JPH01180860A - 含フツ素芳香族ジアミン及びその製造方法 - Google Patents

含フツ素芳香族ジアミン及びその製造方法

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JPH01180860A
JPH01180860A JP476088A JP476088A JPH01180860A JP H01180860 A JPH01180860 A JP H01180860A JP 476088 A JP476088 A JP 476088A JP 476088 A JP476088 A JP 476088A JP H01180860 A JPH01180860 A JP H01180860A
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徹 松浦
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重邦 佐々木
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蓮田 良紀
Maki Ishizawa
真樹 石沢
Toshihiro Ichino
敏弘 市野
Shiro Nishi
西 史郎
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はポリイミドのモノマーとな夛うる新規な含フツ
素芳香族ジアミン及びその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
ポリイミドは種々O有機ポリマー○中で耐熱性に最も優
れているため、宇宙、航空分野から電子通信分野まで幅
広く使われ始めている。特に最近では、単に耐熱性に優
れているだけでなく、用途に応じて種々の性能を合せ持
つことが期待されている。列えばプリント板や、層間絶
縁膜などでに、誘電率が小さいことが期待され、光通信
関係でに屈折率が小さいことが期待されている。しかし
ながら、これらの性能に十分満足のいくポリイミドは得
られていない。これらのポリイミドを得るためには、モ
ノマーであるテトラカルボン酸二無水物又はジアミンに
、これらの性能を発現する置換基を導入する方法が考え
られる。例えばエポキシ樹脂においては、本発明者らは
ジャーナル オプ ポリマー サイエンス(、Iour
nal of Polymer 5cience ) 
 のパート(Part ) O、ポリマー レタース(
Po’lymer Letters )、第24巻、第
249頁(1986)に示されているようにエポキシ樹
脂の硬化剤に多フツ素置換基を導入することによ)、こ
れまでのエポキシ樹脂の中で最も低い誘電率を達成して
いる。また特開昭61−44969号公報で示されてい
るように、屈折率においても多フツ素置換基を導入する
ことにより、これまでのエポキシ樹脂の中で最も低い屈
折率を達成している。このようにフッ素置換基を導入す
ることにより、誘電率、屈折率の低減が期待できる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、これまでにポリイミドにフッ素置換基全
導入して、低誘電率、低屈折率を達成したという報告は
ない。またフッ素化ポリイミドを得るための含フツ素酸
無水物、含フツ素ジアミンの合成例は少なく、今後多く
のフッ素化ポリイミド用モノマーの出現が期待されてい
る。
本発明の目的は従来のポリイミドでに有していなかった
低誘電率、低屈折率?有するポリイミドを合成するに必
要な含フツ素芳香族ジアミン及びその製造方法を提供す
ることにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明を概説すれば、本発明の第1の発明は含フツ素芳
香族ジアミンに関する発明であって、下記−最大I: 〔式中y B−o−(am、)n(ap、)lnp基(
n ij 1又は徴とする。
そして、本発明の第2の発明に第1の発明の含フツ素芳
香族ジアミンの製造方法に関する発明であって、下記−
最大■: 〔式中y t4−0−(OH2)n(CF、)mF基(
n Fl 1又はジニトロベンゼンを還元すること全特
徴とする。
本発明者らは、含フツ素ジアミンについて分子設計した
結果、脂肪族では、ポリイミドの特徴である耐熱性を損
うため、芳香族ジアミンが好適であること、フッ素の導
入位置としては、芳香環に直接では、ジアミンの反応性
に劣るため適当ではないことを考え、1式に示す含フツ
素芳香族ジアミンを合成することとした。
1式の含フツ素芳香族ジアミンに■式の含フツ素ジニト
ロベンゼンの還元により合成するが■式の含フツ素ジニ
トロベンゼンに下記■式に示す反応式に従って合成した
。
・・・CHI] (式中Yは弐■と同義である) 含フツ素アルコールに例えば、2−フルオロエタノール
、IH,IH−ペンタデカフルオロオクタツール、IH
,IH,2H,2H−ノく一フルオロオクタンー1−オ
ール、IH,III−パーフルオロへブタン−1−オー
ル、IH,IH,2H,2H−パーフルオロヘキサン−
1−オール、IH,IH,2H,2H−パーフルオロド
デカン−1−オールなどがあり、フェノール類i 1.
、2.5.6−チトラフルオロフエノール、ペンタフル
オロフェノールである。本反応の溶媒ij、N、N−ジ
メチルホルムアミドなどの極性溶媒が好適であり、7ツ
化水素の捕捉剤としてトリエチルアミンなどの三級アミ
ンを加えると反応が速かに終了する。反応条件に、室温
〜100℃で5分〜60分間程度でよい。
次に■式の含フッ素ジニトロベンゼンカラI式の含フツ
素芳香族ジアミンへの還元でおるが、これは通常のニト
ロからアミンへの還元手法が利用できる。
例えば塩酸−塩化スズ(1)法、接触還元法、鉄−酢酸
法などが利用できる。
〔実施例〕 以下実施例によう本発明の含フツ素芳香族ジアミン及び
