JPS60189257A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS60189257A JPS60189257A JP59044507A JP4450784A JPS60189257A JP S60189257 A JPS60189257 A JP S60189257A JP 59044507 A JP59044507 A JP 59044507A JP 4450784 A JP4450784 A JP 4450784A JP S60189257 A JPS60189257 A JP S60189257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- image sensor
- electrode
- layer
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
- H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
- H10F55/255—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices formed in, or on, a common substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は非晶質シリコン（アモルファス・シリコン、以
下ａ −Ｓｉ とする）をもちし１て、同一基板に発光
素子と光検知素子とを一体に形成したイメージセンサに
関する。
下ａ −Ｓｉ とする）をもちし１て、同一基板に発光
素子と光検知素子とを一体に形成したイメージセンサに
関する。
（ｂｌ 技術の背景
光学的な情報を電気的な信号に変換する装置であるイメ
ージセンサは、特に固体イメージセンサ頼性の良いもの
がすでに実用化されている。
ージセンサは、特に固体イメージセンサ頼性の良いもの
がすでに実用化されている。
（Ｃ１従来技術と問題点
しかし、従来の固体イメージセンサ（以下、単にイメー
ジセンサとする）は第１図に示す如く、ＬＥＤや螢光灯
等の外部光源ｌからの光が、原稿２などに書かれた像の
濃淡に従って反射した光を、一方の端部が像の上方に近
接対向させたオプチカルファイバ（導光路）３を介し、
光検知素子４に導かれる様に構成されていた。
ジセンサとする）は第１図に示す如く、ＬＥＤや螢光灯
等の外部光源ｌからの光が、原稿２などに書かれた像の
濃淡に従って反射した光を、一方の端部が像の上方に近
接対向させたオプチカルファイバ（導光路）３を介し、
光検知素子４に導かれる様に構成されていた。
従って、原稿２に書かれた像の全幅に渡ってその濃淡を
検知するように構成されたイメージセンサは、オプチカ
ルファイバ３及び光検知素子４が前記全幅に渡って多数
個（例えば数１００個）配列させた構成になるため、高
価となるのみならず、オプチカルファイバ３を介して像
の反射光を光検知素子４に導（ため該反射光が素子４に
導入される効率はたかだか数％程度であり、それらの改
善が強く望まれていた。
検知するように構成されたイメージセンサは、オプチカ
ルファイバ３及び光検知素子４が前記全幅に渡って多数
個（例えば数１００個）配列させた構成になるため、高
価となるのみならず、オプチカルファイバ３を介して像
の反射光を光検知素子４に導（ため該反射光が素子４に
導入される効率はたかだか数％程度であり、それらの改
善が強く望まれていた。
（ｄｌ 発明の目的
本発明の目的は、ａ −Ｓｉを用い発光素子と光検知素
子とを一体に形成させ上記問題点の除去されたイメージ
センサを提供することである。
子とを一体に形成させ上記問題点の除去されたイメージ
センサを提供することである。
（ｅｌ 発明の構成
上記目的は、非晶質シリコン、非晶質シリコンの化合物
を積層してなる発光素子と光検知素子とを同一基板に形
成してなること特徴とするイメージセンサにより達成さ
れる。
を積層してなる発光素子と光検知素子とを同一基板に形
成してなること特徴とするイメージセンサにより達成さ
れる。
（ｆｌ 発明の実施例
以下に、図面を用いて本発明の実施例に係わるイメージ
センサを説明する。
センサを説明する。
本発明はａ −Ｓｉ とその化合物の組合せ構造により
、同一基板上に発光素子と光検知素子とを形成可能であ
ることを利用したものであり、発光素子としてａ−５ｉ
Ｃ／ａ−Ｓｉ／ａ−５ｉＣのサンドイッチ構造やｐ型ａ
−５ｔ／ｎ型ａ−Ｓｉのｐｎ接合構造、光検知素子とし
てはａ−３ｉのｐｉｎ接合構造やｐｔ電極とａ−５ｉを
用いたショットキー接合構造並びに透明電極とａ−Ｓｉ
を用いたヘテロ接合構造がある。
、同一基板上に発光素子と光検知素子とを形成可能であ
ることを利用したものであり、発光素子としてａ−５ｉ
Ｃ／ａ−Ｓｉ／ａ−５ｉＣのサンドイッチ構造やｐ型ａ
−５ｔ／ｎ型ａ−Ｓｉのｐｎ接合構造、光検知素子とし
