JPH01181492A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH01181492A JPH01181492A JP283888A JP283888A JPH01181492A JP H01181492 A JPH01181492 A JP H01181492A JP 283888 A JP283888 A JP 283888A JP 283888 A JP283888 A JP 283888A JP H01181492 A JPH01181492 A JP H01181492A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- quantum well
- optical guide
- active layer
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は安定で、高出力化を図るための半導体レーザ素
子の改良に関するものである。
子の改良に関するものである。
〈従来技術〉
高出力半導体レーザは、元ディスクメモリ書き込み用光
源をはじめとして、各種情報処理機器の光源やＹＡＧレ
ーザの励起用光源などの幅広い応用が期待されている。
源をはじめとして、各種情報処理機器の光源やＹＡＧレ
ーザの励起用光源などの幅広い応用が期待されている。
現在、この様な半導体レーザの高出力化に関しては、液
相成長法を用いた通常のダブルへテロ構造を中心とし友
研究開発が進められている。
相成長法を用いた通常のダブルへテロ構造を中心とし友
研究開発が進められている。
そのためには、活性層厚の減少や光ガイド層の導入によ
る光スポットのサイズの拡大（光密度の低減）や窓構造
の採用による共振器端面での光吸収の低減などの方法が
種々検討されている。
る光スポットのサイズの拡大（光密度の低減）や窓構造
の採用による共振器端面での光吸収の低減などの方法が
種々検討されている。
他方、近年Ｍ Ｂ Ｅ （Ｍｏｌｃｃｕｌａｒ＋Ｂｅａ
ｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）やＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）と呼ばれる超薄層の成長が可能で、かつ組成の制御性
にも優れた結晶成長技術が急速に発達し、量子井戸レー
ザと呼ばれる超薄層の活性層を有する半導体レーザが注
目されてきている。
ｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）やＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）と呼ばれる超薄層の成長が可能で、かつ組成の制御性
にも優れた結晶成長技術が急速に発達し、量子井戸レー
ザと呼ばれる超薄層の活性層を有する半導体レーザが注
目されてきている。
この量子井戸レーザは通常のダブルへテロ構造レーザに
比べ、大幅な低閾値電流が得られるなどの優れた特性を
有しており、個別の半導体レーザ素子ばかりではなく、
光電子集積回路（ＯＥＩＣ）などへの適用が期待されて
いる。
比べ、大幅な低閾値電流が得られるなどの優れた特性を
有しており、個別の半導体レーザ素子ばかりではなく、
光電子集積回路（ＯＥＩＣ）などへの適用が期待されて
いる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら液相成長法では得られる光出力の増大をも
たらす一方で、レーザの横モードの安定性や信頼性の低
下などをもたらす場合が多く、各種の応用機器に適した
特性を及する高出力半導体を得るまでは至っていない。
たらす一方で、レーザの横モードの安定性や信頼性の低
下などをもたらす場合が多く、各種の応用機器に適した
特性を及する高出力半導体を得るまでは至っていない。
他方、量子井戸レーザは、１つの量子井戸の厚さが通常
のダブルへテロ接合型レーザの活性層の厚さの１０分の
１程度と非）常に薄いので、良好な特性を得るために、
ＭＱＷ（Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｕｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造
、 Ｓ ＣＨ（Ｓｅｐｅｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅ
ｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造、 ＧＲ
ＩＮ−５ＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ−Ｉｎｄｅｘ Ｓｅｐｅｒ
ａｔｅＣｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕ
ｃｔｕｒｅ） 構造と呼ばれる構造によって、量子井
戸層（活性層）への光とじ込め係数を大きくしている。
のダブルへテロ接合型レーザの活性層の厚さの１０分の
１程度と非）常に薄いので、良好な特性を得るために、
ＭＱＷ（Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｕｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造
、 Ｓ ＣＨ（Ｓｅｐｅｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅ
ｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造、 ＧＲ
ＩＮ−５ＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ−Ｉｎｄｅｘ Ｓｅｐｅｒ
ａｔｅＣｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕ
ｃｔｕｒｅ） 構造と呼ばれる構造によって、量子井
戸層（活性層）への光とじ込め係数を大きくしている。
その一方で、共振器内の光密度が犬きく、最大光出力が
制御されて高出力動作時の信頼性低下の一因になってい
る。
制御されて高出力動作時の信頼性低下の一因になってい
る。
この傾向は、第６図に示す光とじ込め効果の大きい従来
のＧＲＩＮ−８ＣＨ構造（量子井戸近傍の組成と屈折率
）のものでも顕著に表われている。
のＧＲＩＮ−８ＣＨ構造（量子井戸近傍の組成と屈折率
）のものでも顕著に表われている。
すなわち、第６図の光ガイド”４．６は量子井戸層６に
接している部分を原点としてＡＡ’Ｘ Ｇ ａ Ｉ −
ＸＡｓの組成を０．２≦Ｘ≦０．７になる様に成長させ
ると、組成の濃度分布及び屈折率の形状は第１次関数−
第２次関数を示し、 〈問題点を解決するための手段〉 本発明は上述の事情に鑑み創出されたものである。量子
井戸レーザは、低閾値電流、高微分効率といった特徴を
有しており、高出力半導体レーザとして好ましい特性で
あり、この量子井戸構造を採用し構造を改良することに
よりレーザの出力特性は大幅に改善する可能性がある。
接している部分を原点としてＡＡ’Ｘ Ｇ ａ Ｉ −
ＸＡｓの組成を０．２≦Ｘ≦０．７になる様に成長させ
ると、組成の濃度分布及び屈折率の形状は第１次関数−
第２次関数を示し、 〈問題点を解決するための手段〉 本発明は上述の事情に鑑み創出されたものである。量子
井戸レーザは、低閾値電流、高微分効率といった特徴を
有しており、高出力半導体レーザとして好ましい特性で
あり、この量子井戸構造を採用し構造を改良することに
よりレーザの出力特性は大幅に改善する可能性がある。
すなわち、ＭＢＥ法に於いてその作製が容易なＧＲＩＮ
−５ＣＨ構造による高出力化を図り、高出力半導体レー
ザの提供を目的としている。
−５ＣＨ構造による高出力化を図り、高出力半導体レー
ザの提供を目的としている。
上記目的を実現するためには、ＧＲＩＮ−９ＣＨ構造の
光ガイド層の屈折率変化を適切に選び、光の広がりを犬
きぐする。つまり、レーザ光のスポットサイズを大きく
することによって活性層で生ずる光密度を低減化させ、
高出力の達成を図る。
光ガイド層の屈折率変化を適切に選び、光の広がりを犬
きぐする。つまり、レーザ光のスポットサイズを大きく
することによって活性層で生ずる光密度を低減化させ、
高出力の達成を図る。
く作用〉
本発明のＧＲＩＮ−８ＣＨ構造の量子井戸レーザは、そ
の光ガイド層の組成変化を量子井戸（活性層）との界面
からの距離の３次間数〜５次関数とすることにより、非
常に大きな光とじ込め係数が得られると同時に大きな光
の広がりを示す様になる。従って光ガイド層の屈折率の
形態を従来のものと変えることにより光の広がりが大き
くなる。
の光ガイド層の組成変化を量子井戸（活性層）との界面
からの距離の３次間数〜５次関数とすることにより、非
常に大きな光とじ込め係数が得られると同時に大きな光
の広がりを示す様になる。従って光ガイド層の屈折率の
形態を従来のものと変えることにより光の広がりが大き
くなる。
量子井戸活性層に係る光密度を従来のものと同一にする
と本発明の方が光の広がり分だけ高い出力光が得られ高
出力が可能になる。
と本発明の方が光の広がり分だけ高い出力光が得られ高
出力が可能になる。
特にＭＢＥ法で成長する場合には原料セルの数が少なく
てすみ制御性が改善される。
てすみ制御性が改善される。
〈実施例〉
本発明の１実施例の量子井戸近傍の結晶組成及び屈折率
変化を第１図に示す。また第２図には、本実施例の構造
断面図を示す。
変化を第１図に示す。また第２図には、本実施例の構造
断面図を示す。
