JPH01183140A - 半導体素子パッケージ - Google Patents
半導体素子パッケージInfo
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- JPH01183140A JPH01183140A JP63006947A JP694788A JPH01183140A JP H01183140 A JPH01183140 A JP H01183140A JP 63006947 A JP63006947 A JP 63006947A JP 694788 A JP694788 A JP 694788A JP H01183140 A JPH01183140 A JP H01183140A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic plate
- stem
- metal
- light emitting
- fixed
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子パッケージに関する。
半導体素子パッケージは、素子の機能や特性、用途に応
じて各種の構造が開発されている。近年発展が目覚まし
い光半導体素子パッケージにおいても各種の構造が開発
されているが、放熱実装や端子接続に関する基本的な構
造は、発光や受光機能を有しない半導体素子パッケージ
と共通する点が多い。それと同時に、特に発光機能を有
する光半導体では、素子に対する光の出射方向によって
は、該素子の搭載位置が発光機能を有しない半導体素子
と異なる場合がある。したがって、従来技術の説明とし
ては、発光や受光機能を有しない半導体素子パッケージ
の構造的特徴を有しながら、それとは特異な構造も有し
ている光半導体素子パッケージについて述べる。
じて各種の構造が開発されている。近年発展が目覚まし
い光半導体素子パッケージにおいても各種の構造が開発
されているが、放熱実装や端子接続に関する基本的な構
造は、発光や受光機能を有しない半導体素子パッケージ
と共通する点が多い。それと同時に、特に発光機能を有
する光半導体では、素子に対する光の出射方向によって
は、該素子の搭載位置が発光機能を有しない半導体素子
と異なる場合がある。したがって、従来技術の説明とし
ては、発光や受光機能を有しない半導体素子パッケージ
の構造的特徴を有しながら、それとは特異な構造も有し
ている光半導体素子パッケージについて述べる。
第６図は従来の光半導体素子パッケージの斜視図であり
、光半導体素子が実装されている一例を示している。特
に熱抵抗が小さいことを要求される発光素子ＩＡはサブ
マウント２を介して、金属材質のステム４と一体で形成
されているヘッダ３部にろう材で固定されている。ここ
で、発光素子ＩＡは紙面上方向に光を放射する半導体レ
ーザや発光ダイオードなどである。発光素子ＩＡへの電
気的接続はワイヤ７Ａ、７Ｂによってヘッダ３と接続す
る端子５Ａと端子５Ｂにそれぞれ接続されて行なわれる
。発光素子ＩＡの光出力をモニタするための受光素子Ｉ
Ｂは、上面がメタライズされた絶縁板９を介してステム
４にろう材で固定されている。受光素子ＩＢは、ワイヤ
７Ｃ，７Ｄによってそれぞれ端子５Ｃ，５Ｄと電気的に
接続されている。端子５Ａはステム４と電気的に接続さ
れているが、端子５Ｂ、５Ｃ，５Ｄはステム４とは通常
、ビーズ形状の絶縁材６によって電気的には絶縁されて
いる。
、光半導体素子が実装されている一例を示している。特
に熱抵抗が小さいことを要求される発光素子ＩＡはサブ
マウント２を介して、金属材質のステム４と一体で形成
されているヘッダ３部にろう材で固定されている。ここ
で、発光素子ＩＡは紙面上方向に光を放射する半導体レ
ーザや発光ダイオードなどである。発光素子ＩＡへの電
気的接続はワイヤ７Ａ、７Ｂによってヘッダ３と接続す
る端子５Ａと端子５Ｂにそれぞれ接続されて行なわれる
