JPH0563309A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0563309A JPH0563309A JP3223191A JP22319191A JPH0563309A JP H0563309 A JPH0563309 A JP H0563309A JP 3223191 A JP3223191 A JP 3223191A JP 22319191 A JP22319191 A JP 22319191A JP H0563309 A JPH0563309 A JP H0563309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- substrate
- semiconductor laser
- laser light
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レーザ装置をより小形、軽量なものとす
る。 【構成】Ｓｉ基板１２に形成したレーザ光をモニターす
るＰＤ２と、Ｓｉ基板１２上に設けたＬＤチップ１とこ
れらに必要な電極１３、１４およびＳｉ基板１２の裏面
全域に形成した共通電極１６を有し、Ｓｉ基板１２のレ
ーザ光出射側端部の段差を付けた端面に、出射レーザ光
を透過させる透明板１７を取り付け、ＬＤチップ１と透
明板１７との間、およびＬＤチップ１とＰＤ２の全表面
を透明樹脂１８で被覆する構成とすることにより、重量
部品を用いることなく、小形、軽量で安価な半導体レー
ザ装置を得ることができる。
る。 【構成】Ｓｉ基板１２に形成したレーザ光をモニターす
るＰＤ２と、Ｓｉ基板１２上に設けたＬＤチップ１とこ
れらに必要な電極１３、１４およびＳｉ基板１２の裏面
全域に形成した共通電極１６を有し、Ｓｉ基板１２のレ
ーザ光出射側端部の段差を付けた端面に、出射レーザ光
を透過させる透明板１７を取り付け、ＬＤチップ１と透
明板１７との間、およびＬＤチップ１とＰＤ２の全表面
を透明樹脂１８で被覆する構成とすることにより、重量
部品を用いることなく、小形、軽量で安価な半導体レー
ザ装置を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は簡単な構造を持つ半導体
レーザ装置に関する。
レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ装置はレーザディスクやコ
ンパクトディスクプレイヤー等の光ヘッドの光源として
用いられており、その構造の一例を図３に示す。図３は
従来の半導体レーザ装置の一部剥離斜視図であり、レー
ザダイオード（以下ＬＤと記す）チップ１は、その出力
をモニタするフォトダイオード（以下ＰＤと記す）２を
取り付けたサブマウント３の上に半田付けされている。
サブマウント３はＬＤチップ１の動作時のジュール熱を
放散させるために、金属ベース４上に一体化されている
ヒートシンク５に銀ペースト等で接着される。ＬＤチッ
プ１とＰＤ２は、それぞれの一つの端子が共通ポスト６
に接続され、他方の端子はそれぞれのポスト７，８へワ
イヤ接続される。そしてＬＤチップ１とＰＤ２等は金属
ベース４上で、ガラス窓９を有する金属キャン１０内に
密封されている。金属ベース４の周縁には、幾つかの切
り欠き１１を形成して、半導体レーザ装置を取り付ける
ときの位置決めとして利用している。即ち、例えば半導
体レーザ装置を光ヘッド等に用いる場合、その光ヘッド
固有の治具に、金属ベース４を取り付け、その治具を動
かすことにより、必要な光学的調整を行なうことができ
る。
ンパクトディスクプレイヤー等の光ヘッドの光源として
用いられており、その構造の一例を図３に示す。図３は
従来の半導体レーザ装置の一部剥離斜視図であり、レー
ザダイオード（以下ＬＤと記す）チップ１は、その出力
をモニタするフォトダイオード（以下ＰＤと記す）２を
取り付けたサブマウント３の上に半田付けされている。
サブマウント３はＬＤチップ１の動作時のジュール熱を
放散させるために、金属ベース４上に一体化されている
ヒートシンク５に銀ペースト等で接着される。ＬＤチッ
プ１とＰＤ２は、それぞれの一つの端子が共通ポスト６
に接続され、他方の端子はそれぞれのポスト７，８へワ
イヤ接続される。そしてＬＤチップ１とＰＤ２等は金属
ベース４上で、ガラス窓９を有する金属キャン１０内に
密封されている。金属ベース４の周縁には、幾つかの切
り欠き１１を形成して、半導体レーザ装置を取り付ける
ときの位置決めとして利用している。即ち、例えば半導
体レーザ装置を光ヘッド等に用いる場合、その光ヘッド
固有の治具に、金属ベース４を取り付け、その治具を動
かすことにより、必要な光学的調整を行なうことができ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の半