以下、本発明を、１実施例に基づいて詳細に説明する。
第２図に示す様にｎ −ＧＢＡ３基板１上に、ＭＢＥ法
により、ｎ−ＧａＡｓバッファー層２ （０，５μｍ）
。
により、ｎ−ＧａＡｓバッファー層２ （０，５μｍ）
。
ｎ −ｋｌＯ，７ＧａＯ，３Ａｓ第１クラッド層３ （
１，２μｍ）＋ＡＩ！、 Ｇａ Ｉ−ｙ Ａ ｓ第１光
ガイド層４ （０，２ｔｔｍ、 ０．２４ｙ工０．７）
、ＧａＡｓ量子井戸活性層ｓ（０，６ｎｍ）ＡｌｚＧａ
Ｈ−２Ａｓ第２光ガイド層６ （０，２ｐｍｏ、２４ｚ
≦０．７）、ｐ Ａｌ□、７Ｇａｏ、、、３Ａｓ第２ク
ラット層７（１，２μｍ）＋ ｐ−ＧａＡｓキャップ層
８（０，５１ｔｍ）＋ｎ−ＡＩＱ、５Ｇａ（Ｌ５ＡＳ電
流阻止層９（０，４μｍ）を連続して成長はせる。
１，２μｍ）＋ＡＩ！、 Ｇａ Ｉ−ｙ Ａ ｓ第１光
ガイド層４ （０，２ｔｔｍ、 ０．２４ｙ工０．７）
、ＧａＡｓ量子井戸活性層ｓ（０，６ｎｍ）ＡｌｚＧａ
Ｈ−２Ａｓ第２光ガイド層６ （０，２ｐｍｏ、２４ｚ
≦０．７）、ｐ Ａｌ□、７Ｇａｏ、、、３Ａｓ第２ク
ラット層７（１，２μｍ）＋ ｐ−ＧａＡｓキャップ層
８（０，５１ｔｍ）＋ｎ−ＡＩＱ、５Ｇａ（Ｌ５ＡＳ電
流阻止層９（０，４μｍ）を連続して成長はせる。
次に電流阻止層９をフォ） ＩＪソグラフィ法を用いて
５μ幅でストライブ状に選択的にエツチングする。更に
、ウェーハの裏面を研磨して、全厚を１′ｏＯμｍ程度
の厚さにする。最後に、ｐ側電極１０＋ｎ側電極１１を
形成して完成きせる。
５μ幅でストライブ状に選択的にエツチングする。更に
、ウェーハの裏面を研磨して、全厚を１′ｏＯμｍ程度
の厚さにする。最後に、ｐ側電極１０＋ｎ側電極１１を
形成して完成きせる。
先にも述べた様に同様な方法で作製される通常のＧＲＩ
Ｎ−９ＣＨ型レーザは良好な低閾値電流特性を得るため
に光ガイド層４，６の屈折率の変化を量子井戸活性層５
との界面からの距離に対して直線的もしくは２次関数で
変化させることにより、非常に強い光のどじ込めを実現
している。この強い光とじ込めの効果により、量子井戸
レーザの閾値電流値は非常に小さく、第２図に示す電極
ストライプ型の構造に於いても約４０ｍＡと通常のダブ
ルへテロ接合構造の場合に比べて３分の１程度になって
いる。
Ｎ−９ＣＨ型レーザは良好な低閾値電流特性を得るため
に光ガイド層４，６の屈折率の変化を量子井戸活性層５
との界面からの距離に対して直線的もしくは２次関数で
変化させることにより、非常に強い光のどじ込めを実現
している。この強い光とじ込めの効果により、量子井戸
レーザの閾値電流値は非常に小さく、第２図に示す電極
ストライプ型の構造に於いても約４０ｍＡと通常のダブ
ルへテロ接合構造の場合に比べて３分の１程度になって
いる。
又、横方向の電流及び光のとじ込めが良好なストライプ
構造を採用すれば１０ｍＡないしそれ以下の値を容易に
得ることが出来る。
構造を採用すれば１０ｍＡないしそれ以下の値を容易に
得ることが出来る。
それに対して、第１図に示す本実施例では光ガイド層４
，６の厚さが従来のものと同じ０゜２μｍであるが、Ｍ
ＢＥ法の原料セルＡｌ、Ｇａ＋ Ａｓの各温度のプログ
ラム制御はブラッド層３，７に近い部分を高いＡｌＡｓ
組成になる様に調整されるこの組成を第１図に示す様な
量子井戸活性層５の端から距離の５次関数に変化する様
にする。
，６の厚さが従来のものと同じ０゜２μｍであるが、Ｍ
ＢＥ法の原料セルＡｌ、Ｇａ＋ Ａｓの各温度のプログ
ラム制御はブラッド層３，７に近い部分を高いＡｌＡｓ
組成になる様に調整されるこの組成を第１図に示す様な
量子井戸活性層５の端から距離の５次関数に変化する様
にする。
すなわち、ＡｌＧａＡｓ系においては、その組成と屈折
率はほぼ比例関係にあるので具体的には組成比ｙ＋
Ｚを５次の関数的に変化させており第１図の屈折率変化
として表わせる。
率はほぼ比例関係にあるので具体的には組成比ｙ＋
Ｚを５次の関数的に変化させており第１図の屈折率変化
として表わせる。
第１クラッド層３の屈折率はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓの組
成Ｘ。＝０．７よｔ）ｎ（仝３．］が求められ、量子井
戸活性層５に接している側の第１光ガイド層４のＡＩ！
＞（Ｇａｌ−）（Ａｓの組成ｘＯ＝０．２よりｎｏ 含
３．４５になる。
成Ｘ。＝０．７よｔ）ｎ（仝３．］が求められ、量子井
戸活性層５に接している側の第１光ガイド層４のＡＩ！
＞（Ｇａｌ−）（Ａｓの組成ｘＯ＝０．２よりｎｏ 含
３．４５になる。
第１光ガイド層４内の屈折率ｎｇは量子井戸活性層５と
第１光ガイド層の界面を原点として第１光ガイド層４側
への距離ｅｇ（μｍ）に対して、次の式で表わせる。
第１光ガイド層の界面を原点として第１光ガイド層４側
への距離ｅｇ（μｍ）に対して、次の式で表わせる。
また組成Ｘは
の上記式（４）で示せる。