。発光素子ＩＡの光出力をモニタするための受光素子Ｉ
Ｂは、上面がメタライズされた絶縁板９を介してステム
４にろう材で固定されている。受光素子ＩＢは、ワイヤ
７Ｃ，７Ｄによってそれぞれ端子５Ｃ，５Ｄと電気的に
接続されている。端子５Ａはステム４と電気的に接続さ
れているが、端子５Ｂ、５Ｃ，５Ｄはステム４とは通常
、ビーズ形状の絶縁材６によって電気的には絶縁されて
いる。
本半導体素子が発光・受光機能を有しない半導体素子パ
ッケージと異なるのは、発光素子ＩＡをステム４の上面
に垂直に突立ったヘッダ３に搭載する点である。これに
対して、ステム４の上面に平行に受光素子ＩＢを搭載す
る点や端子とステム４間の絶縁方法は共通する点である
。
ッケージと異なるのは、発光素子ＩＡをステム４の上面
に垂直に突立ったヘッダ３に搭載する点である。これに
対して、ステム４の上面に平行に受光素子ＩＢを搭載す
る点や端子とステム４間の絶縁方法は共通する点である
。
通常、このようなパッケージに搭載された発光素子ＩＡ
や受光素子ＩＢなどの半導体素子の信頼性を確保するた
め、パッケージにはキャップが被せられ、気密封止され
る。それによってキャップ内部は外界から遮断される。
や受光素子ＩＢなどの半導体素子の信頼性を確保するた
め、パッケージにはキャップが被せられ、気密封止され
る。それによってキャップ内部は外界から遮断される。
この気密状態を保持するため、端子５Ｂ、５Ｃ，５Ｄと
ステム４間も絶縁材６により気密固定されている。しか
しながら、通常、ビーズ形状の絶縁材６としては従来ガ
ラスが使われていたため、端子が外力等で曲げられると
ガラスにクラックが入り易く、キャップ内部の気密状態
が保持できないという欠点があった。これに対して、絶
縁材６としてセラミックスを用いた例もあり、強度的に
改善は見られるが、寸法形状が小さいため組立作業性が
悪く、コスト高になる欠点があった。さらに、第６図に
おいて、発光素子ＩＡと受光素子ＩＢとの電気的接続を
一部共通にする場合は、絶縁板９を省略して受光素子Ｉ
Ｂをステム４に直接固定し、端子５Ｄを省いた３端子構
成とすることができる。しかしながら、発光素子ＩＡと
受光素子ＩＢを電気的に完全に独立しようとする場合、
第６図に示したように、受光素子ＩＢ搭載用にステム４
の上面に絶縁板９を配置しておく必要があり、部材費、
組立費などでパッケージの低コスト化を困難にしていた
。
ステム４間も絶縁材６により気密固定されている。しか
しながら、通常、ビーズ形状の絶縁材６としては従来ガ
ラスが使われていたため、端子が外力等で曲げられると
ガラスにクラックが入り易く、キャップ内部の気密状態
が保持できないという欠点があった。これに対して、絶
縁材６としてセラミックスを用いた例もあり、強度的に
改善は見られるが、寸法形状が小さいため組立作業性が
悪く、コスト高になる欠点があった。さらに、第６図に
おいて、発光素子ＩＡと受光素子ＩＢとの電気的接続を
一部共通にする場合は、絶縁板９を省略して受光素子Ｉ
Ｂをステム４に直接固定し、端子５Ｄを省いた３端子構
成とすることができる。しかしながら、発光素子ＩＡと
受光素子ＩＢを電気的に完全に独立しようとする場合、
第６図に示したように、受光素子ＩＢ搭載用にステム４
の上面に絶縁板９を配置しておく必要があり、部材費、
組立費などでパッケージの低コスト化を困難にしていた
。
本発明の目的は、気密性の信頼度を高く確保しながら、
構成部品点数を低減し、低コストの半導体素子パッケー
ジを提供することにある。
構成部品点数を低減し、低コストの半導体素子パッケー
ジを提供することにある。
本発明の半導体素子パッケージは、金属支持母体に搭載
された半導体素子に電気的接続を行うための電気端子が
セラミック板に固定材で気密固定され、該金属支持母体
とは電気的に絶縁されており、該セラミック板は該金属
支持母体に固定材で気密固定されている。
