JPH01183666A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH01183666A JPH01183666A JP796288A JP796288A JPH01183666A JP H01183666 A JPH01183666 A JP H01183666A JP 796288 A JP796288 A JP 796288A JP 796288 A JP796288 A JP 796288A JP H01183666 A JPH01183666 A JP H01183666A
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- JP
- Japan
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- protective layer
- layer
- photoreceptor
- resin
- methacrylic acid
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
- G03G5/14713—Macromolecular material
- G03G5/14791—Macromolecular compounds characterised by their structure, e.g. block polymers, reticulated polymers, or by their chemical properties, e.g. by molecular weight or acidity
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
艮先光歎
本発明は導電性支持体上に感光層、中間層及び表面保護
層を順次積層した電子写真感光体に関する。
層を順次積層した電子写真感光体に関する。
従来１権
一般の電子写真感光体はａ−Ｓｉ、ａ−８ｉＮ。
ａ−８ｅ、Ｓｅ”Ｔｅ合金、Ｓｅ”Ａｓ合金の蒸着膜か
らなるか、或いはＺｎＯ，ＣｄＳ＋アゾ顔料、シアニン
顔料、金属フタロシアニン顔料などの無機又は有機光導
電物質を結着樹脂中に分散した塗布膜からなる感光層を
導電性支持体上に設けたものである。
らなるか、或いはＺｎＯ，ＣｄＳ＋アゾ顔料、シアニン
顔料、金属フタロシアニン顔料などの無機又は有機光導
電物質を結着樹脂中に分散した塗布膜からなる感光層を
導電性支持体上に設けたものである。
これらの電子写真感光体は、帯電、露光、現像、転写、
クリーニング等のプロセスを経て、繰返し使用される。
クリーニング等のプロセスを経て、繰返し使用される。
この繰返しプロセスにおいて感光体は帯電工程ではコロ
ナ放電によるオゾンの雰囲気にさらされて表面状態が変
化し、またクリーニング工程ではクリーニングブレード
との摩擦により表面が傷ついたり、摩耗する結果、感光
体の特性劣化、寿命の低下が起こる。そこで感光体表面
の機械的強度を向上するため、従来より感光層上に樹脂
保護層を設けることが数多く提案されている。この場合
、保護層は厚い程、感光体表面の機械的強度向上にとっ
て好ましいが、反面高絶縁化のため、繰返しコピーによ
り残留電位が多くなってコピーにカブリを生じたり、或
いは感光層との接着性が弱くなって層剥離を生じる等の
問題がある。
ナ放電によるオゾンの雰囲気にさらされて表面状態が変
化し、またクリーニング工程ではクリーニングブレード
との摩擦により表面が傷ついたり、摩耗する結果、感光
体の特性劣化、寿命の低下が起こる。そこで感光体表面
の機械的強度を向上するため、従来より感光層上に樹脂
保護層を設けることが数多く提案されている。この場合
、保護層は厚い程、感光体表面の機械的強度向上にとっ
て好ましいが、反面高絶縁化のため、繰返しコピーによ
り残留電位が多くなってコピーにカブリを生じたり、或
