JPH01179770A - 金属とセラミックスとの接合方法 - Google Patents
金属とセラミックスとの接合方法Info
- Publication number
- JPH01179770A JPH01179770A JP313788A JP313788A JPH01179770A JP H01179770 A JPH01179770 A JP H01179770A JP 313788 A JP313788 A JP 313788A JP 313788 A JP313788 A JP 313788A JP H01179770 A JPH01179770 A JP H01179770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- ceramic
- temp
- fluctuating pressure
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
- C04B37/021—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles in a direct manner, e.g. direct copper bonding [DCB]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、金属とセラミックスとの接合方法に関するも
のである。
のである。
（ロ）従来の技霜
セラミックスを金属に接合する従来の方法として特開昭
５９−１７４５８２号公報に示されるものがある。これ
に示される接合方法は、金属とセラミックスとを重ね、
その間に金属の酸化層をおいて、真空又は不活性ガス雰
囲気中で金属の融点以下の温度に保持して一定圧力で加
圧することを特徴としている。
５９−１７４５８２号公報に示されるものがある。これ
に示される接合方法は、金属とセラミックスとを重ね、
その間に金属の酸化層をおいて、真空又は不活性ガス雰
囲気中で金属の融点以下の温度に保持して一定圧力で加
圧することを特徴としている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような従来の金属とセラミックス
との接合方法には、接合強度が十分でないという問題点
がある。すなわち、セラミックスと金属とを接合した後
の冷却過程において、セラミックスと金属との熱膨張係
数差によって大きい熱応力が発生する。このため、接合
部の強度が低下する。また、一定圧力でセラミックスと
金属との接合部を加圧しているたけであるのて、接合部
の拡散が不十分であり、十分な接合強度を得ることかで
きない。本発明は、このような問題点を解決することを
目的としている。
との接合方法には、接合強度が十分でないという問題点
がある。すなわち、セラミックスと金属とを接合した後
の冷却過程において、セラミックスと金属との熱膨張係
数差によって大きい熱応力が発生する。このため、接合
部の強度が低下する。また、一定圧力でセラミックスと
金属との接合部を加圧しているたけであるのて、接合部
の拡散が不十分であり、十分な接合強度を得ることかで
きない。本発明は、このような問題点を解決することを
目的としている。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は、金属とセラミックスとの接合面に変動圧力を
作用させることにより、上記問題点を解決する。すなわ
ち、本発明による金属とセラミックスとの接合方法は、
金属とセラミックスとを重ね合わせたものを金属の融点
よりも低く再結晶温度よりも高い温度に加熱すると共に
金属とセラミックスとの接触面にこれと直交する方向の
変動圧力を作用させ、次いで冷却３−る際に金属の再結
晶温度以下まで温度が低下するまでは変動圧力の作用を
保持させる。
作用させることにより、上記問題点を解決する。すなわ
ち、本発明による金属とセラミックスとの接合方法は、
金属とセラミックスとを重ね合わせたものを金属の融点
よりも低く再結晶温度よりも高い温度に加熱すると共に
金属とセラミックスとの接触面にこれと直交する方向の
変動圧力を作用させ、次いで冷却３−る際に金属の再結
晶温度以下まで温度が低下するまでは変動圧力の作用を
保持させる。
（ホ）作用
金属とセラミックスとを重ね合わせ、金属の融点以下の
温度に加熱し、接合面に直交する向きの変動圧力を作用
させることにより、接合部の拡散作用を促進することが
できる。これは変動圧力によって転位や原子空孔なとの
格子欠陥か増殖され拡散しやすくなるからである。この
ように拡散作用が促進されることによって、接合面の接
合力が増大する。次いで、変動圧力を加えた状態で冷却
することにより、金属とセラミックスとの熱膨張係数差
によって生ずる熱応力を軽減することがてきる。これは
、繰り返し作用する変動圧力によって、疲労に基つく局
所的な塑性変形か発生する力）らである。このようにし
て残留熱応力を低下することがてきるので、接合強度か
増大する。
温度に加熱し、接合面に直交する向きの変動圧力を作用
させることにより、接合部の拡散作用を促進することが
できる。これは変動圧力によって転位や原子空孔なとの
格子欠陥か増殖され拡散しやすくなるからである。この
ように拡散作用が促進されることによって、接合面の接
合力が増大する。次いで、変動圧力を加えた状態で冷却
することにより、金属とセラミックスとの熱膨張係数差
によって生ずる熱応力を軽減することがてきる。これは
、繰り返し作用する変動圧力によって、疲労に基つく局
所的な塑性変形か発生する力）らである。このようにし
て残留熱応力を低下することがてきるので、接合強度か
増大する。
（へ）実施例
第１図に金属とセラミックスとを接合するための装置を
示す。支柱１０に連結されたクロスヘツド１２にロード
セル１４を介して上アンヒル１６か連結されている。上
アンヒル１６と同軸に１アンビル１８が設けられている
。下アンビル１８はこれの下側に配置されたアクチュエ
ータピストン２０から加圧力を受けるように構成されて
しＡる。
示す。支柱１０に連結されたクロスヘツド１２にロード
セル１４を介して上アンヒル１６か連結されている。上
アンヒル１６と同軸に１アンビル１８が設けられている
。下アンビル１８はこれの下側に配置されたアクチュエ
ータピストン２０から加圧力を受けるように構成されて
しＡる。
アクチュエータピストン２０は図示してなし）油圧源の
油圧により変動荷重を発生する。上アンビル１６と下ア
ンビル１８との対面する端部間に、後述の互いに接合さ
れるべき金属２２及びセラミックス２４かはさみ込まれ
