JPH01181495A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPH01181495A JPH01181495A JP296888A JP296888A JPH01181495A JP H01181495 A JPH01181495 A JP H01181495A JP 296888 A JP296888 A JP 296888A JP 296888 A JP296888 A JP 296888A JP H01181495 A JPH01181495 A JP H01181495A
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- JP
- Japan
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- active layer
- capacitance
- emitting device
- semiconductor light
- capacitance section
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体発光装置の容量部の形成方法の改良に関し、
容量値に依存するパルス波形の立ち上がり遅延時間の変
動幅であるジッダを小さくすることが可能な半導体発光
装置の提供を目的とし、半導体発光装置の活性層と容量
部とを並列して設け、該活性層と該容量部との間を分離
する分離領域を具備するよう構成する。
動幅であるジッダを小さくすることが可能な半導体発光
装置の提供を目的とし、半導体発光装置の活性層と容量
部とを並列して設け、該活性層と該容量部との間を分離
する分離領域を具備するよう構成する。
本発明は、半導体発光装置に係り、特に容量部の形成方
法の改良に関するものである。
法の改良に関するものである。
レーザの高速化を図るために活性層の近傍に設ける容量
部の容量値を低下させることが要求されている。
部の容量値を低下させることが要求されている。
しかし、この容量値を低くし過ぎると、活性層に電流が
効率良く入り過ぎ、パルス波形の緩和振動振幅が大きく
出やすいという問題が生じている。
効率良く入り過ぎ、パルス波形の緩和振動振幅が大きく
出やすいという問題が生じている。
そこでこの緩和振動の振幅を抑制するためには活性層の
近傍に設ける容量部の容量値を適正な値まで大きくして
、立ち上がりを遅くしなければならない。
近傍に設ける容量部の容量値を適正な値まで大きくして
、立ち上がりを遅くしなければならない。
このために従来は、この容量部を形成する電流ブロック
層として用いるｐｎｐｎ層の領域を変化させて適正な面
積に設定することが行われている。
層として用いるｐｎｐｎ層の領域を変化させて適正な面
積に設定することが行われている。
しかしながら、この容量部を形成する電流ブロック層と
して用いるｐｎｐｎ層が活性層に隣接しているので、こ
の活性層領域から容量部へリークして流れる複数の高周
波電流の経路ができるため、容量値が周波数の変化に従
って変化してしまうことになる。
して用いるｐｎｐｎ層が活性層に隣接しているので、こ
の活性層領域から容量部へリークして流れる複数の高周
波電流の経路ができるため、容量値が周波数の変化に従
って変化してしまうことになる。
この結果、容量値に依存するパルス波形の立ち上がり遅
延時間の変動幅であるジッダが生じる原因となっている
。
延時間の変動幅であるジッダが生じる原因となっている
。
以上のような状況から容量値に依存するパルス波形の立
ち上がり遅延時間の変動幅であるジッダを小さくするこ
とが可能な半導体発光装置が要望されている。
ち上がり遅延時間の変動幅であるジッダを小さくするこ
とが可能な半導体発光装置が要望されている。
従来の半導体発光装置を第２図について説明する。
先ず、インジウムｍ （ＩｎＰ）よりなるｎ型の基板１
１の上に、活性層１２となるＩｎＧａＡｓＰ膜を形成し
、その上にクラッド層１３となるインジウム燐（ＩｎＰ
）膜を形成する。その後第２図（ａ）に示すように、リ
ソグラフィー技術を用いてこのインジウム燐（ＩｎＰ）
膜、ＩｎＧａＡｓＰ膜及び基板１１をエツチングし、ク
ラッド層１３となるインジウムｅｐ （ＩｎＰ）膜、活
性層１２となるＩｎＧａＡｓＰ膜の部分を図示のような
形状に残す。
１の上に、活性層１２となるＩｎＧａＡｓＰ膜を形成し
、その上にクラッド層１３となるインジウム燐（ＩｎＰ
）膜を形成する。その後第２図（ａ）に示すように、リ
ソグラフィー技術を用いてこのインジウム燐（ＩｎＰ）
膜、ＩｎＧａＡｓＰ膜及び基板１１をエツチングし、ク
ラッド層１３となるインジウムｅｐ （ＩｎＰ）膜、活
性層１２となるＩｎＧａＡｓＰ膜の部分を図示のような
形状に残す。
次に第２図（ｂ）に示すようにインジウム燐（ＩｎＰ）
よりなるｐ型ブロック層１４を形成し、その上にインジ
ウム燐（ＩｎＰ）よりなるｎ型ブロック層１５を形成し
、更にその上にインジウムｍ （ＩｎＰ）よりなるクラ
ッド層１６を形成する。
よりなるｐ型ブロック層１４を形成し、その上にインジ
ウム燐（ＩｎＰ）よりなるｎ型ブロック層１５を形成し
、更にその上にインジウムｍ （ＩｎＰ）よりなるクラ
ッド層１６を形成する。
次いで、第２図（Ｃ）に示すように、ＩｎＧａＡｓＰよ
りなるコンタクト層１７を形成し、その上に熱ＣＶＤに
よりシリコン酸化膜１９を形成する。
りなるコンタクト層１７を形成し、その上に熱ＣＶＤに
よりシリコン酸化膜１９を形成する。
