JPH01184965A - 反射型ホトセンサ - Google Patents
反射型ホトセンサInfo
- Publication number
- JPH01184965A JPH01184965A JP63010243A JP1024388A JPH01184965A JP H01184965 A JPH01184965 A JP H01184965A JP 63010243 A JP63010243 A JP 63010243A JP 1024388 A JP1024388 A JP 1024388A JP H01184965 A JPH01184965 A JP H01184965A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- detected
- substrate
- receiving element
- reflective photosensor
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- Pending
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、反射型ホトセンサに関する。
［従来例］
第７図において、ｌＯは従来の反射型ホトセンサのケー
シングである。ケーシングｌＯは楕円状の形状を有し、
ケーシングＩＯの表面１０ａには、有底な長手方向に長
い半楕円状の穴１０ｂが２個ケーシング１０の長手方向
中心軸上に離れて形成される。二つの穴ｔａｂの内、一
つにはＬ−ＥＤ７が、他方の穴１０ｂにはホトトランジ
スタにてなるホトセンサ１１が、それぞれの穴ｌＯｂの
底面１０ｃのほぼ中央部に一つずつ設置されている。
シングである。ケーシングｌＯは楕円状の形状を有し、
ケーシングＩＯの表面１０ａには、有底な長手方向に長
い半楕円状の穴１０ｂが２個ケーシング１０の長手方向
中心軸上に離れて形成される。二つの穴ｔａｂの内、一
つにはＬ−ＥＤ７が、他方の穴１０ｂにはホトトランジ
スタにてなるホトセンサ１１が、それぞれの穴ｌＯｂの
底面１０ｃのほぼ中央部に一つずつ設置されている。
さらに、ケーシング１０の表面１０ａと平行にそして適
宜な間隔を有し被検出物６が設置される。
宜な間隔を有し被検出物６が設置される。
上述のような従来の反射型ホトセンサにおいて、ＬＥＤ
７より発した光は被検出物６にて被検出物６に示された
データに応じて反射し、反射した光はホトセンサ１１に
て受光される。ホトセンサ１１は受光することで電流を
発生し、この電流を検出することで、被検出物６に表示
されているコードパターンなどのデータを検出するらの
である。
７より発した光は被検出物６にて被検出物６に示された
データに応じて反射し、反射した光はホトセンサ１１に
て受光される。ホトセンサ１１は受光することで電流を
発生し、この電流を検出することで、被検出物６に表示
されているコードパターンなどのデータを検出するらの
である。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、従来の反射型ホトセンサは、１対のＬ Ｅ
Ｄとホトセンサを分離させ１個の反射型ホトセンサを形
成するため、センサとして形状が大きくなり高密度なデ
ータを検出することができないという問題点があり、さ
らに、１対のＬＥＤとホトセンサでは一つのデータしか
検出できず、複数のデータを検出するためには、複数の
Ｌ Ｅ Ｄを必要とする問題点があった。
Ｄとホトセンサを分離させ１個の反射型ホトセンサを形
成するため、センサとして形状が大きくなり高密度なデ
ータを検出することができないという問題点があり、さ
らに、１対のＬＥＤとホトセンサでは一つのデータしか
検出できず、複数のデータを検出するためには、複数の
Ｌ Ｅ Ｄを必要とする問題点があった。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、一つの発光体にて、被検出物に表示されているコー
ドや種々のパターンの複数のデータ及び高密度なデータ
を検出することができる反射型ホトセンサを提供するこ
とを目的とする。
で、一つの発光体にて、被検出物に表示されているコー
ドや種々のパターンの複数のデータ及び高密度なデータ
を検出することができる反射型ホトセンサを提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、透明な基板と１．この透明な基板を光が透過
するように設けた一つの発光体と、前記基板に設けられ
、この発光体から発した光が被検出物にて反射した反射
光を受光する複数の受光素子とを備えたことを特徴とす
る。
するように設けた一つの発光体と、前記基板に設けられ
、この発光体から発した光が被検出物にて反射した反射
光を受光する複数の受光素子とを備えたことを特徴とす
る。
［作用］
一つの発光源から発した光は、透明な基板を透過し被検
出物に達し被検出物にて反射する。この反射光の光量は
被検出物に表示されているコードやパターンについての
