JPH10209553A

JPH10209553A - 半導体レーザ素子

Info

Publication number: JPH10209553A
Application number: JP611397A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Kawanaka; 敏川中; Toshiaki Tanaka; 俊明田中
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-01-17
Filing date: 1997-01-17
Publication date: 1998-08-07

Abstract

(57)【要約】【課題】アスペクト比が小さく、光出力−電流特性が優
れた高信頼の半導体レーザ素子を容易に実現できる素子
構造を提供する。【解決手段】半導体基板上にＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎ
Ｐ量子井戸構造を活性領域としたダブルヘテロ構造を有
し、電流狭窄構造となる埋込構造を設けたＡｌＧａＩｎ
Ｐ半導体レーザ素子において、レーザ光の吸収が少ない
半導体結晶として無秩序化させたＧａＩｎＰ混晶を埋込
層の一部に用い、埋込層の中でレーザ光に対して吸収層
となる層へのレーザ光の漏れを抑制した構造とし、電流
狭窄を行うストライプ構造の幅を狭めて高次の横モード
を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ素子に
関する。

【０００２】

【従来の技術】情報端末機器、特に光ディスクに用いら
れる高出力半導体レーザでは、単一横モード発振を維持
しながら所望の光出力を得ることが必要である。ＧａＡ
ｓ基板上に形成したＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザの場
合、ＧａＡｓブロック層とコンタクト層を埋込成長によ
り形成し、電流狭窄構造と横モード制御構造を構成する
ことが一般的になっている。レーザの横モードは、電流
注入部となるストライプ構造により制御され、ストライ
プの幅を狭くすると共に基本モードと高次モードの伝搬
損失差が増加する。キンクのない良好な光出力−電流特
性を得るには、ストライプの幅を狭くすることが望まし
い。

【０００３】一方、半導体レーザの光出力は、レーザ端
面部の光損傷により制限されており、光出力を増加させ
るためにはレーザ端面近傍での光吸収による熱の発生を
抑制することが重要になる。ストライプ幅を広げた場
合、活性層に対して水平方向のスポットサイズが広がる
ため、光子の密度が低下して端面破壊レベルを増加させ
ることができる。従来のレーザ素子では、このようなト
レードオフ並びに、他の諸特性を考慮し、所望の光出力
が得られるようにストライプ幅を設定していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のような半導体レ
ーザでは、横モード制御を行うストライプ構造の幅は、
５μｍ程度となっていることが多く、基本的には多モー
ド導波路となっている。光出力３０ｍＷ程度のレーザで
は、活性層に対して垂直な方向のビーム放射角は２０度
程度、水平方向は９度程度であり、アスペクト比は２よ
り大きくなる。

【０００５】しかし、光ディスクの光源に用いる場合に
は、アスペクト比はできるだけ１に近い方が望ましい。
光ディスクの面上での集光スポットは円形に近くする必
要があるため、アスペクト比が大きい場合にはビーム整
形を行う必要が生じる。このような場合、ビーム整形を
行うための光学部品や、光軸調整に労力が必要となり、
低コスト化が困難となる。

【０００６】また、このような多モード導波路を用いた
レーザでは、レーザの動作条件によっては基本モードと
高次モードの間で干渉が生じ、光出力−電流特性の線形
性が損なわれることがある（例えば、第１４回アイイ
ーイーイーインタナショナルセミコンダクタレーザ
カンファレンスダイジェスト（14th IEEE Internat
ional Semiconductor Laser Conference Digest）pp.２
４１−２４２，１９９６において報告されている）。

【０００７】このような問題点を解決するためには、高
次モードが発生しにくい導波路構造とすることが重要で
あり、ストライプ幅を狭くして高次モードの伝搬損失を
増加させることが最も容易な方法である。幅の狭いスト
ライプ構造を用いた場合には、水平方向のスポットサイ
ズが小さくなるため、同時に水平方向のビーム放射角を
大きくできる。従って、アスペクト比は１に近付き、光
ディスク等に応用する際にビーム整形に要するコストを
省けることになる。