いは感光層との接着性が弱くなって層剥離を生じる等の
問題がある。
そこでこれらの問題を解決するため、特開昭６０−３６
３８号では接着性に優れたポリウレタン樹脂中に抵抗制
御剤として酸化アンチモン含有Ｓｎ○２粒子を分散させ
た保護層を提案している。しかしこのような保護層では
所望の抵抗値を得るために酸化アンチモン濃度の高いＳ
ｎＯ２を用いると、透光性の低下により電子写真感度が
低下する上、場合によっては光量不足のため残留電位が
大きくなるという不具合が生じる。一方、保護層の結着
樹脂にポリウレタン樹脂を用いると、樹脂の性質上、未
反応のイソシアネート基が残留し、長期に亘って反応し
続ける結果、感光体の静電特性の安定化にかなりの時間
を特徴とする特に架橋剤であるイソシアネートを多量に
用いるポリウレタン樹脂ではこの傾向が顕著である。
３８号では接着性に優れたポリウレタン樹脂中に抵抗制
御剤として酸化アンチモン含有Ｓｎ○２粒子を分散させ
た保護層を提案している。しかしこのような保護層では
所望の抵抗値を得るために酸化アンチモン濃度の高いＳ
ｎＯ２を用いると、透光性の低下により電子写真感度が
低下する上、場合によっては光量不足のため残留電位が
大きくなるという不具合が生じる。一方、保護層の結着
樹脂にポリウレタン樹脂を用いると、樹脂の性質上、未
反応のイソシアネート基が残留し、長期に亘って反応し
続ける結果、感光体の静電特性の安定化にかなりの時間
を特徴とする特に架橋剤であるイソシアネートを多量に
用いるポリウレタン樹脂ではこの傾向が顕著である。
逆にイソシアネート量が少量で済むポリウレタン樹脂の
場合は耐溶剤性に問題がある。即ち複写プロセスを経た
感光体にクリーニング後も残存トナー等の汚染物が付着
している場合、感光体表面をトルエン、イソプロピルア
ルコール等の溶剤で拭き取ると、これらの溶剤に保護層
が溶解されるという不具合があった。
場合は耐溶剤性に問題がある。即ち複写プロセスを経た
感光体にクリーニング後も残存トナー等の汚染物が付着
している場合、感光体表面をトルエン、イソプロピルア
ルコール等の溶剤で拭き取ると、これらの溶剤に保護層
が溶解されるという不具合があった。
また特開昭５７−３０８４３号では前述のような高絶縁
性保護層をＡＱ、Ａｇ、ＳｎＯ□等の抵抗制御剤で低抵
抗化すると共に、この低抵抗保護層をエポキシ樹脂、ポ
リエステル樹脂、ジルコニウムアセチルアセトネート、
エチルアセトアセテートアルミニウム等、絶縁性も接着
性も良好な物質で帯電々荷の保持及び接着性向上の機能
を付与した中間層を介して感光層上に設けた感光体が提
案されているが、この種の感光体の場合は繰返し使用や
環境変化により次第に感度等の静電特性が低下する傾向
がある。
性保護層をＡＱ、Ａｇ、ＳｎＯ□等の抵抗制御剤で低抵
抗化すると共に、この低抵抗保護層をエポキシ樹脂、ポ
リエステル樹脂、ジルコニウムアセチルアセトネート、
エチルアセトアセテートアルミニウム等、絶縁性も接着
性も良好な物質で帯電々荷の保持及び接着性向上の機能
を付与した中間層を介して感光層上に設けた感光体が提
案されているが、この種の感光体の場合は繰返し使用や
環境変化により次第に感度等の静電特性が低下する傾向
がある。
且−一血
本発明の目的は優れた機械的強度を維持しながら、繰返
しコピーによる残留電位の上昇、感度等の静電特性の低
下、又は変動及び層剥離を防止すると共に、耐溶剤性の
向上を計った電子写真感光体を提供することである。
しコピーによる残留電位の上昇、感度等の静電特性の低
下、又は変動及び層剥離を防止すると共に、耐溶剤性の
向上を計った電子写真感光体を提供することである。
１−一双
本発明の電子写真感光体は導電性支持体上に感光層、中
間層及び表面保護層を順次積層した電子写真感光体にお
いて、保護層が酸化錫粒子を分散した結着樹脂からなり
、且つこの結着樹脂がメタクリル酸を１５〜５０１１ｔ
