｏ ｃ、）１４ｈ
）であるため構成が俵雑であり、取り扱いもズＷしい
。
チヨノビノグする事により行なわれていたがチヨノピン
ク回路に、ｌ：パルスか高周波（数１ｏ ｃ、）１４ｈ
）であるため構成が俵雑であり、取り扱いもズＷしい
。
本発明ｄ：、非常ＶＣ＋＃易でかつ低コストな方法で高
周波重畳全可能にし、高晶γｆな信号伝送を可能とする
フＬ伝送装置４：堤供するものである。
周波重畳全可能にし、高晶γｆな信号伝送を可能とする
フＬ伝送装置４：堤供するものである。
本発明による構成１列全第１図に示す。伝送さ扛る１汀
弓（弔１図の入力信号）は′電圧−電流変侯回路１によ
り′電流□変候され一１次の加算器４にて高周波′１１
ｉ流発生器２よりの高周波電流と、バイアス策流発Ｉ４
：、器３よりのバイアス電流とが加算さｎレーザダイオ
−ド５Ｑ′Ｃツノ！ｒ）看る１、ノＪ１１臭器４はコン
テ／サ、抵抗、インダクタンス等の受動部品のみて１１
４成さ扛る。この時のレーザダイオード６ ＶＣ／＆
７する電流と光出力の関係を第２１メｌに示す。第２図
ａがレーザダイオード５の電流−光出力特・１１：であ
り、へ点が１＠値である。また同図すが高周波電流９回
図Ｃが伝送信号電流波形である。ここでバイアスをへ点
（閾［直）に設定しており、このため、この時の光出力
波出力波形は同図ｄのようになり、高周波でチョップし
たと同じ光出力波形が傅らｎ、る。
弓（弔１図の入力信号）は′電圧−電流変侯回路１によ
り′電流□変候され一１次の加算器４にて高周波′１１
ｉ流発生器２よりの高周波電流と、バイアス策流発Ｉ４
：、器３よりのバイアス電流とが加算さｎレーザダイオ
−ド５Ｑ′Ｃツノ！ｒ）看る１、ノＪ１１臭器４はコン
テ／サ、抵抗、インダクタンス等の受動部品のみて１１
４成さ扛る。この時のレーザダイオード６ ＶＣ／＆
７する電流と光出力の関係を第２１メｌに示す。第２図
ａがレーザダイオード５の電流−光出力特・１１：であ
り、へ点が１＠値である。また同図すが高周波電流９回
図Ｃが伝送信号電流波形である。ここでバイアスをへ点
（閾［直）に設定しており、このため、この時の光出力
波出力波形は同図ｄのようになり、高周波でチョップし
たと同じ光出力波形が傅らｎ、る。
ここで、高周波電流発生器２より発生さ扛た高周波電流
波形が矩形波であれば、この光出力を受光素子で検出し
、低域フィルターを通すと元の信号が再生される。
波形が矩形波であれば、この光出力を受光素子で検出し
、低域フィルターを通すと元の信号が再生される。
ところで、高周波電流が矩形波でなく正弦波の４合には
、光出力の平均パワーは、元の信号に比例しなくなる。
、光出力の平均パワーは、元の信号に比例しなくなる。
そこで、このような場合には光出力の一部を光電変換し
、フィードバックを行なう必要がある。この場合の構成
側を第３図に小す。
、フィードバックを行なう必要がある。この場合の構成
側を第３図に小す。
第３図において入力１ぎ号ば′重圧−′電流変換回路６
により電流変換さ扛、前の構成勿と同様、高周波電流発
生器７とバイアス電流発生器８の出力電流と加算器’Ｎ
／Ｃより加′痺さゎ２、レーザダイオード１０に送ら汀
る。レーザダイオード１ｏの光出力の一部が光′屯変模
索子１１により検出さ扛て光電変換さｔ′１７、増巾器
１２により増巾さｎ、電圧−電流変換回路６に 帰還さ
扛る。このような構成をとる事により、加算さｎ、る揚
高周波電流が矩形波でない場合に生じる光出力の誤差が
打ち消さ扛、清が補ＩＥさ扛る。このフィードバックの
効果は、このような波形歪の補ＩＥのみでなく、レーザ
ダイオード自体の非線形の補償や、レーザダイオードへ
の反射再注入光により発生するレーザダイオードの歪の
補償にも効果があり、極めて有用である。
により電流変換さ扛、前の構成勿と同様、高周波電流発
生器７とバイアス電流発生器８の出力電流と加算器’Ｎ
／Ｃより加′痺さゎ２、レーザダイオード１０に送ら汀
る。レーザダイオード１ｏの光出力の一部が光′屯変模
索子１１により検出さ扛て光電変換さｔ′１７、増巾器
１２により増巾さｎ、電圧−電流変換回路６に 帰還さ
扛る。このような構成をとる事により、加算さｎ、る揚
高周波電流が矩形波でない場合に生じる光出力の誤差が
打ち消さ扛、清が補ＩＥさ扛る。このフィードバックの
効果は、このような波形歪の補ＩＥのみでなく、レーザ
ダイオード自体の非線形の補償や、レーザダイオードへ
の反射再注入光により発生するレーザダイオードの歪の
補償にも効果があり、極めて有用である。
次に、レーザダイオードの温度特性について述べる。レ
ーザダイオードの温度特性は良く知らｎているように、
ふ一度−］二昇により光−電流特性の閾１直が上昇する
。今、一定のバイアス電流印加状態においてレーザダイ
オードが温度上昇したとすると閾値が」二昇し、波形の
卯の冴が変動する。閾値の上昇が大きいと、ついＫは伝
送信号のレベルの小さい時に、その厄流値は閾１直以下
となり発光しなくなる。これは、先程のフィードバック
によっては補正できない。
ーザダイオードの温度特性は良く知らｎているように、
ふ一度−］二昇により光−電流特性の閾１直が上昇する
。今、一定のバイアス電流印加状態においてレーザダイ
オードが温度上昇したとすると閾値が」二昇し、波形の
卯の冴が変動する。閾値の上昇が大きいと、ついＫは伝
送信号のレベルの小さい時に、その厄流値は閾１直以下
となり発光しなくなる。これは、先程のフィードバック
によっては補正できない。
この解決策の１つは、レーザダイオードの温度を一定に
保つ事である。例えば、サーミスタ等全幅度検出素子と
して用い、ペルチェ素子に流扛る電流を制御する事によ
りレーザダイオードの温度を一定に保つ事ができる。こ
の方法はレーザダイオードの閾値電流の変動を抑えるの
みでなく、レーザダイオードの発振波長を一定に保つ効
果もあるため、モーダルノイズの変動の理工にも役立つ
。
保つ事である。例えば、サーミスタ等全幅度検出素子と
して用い、ペルチェ素子に流扛る電流を制御する事によ
りレーザダイオードの温度を一定に保つ事ができる。こ
の方法はレーザダイオードの閾値電流の変動を抑えるの
みでなく、レーザダイオードの発振波長を一定に保つ効
果もあるため、モーダルノイズの変動の理工にも役立つ
。
次に第２の方法について述べる。これは、レーザダイオ
ードのバイアス電流を常にレーザダイオードの平均光出
力（伝送信号の最低周波数より長い周期での）が一定に