【０００８】しかし、従来のＡｌＧａＩｎＰレーザでは
電流狭窄層としてＧａＡｓ層を用いており、電流狭窄層
において光吸収が生じるためにレーザ内部での伝搬損失
が急激に増加する。特に、ストライプ幅を狭くするに従
って電流狭窄層に漏れる光量が増加するため、閾値電流
の増大，スロープ効率の低下等の問題が生じる。

【０００９】

【課題を解決するための手段】ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩ
ｎＰ量子井戸活性層を有し、電流狭窄構造としてGaAs埋
込構造を設けたＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザにおいて、
レーザ光の光子エネルギよりもバンドギャップエネルギ
が大きい半導体材料として無秩序化させたＧａＩｎＰ混
晶もしくはＡｌＧａＩｎＰ混晶を埋込層の一部に用い、
光吸収層となるＧａＡｓ埋込層へのレーザ光の漏れを抑
制できる構造とすると共に、レーザ共振器内の少なくと
も一部のストライプ構造の幅を制御し、高次の横モード
を抑制できる構造とすることにより上記課題を解決でき
る。

【００１０】従来のＡｌＧａＩｎＰレーザ素子の一般的
な断面構造を図２に示した。同図において、１はｎ型Ｇ
ａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、３は
ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸構造、４はｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層、５はエッチングストップ層、
６はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、７はｐ型ＧａＩｎ
Ｐバッファ層、９はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層、１０
はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１１はｐ~電極、１２は
ｎ~電極である。

【００１１】これは、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の一部
にリッジ状のストライプ構造を設け、その両側をＧａＡ
ｓブロック層９で埋め込み、電流狭窄と横モードの制御
を行う構造となっている。リッジ状のクラッド層６下側
の活性領域を中心に閉じ込められたレーザ光は、バンド
ギャップエネルギが小さいＧａＡｓブロック層にも漏れ
を生じ、ブロック層内で吸収を受けることになる。この
ような導波路を用いた素子では、共振器内部でのレーザ
光の伝搬損失は比較的大きくなる。

【００１２】例えば、リッジストライプの幅（リッジ下
部）が５μｍ程度の素子では、伝搬損失は１５〜２０
（１／cm）となる。従来の構造では、諸特性を考慮して
ストライプ幅は５μｍ程度に設定されることが多いが、
ストライプ幅が５μｍ程度の導波路構造では３〜４個の
横モードが存在しうる多モード導波路となってしまう。

【００１３】導波路構造が多モードとなっていても、光
学利得や伝搬損失の差から多くの場合は基本モードで発
振する。しかし、動作温度や駆動電流波形等のレーザ駆
動条件が変わり、基本モードと１次モードの間で位相条
件が整うと、両者の間に干渉が生じて光出力−電流特性
にはキンクが発生する。多モード導波路を用いる限りこ
の問題を避けるのは困難であり、任意のレーザ駆動条件
でキンクのない良好な光出力−電流特性を得ることは難
しい。

【００１４】一方、この問題を避けるためにストライプ
幅を狭くして単一モードに近い導波路構造を形成した場
合、ＧａＡｓブロック層９での光吸収が増大するため、
基本モードに対する損失も増加してしまう。

【００１５】図５は、ストライプ幅に対して基本モード
の伝搬損失をプロットした図である。従来の素子では、
ストライプ幅が５μｍ以下になると損失が増大し、この
ためにレーザのスロープ効率は２／３〜１／２程度まで
低下することになる。

【００１６】これに対し、図１に示した本発明のレーザ
素子では、電流ブロック層９を、バンドギャップエネル
ギが大きくレーザ光の吸収が少ない層８とＧａＡｓ層９
の２層構造とすることで損失の増加を抑える。本発明に
よれば、ストライプ幅を１μｍ程度まで狭くしても損失
が増加しない。従って、本発明を用いると単一モードに
近い導波路構造を用いても、スロープ効率の低下や閾値
電流の増大などの悪影響を引き起こすことはない。Ｇａ
ＩｎＰ層の最適な膜厚範囲は活性領域各層の膜厚，スト
ライプの形状等によって変化するが、クラッド層から漏
れたレーザ光がＧａＡｓ層に漏れる量を、ＧａＡｓのみ
でブロック層を形成した従来の素子に比べて１／１０以
下に抑制できるように設計すればよい。