された半導体素子に電気的接続を行うための電気端子が
セラミック板に固定材で気密固定され、該金属支持母体
とは電気的に絶縁されており、該セラミック板は該金属
支持母体に固定材で気密固定されている。
金属材質を支持母体とするパッケージであるので、従来
通り熱抵抗の小さいことを必要とする半導体素子の搭載
に適用でき、外部端子とパッケージ間の気密固定は一枚
のセラミック板で複数行うので、部品点数を削減すると
共に、組立作業性の向上を図ることができる。さらに、
セラミック板上に金属配線をパータニングにより形成す
るだけで、金属材質の支持母体に搭載された半導体素子
とは電気的に絶縁状態で他の半導体素子あるいは電気部
品を搭載可能である。
通り熱抵抗の小さいことを必要とする半導体素子の搭載
に適用でき、外部端子とパッケージ間の気密固定は一枚
のセラミック板で複数行うので、部品点数を削減すると
共に、組立作業性の向上を図ることができる。さらに、
セラミック板上に金属配線をパータニングにより形成す
るだけで、金属材質の支持母体に搭載された半導体素子
とは電気的に絶縁状態で他の半導体素子あるいは電気部
品を搭載可能である。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の半導体素子パッケージの一実施例の斜
視図である。
視図である。
発光素子１１Ａは、金属で作られたステム１４と一体で
形成されているヘッダ１３にサブマウント１２を介して
ろう材で固定されている。発光素子１１Ａは、図の上方
向に光を放射する半導体レーザや発光ダイオードなどで
ある。発光素子１１Ａへの電気的接続はワイヤ１７Ａ、
１７Ｂによって、ヘッダ１３およびステム１４を介して
端子１５Ａと端子１５Ｂにそれぞれ接続されて行なわれ
ている。端子１５Ｂ、１５Ｃ，１５Ｄはセラミック板１
６によってステム１４とは電気的には絶縁されている。
形成されているヘッダ１３にサブマウント１２を介して
ろう材で固定されている。発光素子１１Ａは、図の上方
向に光を放射する半導体レーザや発光ダイオードなどで
ある。発光素子１１Ａへの電気的接続はワイヤ１７Ａ、
１７Ｂによって、ヘッダ１３およびステム１４を介して
端子１５Ａと端子１５Ｂにそれぞれ接続されて行なわれ
ている。端子１５Ｂ、１５Ｃ，１５Ｄはセラミック板１
６によってステム１４とは電気的には絶縁されている。
ここで、端子１５Ｃ，１５Ｄはどこにも接続されていな
いが、本発明の効果を明らかにするため特に図示されて
いる。すなわち、端子１５Ｂ、１５Ｃ，１５Ｄはセラミ
ック板１６にろう材１８で気密固定されており、セラミ
ック板１６は、ざらにステム１４にろう材で気密固定さ
れている。
いが、本発明の効果を明らかにするため特に図示されて
いる。すなわち、端子１５Ｂ、１５Ｃ，１５Ｄはセラミ
ック板１６にろう材１８で気密固定されており、セラミ
ック板１６は、ざらにステム１４にろう材で気密固定さ
れている。
以上説明したように、複数の端子１５Ａ〜１５Ｄの気密
固定を１枚のセラミック板１６で行うため、個々の端子
で行う従来の場合に比べて部品数が少なくて済む上に、
セラミック板１６の寸法形状が比較的大きくて取扱い易
いため組立作業性が改善される。
固定を１枚のセラミック板１６で行うため、個々の端子
で行う従来の場合に比べて部品数が少なくて済む上に、
セラミック板１６の寸法形状が比較的大きくて取扱い易
いため組立作業性が改善される。
第２図は本発明の半導体素子パッケージの他の実施例の
斜視図である。
斜視図である。
本実施例では、半導体素子が１つのチップに集積された
半導体集積回路２１Ａがサブマウント２２を介してステ
ム２４と一体になったヘッダ２３にろう材で固定されて
いる。半導体集積回路２１Ａはワイヤ２７Ｂ〜２７Ｈに
ょフて端子２５Ｂ〜２５Ｈにそれぞれ電気的に接続され
ている。端子２５Ａはステム２４と直接接続されており
、ヘッダ２３と導通状態にある。サブマウント２２が導
