JPH01183864A - 信号伝送装置 - Google Patents
信号伝送装置Info
- Publication number
- JPH01183864A JPH01183864A JP63008714A JP871488A JPH01183864A JP H01183864 A JPH01183864 A JP H01183864A JP 63008714 A JP63008714 A JP 63008714A JP 871488 A JP871488 A JP 871488A JP H01183864 A JPH01183864 A JP H01183864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- signal
- superconductor
- circuit elements
- external
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、信号伝送装置とくに２種類以上の超電導体薄
膜を用いた配線網の超電導接続体装置に関するもので、
特に化合物等の超電導薄膜を組み入れた接続体装置の構
造に係るものである。
膜を用いた配線網の超電導接続体装置に関するもので、
特に化合物等の超電導薄膜を組み入れた接続体装置の構
造に係るものである。
従来の技術
従来、比較的高温の臨界転移温度を有する超電導体とし
て、窒化ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（Ｎｂ
５Ｇｏ）などが知られていたが、これらの素材の超電導
転移温度はたかだか２４にであった。さらに高い転移温
度が期待されるものとして、ペロブスカイト系３元化合
物のＢａ−Ｌａ−Ｃｕ−０系などが提案されていた。し
かしながら、最近の研究によれば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系の材料が液体窒素温度を超える可能性が示唆され（Ｍ
、Ｋ。
て、窒化ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（Ｎｂ
５Ｇｏ）などが知られていたが、これらの素材の超電導
転移温度はたかだか２４にであった。さらに高い転移温
度が期待されるものとして、ペロブスカイト系３元化合
物のＢａ−Ｌａ−Ｃｕ−０系などが提案されていた。し
かしながら、最近の研究によれば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系の材料が液体窒素温度を超える可能性が示唆され（Ｍ
、Ｋ。
Ｗｕ等フィジカルレピューレターズ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ
Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ ） Ｖｏｌ、 ｓ
８ 、 ／１６９ 、 ＰＰ。
Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ ） Ｖｏｌ、 ｓ
８ 、 ／１６９ 、 ＰＰ。
９０８９１０（１９８７））、現実に、９０に以上の転
移温度を有する超電導化合物が報告されてきている。
移温度を有する超電導化合物が報告されてきている。
発明が解決しようとする課題
半導体素子の高集積化は、メモリーの大容量化、信号処
理の高速化という点から非常に重要であることはよく知
られている事実であり、素子の微細化がさかんに試みら
れている。ところが、それらをつなぐ配線に関しては、
その中を通る電流密度が減少しない限り、微細化が困難
であるという問題があった。″また、一般に、集積回路
半導体装置内で形成された受動性の配線を流れる電流は
、−般に、能動素子の電流スイッチングによって、電流
の方向とその量が制御されている。一方、超電導の受動
性の配線を用いた場合には、その抵抗値を局所的に、増
大、減少させることによって、配線中を流れる電流を遮
断、流入させ１回路の結合を変化させることができるの
で、配線部において。
理の高速化という点から非常に重要であることはよく知
られている事実であり、素子の微細化がさかんに試みら
れている。ところが、それらをつなぐ配線に関しては、
その中を通る電流密度が減少しない限り、微細化が困難
であるという問題があった。″また、一般に、集積回路
半導体装置内で形成された受動性の配線を流れる電流は
、−般に、能動素子の電流スイッチングによって、電流
の方向とその量が制御されている。一方、超電導の受動
性の配線を用いた場合には、その抵抗値を局所的に、増
大、減少させることによって、配線中を流れる電流を遮
断、流入させ１回路の結合を変化させることができるの
で、配線部において。
局所的に抵抗値を制御することができれば、一つの回路
装置の接続を意図的に変えることができ、回路機能の２
重性、高機能性を実現することかで第１．第２の回路素
子にそれぞれ臨界温度又は臨界磁界の異なる第１．第２
の超電導体を接続し、外部からの信号を前記第１．第２
の超電導体を介してそれぞれ前記第１．第２の回路素子