【００１７】次に、ＧａＡｓに代えて用いる光吸収が少
ない層について述べる。AlGaInP 半導体レーザの出射光
（波長６００〜７２０ｎｍ）に対して光吸収の少ない半
導体材料として（Ａｌ）ＧａＩｎＰ混晶を用いる。本発
明の実施例ではＧａＩｎＰを用いているが、Ａｌ原子の
入った四元混晶とすることでバンドギャップエネルギを
高め、より光吸収の少ない埋込層を構成できる。

【００１８】以下では三元混晶ＧａＩｎＰを用いる場合
について述べているが、AlGaInP 混晶を用いた場合でも
同様のことが言える。

【００１９】ＧａＩｎＰ混晶では、有機金属気相成長法
により形成した結晶のバンドギャップエネルギが、結晶
の成長条件により大きく変化することが知られている。
例えば、ｎ型のドーパントとなるＳｉを不純物として添
加した場合、ＧａＩｎＰ混晶のバンドギャップエネルギ
は図６のように変化する。

【００２０】Ｓｉのドーピング量が非常に小さく、キャ
リア濃度が１×１０¹⁷(１／cm³）以下の場合、或いは、
不純物を添加していない場合には、ＧａＩｎＰの結晶内
にはＧａ原子とＩｎ原子が交互に並ぶ自然超格子構造を
持つ秩序化されたドメインが多数存在する。この時のＧ
ａＩｎＰ混晶のバンドギャップエネルギＥ_gは１.８ｅ
Ｖ程度であった。Ｓｉのドーピング量を増すと共に結晶
内の無秩序化が進み、キャリア濃度が１×１０¹⁸(１／c
m³）以上となるとＧａＩｎＰ混晶内には自然超格子構造
はほぼ見られなくなる。この時のバンドギャップエネル
ギは１.９３eＶ程度であった。

【００２１】このような現象は、ＧａＩｎＰのキャリア
濃度だけでなく、ＧａＡｓ基板の基板傾角，成長時の基
板温度等によっても影響を受ける。従って、埋込成長時
の結晶成長の諸条件を無秩序化が起こるように設定する
ことで、光子エネルギが２ｅＶより小さいレーザ光に対
して光吸収が小さい埋込層が形成できることがわかる。
特に、光子エネルギが１.９３ｅＶより小さいレーザ素
子、即ち、発振波長が６４５ｎｍよりも長いレーザ素子
では、ＧａＩｎＰ層は透明な層となるため、非常に損失
が小さい導波路構造を得られる。

【００２２】このように、本発明によって単一モードに
近い幅の狭いストライプ構造を利用できるため、基本モ
ードと高次モードの干渉によるキンクを抑制できるだけ
でなく、横モードの水平方向への拡がりを抑えてアスペ
クト比の小さなレーザ素子を得ることが可能となる。

【００２３】一方、幅の狭い導波路構造を用いたことの
弊害としては、端面付近での光密度が増大することか
ら、光出力が低下することが考えられる。レーザ素子の
端面破壊は光吸収によって生じる熱に起因するため、端
面近傍の温度上昇をできるだけ抑制することで端面破壊
の生じる光出力を上げられる。本発明を用いた素子で
は、ＧａＡｓ層に代えて光吸収の少ないＧａＩｎＰ層も
しくはＡｌＧａＩｎＰ層を用いており、光吸収による発
熱が抑えられて端面付近の温度上昇は小さくなる。

【００２４】さらに、光吸収の一因にはレーザ端面の表
面準位を介した吸収があり、端面付近にキャリア注入を
行わないようにすることによって光吸収による熱の発生
を低減できる。

