JPH01183180A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH01183180A JPH01183180A JP679988A JP679988A JPH01183180A JP H01183180 A JPH01183180 A JP H01183180A JP 679988 A JP679988 A JP 679988A JP 679988 A JP679988 A JP 679988A JP H01183180 A JPH01183180 A JP H01183180A
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- region
- electrode
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0608—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光多重通信に於ける光源に用いて好適な半導体発光装置
に関し、 光信号の波長を別の波長に変換することが可能であると
共にその波長が可変であるように制御することを目的と
し、 バイアス電流を加える電極が二分割され且つ或る波長の
入力光信号が入射されると固有の波長で発振開始する活
性領域と、該活性領域に連なって設けられバイアス電流
を変えることで発振波長の制御を行う位相調整領域と、
該位相調整領域に連なって設けられバイアス電流を変え
ることで発振波長をシフトさせるブラッグ反射領域との
三領域を有してなるよう構成する。
に関し、 光信号の波長を別の波長に変換することが可能であると
共にその波長が可変であるように制御することを目的と
し、 バイアス電流を加える電極が二分割され且つ或る波長の
入力光信号が入射されると固有の波長で発振開始する活
性領域と、該活性領域に連なって設けられバイアス電流
を変えることで発振波長の制御を行う位相調整領域と、
該位相調整領域に連なって設けられバイアス電流を変え
ることで発振波長をシフトさせるブラッグ反射領域との
三領域を有してなるよう構成する。
本発明は、光多重通信に於ける光源に用いて好適な半導
体発光装置に関する。
体発光装置に関する。
〔従来の技術７〕
一般に、光多重通信を実施する為には、或る波長の光信
号を別の波長に変換したり、また、その波長が可変であ
って、且つ、それを制御できなければならない。
号を別の波長に変換したり、また、その波長が可変であ
って、且つ、それを制御できなければならない。
従来、このようなことを実現する為には、入力光信号を
、先ず、電気信号に変換し、その電気信号を用いて波長
が可変で且つその制御を行うことができる半導体レーザ
を駆動し、再び光信号に変換して出力する旨の手段を採
っている。
、先ず、電気信号に変換し、その電気信号を用いて波長
が可変で且つその制御を行うことができる半導体レーザ
を駆動し、再び光信号に変換して出力する旨の手段を採
っている。
現在、前記のような手段を具体化するには、個別の部品
を用いざるを得ず、従って、その構成は゛著しく複雑化
し、一般の用に供することは困難である。
を用いざるを得ず、従って、その構成は゛著しく複雑化
し、一般の用に供することは困難である。
若し、光信号のままで波長変換したり、その変換波長を
変化させるように制御し得る半導体発光装置を得ること
ができれば、光多重通信は、その実用化に向かって大き
く進展する。
変化させるように制御し得る半導体発光装置を得ること
ができれば、光多重通信は、その実用化に向かって大き
く進展する。
本発明は、光信号の波長を別の波長に変換することが可
能であると共にその波長が可変であるように制御するこ
とができる半導体発光装置を提供しようとする。
能であると共にその波長が可変であるように制御するこ
とができる半導体発光装置を提供しようとする。
前記希求されている半導体発光装置を実現するには、先
ず、光信号の波長を別の波長に変換する機能を持たせる
ことが必要である。
ず、光信号の波長を別の波長に変換する機能を持たせる
ことが必要である。
第２図はバイアス電流を供給される電極が分割されてい
る形式の半導体レーザの従来例を説明する為の要部切断
側面図を表している。
る形式の半導体レーザの従来例を説明する為の要部切断
側面図を表している。
図に於いて、１はｎ型ＩｎＰクラッド兼基板、２はＩ
ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、３はｐ型ＩｎＰクラッド兼コン
タクト層、４Ａはｐ側第１電極、４Ｂはｐ側第２電極、
５はｎ側電極、Ｌｌは第１電極部分の長さ、Ｌ２は第１
電極部分と第２電極部分とを分離する為の溝、Ｌ３は第
２電極部分の長さ、ＬＩＮは入力光信号、Ｉ−ｏｕｔは
