JPH01178106A - 光磁気ディスク用磁界印加装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気ディスク用磁界印加装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の光磁気ディスク用磁界印加装置においては、光磁
気ディスクの記録情報を消去する場合、外部磁界を、記
録時とは逆極性に印加し、レーザービームを記録媒体に
一様に照射する、いわゆる−括消去が行なわれている。

即ち、外部磁界印加により記録媒体の磁化状態を記録前
の初期状態に戻している。

ここで外部磁界印加手段としては、例えば空心コイルを
用いる方法、電磁石を用いる方法、あるいは永久磁石を
用いる方法がある。

この磁界印加手段において、記録時と消去時とでは通常
数１００工ルステツド以上の印加磁界が必要であるため
に、空心コイルを用いる場合には、コイルが大型化し、
これに伴って、磁界切換速度が遅くなるとともに、記録
媒体とコイルとの距離を充分に接近させないと所要の印
加磁界が得られないという欠点がある。

又電磁石を用いる場合にも、磁界印加手段は大型化し、
コイルのインダクタンスが大きいために磁界切換速度が
遅いという欠点を生じている。

さらに、永久磁石を用いる場合には、機械的な駆動手段
を用いて磁界を切り変える為に複雑な機構が必要であり
、この場合も磁界切換速度は遅いものとなっていた。

以上の述べたように、従来のいずれの外部磁界印加手段
によっても磁界切換速度は遅いために、消去には前述の
一括消去方式が用いられ、又記録する時には、一定磁界
印加中にレーザーパワーを高速変調する方法が用いられ
ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の光磁気ディスク用磁界印加装置は、磁界
切換速度が遅く一括消去方式となっているので、既に情
報が記録されている光磁気ディスクに新しい情報を高速
で重ね書きするといういわゆるオーバーライド機能を持
たせることが困難であるという問題点がある。

本発明の目的は、大きい磁界を高速でスイッチングする
ことができ、オーバーライド機能を持たせることができ
る光磁気ディスク用磁界印加装置を提供することにある
。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光磁気ディスク用磁界印加装置は、光磁気ディ
スクの周辺部外側で折返えされ、内面がこの光磁気ディ
スクの上下各面とそれぞれ対向する第１及び第２のアー
ム部を備えたＵ字形状の高透磁率磁性体と、前記第１及
び第２のアーム部の少なくとも一方の先端部に設けられ
このアーム部の外面側から前記光磁気ディスクにレーザ
ービームを照射するための中空部と、前記高透磁率磁性
体に設けられ前記光磁気ディスクに対して同一方向に磁
界を発生する並列接続された複数の第１のコイルと、前
記中空部のアーム部内面周辺部に設けられ前記第１のコ
イルと同時かつ同一方向に磁界を発生する第２のコイル
とを有している。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。

高透磁率磁性体１は、光磁気ディスク５の周辺部外側で
折返され、内面が光磁気ディスク５の上下各面とそれぞ
れ対向する第１及び第２のアーム部１１Ａ、ＩＩＢを備
え、Ｕ字形状に形成されている。

ここで、高透磁率磁性体には、フェライト（ＭｎＺｎ、
ＮｉＺｎなど）、パーマロイ（ＮｉＦｕ）、センダスト
、アモルファス（ＣｏＺｒ。

ＦｅＣｏＺｒ、ＣｏＮｂ、ＣｏＴａ、ＣｏＨｆなど）、
鉄心などが用いられる。

高透磁率磁性体１の第１のアーム部１１Ａの先端部には
、光磁気ディスク５にこのアーム部１１Ａの外面側から
レーザービームＬを照射するための中空部１２が設けら
れており、この中空部１２のアーム部内面周辺部にはス
パイラル状にコイル３が設けられている。これら中空部
１２及びコイル３の内径は、レーザービームが通過でき
、かつトラッキングによりトラック方向にレンズが動か
せる程度の大きさに設定されている。

また、高透磁率磁性体１の第２のアーム部１１Ｂ並びに
折返しの脚部には複数のコイル２Ａ〜　、２Ｅが並列に
接続されてか設けられており、これらコイル２Ａ〜２Ｂ
及び３は磁界発生電流変調回路４で駆動され、光磁気デ
ィスク５に対し垂直に、同時にかつ同一方向に磁界を発
生するように接続されている。

これらコイル２Ａ〜２Ｅ、３の線径は例えば１５０μｍ
のものが用いられ、駆動電流は数１０ｍＡ〜１．ＯＡが
妥当である。

このようにして構成された磁界印加手段では、磁界を集
束することができ、かつコイル２Ａ〜２８が並列接続さ
れているので、巻き線のインダクタンスを１μＨ以下に
することが容易なため、高透磁率磁性体１の内面から数
ｌｌｌｆｆ１離れた位置において、数１００エルステツ
ドの磁界を数ＭＨｚの高速で容易に切換えることが出来
る。

第２図は第１図の実施例が適用される光磁気記録再生装
置の周辺系のブロック図で、本実施例の効果を確認する
なめにこの装置により、光磁気ディスク５への記録再生
消去を行なった。