導体レーザ装置についての問題は次の点である。光ヘッ
ド等の半導体レーザ装置が適用される機器は、小形、軽
量化が進められており、半導体レーザ装置自体も小形、
軽量化の必要性が生じている。これに対して、従来の半
導体レーザ装置の大きさや重量の大部分は、金属ベース
４と金属キャン１０が占めており、これらを小形、軽量
化するのは、ほぼ限界に達している。
導体レーザ装置についての問題は次の点である。光ヘッ
ド等の半導体レーザ装置が適用される機器は、小形、軽
量化が進められており、半導体レーザ装置自体も小形、
軽量化の必要性が生じている。これに対して、従来の半
導体レーザ装置の大きさや重量の大部分は、金属ベース
４と金属キャン１０が占めており、これらを小形、軽量
化するのは、ほぼ限界に達している。
【０００４】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、より小形、軽量化を実現した半導体
レーザ装置を提供することにある。
あり、その目的は、より小形、軽量化を実現した半導体
レーザ装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の半導体レーザ装置は、Ｓｉ基板に形成し
たレーザ光をモニターするＰＤと、Ｓｉ基板上に設けた
ＬＤチップとこれらに必要な電極、およびＳｉ基板の裏
面全域に形成した共通電極を有し、Ｓｉ基板のレーザ光
出射側端部の段差を付けた端面に、出射レーザ光を透過
させる透明板を取り付け、ＬＤチップと透明板との間、
およびＬＤチップとＰＤの全表面を透明樹脂で被覆する
構成としたものである。
めに、本発明の半導体レーザ装置は、Ｓｉ基板に形成し
たレーザ光をモニターするＰＤと、Ｓｉ基板上に設けた
ＬＤチップとこれらに必要な電極、およびＳｉ基板の裏
面全域に形成した共通電極を有し、Ｓｉ基板のレーザ光
出射側端部の段差を付けた端面に、出射レーザ光を透過
させる透明板を取り付け、ＬＤチップと透明板との間、
およびＬＤチップとＰＤの全表面を透明樹脂で被覆する
構成としたものである。
【０００６】
【作用】本発明の半導体レーザ装置は上記のように構成
したために、従来の金属ステムと金属キャンを用いるこ
となく、ＬＤチップを搭載しているＳｉ基板に、位置決
め基準を持たせることができ、従来半導体レーザ装置自
体に使用していた最も高価な部品を省いていることか
ら、低価格が実現されるとともに、全体の形状が極めて
小さく軽量化されているので、この装置が適用される光
ヘッド等の小形，軽量化も達成される。
したために、従来の金属ステムと金属キャンを用いるこ
となく、ＬＤチップを搭載しているＳｉ基板に、位置決
め基準を持たせることができ、従来半導体レーザ装置自
体に使用していた最も高価な部品を省いていることか
ら、低価格が実現されるとともに、全体の形状が極めて
小さく軽量化されているので、この装置が適用される光
ヘッド等の小形，軽量化も達成される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。図
１は本発明による半導体レーザ装置の構成を示す斜視図
であり、図３と共通部品は同一符号を用いてある。図１
において、ＬＤチップ１は、位置決め基準としても用い
られるシリコン（Ｓｉ）基板１２上に設けてあり、この
Ｓｉ基板１２上には、ＬＤチップ１の出力をモニターす
るＰＤ２を備えている他、ＰＤ電極１３，ＬＤ電極１４
を有し、ＬＤチップ１とＬＤ電極１４はリードワイヤ１
５で半田付けしている。Ｓｉ基板１２の裏面には共通電
極１６を形成してある。これら各部材の電気的な接続関
係を図２に示すが、これについては後述する。
１は本発明による半導体レーザ装置の構成を示す斜視図
であり、図３と共通部品は同一符号を用いてある。図１
において、ＬＤチップ１は、位置決め基準としても用い
られるシリコン（Ｓｉ）基板１２上に設けてあり、この
Ｓｉ基板１２上には、ＬＤチップ１の出力をモニターす
るＰＤ２を備えている他、ＰＤ電極１３，ＬＤ電極１４
を有し、ＬＤチップ１とＬＤ電極１４はリードワイヤ１
５で半田付けしている。Ｓｉ基板１２の裏面には共通電
極１６を形成してある。これら各部材の電気的な接続関
係を図２に示すが、これについては後述する。
【０００８】Ｓｉ基板１２のレーザ光出力側は、レーザ
出射光を遮らないように、段差を形成した端面に、レー
ザ光を透過する透明板１７を貼付してある。したがっ
て、ＬＤチップ１のレーザ光出射面と透明板１７とは間
隔を持つ。そしてＰＤ２とＬＤチップ１との全表面を被
覆するとともに、ＬＤチップ１のレーザ光出射面と透明
板１７との間隔を満たすように、レーザ光の透過可能な
透明樹脂１８を塗布している。透明板１７は、光放射特
