JPH0118570B2 - - Google Patents
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- JPH0118570B2 JPH0118570B2 JP55047213A JP4721380A JPH0118570B2 JP H0118570 B2 JPH0118570 B2 JP H0118570B2 JP 55047213 A JP55047213 A JP 55047213A JP 4721380 A JP4721380 A JP 4721380A JP H0118570 B2 JPH0118570 B2 JP H0118570B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode film
- base electrode
- substrate
- capacitor
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、膜型コンデンサに関し、さらに詳し
くはレーザー光などを利用して電極膜をトリミン
グすることによつて容量が調整可能である膜型コ
ンデンサに関するものである。
くはレーザー光などを利用して電極膜をトリミン
グすることによつて容量が調整可能である膜型コ
ンデンサに関するものである。
［従来の技術］
水晶等の発振回路において、その発振周波数を
調整する目的で膜型コンデンサを発振回路に組込
み、この膜型コンデンサの外側電極膜の一部をレ
ーザー光、電子ビームあるいはサンドブラストな
どによりトリミングして容量の調整を行ない、発
振周波数の調整を行うことは公知である。しか
し、従来の膜型コンデンサは、絶縁性の基板の上
面にベース電極膜と誘電体膜と外側電極膜とを単
純に順次積層して形成しただけの構造であつた。
調整する目的で膜型コンデンサを発振回路に組込
み、この膜型コンデンサの外側電極膜の一部をレ
ーザー光、電子ビームあるいはサンドブラストな
どによりトリミングして容量の調整を行ない、発
振周波数の調整を行うことは公知である。しか
し、従来の膜型コンデンサは、絶縁性の基板の上
面にベース電極膜と誘電体膜と外側電極膜とを単
純に順次積層して形成しただけの構造であつた。
［発明が解決しようとする問題点］
このために、強力なレーザー光などを使用して
外側電極をトリミングする場合に、誤つてベース
電極膜までをも分断してしまうと、容量が激変し
て発振周波数の大幅なシフトが発生し、場合によ
つては発振不能を招く問題点があつた。したがつ
て、従来にあつては、レーザー光などよるトリミ
ングに際してレーザー光などの照射位置を高精度
に管理することが要求されていた。
外側電極をトリミングする場合に、誤つてベース
電極膜までをも分断してしまうと、容量が激変し
て発振周波数の大幅なシフトが発生し、場合によ
つては発振不能を招く問題点があつた。したがつ
て、従来にあつては、レーザー光などよるトリミ
ングに際してレーザー光などの照射位置を高精度
に管理することが要求されていた。
そこで本発明は、上記実情に鑑みて、トリミン
グに際してレーザー光などの照射位置を高精度に
管理することを不要とし、仮にトリミング作業を
誤つても振周波数の大幅なシフトや発振不能を招
くことがないようにすることを目的とするもので
ある。
グに際してレーザー光などの照射位置を高精度に
管理することを不要とし、仮にトリミング作業を
誤つても振周波数の大幅なシフトや発振不能を招
くことがないようにすることを目的とするもので
ある。
［問題を解決するための手段］
上記目的のもとに、本発明の膜型コンデンサ
は、上面にベース電極膜と誘電体膜と外側電極膜
とが順次積層して形成してある絶縁性の基板の裏
面に補助配線が形成してあり、この補助配線の両
端部とベース電極膜の両端部とがそれぞれ導通さ
せてあるとこころに特徴を有する。
は、上面にベース電極膜と誘電体膜と外側電極膜
とが順次積層して形成してある絶縁性の基板の裏
面に補助配線が形成してあり、この補助配線の両
端部とベース電極膜の両端部とがそれぞれ導通さ
せてあるとこころに特徴を有する。