る。」下アンヒル１６及び下アンヒル１８の外周を包囲
するようにシリコンカラス管２６が設置されている。シ
リコンカラス管２６の上端側が部材２８の穴内に挿入さ
れ、またシリコンガラス管２６の下端側が部材３０の穴
内に挿入される。なお、シリコンガラス管２６と、部材
２８及び部材３０との挿入部はそれぞれシール部材３２
及び３４によって密封される。部材３０は固定されてい
る台３６に取付けられている。シリコンガラス管２６の
内部には部材２８に設けられた送気管３８から所定のガ
スを供給可能であり、また部材３０に設けられた排気管
４０から排気可能である。また、シリコンガラス管２６
の内部の金属２２及びセラミックス２４に隣接する位置
に熱電対４２が配置されている。シリコンガラス管２６
の外周にこれを包囲するように赤外線イメージ加熱炉４
４が設けられている。赤外線イメージ加熱炉４４は台３
６に固定された台４６上に支持されている。赤外線イメ
ージ加熱炉４４は冷却水管４７から供給される冷却水に
よって冷却することも可能である。下アンビル１８の下
端側のフランジ状部と部材３０との間には、ベローズ４
８か設けられており、これによりシリコンカラス管２６
内部の気密状態を保持すると共に部材３０と下アンヒル
１８との相対移動を可能としている。なお、上アンビル
１６は冷却水管５０から冷却水を流すことにより冷却可
能としてあり、また同様に下アンビル１８も冷却水管５
２から冷却水を流すことにより冷却可能としである。
油圧により変動荷重を発生する。上アンビル１６と下ア
ンビル１８との対面する端部間に、後述の互いに接合さ
れるべき金属２２及びセラミックス２４かはさみ込まれ
る。」下アンヒル１６及び下アンヒル１８の外周を包囲
するようにシリコンカラス管２６が設置されている。シ
リコンカラス管２６の上端側が部材２８の穴内に挿入さ
れ、またシリコンガラス管２６の下端側が部材３０の穴
内に挿入される。なお、シリコンガラス管２６と、部材
２８及び部材３０との挿入部はそれぞれシール部材３２
及び３４によって密封される。部材３０は固定されてい
る台３６に取付けられている。シリコンガラス管２６の
内部には部材２８に設けられた送気管３８から所定のガ
スを供給可能であり、また部材３０に設けられた排気管
４０から排気可能である。また、シリコンガラス管２６
の内部の金属２２及びセラミックス２４に隣接する位置
に熱電対４２が配置されている。シリコンガラス管２６
の外周にこれを包囲するように赤外線イメージ加熱炉４
４が設けられている。赤外線イメージ加熱炉４４は台３
６に固定された台４６上に支持されている。赤外線イメ
ージ加熱炉４４は冷却水管４７から供給される冷却水に
よって冷却することも可能である。下アンビル１８の下
端側のフランジ状部と部材３０との間には、ベローズ４
８か設けられており、これによりシリコンカラス管２６
内部の気密状態を保持すると共に部材３０と下アンヒル
１８との相対移動を可能としている。なお、上アンビル
１６は冷却水管５０から冷却水を流すことにより冷却可
能としてあり、また同様に下アンビル１８も冷却水管５
２から冷却水を流すことにより冷却可能としである。
次にこの第１図に示す装置を用いて金属２２とセラミッ
クス２４とを接合した具体例につしＡで説明する。金属
２２としては純度９９．９８％の無酸素銅を使用し、ま
たセラミックス２４としては純度９５．４％のアルミナ
を用いた。金属２２及びセラミックス２４０寸法は共に
直径が１０ｍｍ及び長さが１０ｍｍのものである。シリ
コンカラス管２６の内部のふん囲気はアルゴンガス、空
気及び真空の３つの条件を設定した。上記のような条件
で第２図に示すようなパターンに従って赤外線イメージ
加熱炉４４によって室温ＴＡから加熱を開始し、温度が
ＴＢを越えた後、アクチュエータピストン２０によって
金属２２とセラミックス２４との接合面に変動圧力を作
用させる。なお、変動圧力を作用させるまでは一定圧力
ＰＯを作用させておく。また、上記温度ＴＢは金属２２
の再結晶温度Ｔ。よりも低い温度である。変動圧力とし
てはＰ。の基準値に対して±Ｐ１の変動値を加算する。
クス２４とを接合した具体例につしＡで説明する。金属
２２としては純度９９．９８％の無酸素銅を使用し、ま
たセラミックス２４としては純度９５．４％のアルミナ
を用いた。金属２２及びセラミックス２４０寸法は共に
直径が１０ｍｍ及び長さが１０ｍｍのものである。シリ
コンカラス管２６の内部のふん囲気はアルゴンガス、空
気及び真空の３つの条件を設定した。上記のような条件
で第２図に示すようなパターンに従って赤外線イメージ
加熱炉４４によって室温ＴＡから加熱を開始し、温度が
ＴＢを越えた後、アクチュエータピストン２０によって
金属２２とセラミックス２４との接合面に変動圧力を作
用させる。なお、変動圧力を作用させるまでは一定圧力
ＰＯを作用させておく。また、上記温度ＴＢは金属２２
の再結晶温度Ｔ。よりも低い温度である。変動圧力とし
てはＰ。の基準値に対して±Ｐ１の変動値を加算する。
ずなわち、Ｐｏ±Ｐ１の変動圧力が作用することになる
。変動圧力の振動数は１０〜１００Ｈｚである（振動数
を変えた場合の試験結果については後述する）。この状
態て金属２２及びセラミックス２４の温度を所定値Ｔｃ
まで上昇させ所定時間ｔ。の間保持する。なお、温度Ｔ
ｃは金属２２の融点よりも低く再結晶温度よりも高い温
度である。所定時間ｔ。経過後、冷却を開始し、金属２
２の再結晶温度Ｔ。以下まて温度が低下した時点で変動
圧力の付加を停止にさせる。これにより金属２２とセラ
ミックス２４とが接合される。なお、図中ｔ１は変動圧
力を作用させた全時間を示す。また、温度ＴＢとなった
時点から変動圧力を作用させるようにしたが、変動圧力
の作用開始はこれより早くてもよく（例えば最初から）
、また遅くてもよい（例えば加熱温度Ｔｃに達してから
）。
。変動圧力の振動数は１０〜１００Ｈｚである（振動数
を変えた場合の試験結果については後述する）。この状
態て金属２２及びセラミックス２４の温度を所定値Ｔｃ
まで上昇させ所定時間ｔ。の間保持する。なお、温度Ｔ
ｃは金属２２の融点よりも低く再結晶温度よりも高い温
度である。所定時間ｔ。経過後、冷却を開始し、金属２
２の再結晶温度Ｔ。以下まて温度が低下した時点で変動
圧力の付加を停止にさせる。これにより金属２２とセラ
ミックス２４とが接合される。なお、図中ｔ１は変動圧
力を作用させた全時間を示す。また、温度ＴＢとなった
時点から変動圧力を作用させるようにしたが、変動圧力
の作用開始はこれより早くてもよく（例えば最初から）
、また遅くてもよい（例えば加熱温度Ｔｃに達してから
）。
上述のようにして金属２２とセラミックス２４とを接合