電性のものであれば、半導体集積回路２１Ａは裏面側で
ヘッダ２３を介して端子２５Ａと電気接続できる。
半導体集積回路２１Ａがサブマウント２２を介してステ
ム２４と一体になったヘッダ２３にろう材で固定されて
いる。半導体集積回路２１Ａはワイヤ２７Ｂ〜２７Ｈに
ょフて端子２５Ｂ〜２５Ｈにそれぞれ電気的に接続され
ている。端子２５Ａはステム２４と直接接続されており
、ヘッダ２３と導通状態にある。サブマウント２２が導
電性のものであれば、半導体集積回路２１Ａは裏面側で
ヘッダ２３を介して端子２５Ａと電気接続できる。
本実施例でも端子２５Ｂ〜２５Ｈはセラミック板２６に
ろう材２８で気密固定されており、該セラミック板２６
は、ざらにステム２４にろう材で気密固定されている。
ろう材２８で気密固定されており、該セラミック板２６
は、ざらにステム２４にろう材で気密固定されている。
したがって、セラミック板１枚で７本分の端子の気密固
定が可能となるため、端子側々に気密固定する場合に比
べて気密固定用部品数の低減効果およびその組立作業性
改善効果が、端子数の少ない第１図の実施例よりも一層
明確である。
定が可能となるため、端子側々に気密固定する場合に比
べて気密固定用部品数の低減効果およびその組立作業性
改善効果が、端子数の少ない第１図の実施例よりも一層
明確である。
第３図は本発明の半導体素子パッケージの他の実施例の
斜視図である。
斜視図である。
本実施例は、発光素子１１Ａの搭載方法および電気的接
続方法は第１図で示した実施例と同様である。発光素子
１１Ａの光出力モニタ用の受光素子１１Ｂは、セラミッ
ク板１６上に蒸着などにより直接形成された金属パッド
２０にろう材で固定されている。発光素子１１Ａと受光
素子１１Ｂ間の電気的接続を完全に独立とする場合、端
子１５Ｃとはワイヤ１７Ｃにより接続を行い、端子１５
Ｄとはあらかじめセラミック板１６にパターニングされ
た金属配線１９によって接続されている。端子１５Ｂ、
１５Ｃ，１５Ｄはもちろんセラミック板１６にろう材１
８により気密固定されており、該セラミック板１６はス
テム１４に気密固定されてしる。
続方法は第１図で示した実施例と同様である。発光素子
１１Ａの光出力モニタ用の受光素子１１Ｂは、セラミッ
ク板１６上に蒸着などにより直接形成された金属パッド
２０にろう材で固定されている。発光素子１１Ａと受光
素子１１Ｂ間の電気的接続を完全に独立とする場合、端
子１５Ｃとはワイヤ１７Ｃにより接続を行い、端子１５
Ｄとはあらかじめセラミック板１６にパターニングされ
た金属配線１９によって接続されている。端子１５Ｂ、
１５Ｃ，１５Ｄはもちろんセラミック板１６にろう材１
８により気密固定されており、該セラミック板１６はス
テム１４に気密固定されてしる。
したがって、本実施例では、金属パッド２０を形成する
ことにより気密固定用のセラミック板１６上に半導体素
子などの部品を、ステム１４とは電気的に絶縁して搭載
することができるため、該絶縁のための新たな部品を必
要とせず、低コスト化に効果がある。さらに、セラミッ
ク板１６上のあらかじめ必要な部分に金属配線をパター
ニングすることもできるので、ワイヤリング等の作業が
簡略化できる利点がある。
ことにより気密固定用のセラミック板１６上に半導体素
子などの部品を、ステム１４とは電気的に絶縁して搭載
することができるため、該絶縁のための新たな部品を必
要とせず、低コスト化に効果がある。さらに、セラミッ
ク板１６上のあらかじめ必要な部分に金属配線をパター
ニングすることもできるので、ワイヤリング等の作業が
簡略化できる利点がある。
また、金属パッド２ｏの部分を発光素子１１Ａの端子１
５Ａと電気的接続を行う場合には、金属パッド２０部分
にスルーホールを設けることによって容易に接続は可能
であるし、端子１５Ｂ−と接続を行う場合には、端子１
５Ｄと金属パッド２０間の接続方法と同様に金属配線の