に入力可能とし、外部温度又は外部磁界により前記信号
を前記第１又は第２の回路素子に選択的に伝達させるも
ので、信号のパスを切換可能とするものである。また、
第１．第２の超電導体が、絶縁層を介して積層されてい
てもよい。
装置の接続を意図的に変えることができ、回路機能の２
重性、高機能性を実現することかで第１．第２の回路素
子にそれぞれ臨界温度又は臨界磁界の異なる第１．第２
の超電導体を接続し、外部からの信号を前記第１．第２
の超電導体を介してそれぞれ前記第１．第２の回路素子
に入力可能とし、外部温度又は外部磁界により前記信号
を前記第１又は第２の回路素子に選択的に伝達させるも
ので、信号のパスを切換可能とするものである。また、
第１．第２の超電導体が、絶縁層を介して積層されてい
てもよい。
作用
本発明により、２つの異なる働きをする回路に共通な部
分を共有することができ、必要に応じて。
分を共有することができ、必要に応じて。
外部磁界又は外部温度により、切り換えることができる
。従って、共通な配線の面積の分、集積化が可能となる
。
。従って、共通な配線の面積の分、集積化が可能となる
。
実施例
まず本発明による信号伝送装置における接続体装置の原
理、及び、構造を説明する。
理、及び、構造を説明する。
第１図ｉ１Ｌ 、 ｂ［示すように、一般に、超電導体
は、その臨界温度又は臨界磁界でその抵抗値が変化する
。従って、第１図の様な２種類の超電導体を組み合わせ
れば、例えば、Ｔｃ、からＴｃ２の温度範囲では第２の
超電導体、１０２以上では第１の超電導体といったよう
に、抵抗率の順序が変化する。
は、その臨界温度又は臨界磁界でその抵抗値が変化する
。従って、第１図の様な２種類の超電導体を組み合わせ
れば、例えば、Ｔｃ、からＴｃ２の温度範囲では第２の
超電導体、１０２以上では第１の超電導体といったよう
に、抵抗率の順序が変化する。
臨界磁界に関しても、同様である。
本発明に係る第１実施例を第２図、第３図を用いて説明
する。第２図に示すように、第１の回路素子よりなる第
１の回路１００と第２の回路素子よりなる第２の回路２
００の２つの電気又は電子回路及び外部信号線３０があ
り、第１の回路１００と信号線３００間は、第１の超電
導体１ｏでつながっており又、信号線３０と第２回路２
０ｏとは第２の超電導体２ｏでつながっている。第３図
で接続部を詳細に示した。
する。第２図に示すように、第１の回路素子よりなる第
１の回路１００と第２の回路素子よりなる第２の回路２
００の２つの電気又は電子回路及び外部信号線３０があ
り、第１の回路１００と信号線３００間は、第１の超電
導体１ｏでつながっており又、信号線３０と第２回路２
０ｏとは第２の超電導体２ｏでつながっている。第３図
で接続部を詳細に示した。
これを外部磁界６０又は外部温度で制御する。
第１の超電導体１ｏの臨界温度Ｔｃ１と第２の超電導体
２０の臨界温度ＴＣ２の間では、第２の超電導体２ｏの
み超電導状態となり、信号線３ｏを伝う信号は第２の回
路２００に伝わる。又、Ｔｃ２以上の温度では、第１の
超電導体１０を伝って、第１の回路１００に伝わる。な
お、回路１００，２００および超電導体１０ 、２０は
適当な基体上に形成されている。
２０の臨界温度ＴＣ２の間では、第２の超電導体２ｏの
み超電導状態となり、信号線３ｏを伝う信号は第２の回
路２００に伝わる。又、Ｔｃ２以上の温度では、第１の
超電導体１０を伝って、第１の回路１００に伝わる。な
お、回路１００，２００および超電導体１０ 、２０は
適当な基体上に形成されている。
本発明の第２実施例を第４図に示す。これは第１の回路
１０ｏと第２の回路２００が別のたとえば半導体層内に
形成されており、第１の回路１００が、第１層内、第２
の回路２００は第２層内に形成されており、たとえばシ
リコン絶縁膜４０に形成されたスルーホール２６でつな
がっている。第１の層と第２の層は絶縁膜４ｏで絶縁さ
れている。
１０ｏと第２の回路２００が別のたとえば半導体層内に
形成されており、第１の回路１００が、第１層内、第２
の回路２００は第２層内に形成されており、たとえばシ
リコン絶縁膜４０に形成されたスルーホール２６でつな
がっている。第１の層と第２の層は絶縁膜４ｏで絶縁さ
れている。
動作原理は第１実施例と同様である。第２の超電導体２
ｏは第１の回路１００につながり、第１の超電導体１０
は第２の回路２００につながっており、超電導体１０
、２０の間には絶縁膜４０が位置し、これらは基体３０
０上に形成されている。
ｏは第１の回路１００につながり、第１の超電導体１０
は第２の回路２００につながっており、超電導体１０
、２０の間には絶縁膜４０が位置し、これらは基体３０
０上に形成されている。
基体３００はシリコン等の半導体基板あるいは絶縁基板
でもよく、又第２の回路２００は基体３００内に形成さ
れていてもよい。
でもよく、又第２の回路２００は基体３００内に形成さ
れていてもよい。
発明の効果
本発明により、配線網の抵抗を局所的に、増大。
減少させることができ、配線中を流れる電流を遮断、流
入させ、結合を変化させることができるので、回路の２
重性高機能性を実現させることができる。又、高集積化
も容易であり、高密度、高機能な半導体集積回路等の実