出力光信号、１１及びＩ２はバイアス電流をそれぞれ示
している。
ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、３はｐ型ＩｎＰクラッド兼コン
タクト層、４Ａはｐ側第１電極、４Ｂはｐ側第２電極、
５はｎ側電極、Ｌｌは第１電極部分の長さ、Ｌ２は第１
電極部分と第２電極部分とを分離する為の溝、Ｌ３は第
２電極部分の長さ、ＬＩＮは入力光信号、Ｉ−ｏｕｔは
出力光信号、１１及びＩ２はバイアス電流をそれぞれ示
している。
この半導体レーザは、双安定レーザ・ダイオードとして
知られているものである（要すれば、昭和６０年度電子
通信学会総合全国大会 原稿番号８８６を参照）。
知られているものである（要すれば、昭和６０年度電子
通信学会総合全国大会 原稿番号８８６を参照）。
この半導体レーザに対し、バイアス電流１＋及びＩ２と
して発振開始直前の値を設定しておき、その状態に於い
て或る波長の入力光信号ＬＩＮを与えると、固有の波長
で発振開始し、波長変換された出力光信号し。ＵＴが得
られることを実験に依って確認できた。
して発振開始直前の値を設定しておき、その状態に於い
て或る波長の入力光信号ＬＩＮを与えると、固有の波長
で発振開始し、波長変換された出力光信号し。ＵＴが得
られることを実験に依って確認できた。
本発明では、第２図に見られる構造を有する半導体発光
装置を前記の条件で動作させることで波長変換を行うよ
うにしている。
装置を前記の条件で動作させることで波長変換を行うよ
うにしている。
さて、次に、半導体レーザ固有の発振波長を可変に、且
つ、それを制御することが必要である。
つ、それを制御することが必要である。
第３図は本出願人に於いて開発され波長が可変で且つそ
の制御が可能な三領域半導体レーザの要部切断斜面図を
表している。
の制御が可能な三領域半導体レーザの要部切断斜面図を
表している。
図に於いて、１１はｎ型１ｎＰ基板、１２はグレーティ
ング、１３はｎ型■ｎＧａＡＳＰガイド層、１４はｎ型
１ｎＰクラッド層、１５はＩ ｎＧａＡｓＰ活性層、１
６はＩｎＧａＡｓＰ耐メルト・バック層、１７はｐ型Ｉ
ｎＰ埋め込み層、１８はｎ型ＩｎＰ埋め込み層、１９は
ｐ型ＩｎＰクラッド層、２０はｐ型１ｎＰコンタクト層
、２１は活性領域電極、２２は位相調整領域電極、２３
はＤＢＲ（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ
ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）ｉＪｌ域電極電極は活性領域、Ｐ
は位相調整領域、ＤはＤＢＲ領域をそれぞれ示している
。
ング、１３はｎ型■ｎＧａＡＳＰガイド層、１４はｎ型
１ｎＰクラッド層、１５はＩ ｎＧａＡｓＰ活性層、１
６はＩｎＧａＡｓＰ耐メルト・バック層、１７はｐ型Ｉ
ｎＰ埋め込み層、１８はｎ型ＩｎＰ埋め込み層、１９は
ｐ型ＩｎＰクラッド層、２０はｐ型１ｎＰコンタクト層
、２１は活性領域電極、２２は位相調整領域電極、２３
はＤＢＲ（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ
ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）ｉＪｌ域電極電極は活性領域、Ｐ
は位相調整領域、ＤはＤＢＲ領域をそれぞれ示している
。
この半導体レーザは、図から判るように、通常の活性領
域Ａ、位相調整領域Ｐ、ＤＢＲ領域りの三領域からなっ
ていて、発光領域Ａに於いては通常の半導体レーザと同
様に発光出力を得る為に発振を行い、位相調整領域Ｐで
は安定した単一波長の発振を得る為に位相制御を行い、
Ｄ Ｂ ＲｆＪ域りではブラッグ波長の制御を行うもの
である。
域Ａ、位相調整領域Ｐ、ＤＢＲ領域りの三領域からなっ
ていて、発光領域Ａに於いては通常の半導体レーザと同
様に発光出力を得る為に発振を行い、位相調整領域Ｐで
は安定した単一波長の発振を得る為に位相制御を行い、
Ｄ Ｂ ＲｆＪ域りではブラッグ波長の制御を行うもの
である。
さて、活性領域電極２１に一定の電流を流して発光領域
Ａで発振させると、それに依って得られた出力光は位相
調整領域Ｐを介しＤ Ｂ Ｒｆｉｉ域りの端面から外部
に送出されるのであるが、この状態で、位相調整領域電
極２２に流す電流を一定とし、ＤＢＲ領域電極２３に流
す電流を変化させると発振波長はとびとびに短波長側に
シフトする。これは、キャリヤの注入で屈折率が減少し
てブラッグ波長が動いた為である。また、活性領域電極
２１及びＤＢＲ領域電極２３に流す電流を所定値に維持
し、位相調整領域電極２２に流す電流を変化させると、
位相条件が変化する為、連続的に波長を制御することが
できる。
Ａで発振させると、それに依って得られた出力光は位相