性（ファーフィールドパターン）を乱さないためであ
り、透明樹脂１８は、ＬＤチップ１が外気に曝されて、
酸化や変質を生ずるのを防止するためのものである。光
ヘッド等へ組み込む場合は、この装置のＳｉ基板１２の
角または陵等が適合する治具に、導電性接着剤でマウン
トする。
出射光を遮らないように、段差を形成した端面に、レー
ザ光を透過する透明板１７を貼付してある。したがっ
て、ＬＤチップ１のレーザ光出射面と透明板１７とは間
隔を持つ。そしてＰＤ２とＬＤチップ１との全表面を被
覆するとともに、ＬＤチップ１のレーザ光出射面と透明
板１７との間隔を満たすように、レーザ光の透過可能な
透明樹脂１８を塗布している。透明板１７は、光放射特
性（ファーフィールドパターン）を乱さないためであ
り、透明樹脂１８は、ＬＤチップ１が外気に曝されて、
酸化や変質を生ずるのを防止するためのものである。光
ヘッド等へ組み込む場合は、この装置のＳｉ基板１２の
角または陵等が適合する治具に、導電性接着剤でマウン
トする。
【０００９】さて、図１ではＳｉ基板１２，ＬＤチップ
１の内部構造や各電極の詳細を表わすことができないの
で、本発明の装置の電気的接続関係を明らかにするため
に、図２（ａ）に模式断面図、図２（ｂ）に等価回路を
示す。図２（ａ）は図３と同一符号を用いてあるが、Ｌ
Ｄチップ１とＰＤ２の各１個を接続した例である。図２
（ａ）ではＳｉ基板１２にｎ形Ｓｉを用い、通常の半導
体製造プロセスによりｐ形に変換した領域がＰＤ２であ
り、ｐ形領域と接続したＰＤ２のｐ側電極１３は、Ｓｉ
基板１２上に絶縁層１９を介して、Ｓｉ基板１２の端部
まで張り出しており、外部接続用電極となっている。Ｌ
Ｄチップ１はＳｉ基板１２上に設けたｐ側電極２０ａに
直接接続され、Ｓｉ基板１２の裏側の共通電極１６と同
電位となっている。ＬＤチップ１のこれと反対側に設け
たｎ側電極２０ｂは、Ｓｉ基板１２上に絶縁層２１を介
して設けたＬＤ電極１４に、リードワイヤ１５を用いて
半田付けする。図２（ｂ）に等価回路を示すが、これは
図３に示す従来装置のＬＤとＰＤの関係のように、通常
の場合と同じである。
１の内部構造や各電極の詳細を表わすことができないの
で、本発明の装置の電気的接続関係を明らかにするため
に、図２（ａ）に模式断面図、図２（ｂ）に等価回路を
示す。図２（ａ）は図３と同一符号を用いてあるが、Ｌ
Ｄチップ１とＰＤ２の各１個を接続した例である。図２
（ａ）ではＳｉ基板１２にｎ形Ｓｉを用い、通常の半導
体製造プロセスによりｐ形に変換した領域がＰＤ２であ
り、ｐ形領域と接続したＰＤ２のｐ側電極１３は、Ｓｉ
基板１２上に絶縁層１９を介して、Ｓｉ基板１２の端部
まで張り出しており、外部接続用電極となっている。Ｌ
Ｄチップ１はＳｉ基板１２上に設けたｐ側電極２０ａに
直接接続され、Ｓｉ基板１２の裏側の共通電極１６と同
電位となっている。ＬＤチップ１のこれと反対側に設け
たｎ側電極２０ｂは、Ｓｉ基板１２上に絶縁層２１を介
して設けたＬＤ電極１４に、リードワイヤ１５を用いて
半田付けする。図２（ｂ）に等価回路を示すが、これは
図３に示す従来装置のＬＤとＰＤの関係のように、通常
の場合と同じである。
【００１０】以上のように、本発明の半導体レーザ装置
は、ＬＤチップからのレーザ光をモニターするためのＰ
Ｄと、これに接続する２個の電極と、ＬＤチップ用の２
個の電極を設けたＳｉ基板の所定の位置に、ＬＤチップ
を半田付けし、ＬＤチップの反対側の電極と、Ｓｉ基板
上のもう一つのＬＤ電極とはワイヤボンディングにより
接続してある。ＬＤチップのレーザ光出力側は、Ｓｉ基
板の段差を形成した端面に透明板を貼付し、この透明板
はレーザ光を全て透過する。ＰＤとＬＤチップの表面
は、透明樹脂によって厚く被覆し、この樹脂はＬＤチッ
プの光出射面と透明板との間にも充填している。この装
置構成は、従来の金属ステムと金属キャンを用いること
なく、ＬＤチップを搭載しているＳｉ基板に、位置決め
基準を持たせているものである。
は、ＬＤチップからのレーザ光をモニターするためのＰ
Ｄと、これに接続する２個の電極と、ＬＤチップ用の２
個の電極を設けたＳｉ基板の所定の位置に、ＬＤチップ
を半田付けし、ＬＤチップの反対側の電極と、Ｓｉ基板
上のもう一つのＬＤ電極とはワイヤボンディングにより
接続してある。ＬＤチップのレーザ光出力側は、Ｓｉ基
板の段差を形成した端面に透明板を貼付し、この透明板
はレーザ光を全て透過する。ＰＤとＬＤチップの表面
は、透明樹脂によって厚く被覆し、この樹脂はＬＤチッ
プの光出射面と透明板との間にも充填している。この装
置構成は、従来の金属ステムと金属キャンを用いること
なく、ＬＤチップを搭載しているＳｉ基板に、位置決め
基準を持たせているものである。
【００１１】
【発明の効果】従来の半導体レーザ装置の大きさや重量