【００２５】また、このようなレーザを光ディスクシス
テムに適用することを考えた場合、アスペクト比の小さ
なレーザ素子では、従来素子に比べて小さい光出力でも
利用可能である。これは、通常のシステムでは、ビーム
整形を行ってディスクの面上で円形に近いスポット形状
に変形して利用していることによる。アスペクト比が小
さいと、ビーム整形のために用いられる光学系が不要と
なり、レーザの光出力を有効に利用できるからである。
このように、本発明を用いると、十分な光出力を持ち、
任意の動作条件でキンクのない低アスペクト比のレーザ
素子を容易に作製することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】

（実施例１）図１は本発明の半導体レーザ素子の実施例
を示す断面図である。本実施例では、ｎ−ＧａＡｓ（１
００）基板１上に逆メサストライプを設けて屈折率導波
構造を作製した。本実施例の作製工程を次に示す。

【００２７】まず、ＭＯＣＶＤ結晶成長装置を用いて多
層構造を作製した。基板１上にｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層２(膜厚１.８μｍ），ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎ
Ｐ多重量子井戸構造３，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
４(膜厚０.３μｍ），ｐ−ＧａＩｎＰエッチング停止層
５，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層６（膜厚１.３
μｍ），ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層７およびｎ−ＧａＡ
ｓキャップ層を順次積層した。次に、ＴＣＶＤ装置によ
りＳｉＯ₂ 膜を形成した後、ホト工程を経てＳｉＯ₂ 膜
をストライプ状に加工した。ストライプ状ＳｉＯ₂ 膜を
マスクとして用いてＧａＡｓキャップ層，ＧａＩｎＰバ
ッファ層７およびＡｌＧａＩｎＰクラッド層６を化学エ
ッチングにより除去し、逆メサストライプを形成した。
ストライプ幅は、２.５〜３μｍとした。

【００２８】２回の埋込成長によりｎ−ＧａＩｎＰ埋込
層８，ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層９およびｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層１０を形成した。ｎ型の埋込層は、２層
合わせて１.４μｍとし、ｎ−ＧａＩｎＰ層の膜厚は０.
３μｍとした。ｎ−ＧaＩnＰにはＳｉドープを行い、キ
ャリア濃度２×１０¹⁸(１／cm³）としてＧａＩｎＰが無
秩序化を起こす条件で埋込成長を行った。その後、ｐ，
ｎ両面に電極１１及び１２を形成した。最後にチップに
劈開し、レーザ諸特性を評価した。

【００２９】共振器を変えて閾値電流及びスロープ効率
と共振器の相関を評価し、レーザの内部損失を測定した
ところ、約７ｄＢ／cmであり、従来のレーザ素子の１／
２〜１／３の値となった。また、スロープ効率は、共振
器６００μｍの素子で０.４ｍＷ／ｍＡ（アンコート素
子）であり、従来素子と遜色ない値が得られた。

【００３０】このように、本発明を用いることで損失を
増加させることなく単一モードに近い導波路構造が得ら
れることが確認された。これらの素子では、活性層に対
して垂直方向のファーフィールドパターン（ＦＦＰ）の
半値角は１９°、水平方向は１４°、アスペクト比は
１.３〜１.４であった。次に、非対称コーティングを施
した素子を用いて光出力を評価した。光出力６０ｍＷま
での光出力−電流特性を−１０〜７０℃の温度範囲で評
価したが、全ての素子でキンクによる曲がりは見られ
ず、常に単峰性の基本横モードで発振していた。

【００３１】この素子の最大光出力は、動作温度６０℃
では７０ｍＷ程度であり、光出力は端面破壊によって制
限されていた。この素子を光出力２５ｍＷ，動作温度６
０℃で寿命試験を行った。３０００時間まで動作させた
ところ、１０％以上の動作電流増加や、端面劣化による
素子の劣化は見られず、高信頼の素子が得られることが
確認された。

