JPH01184963A - 密着型イメージセンサ - Google Patents

密着型イメージセンサ

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Publication number
JPH01184963A
JPH01184963A JP63010167A JP1016788A JPH01184963A JP H01184963 A JPH01184963 A JP H01184963A JP 63010167 A JP63010167 A JP 63010167A JP 1016788 A JP1016788 A JP 1016788A JP H01184963 A JPH01184963 A JP H01184963A
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JP
Japan
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light
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transmitting layer
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section
Prior art date
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Pending
Application number
JP63010167A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuji Seko
保次 瀬古
Yoshitake Kato
加藤 良毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP63010167A priority Critical patent/JPH01184963A/ja
Publication of JPH01184963A publication Critical patent/JPH01184963A/ja
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はイメージセンサに係り、特にコンパクトでフ
ァクシミリ送信機の読取装置等に使用して好適な原稿密
着型のイメージセンサに関する。
〔従来の技術〕
例えばファクシミリ送信機に用いられる読取装置は、従
来、IC技術等で製造されるMOSやアモルファス・シ
リコン等のイメージセンサを用い、その上に原稿を光学
系によって縮小結像させる形式のものが多用されている
が、装置が光学系を使用することのため小型化が困難で
ある等の問題点を有していた。
そのため、装置を小型化できる密着型のイメージセンサ
が提案されている(例えば特公昭61−17186号公
報参照)。
これは、第3図(A)、(B)の断面図、平面図に示す
ように、ガラス等の透明基板37の上に遮光層33を透
明窓36の部分を除いて設け、その上にCdS、Se等
の光電効果型の光電変換素子34を離散的に形成し、さ
らに、/l、In5n等の不透明電極35を形成して、
層全体を透明保護層31で覆ったものである。光電変換
素子34は、例えば、111当たり6〜8個程度設けら
れており、全体で原稿の最大長さと略等しい長さに構成
されている。
このイメージセンサの下部に蛍光灯を配置して、この蛍
光灯からの光30をイメージセンサに導入し、原稿32
の面を照射する。そして、原稿32からの反射光を光電
変換素子34で受けて電気信号に変換する。
〔発明が解決しようとする課題〕
この従来方式では、光学系を必要としないので、全体を
コンパクトに構成することができるが、(1)原稿を照
射する光30が原稿の読取部分に対して斜め方向に入る
ことになり、照度むらが生ずる、 (2)分解能(MTF)を向上させるため、原稿と光電
変換素子間の距離dを小さくすると、光30の入射がさ
らに斜め方向となって照度むらが生じ、逆に距離dを大
にすると分解能が落ちる、という問題点を有している。
〔課題を解決するための手段および作用〕上述の問題点
を解決するために、この発明においては、基板上に受光
素子を設けると共に、この受光素子上に透光層を設け、
この透光層を介して発光部からの光を原稿の読取部に導
く光導部を設けたことを特徴とする。
これにより、発光部からの光を効率良く原稿に導くと共
に、受光素子に届く光を原稿面の光だけに制限して分解
能を向上させることができる。
〔実施例〕
第1図は、この発明の実施例を示す図であり、第1図(
A)は、この発明によるイメージセンサの断面図、第1
図(B)は、同じく平面図である。
第1図において、lは、アモルファス・シリコン等の光
電変換素子より構成された受光素子であり、1.1龍程
度の厚さのガラス基板6上に形成されている。この基板
6上には、受光素子1をも覆って第1の透光層4が設け
られており、この第1の透光層4上には光入射窓2、光