は、その大部分を占めている金属ベースと金属キャンが
決定しているが、本発明では実施例で述べたように、Ｓ
ｉ基板にＰＤとＬＤチップを搭載し、透明樹脂で被覆す
る構成としたために、重量部品を使用しなくて済み、極
めて小形、軽量化することができる。
は、その大部分を占めている金属ベースと金属キャンが
決定しているが、本発明では実施例で述べたように、Ｓ
ｉ基板にＰＤとＬＤチップを搭載し、透明樹脂で被覆す
る構成としたために、重量部品を使用しなくて済み、極
めて小形、軽量化することができる。
【図１】本発明の半導体レーザ装置の構成を示す斜視図
【図２】（ａ）は本発明の半導体レーザ装置の模式断面
図、（ｂ）は同じく等価回路図
図、（ｂ）は同じく等価回路図
【図３】従来の半導体レーザ装置の一部剥離斜視図
１ ＬＤチップ ２ フォトダイオード ３ サブマウント ４ 金属ベース ５ ヒートシンク ６ 共通ポスト ７ ポスト ８ ポスト ９ ガラス窓 １０ 金属キャン １１ 切り欠き １２ Ｓｉ基板 １３ ＰＤ電極 １４ ＬＤ電極 １５ リードワイヤ １６ 共通電極 １７ 透明板 １８ 透明樹脂 １９ 絶縁層 ２０ａ ＬＤのｐ側電極 ２０ｂ ＬＤのｎ側電極 ２１ 絶縁層
Claims (3)
- 【請求項１】シリコン基板に形成しレーザ光をモニター
するフォトダイオードとその電極、前記シリコン基板上
に電気的に接続したレーザダイオードチップとその電
極、前記シリコン基板のレーザ光出射側端面に取り付け
出射レーザ光を全て透過させる大きさの透明板、前記レ
ーザダイオードチップと前記フォトダイオードの全表面
を被覆する透明樹脂、前記シリコン基板の裏面全域に形
成した共通電極を有することを特徴とする半導体レーザ
装置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体レーザ装置におい
て、シリコン基板のレーザ光出射側端部に形成した段差
部の端面に透明板を取り付けたことを特徴とする半導体
レーザ装置。 - 【請求項３】請求項１または２記載の半導体レーザ装置
において、レーザダイオードチップと透明板との間隔を
透明樹脂で埋めたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223191A JPH0563309A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223191A JPH0563309A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563309A true JPH0563309A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16794230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3223191A Pending JPH0563309A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563309A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744857A (en) * | 1996-01-30 | 1998-04-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| WO2002029904A1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Receiving optics and photosemiconductor device having the same |
| JP2002359403A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| KR100444234B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 트랜치 형성 레이저 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2009290066A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JP2021125539A (ja) * | 2020-02-04 | 2021-08-30 | 古河電気工業株式会社 | 光学装置 |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP3223191A patent/JPH0563309A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744857A (en) * | 1996-01-30 | 1998-04-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| WO2002029904A1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Receiving optics and photosemiconductor device having the same |