ここで活性層１２の直上部にこのシリコン酸化膜１９の
窓開けを行い、最後に金・チタン・白金よりなる電極２
０をスパッタリングにより形成して半導体発光装置の製
造が完了する。
窓開けを行い、最後に金・チタン・白金よりなる電極２
０をスパッタリングにより形成して半導体発光装置の製
造が完了する。
以上説明の従来の半導体発光装置で問題となるのは、活
性層に隣接して設けた容量部を形成する電流ブロック層
として用いるｐｎｐｎ層に、複数の高周波電流の経路が
できるため、容量値が周波数の変化に従って変化し、容
量に依存するパルス波形の立ち上がり遅延時間の変動幅
であるジッダが生じてしまうことである。
性層に隣接して設けた容量部を形成する電流ブロック層
として用いるｐｎｐｎ層に、複数の高周波電流の経路が
できるため、容量値が周波数の変化に従って変化し、容
量に依存するパルス波形の立ち上がり遅延時間の変動幅
であるジッダが生じてしまうことである。
このジッダが生じて累積されると、擬似ランダムパルス
変調時の波形に変形が生じる障害が発生するのである。
変調時の波形に変形が生じる障害が発生するのである。
本発明は以上のような状況から簡単な構造の変更により
、容量に依存するパルス波形の立ち上がり遅延時間の変
動幅であるジッダを小さくすることが可能な半導体発光
装置の提供を目的としたものである。
、容量に依存するパルス波形の立ち上がり遅延時間の変
動幅であるジッダを小さくすることが可能な半導体発光
装置の提供を目的としたものである。
上記問題点は、半導体発光装置の活性層と容量部とを並
列して設け、この活性層とこの容量部との間を分離する
分離領域を具備する本発明による半導体発光装置によっ
て解決される。
列して設け、この活性層とこの容量部との間を分離する
分離領域を具備する本発明による半導体発光装置によっ
て解決される。
即ち本発明においては、活性層と容量部との間に、この
活性層とこの容量部との間を分離する溝を設けるから、
活性層頭載から容量部へリークして流れる複数の高周波
電流の経路が遮断され、この容量部の容量値が周波数の
変化に影響されて変動することがなくなるので、容量値
に依存するパルス波形の立ち上がり遅延時間の変動幅で
あるジッダを小さくすることが可能となる。
活性層とこの容量部との間を分離する溝を設けるから、
活性層頭載から容量部へリークして流れる複数の高周波
電流の経路が遮断され、この容量部の容量値が周波数の
変化に影響されて変動することがなくなるので、容量値
に依存するパルス波形の立ち上がり遅延時間の変動幅で
あるジッダを小さくすることが可能となる。
以下第１図について本発明の一実施例を説明する。
先ず、インジウム燐（ＩｎＰ）よりなるｎ型の基板１の
上に、活性層２となるＩｎＧａＡｓＰ膜を形成し、その
上にクラッド層３となるインジウムｎ （ＩｎＰ）膜を
形成する。その後第１図（ａ）に示すように、リソグラ
フィー技術を用いてこのインジウム燐（ＩｎＰ）膜、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ膜及び基板１１をエツチングし、クラフト
層３となるインジウム燐（ＩｎＰ）膜、活性層２となる
ＩｎＧａＡｓＰ膜の部分を図示のような形状に残す。
上に、活性層２となるＩｎＧａＡｓＰ膜を形成し、その
上にクラッド層３となるインジウムｎ （ＩｎＰ）膜を
形成する。その後第１図（ａ）に示すように、リソグラ
フィー技術を用いてこのインジウム燐（ＩｎＰ）膜、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ膜及び基板１１をエツチングし、クラフト
層３となるインジウム燐（ＩｎＰ）膜、活性層２となる
ＩｎＧａＡｓＰ膜の部分を図示のような形状に残す。
次に第１図（ｂ）に示すようにインジウムＦｉ （Ｉｎ
Ｐ）よりなるｐ型ブロック層４を形成し、その上にイン
ジウム燐（ｒｎＰ）よりなるｎ型ブロック層５を形成し
、更にその上にインジウムｇ （ＩｎＰ）よりなるクラ
ッド層６を形成する。
Ｐ）よりなるｐ型ブロック層４を形成し、その上にイン
ジウム燐（ｒｎＰ）よりなるｎ型ブロック層５を形成し
、更にその上にインジウムｇ （ＩｎＰ）よりなるクラ
ッド層６を形成する。
次いで、第１図（Ｃ）に示すように、ＩｎＧａＡｓＰよ
りなるコンタクト層７を形成する。
りなるコンタクト層７を形成する。
ここで本発明の特徴である図示のような基板１まで到達
する幅１０μｍの溝８を、活性層２から約５μｍ ｇＩ
れた所にウェットケミカルエツチングによって掘り、こ
の溝８を掘ることにより、活性層２と容量部とを分離す
る。
する幅１０μｍの溝８を、活性層２から約５μｍ ｇＩ
れた所にウェットケミカルエツチングによって掘り、こ
の溝８を掘ることにより、活性層２と容量部とを分離す
る。
更にその上に熱ＣＶＤによりシリコン酸化膜９を形成し
、ここで活性層２の直上部にこのシリコン酸化膜９の窓
開けを行い、最後に金・チタン・白金よりなる電極１０
をスパツタリングにより形成して半導体発光装置の製造
が完了する。
、ここで活性層２の直上部にこのシリコン酸化膜９の窓
開けを行い、最後に金・チタン・白金よりなる電極１０
をスパツタリングにより形成して半導体発光装置の製造
が完了する。
本実施例では、溝８からチップの右端迄の距離を６００
μｍとし、図面に垂直な方向の共振器長を３００μｍと
し、シリコン酸化膜９の膜厚は２０００人としており、
この場合の容量は約３０ｐＦである。
μｍとし、図面に垂直な方向の共振器長を３００μｍと
