JPH01184830A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH01184830A JPH01184830A JP63005149A JP514988A JPH01184830A JP H01184830 A JPH01184830 A JP H01184830A JP 63005149 A JP63005149 A JP 63005149A JP 514988 A JP514988 A JP 514988A JP H01184830 A JPH01184830 A JP H01184830A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- dry etching
- zns film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はエレクトロルミネセンスデイスプレー等の発光
体として使用されるＺｎＳ膜のパターンを形成するドラ
イエツチング方法に関するものである。
体として使用されるＺｎＳ膜のパターンを形成するドラ
イエツチング方法に関するものである。
従来の技術
近年、ドライエツチング方法は半導体デバイスの製造工
程で数多く使用されているが、エレクトロルミネセンス
デバイスの製造工程では使用されていない。
程で数多く使用されているが、エレクトロルミネセンス
デバイスの製造工程では使用されていない。
従来、エレクトロルミネセンスの製造工程ではＺｎＳ膜
のパターン形成は、硝酸とリン酸と酢酸の混合液を主体
とする湿式化学エツチングにより行なわれていた。しか
し、湿式化学エツチングではエツチングが等方的に進行
するため、マスク下部までＺｎＳ膜のエツチングが進行
し、精度の良いバターン形成は困難であった。そこで、
ドライエツチング方法の検討が行なわれている。
のパターン形成は、硝酸とリン酸と酢酸の混合液を主体
とする湿式化学エツチングにより行なわれていた。しか
し、湿式化学エツチングではエツチングが等方的に進行
するため、マスク下部までＺｎＳ膜のエツチングが進行
し、精度の良いバターン形成は困難であった。そこで、
ドライエツチング方法の検討が行なわれている。
以下図面を参照しながら、上述した従来のドライエツチ
ング方法の一例について説明する。
ング方法の一例について説明する。
第２図は従来のドライエツチング方法を実施するドライ
エツチング装置の概略図を示すものである。第２図にお
いて、１は真空容器、２は絶縁物、３は被エツチング物
載置用電極、４は被エツチング物、６はグロー放電させ
る手段としての高周波電源である。６はエツチングガス
を導入する手段（図示せず）と接続されるガス供給孔、
７は排気手段（図示せず）と接続される排気孔、８はア
ースに接続された板状電極である。
エツチング装置の概略図を示すものである。第２図にお
いて、１は真空容器、２は絶縁物、３は被エツチング物
載置用電極、４は被エツチング物、６はグロー放電させ
る手段としての高周波電源である。６はエツチングガス
を導入する手段（図示せず）と接続されるガス供給孔、
７は排気手段（図示せず）と接続される排気孔、８はア
ースに接続された板状電極である。
以上のように構成されたドライエツチング装置について
、以下その動作について説明する。まず、真空容器１内
を排気手段により １ ｍＴｏｒｒ以下に排気した後、
ガス供給手段より被エツチング物に応じたエツチングガ
スを一定流量導入しながら一定圧力に保つ。その後、高
周波電源６より電力を供給し、グロー放電させプラズマ
を発生させる。そのプラズマ中のイオンやラジカルによ
り被エツチング物を除去加工する。被エツチング物がＺ
ｎＳ膜の場合にはエツチングガスとしてノ・ロゲンを含
しかしながら、上記のようにエツチングガスとしてハロ
ゲンを含むガスではＺｎＳ膜の反応生成物はＺｎＦ２（
沸点＝１６００℃）、ＺｎＣ１２（沸点＝７３０℃）と
なり、沸点が非常に高いためエツチング速度が非常に遅
い。しかも、一般的にマスク材料として使用されるレジ
スト膜のエツチング速度が早いため、マスクとなるレジ
スト膜厚を厚くしなければならないという問題点を有し
ていた。
、以下その動作について説明する。まず、真空容器１内
を排気手段により １ ｍＴｏｒｒ以下に排気した後、
ガス供給手段より被エツチング物に応じたエツチングガ
スを一定流量導入しながら一定圧力に保つ。その後、高
周波電源６より電力を供給し、グロー放電させプラズマ
を発生させる。そのプラズマ中のイオンやラジカルによ
り被エツチング物を除去加工する。被エツチング物がＺ
ｎＳ膜の場合にはエツチングガスとしてノ・ロゲンを含
しかしながら、上記のようにエツチングガスとしてハロ
ゲンを含むガスではＺｎＳ膜の反応生成物はＺｎＦ２（
沸点＝１６００℃）、ＺｎＣ１２（沸点＝７３０℃）と