する試験を、加熱温度Ｔｃ、変動圧力ｐｏ ＋ｐ、、変
動圧力の振動数、加熱温度Ｔｃの保持時間ｔ。、及びふ
ん囲気を変えて行い、接合部の強度の比較を行った。
する試験を、加熱温度Ｔｃ、変動圧力ｐｏ ＋ｐ、、変
動圧力の振動数、加熱温度Ｔｃの保持時間ｔ。、及びふ
ん囲気を変えて行い、接合部の強度の比較を行った。
加熱温度及び振動数の影響
加熱温度Ｔｃ及び振動数を変えた場合の結果を第３図に
示す。図中の横軸は変動圧力の振動数を取ってあり、ま
た縦軸はアルミナ曲げ強度σ６に対する接合体の曲げ強
度σ、の比を取っである。
示す。図中の横軸は変動圧力の振動数を取ってあり、ま
た縦軸はアルミナ曲げ強度σ６に対する接合体の曲げ強
度σ、の比を取っである。
なお、作用させた変動圧力は１５±２．５ＭＰａ（メカ
パスカル）であり、加熱温度Ｔｃの保持時間ｔ。は１５
分である。曲げ強度は、接合体の両端を支持しくスパン
１５ｍｍ）、中央部の接合部に荷重を作用させる３点曲
げ試験により求めた。
パスカル）であり、加熱温度Ｔｃの保持時間ｔ。は１５
分である。曲げ強度は、接合体の両端を支持しくスパン
１５ｍｍ）、中央部の接合部に荷重を作用させる３点曲
げ試験により求めた。
この第３図に示す結果から、例えば、振動数２５Ｈｚに
おける曲げ強度は振動数０、すなわち一定荷重を作用さ
せた場合と比較して大幅に向上していることがわかる。
おける曲げ強度は振動数０、すなわち一定荷重を作用さ
せた場合と比較して大幅に向上していることがわかる。
例えば、６００℃では一定荷重の場合曲げ強度比σｔ／
σ。が約０．０３であったものが、変動圧力を作用させ
ると０．１５となり、約５倍となっている。同様に７０
０℃では０．１１が０．１６となり、また８００℃では
０．１９が０．２５に向上している。また、第３図から
れかるように変動荷重の振動数としては、１５〜３５Ｈ
ｚが最も好ましい。たたし、１０〜１００Ｈｚであって
も接合強度を向上することができる。また、加熱温度の
影響については、加熱温度の上昇に伴なって接合強度が
向上していることがわかる。ただし、加熱温度の上昇に
供なう強度の増大は約８００℃付近で飽和する。このこ
とは加熱温度を変えて引張強度の試験を行った結果を示
す第４図からも理解される。
σ。が約０．０３であったものが、変動圧力を作用させ
ると０．１５となり、約５倍となっている。同様に７０
０℃では０．１１が０．１６となり、また８００℃では
０．１９が０．２５に向上している。また、第３図から
れかるように変動荷重の振動数としては、１５〜３５Ｈ
ｚが最も好ましい。たたし、１０〜１００Ｈｚであって
も接合強度を向上することができる。また、加熱温度の
影響については、加熱温度の上昇に伴なって接合強度が
向上していることがわかる。ただし、加熱温度の上昇に
供なう強度の増大は約８００℃付近で飽和する。このこ
とは加熱温度を変えて引張強度の試験を行った結果を示
す第４図からも理解される。
加熱温度の保持時間及びふん囲気の影響加熱温度Ｔｃの
保持時間ｔ。を変えて引張強度試験を行フた結果を第５
図に示す。この第５図かられかるように、加熱温度Ｔｃ
の保持時間ｔ。は１５分前後が好ましく、長くなりすぎ
ると接合強度が次第に低下していく。また、第５図に示
す試験では、シリコンガラス管２６内のふん囲気を空気
、アルゴンガス及び真空の３つの場合に変えて行ってみ
た。アルゴンカスの場合が強度が多少高い傾向にあるか
、それほど大きい差は生じない。
保持時間ｔ。を変えて引張強度試験を行フた結果を第５
図に示す。この第５図かられかるように、加熱温度Ｔｃ
の保持時間ｔ。は１５分前後が好ましく、長くなりすぎ
ると接合強度が次第に低下していく。また、第５図に示
す試験では、シリコンガラス管２６内のふん囲気を空気
、アルゴンガス及び真空の３つの場合に変えて行ってみ
た。アルゴンカスの場合が強度が多少高い傾向にあるか
、それほど大きい差は生じない。
変動圧力の影響
変動圧力の基準値Ｐ。の大きさを変えた場合の試験結果
を第６図に示す。この試験はＰ、 −２゜５ＭＰａを一
定とし、Ｐｏを変えて曲げ強度を比較したものである。
を第６図に示す。この試験はＰ、 −２゜５ＭＰａを一
定とし、Ｐｏを変えて曲げ強度を比較したものである。
これから変動圧力の基準値Ｐｏか大きいほど接合強度が
犬きくなる傾向にあることがわかる。
犬きくなる傾向にあることがわかる。
（ト）発明の詳細
な説明してきたように、本発明によると、金属及びセラ
ミックスを加熱すると供に両者間に変動圧力を作用させ
るようにしたので、金属がセラミックス中へ効果的に拡
散され、十分な接合強度を得ることができる。また、変
動圧力を作用させつつ冷却することにより、残留熱応力
を軽減することができ、この点からも接合部の強度を向
上することかできる。
ミックスを加熱すると供に両者間に変動圧力を作用させ
るようにしたので、金属がセラミックス中へ効果的に拡
散され、十分な接合強度を得ることができる。また、変
動圧力を作用させつつ冷却することにより、残留熱応力
を軽減することができ、この点からも接合部の強度を向
上することかできる。
４、図面の簡単な説明 □
第１図は金属とセラミックスとを接合するための装置を
示す図、第２図は変動圧力の作用及び温度の時間変化を
示す図、第３図は温度及び変動圧力の振動数を変えた場
合の曲げ強度の変化を示す図、第４図は接合温度と引張
強度との関係を示す図、第５図は加熱温度の保持時間及
びふん囲気と引張強度との関係を示す図、第６図は変動
圧力の振動数と曲げ強度との関係を示す図である。
示す図、第２図は変動圧力の作用及び温度の時間変化を
示す図、第３図は温度及び変動圧力の振動数を変えた場
合の曲げ強度の変化を示す図、第４図は接合温度と引張
強度との関係を示す図、第５図は加熱温度の保持時間及
びふん囲気と引張強度との関係を示す図、第６図は変動
圧力の振動数と曲げ強度との関係を示す図である。
２２・・・金属、２４・・・セラミックス。
特許出願人 株式会社日木製鋼所
学校法人 広島電機学園
Claims (2)
- １．金属とセラミックスとを重ね合わせたものを金属の
融点よりも低く再結晶温度よりも高い温度に加熱すると
共に金属とセラミックスとの接触面にこれと直交する方
向の変動圧力を作用させ、次いで冷却する際に金属の再
結晶温度以下まで温度が低下するまでは変動圧力の作用
を保持させる金属とセラミックスとの接合方法。 - ２．変動圧力の振動数が毎秒１０〜１００回である特許