し、シリコン酸化膜９の膜厚は２０００人としており、
この場合の容量は約３０ｐＦである。
このように活性層２の近傍に溝８を設けて容量部と分離
して適正な値の容量部を形成することにより、緩和振動
の振幅が大きく出ることがなく、容量部の容量値が周波
数により変化しなくなるので、ジッダの少ない疑似ラン
ダムパルス変調時の波形に変形が生じる障害が発生しな
くなる。
して適正な値の容量部を形成することにより、緩和振動
の振幅が大きく出ることがなく、容量部の容量値が周波
数により変化しなくなるので、ジッダの少ない疑似ラン
ダムパルス変調時の波形に変形が生じる障害が発生しな
くなる。
Ｃ発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単な構造の溝を設けることにより、半導体発光装置のジ
ッダを少なくすることが可能となり、疑似ランダムパル
ス変調時の波形に変形が生じる障害が発生しなくなるよ
うにし得る等の利点があり、著しい品質向上の効果が期
待でき工業的には極めて宵月なものである。
単な構造の溝を設けることにより、半導体発光装置のジ
ッダを少なくすることが可能となり、疑似ランダムパル
ス変調時の波形に変形が生じる障害が発生しなくなるよ
うにし得る等の利点があり、著しい品質向上の効果が期
待でき工業的には極めて宵月なものである。
第１図は本発明の一実施例を各工程順に示す側断面図、
第２図は従来の半導体発光装置を各工程順に示す側断面
図、 である。 図において、 １は基板、 ２は活性層、 ３はクラッド層、 ４はｐ型ブロック層、 ５はｎ型ブロツク層、 ６はクラッド層、 ７はコンタクト層、 ８は溝、 ９はシリコン酸化膜、 １０は電極、 山） ｐ型ブロック層（４）、ｎ型ブロックＦＪ （５
） 、クラフト層（６）の形成本発明の一実施例を各工
程λｌｉに示す側断面図第１図
図、 である。 図において、 １は基板、 ２は活性層、 ３はクラッド層、 ４はｐ型ブロック層、 ５はｎ型ブロツク層、 ６はクラッド層、 ７はコンタクト層、 ８は溝、 ９はシリコン酸化膜、 １０は電極、 山） ｐ型ブロック層（４）、ｎ型ブロックＦＪ （５
） 、クラフト層（６）の形成本発明の一実施例を各工
程λｌｉに示す側断面図第１図
Claims (1)
- 半導体発光装置の活性層（２）と容量部とを並列して
設け、該活性層（２）と該容量部との間を分離する分離
領域（８）を具備することを特徴とする半導体発光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP296888A JPH01181495A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP296888A JPH01181495A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01181495A true JPH01181495A (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=11544173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP296888A Pending JPH01181495A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01181495A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223387A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2004296539A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子及び半導体光集積素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6233489A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 発光装置 |
| JPH01147884A (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-09 | Nec Corp | レーザーダイオード |
-
1988
- 1988-01-08 JP JP296888A patent/JPH01181495A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6233489A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 発光装置 |
| JPH01147884A (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-09 | Nec Corp | レーザーダイオード |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223387A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2004296539A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子及び半導体光集積素子 |
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