なり、沸点が非常に高いためエツチング速度が非常に遅
い。しかも、一般的にマスク材料として使用されるレジ
スト膜のエツチング速度が早いため、マスクとなるレジ
スト膜厚を厚くしなければならないという問題点を有し
ていた。
本発明は上記問題点に鑑み、ＺｎＳ膜のエツチング速度
を高め、対レジスト選択比を向上するドラ上記問題点を
解決するために本発明の第１の発明のドライエツチング
方法はＺｎＳ膜のエツチングガスとしてメチル基を含む
化合物を用いたものである。又、本発明の第２の発明の
ドライエツチング方法はＺｎＳ膜のエツチングガスとし
てメチル基を含む化合物と不活性ガスの混合ガスを用い
たものである。
を高め、対レジスト選択比を向上するドラ上記問題点を
解決するために本発明の第１の発明のドライエツチング
方法はＺｎＳ膜のエツチングガスとしてメチル基を含む
化合物を用いたものである。又、本発明の第２の発明の
ドライエツチング方法はＺｎＳ膜のエツチングガスとし
てメチル基を含む化合物と不活性ガスの混合ガスを用い
たものである。
作 用
本発明の第１の発明の作用はエツチングガスとしてメチ
ル基を含む化合物を用いることにより、反応生成物はＺ
ｎ （ＣＨ３） ２となシ、その反応生成物の沸点は
４６℃であり、蒸気圧が高いのでＺｎＳ膜のエツチング
速度は大きくなる。
ル基を含む化合物を用いることにより、反応生成物はＺ
ｎ （ＣＨ３） ２となシ、その反応生成物の沸点は
４６℃であり、蒸気圧が高いのでＺｎＳ膜のエツチング
速度は大きくなる。
本発明の第２の発明の作用はエツチングガスとしてメチ
ル基を含む化合物と不活性ガスの混合ガスを用いること
により、不活性ガスのイオンが反応生成物Ｚｎ（ＣＨ３
）２の除去を早めるため、マスク材のレジスト膜よりも
ＺｎＳ膜のエツチング速度を高め、対レジスト選択比（
ＺｎＳ膜のエツチング速度／レジスト膜のエツチング速
度）を向上することとなる。
ル基を含む化合物と不活性ガスの混合ガスを用いること
により、不活性ガスのイオンが反応生成物Ｚｎ（ＣＨ３
）２の除去を早めるため、マスク材のレジスト膜よりも
ＺｎＳ膜のエツチング速度を高め、対レジスト選択比（
ＺｎＳ膜のエツチング速度／レジスト膜のエツチング速
度）を向上することとなる。
実施例
以下本発明の一実施例のドライエツチング方法について
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
本発明の第１の実施例におけるドライエツチング方法を
実施するドライエツチング装置の構成は従来例のドライ
エツチング装置である第２図と同様である。
実施するドライエツチング装置の構成は従来例のドライ
エツチング装置である第２図と同様である。
本発明の第１の実施例においてはエツチングガスを導入
する手段と接続されるガス供給孔からＣＨ３ＯＨを流し
た。エツチングサンプルはガラヌ基板上にＺｎＳ膜を５
０００人形成し、その上にマスク材となるレジスト膜（
ポジタイプ）を２μｍ塗布し、通常の露光・現像でマス
クパターンを形成した。エツチング条件は次の通シであ
る。
する手段と接続されるガス供給孔からＣＨ３ＯＨを流し
た。エツチングサンプルはガラヌ基板上にＺｎＳ膜を５
０００人形成し、その上にマスク材となるレジスト膜（
ポジタイプ）を２μｍ塗布し、通常の露光・現像でマス
クパターンを形成した。エツチング条件は次の通シであ
る。
エツチングガス：
ＣＨ３ＯＨ：４０ＳＣＣＭ（本発明の第１の実施例）Ｃ
Ｃ１４：４０ＳＣＣＭ（従来例） ＣＣ１４＋ｏ２：４０ＳＣＣＭ＋６ＳＣＣＭ（従来例）
ＣＦ４＋０２：４０ＳＣＣＭ＋５ＳＣＣＭ（従来例）Ｃ
ＣＩＩ ＋ＣＨＦ３：４０ＳＣＣＭ＋２０ＳＣＣＭ（
従来例）エツチング圧力＝ Ｂ □ ｍＴｏｒｒ高周波
電力＝３５０Ｗ（１、ｓＷ／ｄ）電極間距離＝７５Ｍ 電極温度＝６０℃ 以上のようなエツチング条件によるドライエツチング方
法について、以下第１表を用いてその結果を説明する。
Ｃ１４：４０ＳＣＣＭ（従来例） ＣＣ１４＋ｏ２：４０ＳＣＣＭ＋６ＳＣＣＭ（従来例）
ＣＦ４＋０２：４０ＳＣＣＭ＋５ＳＣＣＭ（従来例）Ｃ
ＣＩＩ ＋ＣＨＦ３：４０ＳＣＣＭ＋２０ＳＣＣＭ（
従来例）エツチング圧力＝ Ｂ □ ｍＴｏｒｒ高周波
電力＝３５０Ｗ（１、ｓＷ／ｄ）電極間距離＝７５Ｍ 電極温度＝６０℃ 以上のようなエツチング条件によるドライエツチング方
法について、以下第１表を用いてその結果を説明する。
第１表は上記エツチング条件でエツチングガスをかえた
時のＺｎＳ膜のエツチング速度と対レジヌト選択比を示
すものである。第１表から明らかなように、エツチング
ガスとしてＣＨ３ＯＨを用いた場合には、ＺｎＳ膜のエ
ツチング速度及び対レジスト選択比が大きくなる。以上
のように本実施例によれば、ＺｎＳ膜のドライエツチン
グにおけるエツチングガスとしてメチル基を有する化合
物のガスとしてＣＨ３ＯＨを用いることにより、ＺｎＳ