請求の範囲第１項記載の金属とセラミックスとの接合方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP313788A JPH01179770A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | 金属とセラミックスとの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP313788A JPH01179770A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | 金属とセラミックスとの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179770A true JPH01179770A (ja) | 1989-07-17 |
| JPH0471865B2 JPH0471865B2 (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=11548964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP313788A Granted JPH01179770A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | 金属とセラミックスとの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01179770A (ja) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100893871B1 (ko) * | 2004-10-13 | 2009-04-20 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 취성재료 기판의 스크라이브 방법 및 스크라이브 장치및 취성재료 기판의 절단 시스템 |
| JP2015059080A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社デンソー | 接合体の製造方法 |
| US9701563B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Laser cut composite glass article and method of cutting |
| US10047001B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-08-14 | Corning Incorporated | Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams |
| US10144093B2 (en) | 2013-12-17 | 2018-12-04 | Corning Incorporated | Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom |
| US10173916B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-01-08 | Corning Incorporated | Edge chamfering by mechanically processing laser cut glass |
| US10179748B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-01-15 | Corning Incorporated | Laser processing of sapphire substrate and related applications |
| US10233112B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-03-19 | Corning Incorporated | Laser processing of slots and holes |
| US10252931B2 (en) | 2015-01-12 | 2019-04-09 | Corning Incorporated | Laser cutting of thermally tempered substrates |
| US10280108B2 (en) | 2013-03-21 | 2019-05-07 | Corning Laser Technologies GmbH | Device and method for cutting out contours from planar substrates by means of laser |
| US10526234B2 (en) | 2014-07-14 | 2020-01-07 | Corning Incorporated | Interface block; system for and method of cutting a substrate being transparent within a range of wavelengths using such interface block |
| US10525657B2 (en) | 2015-03-27 | 2020-01-07 | Corning Incorporated | Gas permeable window and method of fabricating the same |
| US10611667B2 (en) | 2014-07-14 | 2020-04-07 | Corning Incorporated | Method and system for forming perforations |
| US10626040B2 (en) | 2017-06-15 | 2020-04-21 | Corning Incorporated | Articles capable of individual singulation |
| US10688599B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-06-23 | Corning Incorporated | Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines |
| US10730783B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-08-04 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots |
| US10752534B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-08-25 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks |
| US11028003B2 (en) | 2013-01-15 | 2021-06-08 | Corning Laser Technologies GmbH | Method and device for laser-based machining of flat substrates |
| US11062986B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-07-13 | Corning Incorporated | Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same |
| US11078112B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
| US11111170B2 (en) | 2016-05-06 | 2021-09-07 | Corning Incorporated | Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates |
| US11114309B2 (en) | 2016-06-01 | 2021-09-07 | Corning Incorporated | Articles and methods of forming vias in substrates |
| US11186060B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-11-30 | Corning Incorporated | Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same |
| US11542190B2 (en) | 2016-10-24 | 2023-01-03 | Corning Incorporated | Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates |
| US11554984B2 (en) | 2018-02-22 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness |
| US11648623B2 (en) | 2014-07-14 | 2023-05-16 | Corning Incorporated | Systems and methods for processing transparent materials using adjustable laser beam focal lines |
| US11697178B2 (en) | 2014-07-08 | 2023-07-11 | Corning Incorporated | Methods and apparatuses for laser processing materials |
| US11774233B2 (en) | 2016-06-29 | 2023-10-03 | Corning Incorporated | Method and system for measuring geometric parameters of through holes |
| US11773004B2 (en) | 2015-03-24 | 2023-10-03 | Corning Incorporated | Laser cutting and processing of display glass compositions |
| US12180108B2 (en) | 2017-12-19 | 2024-12-31 | Corning Incorporated | Methods for etching vias in glass-based articles employing positive charge organic molecules |
-
1988
- 1988-01-12 JP JP313788A patent/JPH01179770A/ja active Granted
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100893871B1 (ko) * | 2004-10-13 | 2009-04-20 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 취성재료 기판의 스크라이브 방법 및 스크라이브 장치및 취성재료 기판의 절단 시스템 |
| US11345625B2 (en) | 2013-01-15 | 2022-05-31 | Corning Laser Technologies GmbH | Method and device for the laser-based machining of sheet-like substrates |
| US11028003B2 (en) | 2013-01-15 | 2021-06-08 | Corning Laser Technologies GmbH | Method and device for laser-based machining of flat substrates |
| US11713271B2 (en) | 2013-03-21 | 2023-08-01 | Corning Laser Technologies GmbH | Device and method for cutting out contours from planar substrates by means of laser |
| US10280108B2 (en) | 2013-03-21 | 2019-05-07 | Corning Laser Technologies GmbH | Device and method for cutting out contours from planar substrates by means of laser |
| JP2015059080A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社デンソー | 接合体の製造方法 |