データに対応して種々存在し、これらの反射光は前記基
板表面に設けられた複数の受光素子にて受光素される。
出物に達し被検出物にて反射する。この反射光の光量は
被検出物に表示されているコードやパターンについての
データに対応して種々存在し、これらの反射光は前記基
板表面に設けられた複数の受光素子にて受光素される。
受光素子は、受光した光量に応じた電流を発生し、この
電流を測定することで被検出物に表示されているコード
パターンについてのデー・夕が検出される。
電流を測定することで被検出物に表示されているコード
パターンについてのデー・夕が検出される。
［実施例］
第１の実施例
第１図から第６図において、■はガラス等の透明な材料
にてなる本発明の反射型ホトセンサの基板である。基板
ｌの上表面にはＩＴＯ（インジウム−すず酸化物）もし
くは５ｎＯｔ等にてなるＴＣＯの透明電極２が形成され
る。透明電極２の上表面には非晶質シリコンにてなる光
半導体３が形成される。光半導体３の上表面にはクロミ
ウムもしくはアルミニウム等にてなる金属電極４が形成
され、上述の構成物２．３．４にて受光素子５が形成さ
れる。
にてなる本発明の反射型ホトセンサの基板である。基板
ｌの上表面にはＩＴＯ（インジウム−すず酸化物）もし
くは５ｎＯｔ等にてなるＴＣＯの透明電極２が形成され
る。透明電極２の上表面には非晶質シリコンにてなる光
半導体３が形成される。光半導体３の上表面にはクロミ
ウムもしくはアルミニウム等にてなる金属電極４が形成
され、上述の構成物２．３．４にて受光素子５が形成さ
れる。
第２図は上述した構成にてなる受光素子５を複数個使用
した本発明の一実施例を示したもので、基板１は一辺が
４ｙ、１１、厚さがｌ 、 ｌ ａｍにてなる方形状で
あり、基板！上には、基板１の表面を４等分するように
区切られる４つの部分に概略方形状でかつ基板中心部分
が円弧状に形成されてなる４個の受光素子５がギャップ
ｌｄを介してカソード、アーノードの少なくとも一方が
電気的に絶縁されて設けられる。さらに詳しくは後述の
ＬＥＤ７の発する光が透過可能なように基板１の中央部
には受光素子５が形成されていない円形の窓１ｃが形成
されている。尚、各受光素子の有効受光面積は！、ｉｘ
２である。さらに、基板ｌの受光素子５が形成されてい
る上表面１ａの窓１ｃには、上表面１ａに発光部を近接
させ、波長６６０ｎｍの赤色光を発するＬＥＤ７が１個
設けられる。又、基板ｌの表面ｌｂ側には、表面１ｂと
間隔をおいて被検出物６が基板ｌと平行に設置される。
した本発明の一実施例を示したもので、基板１は一辺が
４ｙ、１１、厚さがｌ 、 ｌ ａｍにてなる方形状で
あり、基板！上には、基板１の表面を４等分するように
区切られる４つの部分に概略方形状でかつ基板中心部分
が円弧状に形成されてなる４個の受光素子５がギャップ
ｌｄを介してカソード、アーノードの少なくとも一方が
電気的に絶縁されて設けられる。さらに詳しくは後述の
ＬＥＤ７の発する光が透過可能なように基板１の中央部
には受光素子５が形成されていない円形の窓１ｃが形成
されている。尚、各受光素子の有効受光面積は！、ｉｘ
２である。さらに、基板ｌの受光素子５が形成されてい
る上表面１ａの窓１ｃには、上表面１ａに発光部を近接
させ、波長６６０ｎｍの赤色光を発するＬＥＤ７が１個
設けられる。又、基板ｌの表面ｌｂ側には、表面１ｂと
間隔をおいて被検出物６が基板ｌと平行に設置される。
上述のように構成された反射型ホトセンサにおいて、Ｌ
ＥＤ７より発した光は基板１の上表面１ａの窓１ｃより
基板１に入射し、基板ｌを透過し被検出物６に達する。
ＥＤ７より発した光は基板１の上表面１ａの窓１ｃより
基板１に入射し、基板ｌを透過し被検出物６に達する。
被検出物６にて光は被検出物６の表面上に示されるパタ
ーンデータの光の反射率の違いにより被検出物６のデー
タに応じた異なった光量が反射され、種々の光量の反射
光は再び基板ｌの表面１ｂに入射し基板ｌを透過し各受
光素子５に達する。各受光素子５に達した光は、基板Ｉ
上の透明電極２を透過し光半導体３に入射する。
ーンデータの光の反射率の違いにより被検出物６のデー
タに応じた異なった光量が反射され、種々の光量の反射
光は再び基板ｌの表面１ｂに入射し基板ｌを透過し各受
光素子５に達する。各受光素子５に達した光は、基板Ｉ
上の透明電極２を透過し光半導体３に入射する。
光半導体３は、入射した光量に応じて電流を発生し、発
生した電流は透明電極２及び金属電極４より出力される
。従って、各受光素子５より得られる電力を測定するこ
とで、被検出物６のデータを検出することができる。
生した電流は透明電極２及び金属電極４より出力される
。従って、各受光素子５より得られる電力を測定するこ
とで、被検出物６のデータを検出することができる。
例えば、上述した反射型ホトセンサを用い、第３図に示
す被検出物を検出された場合、被検出物の白色部は、黒
色部に比べ光の反射率が大きいので、例えば、第２図（
ａ）に示す受光素子５−１及び５−２は、受光素子５−