調整領域Ｐを介しＤ Ｂ Ｒｆｉｉ域りの端面から外部
に送出されるのであるが、この状態で、位相調整領域電
極２２に流す電流を一定とし、ＤＢＲ領域電極２３に流
す電流を変化させると発振波長はとびとびに短波長側に
シフトする。これは、キャリヤの注入で屈折率が減少し
てブラッグ波長が動いた為である。また、活性領域電極
２１及びＤＢＲ領域電極２３に流す電流を所定値に維持
し、位相調整領域電極２２に流す電流を変化させると、
位相条件が変化する為、連続的に波長を制御することが
できる。
本発明では、第３図に見られる構造を有する半導体発光
装置の構造を採り入れて発振波長を可変に、そして、そ
の制御を行うようにしている。
装置の構造を採り入れて発振波長を可変に、そして、そ
の制御を行うようにしている。
そこで、本発明に依る半導体発光装置に於いては、バイ
アス電流（例えばバイアス電流■□及びＩ Ａ２）を加
える電極（例えば第１電極３６Ａ及び３６Ｃ）が二分割
され且つ或る波長の入力光信号（例えばＬ ＩＮ）が入
射されると固有の波長で発振開始する活性領域（例えば
活性領域Ａ）と、該活性領域に連なって設けられバイア
ス電流（例えばバイアス電流ＩＦ）を変えることで発振
波長の制御を行う位相調整領域（例えば位相調整領域Ｐ
）と、該位相調整領域に連なって設けられバイアス電流
（例えばバイアス電流ＩＤ）を変えることで発振波長を
シフトさせるブラッグ反射領域（例えばＤＢＲ領域領域
色の三領域を有している。
アス電流（例えばバイアス電流■□及びＩ Ａ２）を加
える電極（例えば第１電極３６Ａ及び３６Ｃ）が二分割
され且つ或る波長の入力光信号（例えばＬ ＩＮ）が入
射されると固有の波長で発振開始する活性領域（例えば
活性領域Ａ）と、該活性領域に連なって設けられバイア
ス電流（例えばバイアス電流ＩＦ）を変えることで発振
波長の制御を行う位相調整領域（例えば位相調整領域Ｐ
）と、該位相調整領域に連なって設けられバイアス電流
（例えばバイアス電流ＩＤ）を変えることで発振波長を
シフトさせるブラッグ反射領域（例えばＤＢＲ領域領域
色の三領域を有している。
前記手段を採ることに依り、入力光信号の波長を変換す
ること、また、その波長を可変とし且つその制御を行う
ことが可能であることから、光多重通信を実現する為の
光源として有効であり、しかも、全体をモノリシックに
構成することができるから、従来のものとは比較になら
ないほど小型化される。
ること、また、その波長を可変とし且つその制御を行う
ことが可能であることから、光多重通信を実現する為の
光源として有効であり、しかも、全体をモノリシックに
構成することができるから、従来のものとは比較になら
ないほど小型化される。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図を表し、第２
図及び第３図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示
すか或いは同じ意味を持つものとする。
図及び第３図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示
すか或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、３１はｎ型１ｎＰクラツド兼基板、３２は
グレーティング、３３はｎ型Ｉ ｎＧａＡｓＰ導波層、
３４はＩ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、３５はｐ型ＩｎＰク
ラッド兼コンタクト層、３６Ａは活性領域第１電極、３
６Ｂは分離溝、３６Ｃは活性領域第２電極、３７は位相
調整領域電極、３８はＤＢＲ領域電極、ＬＡは活性領域
Ａの長さ、ＬＰは位相調整領域Ｐの長さ、ＬＤはＤＢＲ
領域りの長さ、ＩＡＩは第１電極３６Ａに供給するバイ
アス電流、■１は第２電極３６Ｃに供給するバイアス電
流、■２は電極３７に供給するバイアス電流、Ｉｎは電
極３８に供給するバイアス電流をそれぞれ示している。
グレーティング、３３はｎ型Ｉ ｎＧａＡｓＰ導波層、
３４はＩ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、３５はｐ型ＩｎＰク
ラッド兼コンタクト層、３６Ａは活性領域第１電極、３
６Ｂは分離溝、３６Ｃは活性領域第２電極、３７は位相
調整領域電極、３８はＤＢＲ領域電極、ＬＡは活性領域
Ａの長さ、ＬＰは位相調整領域Ｐの長さ、ＬＤはＤＢＲ
領域りの長さ、ＩＡＩは第１電極３６Ａに供給するバイ
アス電流、■１は第２電極３６Ｃに供給するバイアス電
流、■２は電極３７に供給するバイアス電流、Ｉｎは電
極３８に供給するバイアス電流をそれぞれ示している。
本実施例に於ける主要部分に関する諸データを例示する
と次の通りである。
と次の通りである。