| US10173916B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-01-08 | Corning Incorporated | Edge chamfering by mechanically processing laser cut glass |
| US10611668B2 (en) | 2013-12-17 | 2020-04-07 | Corning Incorporated | Laser cut composite glass article and method of cutting |
| US10233112B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-03-19 | Corning Incorporated | Laser processing of slots and holes |
| US10179748B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-01-15 | Corning Incorporated | Laser processing of sapphire substrate and related applications |
| US10144093B2 (en) | 2013-12-17 | 2018-12-04 | Corning Incorporated | Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom |
| US10293436B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-05-21 | Corning Incorporated | Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom |
| US11148225B2 (en) | 2013-12-17 | 2021-10-19 | Corning Incorporated | Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom |
| US9701563B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Laser cut composite glass article and method of cutting |
| US10597321B2 (en) | 2013-12-17 | 2020-03-24 | Corning Incorporated | Edge chamfering methods |
| US10183885B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-01-22 | Corning Incorporated | Laser cut composite glass article and method of cutting |
| US11697178B2 (en) | 2014-07-08 | 2023-07-11 | Corning Incorporated | Methods and apparatuses for laser processing materials |
| US10611667B2 (en) | 2014-07-14 | 2020-04-07 | Corning Incorporated | Method and system for forming perforations |
| US11648623B2 (en) | 2014-07-14 | 2023-05-16 | Corning Incorporated | Systems and methods for processing transparent materials using adjustable laser beam focal lines |
| US10526234B2 (en) | 2014-07-14 | 2020-01-07 | Corning Incorporated | Interface block; system for and method of cutting a substrate being transparent within a range of wavelengths using such interface block |
| US10047001B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-08-14 | Corning Incorporated | Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams |
| US10252931B2 (en) | 2015-01-12 | 2019-04-09 | Corning Incorporated | Laser cutting of thermally tempered substrates |
| US11773004B2 (en) | 2015-03-24 | 2023-10-03 | Corning Incorporated | Laser cutting and processing of display glass compositions |
| US10525657B2 (en) | 2015-03-27 | 2020-01-07 | Corning Incorporated | Gas permeable window and method of fabricating the same |
| US11186060B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-11-30 | Corning Incorporated | Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same |
| US11111170B2 (en) | 2016-05-06 | 2021-09-07 | Corning Incorporated | Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates |
| US11114309B2 (en) | 2016-06-01 | 2021-09-07 | Corning Incorporated | Articles and methods of forming vias in substrates |
