JPH0795792B2 - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPH0795792B2 JPH0795792B2 JP60176616A JP17661685A JPH0795792B2 JP H0795792 B2 JPH0795792 B2 JP H0795792B2 JP 60176616 A JP60176616 A JP 60176616A JP 17661685 A JP17661685 A JP 17661685A JP H0795792 B2 JPH0795792 B2 JP H0795792B2
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- JP
- Japan
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- light
- photoelectric conversion
- protective layer
- transparent protective
- conversion element
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリやハンドスキャナー等の読取側
に用いられる原稿幅と1:1に対応する大きさを有し、原
稿に密着して読み取る密着型イメージセンサに関するも
のである。
に用いられる原稿幅と1:1に対応する大きさを有し、原
稿に密着して読み取る密着型イメージセンサに関するも
のである。
従来の技術 従来の密着型イメージセンサでは、例えば、特開昭58−
40856号公報に示されているように、第４図のような構
造になっていた。
40856号公報に示されているように、第４図のような構
造になっていた。
つまり第４図において、透光性絶縁基板１上に、照明窓
３を有する遮光層２を形成し、光電変換素子５と遮光層
２の絶縁を保つためにSiO2，Si3N4等の絶縁層を形成し
その上に、例えば、CdS,CdSeまたはその固溶体等の光電
変換素子５を島状に形成し、光電変換素子５を一定単位
数ごとにまとめた共通電極６と各光電変換素子５に対応
した個別電極７とからなる対向電極を設けた後、その上
部に、例えばマイクロシートガラス等の高透過率を有す
る透明保護層12を設けた密着型イメージセンサで、照明
窓３から入射する光が原稿９で反射し、その反射光10を
光電変換素子５で原稿９の情報として、電気信号に変換
するようになっていた。
３を有する遮光層２を形成し、光電変換素子５と遮光層
２の絶縁を保つためにSiO2，Si3N4等の絶縁層を形成し
その上に、例えば、CdS,CdSeまたはその固溶体等の光電
変換素子５を島状に形成し、光電変換素子５を一定単位
数ごとにまとめた共通電極６と各光電変換素子５に対応
した個別電極７とからなる対向電極を設けた後、その上
部に、例えばマイクロシートガラス等の高透過率を有す
る透明保護層12を設けた密着型イメージセンサで、照明
窓３から入射する光が原稿９で反射し、その反射光10を
光電変換素子５で原稿９の情報として、電気信号に変換
するようになっていた。
発明が解決しようとする問題点 しかし、このような構造の密着型イメージセンサでは光
電変換素子５に、II−VI族化合物の光導電体等を用い非
蓄積型とした場合、光電流は多く取れるが、光応答時間
が10数msecと遅くなる。また高速読取をする場合、光電
流を犠牲にする構造、例えば蓄積型としなければなら
ず。このような構造では出力信号が微少のため信号処理
回路が複雑となるなどの問題があった。
電変換素子５に、II−VI族化合物の光導電体等を用い非
蓄積型とした場合、光電流は多く取れるが、光応答時間
が10数msecと遅くなる。また高速読取をする場合、光電
流を犠牲にする構造、例えば蓄積型としなければなら
ず。このような構造では出力信号が微少のため信号処理
回路が複雑となるなどの問題があった。
本発明は、この点を考慮して、簡単な構造で、光電流も
大きく、しかも原稿情報を高速度で読み取る事のできる
密着型イメージセンサを提供する事を目的とするもので
ある。
大きく、しかも原稿情報を高速度で読み取る事のできる
密着型イメージセンサを提供する事を目的とするもので
ある。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するために、透明保護層の透
過率を下げたものであり、この構成により照明窓から入
射する光を一部は原稿に照射され反射光となり、また一
部は透明保護層内部で散乱光となる光をバイアス光とし
て同時に光電変換素子上に入射する事となる。
過率を下げたものであり、この構成により照明窓から入
射する光を一部は原稿に照射され反射光となり、また一
部は透明保護層内部で散乱光となる光をバイアス光とし
て同時に光電変換素子上に入射する事となる。
作用 本発明は上記構造により、原稿からの反射光と同時に付
加されるバイアス光によって、キャリアの実効的トラッ
プ濃度を減少させる事ができ、II−VI族化合物の光導電
体薄膜を用いた光電変換素子において、光応答時間を容
易にしかも大巾に短縮できるものである。
加されるバイアス光によって、キャリアの実効的トラッ
プ濃度を減少させる事ができ、II−VI族化合物の光導電
体薄膜を用いた光電変換素子において、光応答時間を容
易にしかも大巾に短縮できるものである。
実施例 以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。