％の割合で共重合させたスチレン〜メチルメタクリレー
ト〜メタクリル酸共重合体と非黄変性イソシアネート化
合物とを反応硬化させた樹脂であることを特徴とするも
のである。
間層及び表面保護層を順次積層した電子写真感光体にお
いて、保護層が酸化錫粒子を分散した結着樹脂からなり
、且つこの結着樹脂がメタクリル酸を１５〜５０１１ｔ
％の割合で共重合させたスチレン〜メチルメタクリレー
ト〜メタクリル酸共重合体と非黄変性イソシアネート化
合物とを反応硬化させた樹脂であることを特徴とするも
のである。
本発明の保護層に用いられる結着樹脂はスチレンとメチ
ルメタクリレートとメタクリル酸とを共重合させた後、
非黄変性イソシアネート化合物を反応硬化させることに
より得られる。この場合、得られる硬化樹脂の耐溶剤性
を満足させると共に、未反応イソシアネート化合物量を
少なくするために、メタクリル酸の共重合割合を共重合
体の１０〜５（ｈｔ％、好ましくは１５〜２０ｗｔ％と
する。その他のモノマー成分の使用量は特に限定されな
いが、通常はスチレン１０〜４０ｗｔ％、メチルメタク
リレート２０〜８０ｗｔ％である。またイソシアネート
化合物の使用量は共重合体中の水酸基の数に対するイソ
シアネート基の数の比として通常０゜５〜１．５、好ま
しくは０．８〜１．２である。なお以上の成分の他に必
要あれば硬化促進剤を併用してもよい。
ルメタクリレートとメタクリル酸とを共重合させた後、
非黄変性イソシアネート化合物を反応硬化させることに
より得られる。この場合、得られる硬化樹脂の耐溶剤性
を満足させると共に、未反応イソシアネート化合物量を
少なくするために、メタクリル酸の共重合割合を共重合
体の１０〜５（ｈｔ％、好ましくは１５〜２０ｗｔ％と
する。その他のモノマー成分の使用量は特に限定されな
いが、通常はスチレン１０〜４０ｗｔ％、メチルメタク
リレート２０〜８０ｗｔ％である。またイソシアネート
化合物の使用量は共重合体中の水酸基の数に対するイソ
シアネート基の数の比として通常０゜５〜１．５、好ま
しくは０．８〜１．２である。なお以上の成分の他に必
要あれば硬化促進剤を併用してもよい。
こうして得られる共重合体の分子量は所望の機械的強度
及び耐溶剤性を満足させるために、数平均で２，０００
〜２００，０００、好ましくは１０゜０００〜４０，０
００が適当である。
及び耐溶剤性を満足させるために、数平均で２，０００
〜２００，０００、好ましくは１０゜０００〜４０，０
００が適当である。
以上のような共重合体を硬化させるイソシアネート化合
物の具体例は次の通りである。
物の具体例は次の通りである。
イ）脂肪族ジイソシアネートとしてヘキサメチレンジイ
ソシアネート（）ＩＭＤＩ）、リジンジイソシアネート
（ＬＤＩ）、トリメチルへキサメチレンジイソシアネー
ト（ＴＭＤＩ）、ダイマー酸ジイソシアネート（ＣＤＩ
）等。
ソシアネート（）ＩＭＤＩ）、リジンジイソシアネート
（ＬＤＩ）、トリメチルへキサメチレンジイソシアネー
ト（ＴＭＤＩ）、ダイマー酸ジイソシアネート（ＣＤＩ
）等。
口）環状脂肪族ジイソシアネートとして４，４′〜メチ
レンビス（シクロヘキシルイソシアネート）（水素化Ｍ
ＤＩ）、メチルシクロヘキサン２．４（２，６）−ジイ
ソシアネート（水素化ＴＤＩ）、１．３−（イソシアナ
ートメチル）シクロヘキサン（水素化ＸＤＩ）等。
レンビス（シクロヘキシルイソシアネート）（水素化Ｍ
ＤＩ）、メチルシクロヘキサン２．４（２，６）−ジイ
ソシアネート（水素化ＴＤＩ）、１．３−（イソシアナ
ートメチル）シクロヘキサン（水素化ＸＤＩ）等。
ハ）芳香族性ジイソシアナートとしてトリレンジイソシ
アネート（ＴＤＩ）、キシリレンジイソシアネート（Ｘ
ＤＩ）、メタキシリレンジイソシアネート（ＭＩＤＩ）
、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）等。
アネート（ＴＤＩ）、キシリレンジイソシアネート（Ｘ