【００３２】（実施例２）図３は本発明における第２の
実施例を示す半導体レーザ素子の断面図である。本実施
例では、ｎ−ＧａＡｓ傾角基板（（５１１）Ａ面）上に
順メサストライプを設けて屈折率導波構造を構成した。
ストライプ幅は３.５μｍを中心に分布している。量子
井戸構造は、井戸層膜厚５ｎｍ，障壁層膜厚８ｎｍとし
て井戸層に１.７％の圧縮歪を導入し、発振波長を６８
０ｎｍ程度に設定した。素子の作製は第１の実施例と同
様に行った。傾角基板を用いているため、ＧａＩｎＰ埋
込層８の不純物ドーピング濃度が小さくてもＧａＩｎＰ
層の無秩序化が生じる。本素子では、ＧａＩｎＰ層８の
キャリア濃度は８×１０¹⁷(１／cm³）に設定して膜厚を
０.１５μｍとし、フリーキャリアによる吸収損の増加
を防ぐように設計した。

【００３３】リッジストライプの形状を順メサ形状とし
たことで、ＧａＩｎＰ埋込層８がリッジの上部まで覆う
ことになるため、レーザの内部損失は５ｄＢ／cmに低減
された。逆メサ形状に比べると、埋込層へのレーザ光の
漏れは小さくなるため、光吸収による損失の増加が抑制
されたものと考えられる。本素子では、キンクレベルは
６０ｍＷ以上、最大光出力は８０ｍＷ以上が得られた。
また、順メサ構造としてストライプ幅が広くなったた
め、アスペクト比は１.５となっていた。

【００３４】（実施例３）図４は本発明における第３の
実施例を示す半導体レーザ素子の断面図である。本実施
例では、共振器長を７００μｍとし、横モード制御部１
０１(５０μｍ)，テーパ状のストライプ幅遷移領域１０
３（５０μｍ）、及び通常の電流注入部１０２（６００
μｍ）を設けたストライプ構造とした。横モード制御部
１０１ではストライプ幅を２μｍとし、高次の横モード
が抑制されるように設定した。

【００３５】横モード制御部では、端面部分から２０μ
ｍの領域ではリッジ状部にもＡｌＧａＩｎＰ層８′及び
ＧａＡｓ層９を成長し、レーザ光を出射する前面側の端
面付近には電流注入を行わない構造としている。また、
ストライプ幅は、テーパ状の遷移領域１０３を用いて広
げており、電流注入部１０２では５μｍとした。本実施
例では、エッチングストップ層５を活性層３の下に設
け、活性層より下まで埋め込んだＢＨ構造（Buried Het
ero Structure）とした。ｎ−AlGaInPクラッド層４′の
膜厚は０.２μｍ、ＡｌＧａＩｎＰ埋込層８′は０.５μ
ｍとした。

【００３６】横モード制御部を設けたことによってＦＦ
Ｐは円形に近くなり、垂直方向半値角１９°，水平方向
半値角１６°であり、アスペクト比は１.２程度の非常
に小さい値が得られた。本素子では、横モード制御部を
端面付近に設けているが、高次モードが抑制できること
とテーパ状の遷移領域で基本モードのカップリングロス
が５ｄＢ以下に抑えられるように設計すれば、共振器内
のどの部分に設けても良い。尚、ビーム伝搬法を用いた
解析によると、本素子でのカップリングロスは約３ｄＢ
であった。非対称コーティングを施した素子で光出力を
評価したところ、本素子は光出力７０ｍＷで端面破壊を
生じ、−１０〜７０℃の温度範囲で評価したがキンクに
よる光出力−電流特性の曲がりは全く見られなかった。
また、光出力２５ｍＷ，動作温度６０℃において寿命試
験を行い、５０００時間以上安定に動作することを確認
した。これは、比較的幅が広い電流注入部を設け、動作
電流密度を上げることなく高出力動作を行えるように設
計した効果が得られた結果である。