なるように動作させる方法である。その構成例を第４図
に示す。第４図中の６．７，９，１０，１１．１２は第
３図のものと全く同様のものである。この第４図では、
増ｒｌ］器１２の出力の直流成分をローパスフィルタ（
ＬＰＦ）１３により抽出し、バイアス電流発生回路１４
にフィードバックさせる。このバイアス′岨流発生回路
１４は、ＬＰＦ１３の出力に反比例してバイアス電流全
増減させるａ能を有している。このような構成により、
レーザダイオードの閾値が増大しても、そ扛に応じてレ
ーザダイオードのバイアス電流が変化するためにレーザ
ダイオードの平均光出力が一定化さ扛る。
ードのバイアス電流を常にレーザダイオードの平均光出
力（伝送信号の最低周波数より長い周期での）が一定に
なるように動作させる方法である。その構成例を第４図
に示す。第４図中の６．７，９，１０，１１．１２は第
３図のものと全く同様のものである。この第４図では、
増ｒｌ］器１２の出力の直流成分をローパスフィルタ（
ＬＰＦ）１３により抽出し、バイアス電流発生回路１４
にフィードバックさせる。このバイアス′岨流発生回路
１４は、ＬＰＦ１３の出力に反比例してバイアス電流全
増減させるａ能を有している。このような構成により、
レーザダイオードの閾値が増大しても、そ扛に応じてレ
ーザダイオードのバイアス電流が変化するためにレーザ
ダイオードの平均光出力が一定化さ扛る。
このように本発明によると、極めて簡単な回路構成によ
り高□周波重畳が可能となり、このため安価に、高品質
な信号伝送が可能な光伝送装置を爵ることができる。
り高□周波重畳が可能となり、このため安価に、高品質
な信号伝送が可能な光伝送装置を爵ることができる。
第１図は本発明の一実施例における光伝送装置のブロッ
ク図、第２図はレーザダイオードの電流−光出力特性図
、第３図は本発明の他の実施例のブロック図、第４図は
本発明のさらに他の実施ρｌのブロック図である。 １・・・・電圧−電流変換回路、２・・・・・ 高周波
電流発生器、３・・・・・・バイアス電流発生器、４・
加算器、５・・・・・・レーザダイオード。 第３図 第４図
ク図、第２図はレーザダイオードの電流−光出力特性図
、第３図は本発明の他の実施例のブロック図、第４図は
本発明のさらに他の実施ρｌのブロック図である。 １・・・・電圧−電流変換回路、２・・・・・ 高周波
電流発生器、３・・・・・・バイアス電流発生器、４・
加算器、５・・・・・・レーザダイオード。 第３図 第４図
Claims (1)
- 光源であるレーザダイオードと、伝送信号ＶＣ高周波信
号金加算する・機能を有し、この高周波信号が加算さ扛
た伝送信号にバイアス′醒流を加えて前記レーザダイオ
ードに加えるとともに、ＮｆＪ ｆｉｌ：：レーザダイ
オードのバイアス電＃Ｌを閾１直′亀流近傍に設定する
事を特徴とする光伝ｌ若装置直。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024728A JPS58142648A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 光伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024728A JPS58142648A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 光伝送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58142648A true JPS58142648A (ja) | 1983-08-24 |
| JPH0117615B2 JPH0117615B2 (ja) | 1989-03-31 |
Family
ID=12146209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57024728A Granted JPS58142648A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 光伝送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58142648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60208129A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-19 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ光伝送方式 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57135535A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Analog modulation system of semiconductor laser |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP57024728A patent/JPS58142648A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57135535A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Analog modulation system of semiconductor laser |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60208129A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-19 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ光伝送方式 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0117615B2 (ja) | 1989-03-31 |
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