ＤＩ）、メタキシリレンジイソシアネート（ＭＩＤＩ）
、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）等。
二）ジイソシアネートの多価アルコール付加体として、
例えば下記式（Ｉ）のような、ＨＭＤＩのトリメチロー
ルプロパン（ＴＭＰ）付加体；下記式（ｎ）のような、
水素化ＩＰＤＩのＴＭＰ付加体； ＴＤＩのＴＭＰ付加
体等。
例えば下記式（Ｉ）のような、ＨＭＤＩのトリメチロー
ルプロパン（ＴＭＰ）付加体；下記式（ｎ）のような、
水素化ＩＰＤＩのＴＭＰ付加体； ＴＤＩのＴＭＰ付加
体等。
ＣＨ２０ＣＯＮＨ−（ＣＨ，）４− ＮＣＯＣＨ，ＣＨ
，−Ｃ−ＣＨ，０ＣＯＮＨ−（ＣＨ，）、 −ＮＧＯ（
Ｉ）■ ＣＨ，０ＣＯＮＨ−（ＣＨ，）、 ＮＧＯ（Ｉｆ） ホ）イソシアネート重合体として例えば下記式（ｍ）の
ようなＨＭＤＩ ３モルと水１モルとの付加物（ビュー
レット）。
，−Ｃ−ＣＨ，０ＣＯＮＨ−（ＣＨ，）、 −ＮＧＯ（
Ｉ）■ ＣＨ，０ＣＯＮＨ−（ＣＨ，）、 ＮＧＯ（Ｉｆ） ホ）イソシアネート重合体として例えば下記式（ｍ）の
ようなＨＭＤＩ ３モルと水１モルとの付加物（ビュー
レット）。
（ＩＩＩ）
へ）下記式（ＩＶ）のようなイソシアネート化合物の３
量体。
量体。
箇
式（ＩＶ）の具体例として下記式（Ｖ）のようなＭＭＤ
Ｉイソシアヌレート、下記式（ＶＩ）のようなＩＰＤＩ
イソシアヌレートがある。
Ｉイソシアヌレート、下記式（ＶＩ）のようなＩＰＤＩ
イソシアヌレートがある。
（ＣＨ，）、ＮＧＯ
（Ｖ）
（ＶＩ）
なお以上のイソシアネート化合物のうち、ＴＤＩ又はそ
のＴＭＰ付加体は共重合樹脂、従って保護層を黄変させ
、フィルター効果を与える恐れがあるので、本発明では
これら以外の非黄変性イソシアネート化合物が好ましい
。
のＴＭＰ付加体は共重合樹脂、従って保護層を黄変させ
、フィルター効果を与える恐れがあるので、本発明では
これら以外の非黄変性イソシアネート化合物が好ましい
。
硬化促進剤としては以下のような有機塩基、有機又は無
機金属化合物等が挙げられる。
機金属化合物等が挙げられる。
有機塩基の例ニ
トリ、エチルアミン、トリエチレンジアミン、ジェタノ
ールアミン等。
ールアミン等。
有機又は無機金属化合物の例ニ
ジブチル錫ラウレート、ナフトエ酸錫、ジブチル錫ジ（
２−エチルヘキソエート）、２−エチルヘキソエート鉛
、Ｏ−フェニルソーダ。
２−エチルヘキソエート）、２−エチルヘキソエート鉛
、Ｏ−フェニルソーダ。
オレイン酸カリ、硝酸ビスマス、ナンテン酸亜鉛、チタ
ン酸２−ヒドロキシエチル、塩化錫、塩化鉄、２−エチ
ルヘキソエート鉄、２−エチルヘキソエートコバルト、
三塩化アンチモン、オクテン酸亜鉛等、好ましくはジブ
チル錫ラウレート。
ン酸２−ヒドロキシエチル、塩化錫、塩化鉄、２−エチ
ルヘキソエート鉄、２−エチルヘキソエートコバルト、
三塩化アンチモン、オクテン酸亜鉛等、好ましくはジブ
チル錫ラウレート。
以上のような結着樹脂には低抵抗化のため、Ｓｎ○２粒
子が併用されるが、その使用量は保護層に対して通常４
０〜８０ｗｔ％、好ましくは６０〜７０ｗｔ％である。
子が併用されるが、その使用量は保護層に対して通常４
０〜８０ｗｔ％、好ましくは６０〜７０ｗｔ％である。
粒径は平均粒径で０．５μｌ以下、好ましくは０．３μ
ｍ以下である。なおこのＳｎ○２粒子は酸化アンチモン
を含まないので、保護層の透光性を殆んど低下させるこ
とはない。
ｍ以下である。なおこのＳｎ○２粒子は酸化アンチモン
を含まないので、保護層の透光性を殆んど低下させるこ
とはない。
本発明の保護層は通常、未硬化の共重合樹脂溶液にＳｎ
○２粒子及び必要あれば硬化促進剤、その他分散性、接
着性或いは平滑性を向上するため添加剤を加えて中間層
上に塗布、乾燥硬化させることにより形成される。厚さ
は１〜３０μｍ、好ましくは３〜６μｍである。