膜のエツチング速度及び対レジスト選択比を向上するこ
とができる。
時のＺｎＳ膜のエツチング速度と対レジヌト選択比を示
すものである。第１表から明らかなように、エツチング
ガスとしてＣＨ３ＯＨを用いた場合には、ＺｎＳ膜のエ
ツチング速度及び対レジスト選択比が大きくなる。以上
のように本実施例によれば、ＺｎＳ膜のドライエツチン
グにおけるエツチングガスとしてメチル基を有する化合
物のガスとしてＣＨ３ＯＨを用いることにより、ＺｎＳ
膜のエツチング速度及び対レジスト選択比を向上するこ
とができる。
第 １ 表
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。第１図は本発明の第２の実施例を示すドライ
エツチング方法のＺｎＳ膜のエツチング速度と対レジス
ト選択比を示す図である。ドライエツチング装置の構成
は従来例の第２図と同様である。本発明の第１の実施例
と異なるのはエツチングガスとしてＣＨ３ＯＫとＡｒの
混合ガスを用いた点である。その他のエツチング条件は
本発明の第１の実施例と同様である。
説明する。第１図は本発明の第２の実施例を示すドライ
エツチング方法のＺｎＳ膜のエツチング速度と対レジス
ト選択比を示す図である。ドライエツチング装置の構成
は従来例の第２図と同様である。本発明の第１の実施例
と異なるのはエツチングガスとしてＣＨ３ＯＫとＡｒの
混合ガスを用いた点である。その他のエツチング条件は
本発明の第１の実施例と同様である。
第１図は上記エツチング条件でＣＨ３ＯＨとＡｒの混合
比をかえた時のＺｎＳ膜のエツチング速度と対レジスト
選択比を示しである。
比をかえた時のＺｎＳ膜のエツチング速度と対レジスト
選択比を示しである。
第１図から明らかなようにエツチングガスとしてＣＨ３
ＯＫとＡｒの混合ガスを用い、Ａｒ添加量ｇ５ｖｏ１％
以下において、ＺｎＳ膜のエツチング速度及び対レジス
ト選択比が大きくなる。
ＯＫとＡｒの混合ガスを用い、Ａｒ添加量ｇ５ｖｏ１％
以下において、ＺｎＳ膜のエツチング速度及び対レジス
ト選択比が大きくなる。
以上のように本実施例によればＺｎＳ膜のドライエツチ
ングにおけるエツチングガスとして、メチル基を有する
化合物のガスとしてＣＨ３ＯＨと不活性ガスとしてＡｒ
の混合ガスを用いることによりＺｎＳ膜のエツチング速
度及び対レジヌト選択比を向上することができる。特に
ＣＨ３ＯＨ単独ガスに比べて、ＣＨ３ＯＨとＡｒ の混
合ガスを用いることにより、対レジスト選択比を向上す
ることができマスク材料としてレジスト膜が使用できる
。
ングにおけるエツチングガスとして、メチル基を有する
化合物のガスとしてＣＨ３ＯＨと不活性ガスとしてＡｒ
の混合ガスを用いることによりＺｎＳ膜のエツチング速
度及び対レジヌト選択比を向上することができる。特に
ＣＨ３ＯＨ単独ガスに比べて、ＣＨ３ＯＨとＡｒ の混
合ガスを用いることにより、対レジスト選択比を向上す
ることができマスク材料としてレジスト膜が使用できる
。
なお、第１の実施例及び第２の実施例においてエツチン
グガスであるメチル基を有する化合物はＣＨＯＨとした
が、エツチングガスはグロー放電によりメチル基を発生
させる化合物であればどのような化合物としてもよいこ
とは勿論である。
グガスであるメチル基を有する化合物はＣＨＯＨとした
が、エツチングガスはグロー放電によりメチル基を発生
させる化合物であればどのような化合物としてもよいこ
とは勿論である。
また第２の実施例において不活性ガスはＡｒとしたが、
不活性ガスはＨｅとしても同様の効果が得られた。
不活性ガスはＨｅとしても同様の効果が得られた。
発明の効果
以上述べたように、本発明の第１の発明によれば、Ｚｎ
Ｓ膜のドライエツチングにおいて、エツチングガスとし
て、メチル基を有する化合物を用いることにより、Ｚｎ
Ｓ膜のエツチング速度及び対レジスト選択比を向上する
ことができ、エレクトロルミネセンスデイスプレー製造
工程への応用展開を含め、その効果は大なるものである
。
Ｓ膜のドライエツチングにおいて、エツチングガスとし
て、メチル基を有する化合物を用いることにより、Ｚｎ
Ｓ膜のエツチング速度及び対レジスト選択比を向上する
ことができ、エレクトロルミネセンスデイスプレー製造
工程への応用展開を含め、その効果は大なるものである
。
まだ、本発明の第２の発明によれば、ＺｎＳ膜のドライ
エツチングにおいてエツチングガスとして、メチル基を
有する化合物と不活性ガスの混合ガスを用いることによ
り、メチル基を有する化合物単独の場合に比べて、さら
にＺｎＳ膜のエツチング速度及び対レジスト選択比を向
上でき、マスク材料として十分に安価で最も容易なレジ
スト膜を使用することができる。
エツチングにおいてエツチングガスとして、メチル基を
有する化合物と不活性ガスの混合ガスを用いることによ
り、メチル基を有する化合物単独の場合に比べて、さら
にＺｎＳ膜のエツチング速度及び対レジスト選択比を向