５次関数である（３１． （４１式は明らかに、第１光
ガイド層４内（ｏ＜Ｉｇ ＜ｌｃ ）に於いてｎｇ（Ｊ
’ｇ）＜ｎ□Ｉｘｇ（ｌｇ）ンＸＱであり１の上記；１
１． （２］式を満足させ本発明が成立っている。
ガイド層４内（ｏ＜Ｉｇ ＜ｌｃ ）に於いてｎｇ（Ｊ
’ｇ）＜ｎ□Ｉｘｇ（ｌｇ）ンＸＱであり１の上記；１
１． （２］式を満足させ本発明が成立っている。
同様に第２光ガイド層６側に対しても量子井戸活性層５
に接している界面を原点として、上述の式と対称な屈折
率変化９組成変化のものを作り込んでｒる。
に接している界面を原点として、上述の式と対称な屈折
率変化９組成変化のものを作り込んでｒる。
次に第１光ガイド層３の屈折率の変化をＡ ｌ＋Ｇ ａ
ｒＡｓの各セル温度を調整して３次関数的に変化させ
た。
ｒＡｓの各セル温度を調整して３次関数的に変化させ
た。
この場合でも、量子井戸活性層５と第１光ガイド層４の
界面を原点として、第１光ガイド層４側への距離ｌｇ（
μｍ）に対して の上記＋５１． ＋６１式で表わせ、同様なことをｙＪ
Ｅ２元ガイド層側にも対称になる様に作製する。
界面を原点として、第１光ガイド層４側への距離ｌｇ（
μｍ）に対して の上記＋５１． ＋６１式で表わせ、同様なことをｙＪ
Ｅ２元ガイド層側にも対称になる様に作製する。
上記の如く屈折率の変化を連続的に３，５次関数に設定
させると、第４図に示す様に、共振器断面での光の分布
は屈折率が従来の２次関数的に変化しているものに比べ
て、非常に広くなでいることが分かる。
させると、第４図に示す様に、共振器断面での光の分布
は屈折率が従来の２次関数的に変化しているものに比べ
て、非常に広くなでいることが分かる。
そのため、量子井戸活性層５内への光のとじ込め係数は
やや減少し、ピーク光強度も減少するものの全体的な発
光強度は少し減少するに留る。つまり同一のピーク光強
度で見ると、本発明の方が量子井戸活性層５での負担が
軽減出来る様に成った０ それ等により、従来から量子井戸活性層５で信頼性が制
約されていたものが改善され、高出力動作時の信頼性が
大幅に向上して来た。
やや減少し、ピーク光強度も減少するものの全体的な発
光強度は少し減少するに留る。つまり同一のピーク光強
度で見ると、本発明の方が量子井戸活性層５での負担が
軽減出来る様に成った０ それ等により、従来から量子井戸活性層５で信頼性が制
約されていたものが改善され、高出力動作時の信頼性が
大幅に向上して来た。
実際に９０％−５％の非対称端面コーテングを行った素
子で比較して見ると、第４図に示す様に、従来の構造素
子に比べ、本発明では約１．５倍の大きな破壊出力（４
２０＋１１Ｗ）を得ることが出来た。
子で比較して見ると、第４図に示す様に、従来の構造素
子に比べ、本発明では約１．５倍の大きな破壊出力（４
２０＋１１Ｗ）を得ることが出来た。
又、第５図は本発明の他の実施例を示したもので、上述
のものより、光の拡がりを犬きくするために光ガイド層
の厚ざを０．４μｒｒＬまで厚くさせている。しかしこ
のままでは閾値電流が大きくなるので、量子井戸活性層
を多重量子井戸にして、光とじ込め係数を増加させ、閾
値電流の増加を防いでいる。この場合でも光ガイド層の
屈折率変化は第１図の実施例と同様な５次関数にしてい
る。
のものより、光の拡がりを犬きくするために光ガイド層
の厚ざを０．４μｒｒＬまで厚くさせている。しかしこ
のままでは閾値電流が大きくなるので、量子井戸活性層
を多重量子井戸にして、光とじ込め係数を増加させ、閾
値電流の増加を防いでいる。この場合でも光ガイド層の
屈折率変化は第１図の実施例と同様な５次関数にしてい
る。
なお上述の実施例ではＭＢＥ法について行っているが、
ＭＯＣＶＤ法でも同様な組成、屈折率変化のものが作れ
る。
ＭＯＣＶＤ法でも同様な組成、屈折率変化のものが作れ
る。
更に、第１図第５図の１実施例は光ガイド層の材料とし
て、ＡＡ’ＧａＡｓ を用いていたが、他の材料として
イオン半径のほぼ等しいＡｌ＋Ｇａ＋を含むＩｎＧａＡ
／ｐなどについても適用出来ることは言うまでもない。
て、ＡＡ’ＧａＡｓ を用いていたが、他の材料として
イオン半径のほぼ等しいＡｌ＋Ｇａ＋を含むＩｎＧａＡ
／ｐなどについても適用出来ることは言うまでもない。
〈発明の効果〉
本発明による良好な閾値電流特性等を有するＧＲＩＮ−
８ＣＨ構造の量子井戸レーザは、高出力動作と高信頼性
を得ることが出来る。
８ＣＨ構造の量子井戸レーザは、高出力動作と高信頼性
を得ることが出来る。
また光分布の幅を拡げることにより活性層に垂直方向の
遠視野像の半値幅が狭くなるため、光の利用効率が容易
に増加するなどの効果を有してｒる。
遠視野像の半値幅が狭くなるため、光の利用効率が容易
に増加するなどの効果を有してｒる。
更に、ＭＢＥ法によって作製する場合には最少限のセル
数で成長が可能であり、放出ガスや液体窒素の消費量な
どの点でも少なくて済みその利点は大きい。