形成によって可能である。
５Ａと電気的接続を行う場合には、金属パッド２０部分
にスルーホールを設けることによって容易に接続は可能
であるし、端子１５Ｂ−と接続を行う場合には、端子１
５Ｄと金属パッド２０間の接続方法と同様に金属配線の
形成によって可能である。
なお、端子１５Ａ〜１５Ｄとセラミック板１６間をろう
材１８で気密固定を行う部分およびセラミック板１６と
ステム１４間をろう材１８で気密固定を行う部分には、
金属パッド２０を形成するのと同様に、ろう付けのため
のメタライズ領域をセラミック板１６上に形成する必要
がある。しかし、スクリーン印刷等により容易トメタラ
イズ領域を形成することができるためパッケージの低コ
スト化の障害にはならない。
材１８で気密固定を行う部分およびセラミック板１６と
ステム１４間をろう材１８で気密固定を行う部分には、
金属パッド２０を形成するのと同様に、ろう付けのため
のメタライズ領域をセラミック板１６上に形成する必要
がある。しかし、スクリーン印刷等により容易トメタラ
イズ領域を形成することができるためパッケージの低コ
スト化の障害にはならない。
第４図は本発明の半導体素子パッケージの他の実施例の
斜視図である。半導体集積回路２１Ａの搭載方法および
電気的接続方法は第２図で示した実施例と同様である。
斜視図である。半導体集積回路２１Ａの搭載方法および
電気的接続方法は第２図で示した実施例と同様である。
本実施例では、電気回路素子２１Ｂが、セラミック板２
６上に端子２５Ｄと端子２５Ｅ間の接続を介する形であ
らかじめパターニングで形成された金属配線２９上に搭
載されている。この図かられかるように、本実施例では
容易に他の電気回路素子を搭載することができる。
６上に端子２５Ｄと端子２５Ｅ間の接続を介する形であ
らかじめパターニングで形成された金属配線２９上に搭
載されている。この図かられかるように、本実施例では
容易に他の電気回路素子を搭載することができる。
第５図は本発明の半導体素子パッケージの他の実施例の
斜視図である。
斜視図である。
発熱の影響を受けやすい受光素子付き発光素子５１Ａは
サブマウント５２を介して金属で作られたステム５４と
一体で形成されているヘッダ５３にろう材で固定されて
いる。受光素子付き発光素子５１Ａへの電気的接続はワ
イヤ５７Ａ。
サブマウント５２を介して金属で作られたステム５４と
一体で形成されているヘッダ５３にろう材で固定されて
いる。受光素子付き発光素子５１Ａへの電気的接続はワ
イヤ５７Ａ。
５７Ｃ，５７Ｉによってヘッド５３およびステム５４を
介して端子５５Ａ、５５Ｃ，５５Ｇにそれぞれ接続され
ることにより行なわれる。端子５５Ｃ，５５Ｇはセラミ
ック板５６Ｂにろう材５８で気密固定されている。端子
５５Ａはステム５４と直接接続されており、ヘッダ５３
と導通状態にある。上記以外の端子５５Ｂ、５５Ｄ。
介して端子５５Ａ、５５Ｃ，５５Ｇにそれぞれ接続され
ることにより行なわれる。端子５５Ｃ，５５Ｇはセラミ
ック板５６Ｂにろう材５８で気密固定されている。端子
５５Ａはステム５４と直接接続されており、ヘッダ５３
と導通状態にある。上記以外の端子５５Ｂ、５５Ｄ。
５５Ｅ、５５Ｆ、５５Ｈは、セラミック板５６Ａに気密
固定されている。さらに、これらの端子５５Ａ、５５Ｂ
、５５Ｄ、５５Ｅ、５５Ｆ。
固定されている。さらに、これらの端子５５Ａ、５５Ｂ
、５５Ｄ、５５Ｅ、５５Ｆ。
５５Ｈは、セラミック板５６Ｂ上に形成された金属バッ
ド６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｄ、６０Ｅ。
ド６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｄ、６０Ｅ。
６０Ｆ、６０Ｈとそれぞれ電気的に接続されている。こ
の接続は、セラミック板５６Ｂ上に形成されら金属配線
５９、セラミック板５６Ｂの各バッド６０Ａ〜６０Ｈに