上でき、マスク材料として十分に安価で最も容易なレジ
スト膜を使用することができる。
第１図は本発明の第２の実施例におけるドライエツチン
グ方法のエツチング特性を示す図、第２図は従来及び本
発明で使用したドライエツチング装置の構成図である。 １・・・・・・真空容器、３・・・・・・電極、４・・
・・・・被エツチング物、６・・・・・・高周波電源、
６・・・・・・ガス供給孔、８・・・・・・板状電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
グ方法のエツチング特性を示す図、第２図は従来及び本
発明で使用したドライエツチング装置の構成図である。 １・・・・・・真空容器、３・・・・・・電極、４・・
・・・・被エツチング物、６・・・・・・高周波電源、
６・・・・・・ガス供給孔、８・・・・・・板状電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (6)
- （１）ＺｎＳ膜をメチル基を有する化合物のガスを放電
させ、発生したイオンやラジカルにより加工することを
特徴とするドライエッチング方法。 - （２）メチル基を有する化合物がＣＨ＿３ＯＨであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエッ
チング方法。 - （３）ＺｎＳ膜をメチル基を有する化合物のガスと不活
性ガスの混合ガスを放電させ、発生したイオンやラジカ
ルにより加工することを特徴とするドライエッチング方
法。 - （４）メチル基を有する化合物がＣＨ＿３ＯＨであり、
不活性ガスがＡｒであることを特徴とする特許請求の範
囲第３記載のドライエッチング方法。 - （５）メチル基を有する化合物に９５ｖｏｌ％以下の不
活性ガスを混合したガスを用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第３項又は第４項のドライエッチング方法。 - （６）不活性ガスがＡｒであることを特徴とする特許請
求の範囲第５項記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63005149A JPH01184830A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63005149A JPH01184830A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184830A true JPH01184830A (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=11603227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63005149A Pending JPH01184830A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01184830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5017511A (en) * | 1989-07-10 | 1991-05-21 | Texas Instruments Incorporated | Method for dry etching vias in integrated circuit layers |
| US5157000A (en) * | 1989-07-10 | 1992-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Method for dry etching openings in integrated circuit layers |
-
1988
- 1988-01-13 JP JP63005149A patent/JPH01184830A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5017511A (en) * | 1989-07-10 | 1991-05-21 | Texas Instruments Incorporated | Method for dry etching vias in integrated circuit layers |
| US5157000A (en) * | 1989-07-10 | 1992-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Method for dry etching openings in integrated circuit layers |
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