る。
第１図の副走査方向の断面図において、例えばコーニン
グ社製の7059ガラスの様な透光性絶縁基板１上に照明窓
３を有する遮光層２を、Si,Cr,Ta,W,Ti等で形成し、光
電変換素子５との絶縁性を保つために、SiO2，Si3N4等
の透光性絶縁層４を単層又は多層膜で形成する。そして
遮光層２上部で主走査方向に島状に並んだ光電変換素子
５を例えばCdS,CdSeあるいはその固溶体等の光導電体薄
膜で形成し、一定単位数ごとの光電変換素子５をまとめ
た共通電極６と各光電変換素子５に対応した個別電極７
からなる対向電極を設ける。さらにその上部に光電変換
素子５に原稿９からの反射光10を導入するためと、光電
変換素子５の保護のために透明保護層８を設ける。この
とき透明保護層８の厚みは、解像度の低下を防ぐために
光電変換素子５のピッチよりも薄くしている。そしてそ
の透明保護層８の透過率を、原稿９からの反射光10の最
大値を100とした時に光電変換素子５のバイアス光とな
る透明保護層８内の散乱光11の光の強度が光電変換素子
５面上で５〜100、好ましくは第３図に示すように相対
バイアス光量と光応答時間の関係からわかるように、10
〜100となるように設定する。このように透明保護層８
の透過率を任意に変えることにより、光電変換素子５面
上でのバイアス光量を調節できる。ここで透明保護層８
での散乱光11の増加は原稿９面の照度を下げる事になる
が、光応答時間に対する光量の効果はバイアス光量効果
に比較して少なく問題とはならない。
グ社製の7059ガラスの様な透光性絶縁基板１上に照明窓
３を有する遮光層２を、Si,Cr,Ta,W,Ti等で形成し、光
電変換素子５との絶縁性を保つために、SiO2，Si3N4等
の透光性絶縁層４を単層又は多層膜で形成する。そして
遮光層２上部で主走査方向に島状に並んだ光電変換素子
５を例えばCdS,CdSeあるいはその固溶体等の光導電体薄
膜で形成し、一定単位数ごとの光電変換素子５をまとめ
た共通電極６と各光電変換素子５に対応した個別電極７
からなる対向電極を設ける。さらにその上部に光電変換
素子５に原稿９からの反射光10を導入するためと、光電
変換素子５の保護のために透明保護層８を設ける。この
とき透明保護層８の厚みは、解像度の低下を防ぐために
光電変換素子５のピッチよりも薄くしている。そしてそ
の透明保護層８の透過率を、原稿９からの反射光10の最
大値を100とした時に光電変換素子５のバイアス光とな
る透明保護層８内の散乱光11の光の強度が光電変換素子
５面上で５〜100、好ましくは第３図に示すように相対
バイアス光量と光応答時間の関係からわかるように、10
〜100となるように設定する。このように透明保護層８
の透過率を任意に変えることにより、光電変換素子５面
上でのバイアス光量を調節できる。ここで透明保護層８
での散乱光11の増加は原稿９面の照度を下げる事になる
が、光応答時間に対する光量の効果はバイアス光量効果
に比較して少なく問題とはならない。
その結果、光電変換素子５面上に原稿９からの反射光10
とバイアス光となる散乱光11を同時に入射する事により
第３図に示すように光応答時間を容易にしかも簡単な構
造で、1/2〜1/10以下にする事ができ高速の読み取りが
可能となる。その上光電流も減少しないので信号処理回
路構成も容易である。
とバイアス光となる散乱光11を同時に入射する事により
第３図に示すように光応答時間を容易にしかも簡単な構
造で、1/2〜1/10以下にする事ができ高速の読み取りが
可能となる。その上光電流も減少しないので信号処理回
路構成も容易である。
次に本発明の他の実施例について説明する。
第２図は他の実施例における副走査方向の断面図を示し
ており、第２図の透明保護層12,13以外は第１図の構造
と同様である。本実施例においては、第２図に示すよう
に第１の透明保護層12と第２の透明保護層13の多層膜と
し、しかも第１の透明保護層12と第２の透明保護層の屈
折率を変え、第１の透明保護層12、例えばSiO2等よりも
第２の透明保護層13の屈折率が大きい透明材料、例えば
Al2O3、SiC,TiO2，ダイアモンド等とする事により、第
１の透明保護層12と第２の透明保護層13との界面による
散乱光11をバイアス光とする事によって第一の実施例と
同様の効果を得る事ができると共に第２の透明保護層13
の硬度の大きい材料例えばAl2O3、SiC等を用いる事によ
り、原稿９との接触による透明保護層13面の傷がつきに
くく耐久性の向上が得られる。
ており、第２図の透明保護層12,13以外は第１図の構造
と同様である。本実施例においては、第２図に示すよう
に第１の透明保護層12と第２の透明保護層13の多層膜と
し、しかも第１の透明保護層12と第２の透明保護層の屈
折率を変え、第１の透明保護層12、例えばSiO2等よりも
第２の透明保護層13の屈折率が大きい透明材料、例えば
Al2O3、SiC,TiO2，ダイアモンド等とする事により、第
１の透明保護層12と第２の透明保護層13との界面による
散乱光11をバイアス光とする事によって第一の実施例と
同様の効果を得る事ができると共に第２の透明保護層13
の硬度の大きい材料例えばAl2O3、SiC等を用いる事によ
り、原稿９との接触による透明保護層13面の傷がつきに
くく耐久性の向上が得られる。
なお、透明保護層は本実施例のように２層に限られるも
のではなく、３層以上形成することもできることはいう
までもない。
のではなく、３層以上形成することもできることはいう
までもない。