てはａ−３ｉのｐｉｎ接合構造やｐｔ電極とａ−５ｉを
用いたショットキー接合構造並びに透明電極とａ−Ｓｉ
を用いたヘテロ接合構造がある。
以下に図面を用いて本発明の実施例に係わるイメージセ
ンサを説明する。
ンサを説明する。
第２図は本発明の一実施例になるイメージセンサの発光
素子と光検知素子の配列を示す平面図、第３図は前記イ
メージセンサの要部構成を示す拡大断面図である。
素子と光検知素子の配列を示す平面図、第３図は前記イ
メージセンサの要部構成を示す拡大断面図である。
第２図において、１１はイメージセンサ、１２はガラス
にてなる基板、１３は基板１２の上面中央部にその長さ
方向へ形成された長尺の発光素子、１４は発光素子１３
の一側に対向し例えば１鰭につき１０本ピッチで配列さ
れた多数個の光検知素子である。
にてなる基板、１３は基板１２の上面中央部にその長さ
方向へ形成された長尺の発光素子、１４は発光素子１３
の一側に対向し例えば１鰭につき１０本ピッチで配列さ
れた多数個の光検知素子である。
第２図のＡ−Ａ断面を示す第３図において、１５は基板
１２の上面にパターン形成されたＮｉＣｒ／Ａｕの電極
、１６は基板１２の上面と電極１５の上面に掛は渡して
パターン形成されたａ−５ｉＣ層、１７は光検知素子１
４の下部電極としてパターン形成されたＮｉＣｒ／Ａｕ
の電極、１８はａ−３ｉＣＦｉ １６の上面と電極の上
面に掛は渡してパターン形成されたａ−５ｉ層、１９は
ａ−３ｉ層１８を介し電極１５の上方に対向するａ−５
ｉＣ層、２０はａ−３ｉＮｌ ８を介し電極１７の上方
に対向するＩＴＯ（Ｉｎ、Ｔｉ、Ｏ）の透明電極２１は
ａ−５ｉＣ層１９を介し電極ｉ５の上方に対向するＩＴ
Ｏ（Ｉｎ、Ｔｉ、Ｏ）の透明電極、２２は電極１５゜１
７．２０．２１の導輪リード部を除いて上記各層１５〜
２２を覆うＳｉ Ｏｚ層（保護層）である。そして、電
極１５とａ−５ｉＣ層１６．１９とａ−５ｉ層１８と透
明電極２１の積層が発光素子１３を構成し、ａ−３ｉＣ
層１６と電極１７とａ−５ｉ層１８と透明電極２０の積
層が光検知素子１４を構成している。
１２の上面にパターン形成されたＮｉＣｒ／Ａｕの電極
、１６は基板１２の上面と電極１５の上面に掛は渡して
パターン形成されたａ−５ｉＣ層、１７は光検知素子１
４の下部電極としてパターン形成されたＮｉＣｒ／Ａｕ
の電極、１８はａ−３ｉＣＦｉ １６の上面と電極の上
面に掛は渡してパターン形成されたａ−５ｉ層、１９は
ａ−３ｉ層１８を介し電極１５の上方に対向するａ−５
ｉＣ層、２０はａ−３ｉＮｌ ８を介し電極１７の上方
に対向するＩＴＯ（Ｉｎ、Ｔｉ、Ｏ）の透明電極２１は
ａ−５ｉＣ層１９を介し電極ｉ５の上方に対向するＩＴ
Ｏ（Ｉｎ、Ｔｉ、Ｏ）の透明電極、２２は電極１５゜１
７．２０．２１の導輪リード部を除いて上記各層１５〜
２２を覆うＳｉ Ｏｚ層（保護層）である。そして、電
極１５とａ−５ｉＣ層１６．１９とａ−５ｉ層１８と透
明電極２１の積層が発光素子１３を構成し、ａ−３ｉＣ
層１６と電極１７とａ−５ｉ層１８と透明電極２０の積
層が光検知素子１４を構成している。
このように、一枚の基板に発光素子と光検知素子とが一
体に構成されたイメージセンサ１１は、保護層２２上方
に被検出情報が表示された原稿２３を対向させ、電極１
５と２１に適当な電圧を印可すると発光素子１３から発
生される光が原稿２３の所定部を照射し、該照射部に書
かれた情報（像）からの反射光が光検知素子１４に入力
しそれを電極１６．２０より検出することができる。
体に構成されたイメージセンサ１１は、保護層２２上方
に被検出情報が表示された原稿２３を対向させ、電極１
５と２１に適当な電圧を印可すると発光素子１３から発
生される光が原稿２３の所定部を照射し、該照射部に書
かれた情報（像）からの反射光が光検知素子１４に入力
しそれを電極１６．２０より検出することができる。
なお本発明は上記実施例に限定されず、例えば光検知素
子（１４）の両側にそれぞれ多数個の発光素子（１３）
を配列し構成したり複数の光検知素子（１４）と複数列
の発光素子（１３）を配列し構成すことにより高感度化
イメージセンサ、及び正・負のバイアス電圧を光検知素
子（１４）の対向電極に交互に印可しそのときの正・負
の電流値によって受光した光の周波数を検出するカラー
情報検出可能なイメージセンサ（本願出願人が昭和５７
年６月３０日に出願した特願昭５７−１１３４３６ ｒ
カラー検出方式」を参照）が実現される。
子（１４）の両側にそれぞれ多数個の発光素子（１３）
を配列し構成したり複数の光検知素子（１４）と複数列
の発光素子（１３）を配列し構成すことにより高感度化
イメージセンサ、及び正・負のバイアス電圧を光検知素
子（１４）の対向電極に交互に印可しそのときの正・負
の電流値によって受光した光の周波数を検出するカラー
情報検出可能なイメージセンサ（本願出願人が昭和５７
年６月３０日に出願した特願昭５７−１１３４３６ ｒ
カラー検出方式」を参照）が実現される。
（ｇｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明似よれば、非晶質シリコンと非晶
質シリコンの化合物を積層し発光素子と光検知素子とを
同一基板に形成されており、被検出情報が表示された媒
体（原稿等）にイメージセンサを近接に配置しオプチカ
ルファイバの導光路を必要としないため、イメージセン
サは一体化構成により小型化し、光検知素子の反射光吸
収効率が向上して高感度化しカラー検出も可能となり、
構成素子の微細価か可能となり高性能化された効果が極
めて顕著である。
質シリコンの化合物を積層し発光素子と光検知素子とを
同一基板に形成されており、被検出情報が表示された媒
体（原稿等）にイメージセンサを近接に配置しオプチカ
ルファイバの導光路を必要としないため、イメージセン
サは一体化構成により小型化し、光検知素子の反射光吸
収効率が向上して高感度化しカラー検出も可能となり、
構成素子の微細価か可能となり高性能化された効果が極
めて顕著である。
第１図は従来のイメージセンサ（固体イメージセンサ）
の主要構成を示す側面図、第２図は本発明の一実施例に
なるイメージセンサの発光素子と光検知素子の配列を示
す平面図、第３図は第２図に示すイメージセンサの要部
構成を説明するだめの拡大断面図である。 図中において、４，１１はイメージセンサ、１２はガラ
ス基板、１３は基板１２の上面に形成された長尺の発光
素子、１４は発光素子１３の一側に対向し配列された多
数個の光検知素子、１５はＮｉＣｒ／八Ｕの電へ、１６
はａ−５ｉＣ層、１７はＮｉＣｒ／八Ｕの電へ、１８は
ａ−３ｉ層、１９はａ−５ｉ層１８を介し電極１５の上
方に対向するａ−５ｉＣ層、２０はａ−５ｉ層１８を介
し電極１６の上方に対向する透明電極、２１ばａ−３ｉ
Ｃ層１９を介し電極１５の上方に対向する透明電極であ
る。 洋１ 口 峯３ 口
の主要構成を示す側面図、第２図は本発明の一実施例に
なるイメージセンサの発光素子と光検知素子の配列を示
す平面図、第３図は第２図に示すイメージセンサの要部
構成を説明するだめの拡大断面図である。 図中において、４，１１はイメージセンサ、１２はガラ
ス基板、１３は基板１２の上面に形成された長尺の発光
素子、１４は発光素子１３の一側に対向し配列された多
数個の光検知素子、１５はＮｉＣｒ／八Ｕの電へ、１６
はａ−５ｉＣ層、１７はＮｉＣｒ／八Ｕの電へ、１８は
ａ−３ｉ層、１９はａ−５ｉ層１８を介し電極１５の上
方に対向するａ−５ｉＣ層、２０はａ−５ｉ層１８を介
し電極１６の上方に対向する透明電極、２１ばａ−３ｉ
Ｃ層１９を介し電極１５の上方に対向する透明電極であ
る。 洋１ 口 峯３ 口
Claims (1)
- 非晶質シリコン、非晶質シリコンの化合物を積層してな
る発光素子と光検知素子とを同一基板Ｇこ形成してなる
ことを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59044507A JPS60189257A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59044507A JPS60189257A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189257A true JPS60189257A (ja) | 1985-09-26 |
Family
ID=12693463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59044507A Pending JPS60189257A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4695859A (en) * | 1986-10-20 | 1987-09-22 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin film light emitting diode, photonic circuit employing said diode imager employing said circuits |
-
1984
- 1984-03-08 JP JP59044507A patent/JPS60189257A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4695859A (en) * | 1986-10-20 | 1987-09-22 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin film light emitting diode, photonic circuit employing said diode imager employing said circuits |
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