数で成長が可能であり、放出ガスや液体窒素の消費量な
どの点でも少なくて済みその利点は大きい。
第１図は本発明による１実施例の量子井戸近傍の組成及
び屈折率の変化を示したもので、第２図・は、本発明の
１実施例に用いた半導体レーザ素子の構造断面図である
。第３図は従来例と本発明の共振器内の光分布の違いを
示すもので、第４図は従来例と本発明の特性を比較した
例である。第５図は本発明の他の実施例を示したもので
ある。第６図は従来例のＧＲＩＮ−３ＣＨレーザの量子
井戸近傍の組成及び屈折率の変化を示したものである。 １ ： ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ： ｎ Ｇ ａＡ ｓバッファ層 ３ ：ｎＡｌ
ＧａＡｓ第４クラ、ド層 ４ ： ＡｌｙＧａ＋−ｙＡｓ第１光ガイド層５：量子
井戸活性層 ６ ：ＡｌｚＧａｌ −ＺＡＳ 第２光ガイド層７
： ｐ−ＡｌＧａＡｓＪ２クラッド層８ ： ｐ−Ｇａ
Ａｓキャッ、プ層 ９ ： ｎ ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層ｉｏ：ｐ側
電極 １１：ｎ側電極 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）何ｊ図 第３図
び屈折率の変化を示したもので、第２図・は、本発明の
１実施例に用いた半導体レーザ素子の構造断面図である
。第３図は従来例と本発明の共振器内の光分布の違いを
示すもので、第４図は従来例と本発明の特性を比較した
例である。第５図は本発明の他の実施例を示したもので
ある。第６図は従来例のＧＲＩＮ−３ＣＨレーザの量子
井戸近傍の組成及び屈折率の変化を示したものである。 １ ： ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ： ｎ Ｇ ａＡ ｓバッファ層 ３ ：ｎＡｌ
ＧａＡｓ第４クラ、ド層 ４ ： ＡｌｙＧａ＋−ｙＡｓ第１光ガイド層５：量子
井戸活性層 ６ ：ＡｌｚＧａｌ −ＺＡＳ 第２光ガイド層７
： ｐ−ＡｌＧａＡｓＪ２クラッド層８ ： ｐ−Ｇａ
Ａｓキャッ、プ層 ９ ： ｎ ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層ｉｏ：ｐ側
電極 １１：ｎ側電極 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）何ｊ図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、屈折率傾斜型の光ガイド層及び量子井戸活性層を有
する半導体レーザ素子に於いて、前記半導体レーザ素子
に第１クラッド層、第１光ガイド層、量子井戸活性層、
第２光ガイド層、第２クラッド層を備え、前記量子井戸
活性層が少なくとも接続している側の光ガイド層の端を
原点として、クラッド層と接続している側の光ガイド層
の端をｌ＿ｃとした時、光ガイド層の位置ｌｇに対して
、光ガイド層の屈折率ｎｇ（ｌｇ）がｏ＜ｌｇ＜ｌ＿ｃ
の範囲において、ｌｇ＝ｏ：ｌｇ＝ｌ＿ｃでの屈折率ｎ
＿ｏ、ｎ＿ｃに対して、 ｎ＿ｏ＞ｎｇ（ｌｇ）≧−［（ｎ＿ｏ−ｎ＿ｃ）／（ｌ
＿ｃ）＾３］・（ｌｇ）＾３＋ｎ＿ｏ であることを特徴とする半導体レーザ素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP283888A JPH01181492A (ja) | 1988-01-09 | 1988-01-09 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP283888A JPH01181492A (ja) | 1988-01-09 | 1988-01-09 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01181492A true JPH01181492A (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=11540554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP283888A Pending JPH01181492A (ja) | 1988-01-09 | 1988-01-09 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01181492A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0649200A3 (en) * | 1993-10-15 | 1995-06-28 | Ibm | Semiconductor laser with quantum wells, single mode, planar, without mirror window topology with current confinement. |