発明の効果 本発明によれば、透明保護層の透過率を下げる事や屈折
率の異なる多層膜とするというきわめて簡単な構造で光
電変換素子面上にバイアス光と原稿の情報を含む反射光
を同時に入射することができ、光応答時間を光電流を損
うことなしに従来の1/2〜1/10以下にでき、また信号処
理回路も容易で、さらに透明保護層の耐久性も向上でき
るという非常に大きな効果を得る事ができ、実用上きわ
めて優れたものである。
率の異なる多層膜とするというきわめて簡単な構造で光
電変換素子面上にバイアス光と原稿の情報を含む反射光
を同時に入射することができ、光応答時間を光電流を損
うことなしに従来の1/2〜1/10以下にでき、また信号処
理回路も容易で、さらに透明保護層の耐久性も向上でき
るという非常に大きな効果を得る事ができ、実用上きわ
めて優れたものである。
第１図は本発明の一実施例における密着型イメージセン
サの副走査方向の断面図、第２図は本発明の他の実施例
の密着型イメージセンサの副走査方向の断面図、第３図
はバイアス光量と光応答時間の関係を示す特性図、第４
図は従来の密着型イメージセンサの副走査方向の断面図
である。 ２……遮光層、３……照明窓、５……光電変換素子、８
……透過率の低い透明保護層、９……原稿、10……反射
光、11……散乱光、12……透明透明保護層、13……屈折
率の異なる透明保護層。
サの副走査方向の断面図、第２図は本発明の他の実施例
の密着型イメージセンサの副走査方向の断面図、第３図
はバイアス光量と光応答時間の関係を示す特性図、第４
図は従来の密着型イメージセンサの副走査方向の断面図
である。 ２……遮光層、３……照明窓、５……光電変換素子、８
……透過率の低い透明保護層、９……原稿、10……反射
光、11……散乱光、12……透明透明保護層、13……屈折
率の異なる透明保護層。
Claims (2)
- 【請求項１】透光性絶縁基板上に照明窓を有する遮光層
と、透光性絶縁層と、前記遮光層上で主走査方向に島状
に並んだ複数の光電変換素子と、前記光電変換素子の一
定単位数ごとに共通に接続される共通電極と、前記各光
電変換素子にそれぞれ接続される対向電極と、前記透光
性絶縁基板裏面から前記照明窓を通って入射する入射光
を前記透明保護層上部の原稿へ照射し、前記原稿からの
反射光量の最大値を100とした時に、散乱光の光量が光
電変換素子面上で５〜100となる一定の透過率を有する
前記透明保護層とを備え、前記反射光を信号光とし、前
記透明保護層での散乱光をバイアス光として前記光電変
換素子に入射することを特徴とする密着型イメージセン
サ。 - 【請求項２】透明保護層が、順次屈折率の大きくなる多
層膜からなり、屈折率の異なる前記多層膜界面からの散
乱光をバイアス光とし、原稿からの反射光の光量の最大
値を100とした時に、散乱光の光量が光電変換素子面上
で５〜100であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176616A JPH0795792B2 (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176616A JPH0795792B2 (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236962A JPS6236962A (ja) | 1987-02-17 |
| JPH0795792B2 true JPH0795792B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=16016682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60176616A Expired - Lifetime JPH0795792B2 (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795792B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2563930B2 (ja) * | 1987-05-20 | 1996-12-18 | 松下電器産業株式会社 | イメ−ジセンサ |
| JP2979071B2 (ja) * | 1991-03-25 | 1999-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 画像読み取り装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57201068A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Contact type image sensor |
| JPS5846186A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-17 | 住友化学工業株式会社 | セルロ−ズ系繊維の染色方法 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60176616A patent/JPH0795792B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6236962A (ja) | 1987-02-17 |
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