導入窓10を持つ第1の遮光層8が設けられ、さらに、
第2の透光層3、第2の遮光層9が設けられている。第
2の遮光層9には、原稿5の読取部に対抗して読取窓1
1が形成される。また、ガラス基板6の裏面側には、E
L素子等の発光層7が設けられている。
このイメージセンサを製造するには、ガラス基板6の上
にアモルファス・シリコン等の受光素子を形成した後、
その上に第1の透光層4として水ガラスを塗布し、20
0℃程度でキユアリングする。その上に第1の遮光層8
としてCrを0.1μ−程度の厚さに蒸着し、フォトリ
ソ・エツチング技術により、受光素子1の真上に光入射
窓2を作成する。
この実施例では、受光素子1の大きさd1=100μm
程度、光入射窓2の大きさd2=40μm程度、受光素
子1間の距離d3=25μm程度にしである。
次いで、第1の遮光層8の上にガラスをスパッタリング
により、10μm厚さに形成し第2の透光1’iI3を
得る。さらに、その上に原稿面を規定する第2の遮光層
9を0.1μm着膜する。この膜の形成は、第1の遮光
層8と同様な方法で良い。この遮光膜8.9及び透光N
3によって先導部を構成している。
発光層7は、従来周知のEL素子を貼着すること、或い
は、ガラス基板6上に一体的にEL素子を形成しても良
い。
発光層7からの光7は、遮光層8.9及び第2の透光層
3によって形成される光導部に導かれ、遮光層8.9で
多重反射して原稿面5の読取部に照射される。読取部に
照射された光は、原稿面で乱反射され、光入射窓2を通
って受光素子1に到達し、ここで電気信号に変換される
ことになる。
第2図は、この発明の第2の実施例を示す図である。図
において、第1図に示した第1の実施例と同一の部材に
は同一の番号を付与しであるので、その詳細な説明は省
く。
この第2の実施例においては、光導部として光ファイバ
15を用いたことを特徴としており、この光ファイバ1
5の一端をレーザーダイオード(LD)16に臨ませ、
他端を原稿5の読取窓11に臨ませている。
これを作成するには、第1の実施例の場合と同様にして
、第1の遮光層8を形成終了した後、第1の遮光層8の
上に光ファイバ15を設置し、透光層17として水ガラ
スを80μm程度に塗布して硬化させる。その上Gご遮
光層18として、黒色硬質樹脂を2μm程度に着膜すれ
ば良い。
この例の場合、レーザーダイオード(LD)16からの
光は、光ファイバ15を通って原稿5の読取部に至る。
そこで、反射した光は、受光素子lに到達して、ここで
電気信号に変換される。
〔発明の効果〕
以上述べたとおり、この発明によれば、光導部によって
光を原稿の読取部に導いているため、光を直行した状態
で原稿面に導くことができ、分解能が高いセンサーを実
現できる。また、原稿面と受光素子との間の距離を大と
しても、分解能はあまり落ちないため、センサー設計上
の自由度が大きくなる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第1の実施例を示す図、第2図はこ
の発明の第2の実施例を示す図、第3図は従来例を示す
図である。 1−受光素子、    2−・・光入射窓、3・・・第
2の透光層、  4−・−第1の透光層、5−・原稿、
      6−ガラス基板、7−・発光層、    
 8−第1の遮光層、9・−・第2の遮光層、  1o
・−光導入窓、11・−読取窓、    15・−光フ
ァイバ、16−・・レーザーダイオード。 特許出願人  富士ゼロックス株式会社代理人弁理士 
  山 谷 晧 榮 z 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板と、この基板上に設けられた第1の透光層と
    、この第1の透光層と前記基板の間に配せられた受光素
    子と、前記第1の透光層上に設けられた第2の透光層と
    、この第2の透光層に光を導いて該第2の透光層上に配
    される原稿に反射させて光入射窓を介して前記受光素子
    に受けさせる光導部とを具備することを特徴とするイメ
    ージセンサ。
JP63010167A 1988-01-20 1988-01-20 密着型イメージセンサ Pending JPH01184963A (ja)

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JP63010167A JPH01184963A (ja) 1988-01-20 1988-01-20 密着型イメージセンサ

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JP63010167A JPH01184963A (ja) 1988-01-20 1988-01-20 密着型イメージセンサ

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JPH01184963A true JPH01184963A (ja) 1989-07-24

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