第１図、第２図において、磁界発生電流変調回路４の出
力電流ＩＡがコイル２Ａ〜２Ｅ、３に流れ、光磁気ディ
スク５の磁性媒体５２に上向き及び下向きの磁界が交互
に印加される。

光磁気用ヘッド７は従来と同等のものであり、次のよう
な構成を有する。

７１は直線偏光のレーザー光源であり、例えば半導体レ
ーザーが使用される。７３Ａ〜７３゜はビームスプリッ
タである。レーザービームＬの集光用レンズ７２はアク
チュエータ７２Ａにより支持されている。フォーカスエ
ラーおよびトラッキングエラー信号はそれぞれのフォー
アスエラー信号検出用の受光素子７５Ｂ、）ラッキング
エラー信号検出用の受光素子７５ｃによってサーボ制御
回路８Ａ　、８Ｂに入力され、サーボ信号となり、アク
チュエータ７２ａにフィードバックされる。

再生信号は偏光フィルタ７４を通過後、再生信号用の受
光素子７５Ａによって検出され、再生信号の増幅回路９
によって増幅される。偏光フィルタ７４としてはダラム
トムソンプリズムを用い、再生信号検出用の受光素子７
５ＡとしてはＰＩＮフォトダイオードを用いた。

レーザー光源７１の変調にはレーザー光源変調回路６が
使用され、記録時、消去時、再生時に合わせてレーザー
光のパワーが変調される。

光磁気ディスク５として１２０市径のプラスチックの基
板５１上にスパッタ法により形成されたＳｉＮ上に、さ
らにＴ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ膜を８００人厚に形成し、こ
のＴｂＦｅＣｏ膜上にさらにＳｉＮを形成したディスク
を使用した。この基板５１に予めトラックピッチ１．６
μｍ、深さ７００人の溝を形成し、いわゆるプリグルー
プ基板として用いた。

第３図（ａ）〜（ｃ）に、記録動作モード時の波形図を
示す。

記録媒体をキューリー温度以上に上昇できる一定強度Ｐ
ｗのレーザービームを照射しながら、外部磁界印加のた
めのコイル２Ａ〜２Ｅ、３に第３図（ｂ）に示すような
変調電流ＩＡを流すことによって、記録パターンに対応
した外部磁界が印加され、記録媒体の走行に伴なう冷却
過程で印加磁界方向に対応して、第３図（ｃ）に示すよ
うな記録磁化状態が実現される。

そして、まず線速９ｍ／ｓｅｃにて光磁気ディスク５面
上に４ｍＷの一定強度し−ザービームＬを照射しながら
、外部磁界印加手段のコイル２゜３にＩＭＨｚで２００
ｍＡの変調工。電流を流したところ、良好な記録ができ
た。この記録トラック上に新たに同一条件で記録磁界を
０．５ＭＨｚで印加したところ、この記録磁界に対応し
た記録ができ、前に記録した信号の消え残りはみられな
かった。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、内面が光磁気ディスクの
上下各面と対向する第１．第２のアームを備えたＵ字形
状の高透磁率磁性体のアームに、並列接続された複数の
第１のコイルと、中空部を介してレーザービームが中心
部を通過し第１のコイルと同一方向の磁界を発生する第
２のコイルを設ける構成とすることにより、磁束利用効
率がよく、低インダクタンスにできるので、大きい磁界
の高速スイッチングができ、かつオーバーライド機能を
持たせることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は第１
図に示された実施例が適用される光磁気記録再生装置の
周辺系のブロック図、第３図は第１図に示された実施例
の記録動作モード時の波形図である。 １・・・高透磁率磁性体、２Ａ〜２Ｅ、３・・・コイル
、′４・・・磁界発生電流変調回路、５・・・光磁気デ
ィスク、６・・・レーザー光源変調回路、７・・・光磁
気用ヘッド、８Ａ　、８Ｂ・・・サーボ制御回路、９・
・・増幅回路、１１Ａ１１Ｂ・・・アーム部、１２・・
・中空部、５１・・・基板、５２・・・磁性媒体、７１
・・・レーザー光源、７２・・・集光用レンズ、７２Ａ
・・・アクチュエータ、７３Ａ〜７３ｃ・・・ビームス
プリッタ、７４・・・偏光フィルタ、７５Ａ〜７５ｃ・
・・受光素子。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光磁気ディスクの周辺部外側で折返えされ、内面がこの
   光磁気ディスクの上下各面とそれぞれ対向する第１及び
   第２のアーム部を備えたＵ字形状の高透磁率磁性体と、
   前記第１及び第２のアーム部の少なくとも一方の先端部
   に設けられこのアーム部の外面側から前記光磁気ディス
   クにレーザービームを照射するための中空部と、前記高
   透磁率磁性体に設けられ前記光磁気ディスクに対して同
   一方向に磁界を発生する並列接続された複数の第１のコ
   イルと、前記中空部のアーム部内面周辺部に設けられ前
   記第１のコイルと同時かつ同一方向に磁界を発生する第
   ２のコイルとを有することを特徴とする光磁気ディスク
   用磁界印加装置。