【００３７】

【発明の効果】電流狭窄と横モード制御を行うＧａＡｓ
埋込層の一部を、光吸収の少ない無秩序化したＧａＩｎ
Ｐ層もしくはＡｌＧａＩｎＰ層で置き換えることにより
レーザ共振器内部でのレーザ光の伝搬損失を低減した。
このような低損失の導波路構造が得られたことで、スロ
ープ効率や閾値電流等の素子特性を劣化させることなく
単一モードに近い導波路を利用することが可能となっ
た。従って、基本モードと１次モードの干渉によって発
生するキンクが抑制でき、任意の動作条件において光出
力６０ｍＷ以上までキンクのない良好な光出力−電流特
性を持つレーザ素子が得られた。また、ＧａＡｓ層での
光吸収により生じる熱の発生が抑えられるため、ストラ
イプ幅が狭い素子でも十分な光出力（７０〜８０ｍＷ）
が得られた。６０℃，２５ｍＷにおいて長期寿命試験を
行った結果、５０００時間以上の安定動作が確認され
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例を示す半導体レーザ素子の断面
図。

【図２】従来の半導体レーザ素子の断面図。

【図３】第２の実施例を示す半導体レーザ素子の断面
図。

【図４】第３の実施例を示す半導体レーザ素子の断面
図。

【図５】ストライプ幅と伝搬損失の特性図。

【図６】ドーピング量とバンドギャップエネルギの関係
の特性図。

【符号の説明】

１…ｎ型ＧａＡｓ基板、２…ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層、３…ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸構造、
４…ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、４′…ｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層、５…エッチングストップ層、６…
ｐ型AlGaInP クラッド層、７…ｐ型ＧａＩｎＰバッファ
層、８…ｎ型ＧａＩｎＰ埋込層、８′…ｎ型ＡｌＧａＩ
ｎＰ埋込層、９…ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層、１０…
ｐ型GaAsコンタクト層、１１…ｐ~ 電極、１２…ｎ~ 電
極。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に設けた発光層となる活性領
域と、上記活性領域を挾み、互いに導電型が異なる二つ
のクラッド層からなるダブルヘテロ構造を有し、レーザ
内部の横モードを制御すると共に電流狭窄を行う埋込構
造を有する半導体レーザ素子において、埋込成長により
形成する電流狭窄層の一部をレーザ光の吸収が少ない半
導体材料により構成したことを特徴とする半導体レーザ
素子。
【請求項２】請求項１において、上記半導体基板にはＧ
ａＡｓ基板を用い、光吸収の少ない層として、Ｚｎ，Ｓ
ｉ等のドーパントを高濃度ドープするか、或いは傾角基
板を用いること等により無秩序化させたＧａＩｎＰ混晶
もしくはＡｌＧａＩｎＰ四元混晶を用いる半導体レーザ
素子。
【請求項３】請求項１または２において、上記活性領域
には膜厚８ｎｍ以上のＧａＩｎＰ単一量子井戸構造もし
くは膜厚３ｎｍ〜２０ｎｍのＧａＩｎＰ量子井戸層をＡ
ｌＧａＩｎＰ障壁層と交互に積層した多重量子井戸構造
を用い、ＧａＩｎＰ量子井戸層のＩｎ組成を調整して格
子不整を導入することにより、発振波長を600ｎｍ〜７
１０ｎｍ、望ましくは、６４５ｎｍ〜７００ｎｍの範囲
に設定した半導体レーザ素子。
【請求項４】請求項１，２または３において、電流狭窄
を行うストライプ構造の幅を２〜６μｍ、望ましくは、
２〜４μｍの範囲に設定した半導体レーザ素子。
【請求項５】請求項１，２，３または４において、電流
狭窄を行うストライプ構造の一部にレーザの横モードを
制御するモード制御部を設け、基本横モードと高次の横
モードの伝搬損失差を増加させるか、或いは、高次モー
ドがカットオフとなるように上記モード制御部のストラ
イプの幅を設定した半導体レーザ素子。
【請求項６】請求項１，２，３または４において、埋込
成長により形成する上記電流狭窄層を光出力を取り出す
前面側のレーザ端面付近のみ、或いは、前後面両側のレ
ーザ端面付近のストライプ構造の上側にも設け、活性層
へのキャリア注入を行わない領域を設けた半導体レーザ
素子。