［実施例］
先ず、本発明の膜型コンデンサが適用された水
晶発振ユニツトの構造から説明する。
晶発振ユニツトの構造から説明する。
第１図および２図において、封止容器１は、逆
椀形の金属シエル３に気密ガラス２を介して複数
の端子ピン５，６，１２〜１６が貫通植設されて
いるベースと、このベースのシエル３に冷間圧
接、抵抗溶接、ハンダなどにより密封固着される
金属キヤツプ４とによつて構成されている。端子
ピン５，６の上端には、水晶振動子９を保持した
保持バネ７，８が導電性接着剤、ハンダなどを介
して固着されている。水晶振動子９の両面には、
蒸着などにより電極９ａ，９ｂが形成されてお
り、各電極は保持バネ７，８を介して端子ピン
５，６に導通している。シエル３の上面には、水
晶振動子９の発振駆動用の集積回路素子１０が接
着してある。なお集積回路素子１０はアラーム音
発生回路などを含んだものでもよい。集積回路素
子１０の各パツド部（図示せず。）と各端子ピン
とはボンデイングワイヤを介して接続されてい
る。すなわち発振回路のインバータ１１（第３図
示）の入力側はXT端子ピン１３に、そして出力
側はXT端子ピン１２に接続してある。またVDD
パツド部はVDD端子ピン１４に接続してある。そ
して例えば１Hzの有極信号を出力するパツド部は
出力端子ピン１５，１６に接続してある。
椀形の金属シエル３に気密ガラス２を介して複数
の端子ピン５，６，１２〜１６が貫通植設されて
いるベースと、このベースのシエル３に冷間圧
接、抵抗溶接、ハンダなどにより密封固着される
金属キヤツプ４とによつて構成されている。端子
ピン５，６の上端には、水晶振動子９を保持した
保持バネ７，８が導電性接着剤、ハンダなどを介
して固着されている。水晶振動子９の両面には、
蒸着などにより電極９ａ，９ｂが形成されてお
り、各電極は保持バネ７，８を介して端子ピン
５，６に導通している。シエル３の上面には、水
晶振動子９の発振駆動用の集積回路素子１０が接
着してある。なお集積回路素子１０はアラーム音
発生回路などを含んだものでもよい。集積回路素
子１０の各パツド部（図示せず。）と各端子ピン
とはボンデイングワイヤを介して接続されてい
る。すなわち発振回路のインバータ１１（第３図
示）の入力側はXT端子ピン１３に、そして出力
側はXT端子ピン１２に接続してある。またVDD
パツド部はVDD端子ピン１４に接続してある。そ
して例えば１Hzの有極信号を出力するパツド部は
出力端子ピン１５，１６に接続してある。
一方、気密ガラス２の下面とシエル３の下部側
壁内面とによつて区画された下面開口の空間３ａ
には、給水率がほぼ零であり耐熱衝撃性にも優れ
たアルミナ磁器やステアタイト磁器などにて形成
された絶縁性の基板１８が気密ガラス２の下面と
平行に配置してある。
壁内面とによつて区画された下面開口の空間３ａ
には、給水率がほぼ零であり耐熱衝撃性にも優れ
たアルミナ磁器やステアタイト磁器などにて形成
された絶縁性の基板１８が気密ガラス２の下面と
平行に配置してある。
この基板１８は端子ピンに対して固着されるも
のであつて、この基板に本発明に係る以下の構造
の膜型コンデンサが構成されている。
のであつて、この基板に本発明に係る以下の構造
の膜型コンデンサが構成されている。
すなわち、第７図示のような外形形状に形成さ
れている基板１８に、第８図示のベース電極膜１
９，２０が設けてあり、その上に第９図示の誘電
体膜２１が設けてあり、さらにその上に第１０図
示の外側電極膜２２が設けてある。基板１８の外
周部にはシエル３の各端子ピンが嵌入可能な切欠
部１８ａ，１８ｂ…１８ｉおよび透孔部１８ｊが
形成してあり、またベース電極膜２０の一端部と
対向する位置にはスルーホール１８ｋが穿設して
ある。切欠部１８ｆ，１８ａには、水晶振動子９
に接続している端子ピン５，６が嵌入する。ベー
ス電極膜１９は切欠部１８ｃ，１８ｆの周縁部ま
で延伸しており、中央の湾曲部１９ａが第３図示
のコンデンサ２４の一方の電極となるものであ
る。ベース電極膜２０は切欠部１８ａ，１８ｂの
周縁部まで延伸しており、中央の略半円部２０ａ
が第３図示のコンデンサ２３の一方の電極となる