| US11774233B2 (en) | 2016-06-29 | 2023-10-03 | Corning Incorporated | Method and system for measuring geometric parameters of through holes |
| US11130701B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-09-28 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots |
| US10730783B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-08-04 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots |
| US11542190B2 (en) | 2016-10-24 | 2023-01-03 | Corning Incorporated | Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates |
| US10752534B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-08-25 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks |
| US10688599B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-06-23 | Corning Incorporated | Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines |
| US11062986B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-07-13 | Corning Incorporated | Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same |
| US11078112B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
| US11972993B2 (en) | 2017-05-25 | 2024-04-30 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
| US10626040B2 (en) | 2017-06-15 | 2020-04-21 | Corning Incorporated | Articles capable of individual singulation |
| US12180108B2 (en) | 2017-12-19 | 2024-12-31 | Corning Incorporated | Methods for etching vias in glass-based articles employing positive charge organic molecules |
| US11554984B2 (en) | 2018-02-22 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0471865B2 (ja) | 1992-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01179770A (ja) | 金属とセラミックスとの接合方法 | |
| US7441688B2 (en) | Methods and device for controlling pressure in reactive multilayer joining and resulting product | |
| US4444352A (en) | Method of thermo-compression diffusion bonding together metal surfaces | |
| CN100368135C (zh) | 真空扩散焊机加压方法 | |
| EP0179228A2 (en) | Horizontal press | |
| US4197977A (en) | Method of making an actively-cooled titanium structure | |
| JPS5849672A (ja) | 金属層とセラミツク層とからなる接合体及びその製造方法 | |
| JPS5835954B2 (ja) | 金属−セラミック多層摩耗性複合体を金属質基質に結着する方法 | |
| JPS5920721B2 (ja) | 多層金属・セラミツク複合体を金属基材に結合する方法 | |
| US9908194B2 (en) | Method for establishing a permanent bond between a ferrous alloy and an aluminium or an aluminium alloy | |
| JP6300323B2 (ja) | 接合体、構造体、接合体の製造装置、及び接合体の製造方法 | |
| JP2013504432A (ja) | ろう付けを使用する組み付け方法 | |
| JP7777035B2 (ja) | 鋼材接合体の製造方法 | |
| US5009360A (en) | Metal-to-metal bonding method and resulting structure | |
| JPH0393676A (ja) | 複合ピストンの製造方法およびその製造装置 | |
| JPH09142948A (ja) | セラミックス構造体の接合方法 | |
| JPH0624853A (ja) | セラミックス製閉ループ構造体の製造方法 | |
| JP2023176794A (ja) | 鋼材接合体の製造方法 | |
| JPS62183331A (ja) | 膜状体接合方法 | |
| JPS6342555B2 (ja) | ||
| JPH03112875A (ja) | 窒化珪素の接合方法と接合装置 | |
| JP2539069B2 (ja) | 中空構造物の拡散接合方法 | |
| JPS6234689A (ja) | クラツド材の製造方法 | |
| JP2844941B2 (ja) | フランジ付筒体の製造方法および製造装置 | |
| JPH0251478A (ja) | 金属・セラミックス接合法 |