○２粒子及び必要あれば硬化促進剤、その他分散性、接
着性或いは平滑性を向上するため添加剤を加えて中間層
上に塗布、乾燥硬化させることにより形成される。厚さ
は１〜３０μｍ、好ましくは３〜６μｍである。
本発明において保護層及び中間層以外の感光層の構成材
料及び形成方法は従来と全く同様である。
料及び形成方法は従来と全く同様である。
即ち感光層の構成材料としてはａ−３ｉ系；ａ−８ｉＮ
ｘ； ａ−８ｉＣｘ；ａ−８ｅ、又はＳｅ”Ｔｅ、Ａ
Ｓ、 Ｓ ｅ＝等のＳｅ合金； ＺｎＯ１ＣｄＳ、Ｃｄ
Ｓｅ等のｕ−ｖｒ族化合物の粒子を結着樹脂に分散させ
た系；ポリビニルカルバゾール、アントラセン、或いは
チアピリリウム塩とポリカーボネートとの共晶錯体等の
有機光導電材料等が用いられるが、中でもＳｅ系が好ま
しい。
ｘ； ａ−８ｉＣｘ；ａ−８ｅ、又はＳｅ”Ｔｅ、Ａ
Ｓ、 Ｓ ｅ＝等のＳｅ合金； ＺｎＯ１ＣｄＳ、Ｃｄ
Ｓｅ等のｕ−ｖｒ族化合物の粒子を結着樹脂に分散させ
た系；ポリビニルカルバゾール、アントラセン、或いは
チアピリリウム塩とポリカーボネートとの共晶錯体等の
有機光導電材料等が用いられるが、中でもＳｅ系が好ま
しい。
形成方法としては使用材料によって蒸着、スパッタリン
グ、塗布等の方法が適宜選択される。感光層の構成は特
に制約されず、単層であっても、前記光導電材料を主成
分とする電荷発生層とドナー又はアクセプターを主成分
とする電荷輸送層との積層であっても、或いは吸収波長
の異なる２種以上の光導電材料を用いた感光層の積層体
であってもよい。なお保護層の積層法によっては感光層
を高温（１００℃以上）に保たねばならない場合もある
が、この場合は高温下でも変質を起こさないように、ガ
ラス転移点（Ｔｇ）１００℃以上のものを選択すること
が望ましい。例えばＡｓ、Ｓｅ、のＴｇは約１８０℃で
あり、Ａｓｙ Ｓ ｅ、−ｙ（０，３＜ ｙ （０，５
）であればＴｇ）１００℃となる。感光層の厚さは単層
型では１０〜１００μｍ、積層型では電荷発生層が５０
０人〜２μｍ、電荷輸送層が５〜５０μｍが適当である
。
グ、塗布等の方法が適宜選択される。感光層の構成は特
に制約されず、単層であっても、前記光導電材料を主成
分とする電荷発生層とドナー又はアクセプターを主成分
とする電荷輸送層との積層であっても、或いは吸収波長
の異なる２種以上の光導電材料を用いた感光層の積層体
であってもよい。なお保護層の積層法によっては感光層
を高温（１００℃以上）に保たねばならない場合もある
が、この場合は高温下でも変質を起こさないように、ガ
ラス転移点（Ｔｇ）１００℃以上のものを選択すること
が望ましい。例えばＡｓ、Ｓｅ、のＴｇは約１８０℃で
あり、Ａｓｙ Ｓ ｅ、−ｙ（０，３＜ ｙ （０，５
）であればＴｇ）１００℃となる。感光層の厚さは単層
型では１０〜１００μｍ、積層型では電荷発生層が５０
０人〜２μｍ、電荷輸送層が５〜５０μｍが適当である
。
中間層は保護層と感光層との接着性を高めると共に、帯
電々荷を保護層と感光層との中間に止めて電荷注入によ
る帯電４位の低下を防止するための層である。このよう
な機能を有する中間層の材料としては例えば、エポキシ
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポ
リ塩化ビニル、アクリル樹脂、シリコン樹脂、弗素樹脂
等の各種の有機高分子化合物；トリメチルモノメトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
、γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン等
のシランカップリング剤；チタンテトラブトキサイド、
アルミニウムトリプロポキサイド、ジルコニウムテトラ
ブトキサイド等の金属アルコキサイド；チタンアセチル
アセトネート、ジルコニウムアセチルアセトネート等の
金属アセチルアセトン錯体の１種又は２種以上を組合せ