現に犬きく寄与するものである。
入させ、結合を変化させることができるので、回路の２
重性高機能性を実現させることができる。又、高集積化
も容易であり、高密度、高機能な半導体集積回路等の実
現に犬きく寄与するものである。
第１図ａ、ｂは本発明を考えるに至った超電導体材料の
基本的な特性図、第２図は本発明の第１実施例の装置の
概略回路図、第３図は第２図の回路における接続部の要
部平面図、第４図は本発明の第２実施例の装置の要部断
面図である。 １Ｑ・・・・・・第１の超電導体、２ｏ・・・・・・第
２の超電導体、３０・・・・・・信号線、２５・・・・
・スルーホール、４ｏ・・・・・・絶縁膜、６ｏ・・・
・・外部磁界、１０ｏ・・・・・・第１の回路、２００
・・・・・第２の回路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１泡群
１ 図 ＨｃｌＨｃｚ ＣＱｙ界構遷） 外合財区界第２図 １００第１の圓経 ２θθ第ｚの凹路 第３図
基本的な特性図、第２図は本発明の第１実施例の装置の
概略回路図、第３図は第２図の回路における接続部の要
部平面図、第４図は本発明の第２実施例の装置の要部断
面図である。 １Ｑ・・・・・・第１の超電導体、２ｏ・・・・・・第
２の超電導体、３０・・・・・・信号線、２５・・・・
・スルーホール、４ｏ・・・・・・絶縁膜、６ｏ・・・
・・外部磁界、１０ｏ・・・・・・第１の回路、２００
・・・・・第２の回路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１泡群
１ 図 ＨｃｌＨｃｚ ＣＱｙ界構遷） 外合財区界第２図 １００第１の圓経 ２θθ第ｚの凹路 第３図
Claims (2)
- （１）基体上に形成された第１，第２の回路素子にそれ
ぞれ臨界温度又は臨界磁界の異なる第１，第２の超電導
体を接続し、外部からの信号を前記第１，第２の超電導
体を介してそれぞれ前記第１，第２の回路素子に入力可
能とし、外部温度又は外部磁界により前記信号を前記第
１又は第２の回路素子に選択的に伝達させることを特徴
とする信号伝送装置。 - （２）第１，第２の超電導体が、絶縁層を介して積層さ
れてなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
信号伝送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008714A JPH01183864A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 信号伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008714A JPH01183864A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 信号伝送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183864A true JPH01183864A (ja) | 1989-07-21 |
Family
ID=11700606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63008714A Pending JPH01183864A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 信号伝送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183864A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6827902B1 (en) | 1996-10-23 | 2004-12-07 | Hitachi, Ltd. | Biochemical analyzer |
| US7307045B2 (en) | 2002-11-07 | 2007-12-11 | Ntt Docomo, Inc. | Signal switching device |
-
1988
- 1988-01-19 JP JP63008714A patent/JPH01183864A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6827902B1 (en) | 1996-10-23 | 2004-12-07 | Hitachi, Ltd. | Biochemical analyzer |
| US7307045B2 (en) | 2002-11-07 | 2007-12-11 | Ntt Docomo, Inc. | Signal switching device |
| US7774034B2 (en) | 2002-11-07 | 2010-08-10 | Ntt Docomo, Inc. | Signal switching device |
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