形成されたスルーホールによって容易に行なえる。端子
５５Ｃ，５５Ｇは、セラミック板５６Ｂ上に形成された
金属配線５９により金属パッド６０Ｃ，６０Ｇにそれぞ
れ接続されている。半導体集積回路５１Ｂは金属バッド
６０Ａ上に固定されており、各端子５５Ｂ。
の接続は、セラミック板５６Ｂ上に形成されら金属配線
５９、セラミック板５６Ｂの各バッド６０Ａ〜６０Ｈに
形成されたスルーホールによって容易に行なえる。端子
５５Ｃ，５５Ｇは、セラミック板５６Ｂ上に形成された
金属配線５９により金属パッド６０Ｃ，６０Ｇにそれぞ
れ接続されている。半導体集積回路５１Ｂは金属バッド
６０Ａ上に固定されており、各端子５５Ｂ。
５５Ｃ，５５Ｄ、５５Ｅ、５５Ｆ、５５Ｇ。
５５Ｈとは金属パッド６０Ｂ、６０Ｃ，６０Ｄ。
６０Ｆ、６０Ｇ、６０Ｈとワイヤ５７Ｂ。
５７Ｃ，５７Ｄ、５７Ｅ、５７Ｆ、５７Ｇ。
５７Ｈを通じて電気的に接続されている。電気回路素子
５１Ｃは金属パッド６０Ｄと６０Ｅからそれぞれ延びて
いる金属配線５９間で固定されている。これによって、
受光素子付き発光素子５１Ａの発光状態を半導体集積回
路５１Ｂによって制御する。図のようにセラミック板を
２層化することにより、半導体集積回路５１Ｂが搭載さ
れる最上面セラミック板５６Ｂの金属配線は簡略であり
ながら、セラミック板５６Ｂで所望の配線が可能となる
。このセラミック板をさらに多層化することにより、さ
らに複雑な端子間の接続もできるようになるのは言うま
でもない。本実施例では、受光素子付き発光素子の例を
示したが、この受光素子が半導体集積回路側に集積され
た光半導体集積回路となって発光素子を制御するような
機能を有する場合でも本実施例のパッケージは対応可能
である。
５１Ｃは金属パッド６０Ｄと６０Ｅからそれぞれ延びて
いる金属配線５９間で固定されている。これによって、
受光素子付き発光素子５１Ａの発光状態を半導体集積回
路５１Ｂによって制御する。図のようにセラミック板を
２層化することにより、半導体集積回路５１Ｂが搭載さ
れる最上面セラミック板５６Ｂの金属配線は簡略であり
ながら、セラミック板５６Ｂで所望の配線が可能となる
。このセラミック板をさらに多層化することにより、さ
らに複雑な端子間の接続もできるようになるのは言うま
でもない。本実施例では、受光素子付き発光素子の例を
示したが、この受光素子が半導体集積回路側に集積され
た光半導体集積回路となって発光素子を制御するような
機能を有する場合でも本実施例のパッケージは対応可能
である。
なお、ヘッド５３とステム５４は一体になフていると説
明したが、必ずも材質が一致していなくても、本発明の
特徴はそこなわれない。
明したが、必ずも材質が一致していなくても、本発明の
特徴はそこなわれない。
以上説明したように本発明は、金属支持母体に搭載され
た半導体素子に電気的接続を行うための電気端子をセラ
ミック板に固定材で気密固定し、該セラミック板を金属
支持母体に固定材で気密固定することにより、気密性の
信頼度が高く、かつ構成部品点数が少ない、低コストの
半導体素子パッケージを提供することができる効果があ
る。
た半導体素子に電気的接続を行うための電気端子をセラ
ミック板に固定材で気密固定し、該セラミック板を金属
支持母体に固定材で気密固定することにより、気密性の
信頼度が高く、かつ構成部品点数が少ない、低コストの
半導体素子パッケージを提供することができる効果があ
る。
第１図〜第５図はいずれも本発明の半導体素子パッケー
ジの一実施例を示す斜視図、第６図は従来の半導体素子
パッケージを示す斜視図である。 １１Ａ・・・発光素子、 ＩＩＢ・・・受光素子、１
２．２２．５２−・・サブマウント、１３．２３．５３
−・・ヘッダ、 １４．２４．５４・・・ステム、 １５Ａ〜１５Ｄ、２５Ａ〜２５Ｈ，５５Ａ〜５５Ｈ・・
・端子、 １６、□２６．５６Ａ、５６Ｂ・・・セラミック板、１
７Ａ〜１７Ｃ，２７Ｂ〜２７Ｈ，５７Ａ〜５７Ｉ・・・