| US6078602A (en) * | 1996-02-12 | 2000-06-20 | Nec Corporation | Separate confinement heterostructured semiconductor laser device having high speed characteristics |
-
1988
- 1988-01-09 JP JP283888A patent/JPH01181492A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0649200A3 (en) * | 1993-10-15 | 1995-06-28 | Ibm | Semiconductor laser with quantum wells, single mode, planar, without mirror window topology with current confinement. |
| US6078602A (en) * | 1996-02-12 | 2000-06-20 | Nec Corporation | Separate confinement heterostructured semiconductor laser device having high speed characteristics |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5416790A (en) | Semiconductor laser with a self-sustained pulsation | |
| US4860297A (en) | Quantum well semiconductor laser device | |
| JPH06260716A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2792177B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05251813A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2702871B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2775950B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH02228087A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH02116187A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH10209553A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3239821B2 (ja) | 歪み半導体結晶の製造方法 | |
| JP2860217B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH0125238B2 (ja) | ||
| JP3674139B2 (ja) | 可視光半導体レーザ | |
| JP2949927B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3144821B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH02181486A (ja) | 半導体レーザ素子及び半導体レーザアレイ | |
| JPH0472787A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6370471A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2003179302A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0728093B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH07321395A (ja) | 自励発振型半導体レーザ素子 | |
| JP3403180B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0728094B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH04208586A (ja) | 半導体レーザ |