ものである。すなわち、コンデンサ２４はベース
電極膜１９の湾曲部１９ａと外側電極膜２２の中
央円形部２２ａとの間で誘電体膜２１を介して生
成され、またコンデンサ２３はベース電極膜２０
の略半円部２０ａと外側電極膜２２の中央円形部
２２ａとの間で誘電体膜２１を介して生成される
ものである。
れている基板１８に、第８図示のベース電極膜１
９，２０が設けてあり、その上に第９図示の誘電
体膜２１が設けてあり、さらにその上に第１０図
示の外側電極膜２２が設けてある。基板１８の外
周部にはシエル３の各端子ピンが嵌入可能な切欠
部１８ａ，１８ｂ…１８ｉおよび透孔部１８ｊが
形成してあり、またベース電極膜２０の一端部と
対向する位置にはスルーホール１８ｋが穿設して
ある。切欠部１８ｆ，１８ａには、水晶振動子９
に接続している端子ピン５，６が嵌入する。ベー
ス電極膜１９は切欠部１８ｃ，１８ｆの周縁部ま
で延伸しており、中央の湾曲部１９ａが第３図示
のコンデンサ２４の一方の電極となるものであ
る。ベース電極膜２０は切欠部１８ａ，１８ｂの
周縁部まで延伸しており、中央の略半円部２０ａ
が第３図示のコンデンサ２３の一方の電極となる
ものである。すなわち、コンデンサ２４はベース
電極膜１９の湾曲部１９ａと外側電極膜２２の中
央円形部２２ａとの間で誘電体膜２１を介して生
成され、またコンデンサ２３はベース電極膜２０
の略半円部２０ａと外側電極膜２２の中央円形部
２２ａとの間で誘電体膜２１を介して生成される
ものである。
一方、基板１８の裏面すなわちシエル３の気密
ガラス２に対向する面には、第５図示の補助配線
２５，２６が導電材により形成されている。補助
配線２５の両端部は、切欠部１８ｃ，１８ｆの端
面部において、端子ピン５，１２を接続するため
のハンダなどを介してベース電極膜１９の両端部
と互いに導通させられる。また補助配線２６の一
端部は、切欠部１８ａ，１８ｂの端面部におい
て、端子ピン６，１３を接続するためのハンダな
どを介してベース電極膜２０の一端部と導通させ
られ、かつ補助配線パターン２６の他端部は、ス
ルーホール１８ｋの部分でベース電極膜２０の他
端部と導通させられている。すなわち、スルーホ
ール１８ｋ内にはベース電極膜２０を形成すると
きに導電ペーストが入り込み、裏面の導電材によ
り形成された補助配線２６とベース電極膜２０と
の導通が確保されている。
ガラス２に対向する面には、第５図示の補助配線
２５，２６が導電材により形成されている。補助
配線２５の両端部は、切欠部１８ｃ，１８ｆの端
面部において、端子ピン５，１２を接続するため
のハンダなどを介してベース電極膜１９の両端部
と互いに導通させられる。また補助配線２６の一
端部は、切欠部１８ａ，１８ｂの端面部におい
て、端子ピン６，１３を接続するためのハンダな
どを介してベース電極膜２０の一端部と導通させ
られ、かつ補助配線パターン２６の他端部は、ス
ルーホール１８ｋの部分でベース電極膜２０の他
端部と導通させられている。すなわち、スルーホ
ール１８ｋ内にはベース電極膜２０を形成すると
きに導電ペーストが入り込み、裏面の導電材によ
り形成された補助配線２６とベース電極膜２０と
の導通が確保されている。
ここで発振回路の接続関係について第３，４図
を参照して説明しておく。
を参照して説明しておく。
水晶振動子９、インバータ１１、帰還抵抗１
７、コンデンサ２３，２４は、第３図示のとおり
接続されている。そしてコンデンサ２３，２４の
一端はVDDにアース接地されている。水晶振動子
９は端子ピン５，６に接続されており、端子ピン
５，１２は第４図示のようにベース電極膜１９に
接続されている。端子ピン１２は集積回路素子１
０のインバータ１１のパツド部にワイヤボンデイ
ングされたものである。端子ピン６，１３は外側
電極膜２０に接続され、また端子ピン１３はイン
バータ１１のパツド部にワイヤボンデイングされ
たものである。コンデンサ２３，２４の外側電極
膜２２はVDD端子ピン１４に接続されている。
７、コンデンサ２３，２４は、第３図示のとおり
接続されている。そしてコンデンサ２３，２４の
一端はVDDにアース接地されている。水晶振動子
９は端子ピン５，６に接続されており、端子ピン