ることにより形成される高分子化合物を用いることがで
きる。
電々荷を保護層と感光層との中間に止めて電荷注入によ
る帯電４位の低下を防止するための層である。このよう
な機能を有する中間層の材料としては例えば、エポキシ
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポ
リ塩化ビニル、アクリル樹脂、シリコン樹脂、弗素樹脂
等の各種の有機高分子化合物；トリメチルモノメトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
、γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン等
のシランカップリング剤；チタンテトラブトキサイド、
アルミニウムトリプロポキサイド、ジルコニウムテトラ
ブトキサイド等の金属アルコキサイド；チタンアセチル
アセトネート、ジルコニウムアセチルアセトネート等の
金属アセチルアセトン錯体の１種又は２種以上を組合せ
ることにより形成される高分子化合物を用いることがで
きる。
この中間層の厚さは通常ｌＯμｍ以下、好ましくは１μ
ｍ以下である。なお形成法は通常の塗布法が採用される
。
ｍ以下である。なお形成法は通常の塗布法が採用される
。
導電性支持体としては、導電体或いは絶縁体を導電処理
したものが用いられ、例えば、ステンレス、ＡＩ、 Ｎ
ｉ、 Ｆｅ、 Ｍｏ、 Ｃｕ、 Ｔｉ。
したものが用いられ、例えば、ステンレス、ＡＩ、 Ｎ
ｉ、 Ｆｅ、 Ｍｏ、 Ｃｕ、 Ｔｉ。
Ａｕなどの金属あるいは合金；ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリプロピレン、
ガラスなどの絶縁性基体上に、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ
などの金属あるいはＩ ｎ２０３ ＨＳ ｎ０２などの
導電材料の薄膜を蒸着などの方法で形成したもの；導電
処理した紙；導電性高分子等が例示できる。導電性支持
体の形状は特に問わず、例えば、板状、ドラム状、エン
ドレスベルト状などが例示できる。
ボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリプロピレン、
ガラスなどの絶縁性基体上に、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ
などの金属あるいはＩ ｎ２０３ ＨＳ ｎ０２などの
導電材料の薄膜を蒸着などの方法で形成したもの；導電
処理した紙；導電性高分子等が例示できる。導電性支持
体の形状は特に問わず、例えば、板状、ドラム状、エン
ドレスベルト状などが例示できる。
以下に本発明を実施例によって説明する。
なお部、％、及び割合又は比率は全て重量基準である。
実施例１
常法により清浄化した８０１ｆｆｌｌφＸ３４０ｍｍ長
のＡＱドラム支持体上に、真空度１０−’Ｔｏｒｒ、蒸
看源温度４００℃、支持体温度２００℃の条件下で、Ａ
ｓ２Ｓｅ、合金を３５分間蒸着して、膜厚約６０μｍの
感光層を形成した。
のＡＱドラム支持体上に、真空度１０−’Ｔｏｒｒ、蒸
看源温度４００℃、支持体温度２００℃の条件下で、Ａ
ｓ２Ｓｅ、合金を３５分間蒸着して、膜厚約６０μｍの
感光層を形成した。
次にこの感光層上に、ジルコニウムアセチルアセトン２
部、γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン
１部及びｎ−ブタノール４０部からなる混合液を塗布し
、１００℃で２時間乾燥して約２０００入庫の中間層を
設けた。
部、γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン
１部及びｎ−ブタノール４０部からなる混合液を塗布し
、１００℃で２時間乾燥して約２０００入庫の中間層を
設けた。