ｔａｌ 活性領域Ａについて
長さＬＡ ： ３００ （，１７ｍ）厚さ：０．２１
（μｍ） 組成λＰＬ （波長換算）： １．５４ Ｃμｍ）（ｂ
ｌ 位相調整領域Ｐについて 長さＬＰ ＝１７２ Ｃμｍ〕 厚さ：０．２３Ｃμｍ〕 組成λＰＬ ： １．、 ２９ Ｃ’ｌｌ ｍ）（ＣＩ
ＤＢＲ領域りについて 長さり、、：２９０Ｃμｍ〕 厚さ：０．２３（μｍ〕 組成λＰＬ： １．２９ Ｃμｍ） このような半導体発光装置に於いて、 バイアス電流１ ａ＋ ： ５１ 、 ５ （ｍＡ）バ
イアス電流Ｉ Ａ２ ： ２ 、 ０５ （ｍＡ）バイ
アス電流ＩＦ ： ０．１ （ｍＡ）バイアス電流
Ｉｎ ： ０．１ （ｍＡ）とした状態で、入力光
信号ＬＩＮを、 波長：１．５３１ （μｍ〕 波形：パルス ピーク値： ０．６６ （ｍＷ） として入射させたところ、出力光信号し。ＬＩＴとして
、 波長：１．５３４Ｃμｍ〕 波形：パルス ピーク値： ２．７ （ｍＷ） 立ち上がり及び立ち下がり： １．５ （ｎｓ）を得る
ことができた。また、出力波長を、１．５３０ （μｍ
〕〜１．５３４ Ｃμｍ〕の範囲で可変にすることがで
きた。
（μｍ） 組成λＰＬ （波長換算）： １．５４ Ｃμｍ）（ｂ
ｌ 位相調整領域Ｐについて 長さＬＰ ＝１７２ Ｃμｍ〕 厚さ：０．２３Ｃμｍ〕 組成λＰＬ ： １．、 ２９ Ｃ’ｌｌ ｍ）（ＣＩ
ＤＢＲ領域りについて 長さり、、：２９０Ｃμｍ〕 厚さ：０．２３（μｍ〕 組成λＰＬ： １．２９ Ｃμｍ） このような半導体発光装置に於いて、 バイアス電流１ ａ＋ ： ５１ 、 ５ （ｍＡ）バ
イアス電流Ｉ Ａ２ ： ２ 、 ０５ （ｍＡ）バイ
アス電流ＩＦ ： ０．１ （ｍＡ）バイアス電流
Ｉｎ ： ０．１ （ｍＡ）とした状態で、入力光
信号ＬＩＮを、 波長：１．５３１ （μｍ〕 波形：パルス ピーク値： ０．６６ （ｍＷ） として入射させたところ、出力光信号し。ＬＩＴとして
、 波長：１．５３４Ｃμｍ〕 波形：パルス ピーク値： ２．７ （ｍＷ） 立ち上がり及び立ち下がり： １．５ （ｎｓ）を得る
ことができた。また、出力波長を、１．５３０ （μｍ
〕〜１．５３４ Ｃμｍ〕の範囲で可変にすることがで
きた。
本発明に依る半導体発光装置に於いては、或る波長の入
力光信号が入射されると固有の波長で発振開始する活性
領域と、発振波長の制御を行う位相調整領域と、発振波
長をシフトさせるブラッグ反射領域とを有している。
力光信号が入射されると固有の波長で発振開始する活性
領域と、発振波長の制御を行う位相調整領域と、発振波
長をシフトさせるブラッグ反射領域とを有している。
前記構成を採ることに依り、入力光信号の波長を変換す
ること、また、その波長を可変とし且つその制御を行う
ことが可能であることから、光多重通信を実現する為の
光源として有効であり、しかも、全体をモノリシックに
構成することができるから、従来のものとは比較になら
ないほど小型化される。
ること、また、その波長を可変とし且つその制御を行う
ことが可能であることから、光多重通信を実現する為の
光源として有効であり、しかも、全体をモノリシックに
構成することができるから、従来のものとは比較になら
ないほど小型化される。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図、第２図は二
分割電極をもつ半導体レーザの要部切断側面図、第３図
は三領域をもつ半導体レーザの要部切断斜面図をそれぞ
れ表している。 図に於いて、３１はｎ型ＩｎＰクラッド兼基板、３２は
グレーティング、３３はｎ型１ｎＧａＡｓＰ導波層、３
４はＩ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、３５はｐ型１ｎＰクラ
ッド兼コンタクト層、３６Ａは活性領域第１電極、３６
Ｂは分離溝、３６Ｃは活性領域第２電極、３７は位相調
整領域電極、３８はＤＢＲ領域電極、ＬＡは活性領域Ａ
の長さ、Ｌ。 は位相調整領域Ｐの長さ、ＬｏはＤＢＲ領域りの長さ、
ＩＡＩは第１電極３６Ａに供給するバイアス電流、ＩＡ
ＩＩは第２電極３６Ｃは供給するバイアス電流、■、は
電極３７に供給するバイアス電流、１、は電極３８に供
給するバイアス電流をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 −
分割電極をもつ半導体レーザの要部切断側面図、第３図
は三領域をもつ半導体レーザの要部切断斜面図をそれぞ
れ表している。 図に於いて、３１はｎ型ＩｎＰクラッド兼基板、３２は
グレーティング、３３はｎ型１ｎＧａＡｓＰ導波層、３
４はＩ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、３５はｐ型１ｎＰクラ
ッド兼コンタクト層、３６Ａは活性領域第１電極、３６