５，１２は第４図示のようにベース電極膜１９に
接続されている。端子ピン１２は集積回路素子１
０のインバータ１１のパツド部にワイヤボンデイ
ングされたものである。端子ピン６，１３は外側
電極膜２０に接続され、また端子ピン１３はイン
バータ１１のパツド部にワイヤボンデイングされ
たものである。コンデンサ２３，２４の外側電極
膜２２はVDD端子ピン１４に接続されている。
つぎに本発明に係る膜型コンデンサの補助配線
２５，２６の作用について説明する。
２５，２６の作用について説明する。
コンデンサ２３，２４の容量を調整するとき、
レーザー光などにより外側電極膜２２を適当な面
積だけトリミングする。このときレーザー光など
のエネルギが強力であると、誘電体層２１を切断
し、さらにその下層のベース電極膜１９，２０を
も切断して発振回路を構成しなくなつたり、それ
を大きく狂わせるなどの事態を生じるおそれがあ
るが、基板１８の裏面の補助配線２５，２６は、
かかる事態の発生を未然に防止するものである。
レーザー光などにより外側電極膜２２を適当な面
積だけトリミングする。このときレーザー光など
のエネルギが強力であると、誘電体層２１を切断
し、さらにその下層のベース電極膜１９，２０を
も切断して発振回路を構成しなくなつたり、それ
を大きく狂わせるなどの事態を生じるおそれがあ
るが、基板１８の裏面の補助配線２５，２６は、
かかる事態の発生を未然に防止するものである。
例えば第１１図示のトリミング跡２７ａのよう
な場合に、レーザー光がベース電極膜１９の湾曲
部１９ａまで到達してそれを切断してしまつた場
合は、水晶振動子９の一方の電極９ｂと接続され
た端子ピン５とインバータ１１のXT端子ピン１
２との電気的導通は、基板１８の裏面の補助配線
２５により確保され、発振回路は構成され続け
る。
な場合に、レーザー光がベース電極膜１９の湾曲
部１９ａまで到達してそれを切断してしまつた場
合は、水晶振動子９の一方の電極９ｂと接続され
た端子ピン５とインバータ１１のXT端子ピン１
２との電気的導通は、基板１８の裏面の補助配線
２５により確保され、発振回路は構成され続け
る。
また第１２図示のトリミング跡２７ｂのような
場合に、レーザー光がベース電極膜２０の略円形
部２０ａに到達してそれを分断してしまつた場合
は、スルーホール１８ｋの部分で補助配線パター
ン２６を介して分断部分２０ｂと残りの電極部分
との電気的導通が確保されるため、容量の大幅な
変化が未然に防止される。すなわち、分断部分２
０ｂがXT端子ピン１３、端子ピン６との接続が
断たれてVDD端子ピン１４との間に形成される
コンデンサ２３の容量が大幅に変化するという不
都合を生じることはない。
場合に、レーザー光がベース電極膜２０の略円形
部２０ａに到達してそれを分断してしまつた場合
は、スルーホール１８ｋの部分で補助配線パター
ン２６を介して分断部分２０ｂと残りの電極部分
との電気的導通が確保されるため、容量の大幅な
変化が未然に防止される。すなわち、分断部分２
０ｂがXT端子ピン１３、端子ピン６との接続が
断たれてVDD端子ピン１４との間に形成される
コンデンサ２３の容量が大幅に変化するという不
都合を生じることはない。
［発明の効果］
以上詳細に説明した本発明の膜型コンデンサに
よれば、それを発振回路に接続し、レーザー光な
どを使用して電極トリミングにより容量を調整し
て発振周波数を調整する場合に、誤つてベース電
極膜電までをも分断してしまつても、裏面の補助
配線の存在により発振不能あるいは発振周波数の
大幅な変化を未然に防止でき、またそれによつて
レーザー光などの照射位置を高精度に管理するこ
とが不要となる。
よれば、それを発振回路に接続し、レーザー光な
どを使用して電極トリミングにより容量を調整し
て発振周波数を調整する場合に、誤つてベース電
極膜電までをも分断してしまつても、裏面の補助
配線の存在により発振不能あるいは発振周波数の
大幅な変化を未然に防止でき、またそれによつて
レーザー光などの照射位置を高精度に管理するこ
とが不要となる。
図面は本発明の一実施例を示し、第１図は本発
明に係る膜型コンデンサが接続された水晶発振ユ