３．５−４に比べ受光量が多い。従って、発生する電流
も大きくなる。
す被検出物を検出された場合、被検出物の白色部は、黒
色部に比べ光の反射率が大きいので、例えば、第２図（
ａ）に示す受光素子５−１及び５−２は、受光素子５−
３．５−４に比べ受光量が多い。従って、発生する電流
も大きくなる。
このようにセンサに設置された受光素子の位置とその発
生ずる電流より被検出物に示されるデータを検出するこ
とができる。具体的に発生した電流は、白色部で０．２
μＡ、黒色部で００２μＡの電流が各受光素子より得ら
れ、白黒比は２０ｄＢの良い結果が得られた。
生ずる電流より被検出物に示されるデータを検出するこ
とができる。具体的に発生した電流は、白色部で０．２
μＡ、黒色部で００２μＡの電流が各受光素子より得ら
れ、白黒比は２０ｄＢの良い結果が得られた。
第４図は、第１の実施例の変形例であり、本反射型ホト
センサは方形状の基板ｌの各対辺を等分する線及び対角
線にて区切られる８箇所に、三角形状の受光素子５が電
気的に絶縁されて配置したしのである。この反射型ホト
センサは、先の反射型ホトセンサに比べ受光素子が多い
ため、より複雑なデータを検出することができる。
センサは方形状の基板ｌの各対辺を等分する線及び対角
線にて区切られる８箇所に、三角形状の受光素子５が電
気的に絶縁されて配置したしのである。この反射型ホト
センサは、先の反射型ホトセンサに比べ受光素子が多い
ため、より複雑なデータを検出することができる。
第２実施例
第２の実施例は、被検出物を反射した光が直接受光素子
に入射するように被検出物側の基板表面に受光素子を設
けたものである。従って、基板ｌの表面Ｉｂ上には金属
電極４が形成され、金属電極４の上表面には光半導体３
が、光半導体３の上表面には透明電極２が形成される。
に入射するように被検出物側の基板表面に受光素子を設
けたものである。従って、基板ｌの表面Ｉｂ上には金属
電極４が形成され、金属電極４の上表面には光半導体３
が、光半導体３の上表面には透明電極２が形成される。
上述のように構成された反射型ホトセンサにおいて、基
板Ｉの表面ｌａ側よりＬＥＤ等より発した光は、基板ｌ
を透過し、被検出物６に達し反射する。被検出物６にて
反射した光は、透明電極２を透過し光半導体３に入射す
る。反射光は光半導体３にて電流に変換され、生じた電
力は透明電極２及び金属電極４より出力される。
板Ｉの表面ｌａ側よりＬＥＤ等より発した光は、基板ｌ
を透過し、被検出物６に達し反射する。被検出物６にて
反射した光は、透明電極２を透過し光半導体３に入射す
る。反射光は光半導体３にて電流に変換され、生じた電
力は透明電極２及び金属電極４より出力される。
上述のように本実施例では被検出物と受光素子との距離
が短く、又、被検出物からの反射光が直・接受光素子に
入射するので、受光素子への散乱光等の弊害が少なく、
検出されるデータは高Ｓ／Ｎ比を得ることができる。
が短く、又、被検出物からの反射光が直・接受光素子に
入射するので、受光素子への散乱光等の弊害が少なく、
検出されるデータは高Ｓ／Ｎ比を得ることができる。
第３実施例
第３の実施例は、第１の実施例と第２の実施例を複合し
たもので、即ち、基板ｌの表面ｌａ上、表面Ｉｂ上の両
面に受光素子５を形成したものである。発光体からの光
は、基板１の表面ｌａ側より入射し、被検出物６にて反
射する。反射光は基板１の両表面に存する受光素子５に
入射し、受光することで受光素子５は電流を発生する。
たもので、即ち、基板ｌの表面ｌａ上、表面Ｉｂ上の両
面に受光素子５を形成したものである。発光体からの光
は、基板１の表面ｌａ側より入射し、被検出物６にて反
射する。反射光は基板１の両表面に存する受光素子５に
入射し、受光することで受光素子５は電流を発生する。
本実施例では、受光素子数を第１及び第２の実施例より
多く設けることができ、より複雑なデータを検出するこ
とができる。
多く設けることができ、より複雑なデータを検出するこ
とができる。
第１から第３の実施例より明らかなように、受光素子を
設けた透明な基板と、その基板を透過するように１個の
発光体を設けることで、センサの全体形状を小さくする
ことができる。さらに、被検出物にて反射する光量は被
検出物のデータに対応して種々存在するが、本発明の反
射型ホトセンサは受光素子を複数個備えているので、複
雑で複数の被検出物のデータを検出することができる。
設けた透明な基板と、その基板を透過するように１個の
発光体を設けることで、センサの全体形状を小さくする
ことができる。さらに、被検出物にて反射する光量は被
検出物のデータに対応して種々存在するが、本発明の反
射型ホトセンサは受光素子を複数個備えているので、複
雑で複数の被検出物のデータを検出することができる。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、受光素子を備えた
透明な基板と、この基板を光が透過する１個の発光体に
よってホトセンサを構成することで、ホトセンサの形状
を小さくすることができる。