次にスチレン（Ｓｔ）〜メチルメタクリレート（ＨＭＡ
）〜メタクリル酸（ＭＡＡ）共重合体（Ｓｔ／ＭＭＡ／
ＭＡＡ割合： １０／４０１５０） １２０部、ＳｎＯ
２粒子（三菱金属社製） ３００部及びトルエン〜セロ
ソルブアセテート〜メチルブチルケトン（溶媒割合３０
／４０／３０）混合溶媒８５０部を１５０時間ボールミ
ル分散した。次にこの分散液に１分散樹脂の約１０％溶
液とイソシアネート化合物としてＨＭＩ）ＩのＩＭＦア
ダクト（住友バイエル社製スミジュール）ＩＴ）とを加
え、ＳｎＯ２含有率６０％、イソシアネート基の数と分
散樹脂中の水酸基の数との比が１：１になるように調整
して保護層塗布液とし、これを前記中間層上に浸漬塗布
し、１２０℃で３０分間乾燥して約５μｍ厚の保護層を
有する感光体を作製した。
）〜メタクリル酸（ＭＡＡ）共重合体（Ｓｔ／ＭＭＡ／
ＭＡＡ割合： １０／４０１５０） １２０部、ＳｎＯ
２粒子（三菱金属社製） ３００部及びトルエン〜セロ
ソルブアセテート〜メチルブチルケトン（溶媒割合３０
／４０／３０）混合溶媒８５０部を１５０時間ボールミ
ル分散した。次にこの分散液に１分散樹脂の約１０％溶
液とイソシアネート化合物としてＨＭＩ）ＩのＩＭＦア
ダクト（住友バイエル社製スミジュール）ＩＴ）とを加
え、ＳｎＯ２含有率６０％、イソシアネート基の数と分
散樹脂中の水酸基の数との比が１：１になるように調整
して保護層塗布液とし、これを前記中間層上に浸漬塗布
し、１２０℃で３０分間乾燥して約５μｍ厚の保護層を
有する感光体を作製した。
実施例２
Ｓｔ／ＭＭ＾／ＭＡＡ割合が１０／７５／１５の共重合
体を使用した他は実施例１と同様にして感光体を作製し
た。
体を使用した他は実施例１と同様にして感光体を作製し
た。
実施例３
保護層中のＳｎＯ２含有量を５０％とした他は実施例２
と同様にして感光体を作製した。
と同様にして感光体を作製した。
実施例４
保護層中のＳｎＯ２含有量を７０％とした他は実施例２
と同様にして感光体を作製した。
と同様にして感光体を作製した。
実施例５
ポリイソシアネートをＨＭＤＩモノマーとした他は実施
例２と同様にして感光体を作製した。
例２と同様にして感光体を作製した。
実施例６
ポリイソシアネートを水素化ＭＤＩとした他は実施例２
と同様にして感光体を作製した。
と同様にして感光体を作製した。
実施例７
ポリイソシアネートをＸＤＩとした他は実施例２と同様
にして感光体を作製した。
にして感光体を作製した。
実施例８
ポリイソシアネートをＩＰＤＩのＴＭＰ付加体とした他
は実施例２と同様にして感光体を作製した。
は実施例２と同様にして感光体を作製した。
実施例９
ポリイソシアネートをＨＭＤＩのインシアヌレートとし
た他は実施例２と同様にして感光体を作製した。
た他は実施例２と同様にして感光体を作製した。
実施例１０
ポリイソシアネートをＩＰＤＩのイソシアスレートとし
た他は実施例２と同様にして感光体を作製した。
た他は実施例２と同様にして感光体を作製した。
実施例１１
ポリイソシアネートをＨＭＤＩの水付加物（３：１）と
した他は実施例２と同様にして感光体を作製した。
した他は実施例２と同様にして感光体を作製した。
実施例１２
保護層中にシフチルケンラウレート１００ＰＰＨを含有
させた他は実施例２と同様にして感光体を作製した。
させた他は実施例２と同様にして感光体を作製した。
実施例１３
Ｓｔ／’ＭＭＡ／ＨＡＡ割合が４０／４０／２０の共重
合体を用いた他は実施例１と同様にして感光体を作製し
た。
合体を用いた他は実施例１と同様にして感光体を作製し
た。
比較例Ｉ
Ｓｔ／ＭＭＡ／ＡＡ割合が２０ ／ ７５ ／ ５の共
重合体を用い、且つイソシアネート化合物としてＴＤＩ
のＴＭＰアダクトを用いた他は実施例１と同様にして感
光体を作製した。
重合体を用い、且つイソシアネート化合物としてＴＤＩ
のＴＭＰアダクトを用いた他は実施例１と同様にして感
光体を作製した。