| US7777234B2 (en) | 2000-09-29 | 2010-08-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light-receiving element and photonic semiconductor device provided therewith |
| JP2002359403A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| KR100444234B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 트랜치 형성 레이저 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2009290066A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JP2021125539A (ja) * | 2020-02-04 | 2021-08-30 | 古河電気工業株式会社 | 光学装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7026655B2 (en) | Light-transmitting module containing an driving device in a package | |
| US4167744A (en) | Electroluminescent semiconductor device having optical fiber window | |
| JP2005150684A (ja) | レーザダイオード装置 | |
| JP2004214651A (ja) | 光モジュール | |
| JP3187482B2 (ja) | パッケージ型半導体レーザ装置 | |
| JPH02254783A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0563309A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS5996789A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2006351610A (ja) | 光モジュール | |
| JP2736197B2 (ja) | 光半導体素子用パッケージ | |
| JP2000031582A (ja) | 光モジュール | |
| JPH05175520A (ja) | 光電気回路混載モジュール | |
| JP2019075460A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光装置 | |
| JPS63318193A (ja) | 光半導体用サブマウント | |
| JP2005026333A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2542746B2 (ja) | レ―ザダイオ―ド | |
| JP3438783B2 (ja) | 送信用光モジュール | |
| JP2542747B2 (ja) | レ―ザダイオ―ド | |
| KR960003867B1 (ko) | 표면실장형 레이저다이오드 | |
| JPH06334257A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0697583A (ja) | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 | |
| JPS61184889A (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR20050044178A (ko) | 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트 및 그 제조 방법 | |
| JPH0888254A (ja) | 発光ダイオード装置の製造方法 | |
| KR910008217B1 (ko) | 광프린터의 기록헤드 |