透明な基板と、この基板を光が透過する１個の発光体に
よってホトセンサを構成することで、ホトセンサの形状
を小さくすることができる。
さらに、被検出物のパターンデータを検出するための受
光素子を複数個備えることで、本発明の反射型ホトセン
サは複雑な、そして複数個のデータを一度に検出するこ
とができる。
光素子を複数個備えることで、本発明の反射型ホトセン
サは複雑な、そして複数個のデータを一度に検出するこ
とができる。
第１図は、本発明の第１の実施例を示す反射型ホトセン
サの構造を示す縦断面図、第２図（ａ）は本発明の第１
の実施例を示す反射型ホトセンサの平面図、第２図（ｂ
）は第２図（ａ）の正面図、第３図は被検出物に示され
たパターンデータの一例を示す平面図、第４図は本発明
の第１の実施例の変形例を示す反射型ホトセンサの平面
図、第５図は本発明の第２の実施例を示す反射型ホトセ
ンサの構造を示す縦断面図、第６図は本発明の第３の実
施例を示す反射型ホトセンサの正面図、第７図（ａ）は
従来の反射型ホトセンサを示す縦断面図、第７図（ｂ）
は第７図（ａ）の背面図である。 １・・基板、２・・・透明電極、３・・・光半導体、４
・・・金属電極、ｉ・・・受光素子。 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 代 理 人 弁理士青山葆外１名。
サの構造を示す縦断面図、第２図（ａ）は本発明の第１
の実施例を示す反射型ホトセンサの平面図、第２図（ｂ
）は第２図（ａ）の正面図、第３図は被検出物に示され
たパターンデータの一例を示す平面図、第４図は本発明
の第１の実施例の変形例を示す反射型ホトセンサの平面
図、第５図は本発明の第２の実施例を示す反射型ホトセ
ンサの構造を示す縦断面図、第６図は本発明の第３の実
施例を示す反射型ホトセンサの正面図、第７図（ａ）は
従来の反射型ホトセンサを示す縦断面図、第７図（ｂ）
は第７図（ａ）の背面図である。 １・・基板、２・・・透明電極、３・・・光半導体、４
・・・金属電極、ｉ・・・受光素子。 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 代 理 人 弁理士青山葆外１名。
Claims (3)
- （１）透明な基板と、この透明な基板を光が透過するよ
うに設けた一つの発光体と、前記基板に設けられ、この
発光体から発した光が被検出物にて反射した反射光を受
光する複数の受光素子とを備えたことを特徴とする反射
型ホトセンサ。 - （２）受光素子を構成する材料の一つが非晶質シリコン
にてなる請求項１記載の反射型ホトセンサ。 - （３）受光素子を構成する材料の一つがアモルファスシ
リコンカーバイト層を含むヘテロ接合よりなる請求項１
記載の反射型ホトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010243A JPH01184965A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 反射型ホトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010243A JPH01184965A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 反射型ホトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184965A true JPH01184965A (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=11744865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63010243A Pending JPH01184965A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 反射型ホトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01184965A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104864893A (zh) * | 2014-02-21 | 2015-08-26 | 马克西姆综合产品公司 | 具有直接安装在透明基板上的光发射器和光电探测器组件的光传感器 |
-
1988
- 1988-01-20 JP JP63010243A patent/JPH01184965A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104864893A (zh) * | 2014-02-21 | 2015-08-26 | 马克西姆综合产品公司 | 具有直接安装在透明基板上的光发射器和光电探测器组件的光传感器 |
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