比較例２
共重合体としてＳｔ／ＭＭＡ／ＡＡ割合が３０ ／ ６
０／１０の共重合体を用い、且つイソシアネート化合物
としてＴＤＩモノマーを用いた他は実施例１と同様にし
て感光体を作製した。
０／１０の共重合体を用い、且つイソシアネート化合物
としてＴＤＩモノマーを用いた他は実施例１と同様にし
て感光体を作製した。
以上のようにして得られた各感光体について１０万枚の
連続コピーを行ない、静電特性（最高電位、暗減衰比及
び感度）、保護層の分光透過率及び耐溶剤性を試験した
。その結果を表−１に示す。
連続コピーを行ない、静電特性（最高電位、暗減衰比及
び感度）、保護層の分光透過率及び耐溶剤性を試験した
。その結果を表−１に示す。
（以下余白）
・・ ・・ ・・ 馴蟹 故
ｆ 振 慎 噌 煉負
窄 蓚書 愉 ｌ１ｌｌ！
艶＋＋ｏｌＰｌ 奪 ロ Ｃ／） 櫃 厚
この表から判るように各実施例の感光体では１０万枚コ
ピー後も感度等の静電特性の低下又は変動が殆んどなく
、また保護層の溶解も認められなかったのに対し、各比
較例の感光体では保護層の溶解が認められ、更に比較例
１及び２では１０万枚コピー後、感度低下が認められた
。
ｆ 振 慎 噌 煉負
窄 蓚書 愉 ｌ１ｌｌ！
艶＋＋ｏｌＰｌ 奪 ロ Ｃ／） 櫃 厚
この表から判るように各実施例の感光体では１０万枚コ
ピー後も感度等の静電特性の低下又は変動が殆んどなく
、また保護層の溶解も認められなかったのに対し、各比
較例の感光体では保護層の溶解が認められ、更に比較例
１及び２では１０万枚コピー後、感度低下が認められた
。
効−一一艮
本発明の電子写真感真感光体は保護層を以上のような構
成にしたので、繰返しコピーによって層剥離もなく優れ
た機械的強度を維持しながら、感度等の静電特性の低下
又は変動を防止すると共に、耐溶剤性を向上することが
できる。
成にしたので、繰返しコピーによって層剥離もなく優れ
た機械的強度を維持しながら、感度等の静電特性の低下
又は変動を防止すると共に、耐溶剤性を向上することが
できる。
特許出願人 株式会社 リ コ −
Claims (1)
- １、導電性支持体上に感光層、中間層及び表面保護層を
順次積層した感光体において、保護層が酸化錫粒子を分
散した結着樹脂からなり、且つこの結着樹脂がメタクリ
ル酸を１５〜５０ｗｔ％の割合で共重合させたスチレン
〜メチルメタクリレート〜メタクリル酸共重合体と非黄
変性イソシアネート化合物とを反応硬化させた樹脂であ
ることを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP796288A JPH01183666A (ja) | 1988-01-16 | 1988-01-16 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP796288A JPH01183666A (ja) | 1988-01-16 | 1988-01-16 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183666A true JPH01183666A (ja) | 1989-07-21 |
Family
ID=11680102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP796288A Pending JPH01183666A (ja) | 1988-01-16 | 1988-01-16 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183666A (ja) |
-
1988
- 1988-01-16 JP JP796288A patent/JPH01183666A/ja active Pending
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