Ｂは分離溝、３６Ｃは活性領域第２電極、３７は位相調
整領域電極、３８はＤＢＲ領域電極、ＬＡは活性領域Ａ
の長さ、Ｌ。 は位相調整領域Ｐの長さ、ＬｏはＤＢＲ領域りの長さ、
ＩＡＩは第１電極３６Ａに供給するバイアス電流、ＩＡ
ＩＩは第２電極３６Ｃは供給するバイアス電流、■、は
電極３７に供給するバイアス電流、１、は電極３８に供
給するバイアス電流をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 バイアス電流を加える電極が二分割され且つ或る波長の
入力光信号が入射されると固有の波長で発振開始する活
性領域と、 該活性領域に連なって設けられバイアス電流を変えるこ
とで発振波長の制御を行う位相調整領域と、 該位相調整領域に連なって設けられバイアス電流を変え
ることで発振波長をシフトさせるブラッグ反射領域と の三領域を有してなる半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP679988A JPH01183180A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP679988A JPH01183180A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183180A true JPH01183180A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11648227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP679988A Pending JPH01183180A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183180A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05326921A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-12-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長変換光レジスタメモリ |
| WO2005091450A1 (en) * | 2004-03-23 | 2005-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Modulation light source, image display apparatus including the same, and method of driving modulation light source |
| WO2026047933A1 (ja) * | 2024-08-29 | 2026-03-05 | Ｎｔｔ株式会社 | 半導体レーザ |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP679988A patent/JPH01183180A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05326921A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-12-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長変換光レジスタメモリ |
| WO2005091450A1 (en) * | 2004-03-23 | 2005-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Modulation light source, image display apparatus including the same, and method of driving modulation light source |
| US7376161B2 (en) | 2004-03-23 | 2008-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Modulation light source, image display apparatus including the same, and method of driving modulation light source |
| WO2026047933A1 (ja) * | 2024-08-29 | 2026-03-05 | Ｎｔｔ株式会社 | 半導体レーザ |
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