その製造方法について詳細に説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されない。
実施例1 (含フツ素ジニトロベンゼンの合成) 三角フラスコに2,4−ジニトロフルオロベンゼン55
8fXN、N−ジメチルホルムアミド30t、IH,I
H−ペンタデカフルオロオクタツール1i2F、)リエ
チルアミン、151を加えた。この混合物を室温で1時
間かくはんした後、反応液をNaOHを121F含有し
た50〇−の水にあけかくほんした。析出した固体を濾
過し、水で充分洗浄した後真空下60℃で1日乾燥した
。1’1.9tの粗6−(1111,lll−ペンタデ
カ70オロオクタノキン)−1J5−ジニトロベンゼン
を得た。これをベンゼンとヘキサンの混合溶媒で再結晶
し、純粋な化合物を得た。
(含フツ素芳香族ジアミンの合成) ナスフラスコに6−(1’H,IH−ペンタデカフルオ
ロオクタノキシ) −1,3−ジニトロベンゼン72と
塩化第−スズ21.6t、濃塩酸60d1酢酸18−を
加え、100℃で6時間かくはんした。室温まで放冷し
た後、反応混合物′1ic10重量僑の水酸化ナトIJ
ウム水溶液600dにあけた。これを酢酸エチルで抽出
し、乾燥後、酢酸エチルを留去した。茶褐色の固体が丘
541得られた。これを昇華精製することによシ純粋な
6−(IH,IH−ペンタデカフルオロオクタノキン)
 −1,3−ジアミノベンゼンを得た。
このものに第1図に示す赤外吸収スペクトル図で335
0 all ’ 1cNH,基に基づく吸収、1200
個−I K O−F基に基づく吸収が現われたこと、マ
ススペクトルにおいて親ピークが506に現れ分子量と
一致したこと、そして後記第1表に示すように元素分析
において測定値と計算値がほぼ一致していることから、
目的化合物であることを確認した。
(含フツ素ポリイミドの合成) ナスフラスコに6−(1H,IH−ペンタデカフルオロ
オクタツキsy ) −1,3−ジアミノベンゼンa0
6r、N−メチル−2−ピロリドン(llMP)60r
i加えた。この混合物が均一溶液になるまで室温でかく
はんした。この溶液に3.3.’ 4.4’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物1.44ft加えた。
この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間かくはんし、
ポリアミド酸のIMP溶液を得た。このものをアルミ板
上に流し、ドクターブレードで平たんにした後、100
℃で1時間、200℃で1時間、300℃で1時間加熱
キュアした。このアルミ板を10重量%ncz水溶液に
浸し、アルミ板を溶解して含フツ素ポリイミドフィルム
を得た。第2表に示すようにこのものの1 kHzでの
誘電率(りは五〇1屈折率(ny)は1.536であっ
た。
シアミンとして1,3−ジニトロベンゼンヲ用いて作興
したポリイミドフィルムの1 kHzでの誘電率は55
、屈折率(nto)に、1.675であった。このよう
に本発明の含フツ素芳香族ジアミンを用いた含フツ素ポ
リイミドに誘電率、屈折率とも通常のポリイミドに比較
して低減された。
実施例2〜7 (含フツ素ジニトロベンゼン及び含フツ素芳香族ジアミ
ンの合成) 実施例1と同様の方法によって、種々の含フツ素芳香族
ジアミンを得た。融点、元素分析のデータを第1表に示
す。また赤外吸収スペクトルを第2図(実施例2)、第
6図(実施例3)及び第4図(実施例7)に示す。
これらのものは、赤外吸収スペクトル、マススペクトル
、元素分析の結果から実施例1と同様にして、目的化合
物であることを確認した。
(含フツ素ポリイミドの合成) 実施例1と同様の方法を用いて、種々の含フツ素芳香族
ジアミンと3.hl 4.4/−ベンゾフェノンテトラ
カルポン酸二無水物から含フツ素ポリイミドフィルムを
得た。これらのものの1 kHzでの誘電率(−)及び
屈折率(n2D ) の値を第2表に示す。
これらの含フツ素ポリイミドフィルムの誘電率、及び屈
折率の値は、比較例1と比べて減少した。
このように、本発明の含フツ素ジアミンを用いた含フツ
素ポリイミドの誘電率及び屈折率に、従来のt3−ジア
ミノベンゼンを用いたポリイミドと比較して低減される
ことが明らかとなった。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の含フツ素芳香族ジアミン
に、フッ素置換基を有しているため、低誘電率、低屈折
率な新しい含フッ素ポリイミド?製造できる利点がある
。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第4図に本発明の含フツ素芳香族ジアミンの例
の各赤外吸収スペクトル図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、下記一般式 I : ▲数式、化学式、表等があります▼…〔 I 〕 〔式中Yは−O−(CH_2)_n(CF_2)_mF
    基(nは1又は2、mは0〜10の数を示す)、▲数式
    、化学式、表等があります▼ 基又は▲数式、化学式、表等があります▼基を示す〕で
    表されること を特徴とする含フッ素芳香族ジアミン。 2、下記一般式II: ▲数式、化学式、表等があります▼…〔II〕 〔式中Yは−O−(CH_2)_n(CF_2)_mF
    基(nは1又は2、mは0〜10の数を示す)、 ▲数式、化学式、表等があります▼基又は▲数式、化学
    式、表等があります▼基を示す〕で表 される含フッ素ジニトロベンゼンを還元することを特徴
    とする請求項1記載の含フッ素芳香族ジアミンの製造方
    法。
JP63004760A 1988-01-14 1988-01-14 含フツ素芳香族ジアミン及びその製造方法 Expired - Lifetime JPH0813792B2 (ja)

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