ニツトの断面図、第２図はその底面図、第３図は
発振回路図、第４図は絶縁性基板の正面構造を示
す正面図、第５図は同上基板の裏面構造を示す背
面図、第６図は第４図−線断面図、第７図は
基板の外形形状を示す正面図、第８図はベース電
極膜の形状を示す正面図、第９図は誘電体膜の形
状を示す正面図、第１０図は外側電極膜の形状を
示す正面図、第１１図および第１２図は電極トリ
ミング例を示す説明図、である。 １８……絶縁性の基板、１８ｋ……スルーホー
ル、１９，２０……ベース電極膜、２１……誘電
体膜、２２……外側電極膜、２５，２６……補助
配線。
明に係る膜型コンデンサが接続された水晶発振ユ
ニツトの断面図、第２図はその底面図、第３図は
発振回路図、第４図は絶縁性基板の正面構造を示
す正面図、第５図は同上基板の裏面構造を示す背
面図、第６図は第４図−線断面図、第７図は
基板の外形形状を示す正面図、第８図はベース電
極膜の形状を示す正面図、第９図は誘電体膜の形
状を示す正面図、第１０図は外側電極膜の形状を
示す正面図、第１１図および第１２図は電極トリ
ミング例を示す説明図、である。 １８……絶縁性の基板、１８ｋ……スルーホー
ル、１９，２０……ベース電極膜、２１……誘電
体膜、２２……外側電極膜、２５，２６……補助
配線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上面にベース電極膜と誘電体膜と外側電極膜
とが順次積層して形成してある基板の裏面に補助
配線が形成してあり、上記補助配線の両端部と上
記ベース電極膜の両端部とがそれぞれ導通させて
あることを特徴とする膜型コンデンサ。 ２ 上記導通は上記基板の縁辺端面でなされてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の膜型コンデンサ。 ３ 上記導通は上記基板に透設されたスルーホー
ルを介してなされていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の膜型コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4721380A JPS56143702A (en) | 1980-04-10 | 1980-04-10 | Oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4721380A JPS56143702A (en) | 1980-04-10 | 1980-04-10 | Oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56143702A JPS56143702A (en) | 1981-11-09 |
| JPH0118570B2 true JPH0118570B2 (ja) | 1989-04-06 |
Family
ID=12768870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4721380A Granted JPS56143702A (en) | 1980-04-10 | 1980-04-10 | Oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56143702A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5124163A (ja) * | 1974-08-22 | 1976-02-26 | Citizen Watch Co Ltd | |
| JPS54121750U (ja) * | 1978-02-13 | 1979-08-25 |
-
1980
- 1980-04-10 JP JP4721380A patent/JPS56143702A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56143702A (en) | 1981-11-09 |
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