ワイヤ、 １８．２８．５８−・・ろう材、 １９．２９．５９・・・金属配線、 ２０．６０Ａ〜６０Ｈ・・・金属パッド、２１Ｂ、５１
Ｃ・・・電気回路素子、 ２１Ａ、５１Ｂ−・・半導体集積回路、５１Ａ・・・受
光素子付き発光素子。 特許出願人 日本電信電話株式会社 京セラ株式会社
ジの一実施例を示す斜視図、第６図は従来の半導体素子
パッケージを示す斜視図である。 １１Ａ・・・発光素子、 ＩＩＢ・・・受光素子、１
２．２２．５２−・・サブマウント、１３．２３．５３
−・・ヘッダ、 １４．２４．５４・・・ステム、 １５Ａ〜１５Ｄ、２５Ａ〜２５Ｈ，５５Ａ〜５５Ｈ・・
・端子、 １６、□２６．５６Ａ、５６Ｂ・・・セラミック板、１
７Ａ〜１７Ｃ，２７Ｂ〜２７Ｈ，５７Ａ〜５７Ｉ・・・
ワイヤ、 １８．２８．５８−・・ろう材、 １９．２９．５９・・・金属配線、 ２０．６０Ａ〜６０Ｈ・・・金属パッド、２１Ｂ、５１
Ｃ・・・電気回路素子、 ２１Ａ、５１Ｂ−・・半導体集積回路、５１Ａ・・・受
光素子付き発光素子。 特許出願人 日本電信電話株式会社 京セラ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属材質を支持母体とする半導体素子パッケージに
おいて、該金属支持母体に搭載された半導体素子に電気
的接続を行うための電気端子がセラミック板に固定材で
気密固定され、該金属支持母体とは電気的に絶縁されて
おり、該セラミック板は該金属支持母体に固定材で気密
固定されていることを特徴とする半導体素子パッケージ
。 ２、該セラミック板上に金属パッドや金属配線がパター
ニングされている請求項１に記載の半導体素子パッケー
ジ。 ３、金属配線がパターニングされている複数のセラミッ
ク板が積層構造をなしている請求項２に記載の半導体素
子パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63006947A JPH01183140A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体素子パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63006947A JPH01183140A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体素子パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183140A true JPH01183140A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11652426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63006947A Pending JPH01183140A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体素子パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183140A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227724A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP63006947A patent/JPH01183140A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227724A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
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