JPH01185933A - Testing of semiconductor wafer - Google Patents

Testing of semiconductor wafer

Info

Publication number
JPH01185933A
JPH01185933A JP63011103A JP1110388A JPH01185933A JP H01185933 A JPH01185933 A JP H01185933A JP 63011103 A JP63011103 A JP 63011103A JP 1110388 A JP1110388 A JP 1110388A JP H01185933 A JPH01185933 A JP H01185933A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ring oscillator
inverter
row
semiconductor wafer
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63011103A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Kobayashi
和幸 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63011103A priority Critical patent/JPH01185933A/en
Publication of JPH01185933A publication Critical patent/JPH01185933A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the ratio of a dedicated area occupied by a ring oscillator on a semiconductor water by a method wherein a smallscale inverter circuit row is formed inside a semiconductor chip apart from a functional circuit, two or more circuit rows are connected longitudinally by using a probe card in order to constitute the ring oscillator and an oscillation frequency is measured. CONSTITUTION:In addition to functional circuits 12, an inverter circuit row 7 is formed inside individual semiconductor chips 13 on a semiconductor wafer. Inverter rows 7-1 and 7-2 are connected by using a wiring part 3-1; inverter rows 7-2 and 7-3 are connected by using a wiring part 3-2; an output of the inverter row 7-3 is returned to an input of the inverter row 7-1 by using a wiring part 3-3; at the same time, an output terminal 4 is taken out. wiring parts 3-4, 3-5 are used to apply a power supply and a ground to the inverter circuit rows 7-1-7-3. Prior to P/W of the functional circuits 12, a probe card 1 is aligned with a ring oscillator row; the output terminal 4 of the probe card 1 is connected to a frequency counter; a frequency is measured. By this setup, the ratio occupied by a ring oscillator chip is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、リングオシレータを用いた半導体ウェハ上に
形成して集積回路の動作速度の試験方法に関し、特にそ
のリングオシレータが半導体ウェハ上において占める専
有面積の割合の改善に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for testing the operating speed of an integrated circuit formed on a semiconductor wafer using a ring oscillator, and in particular to a method for testing the operating speed of an integrated circuit formed on a semiconductor wafer using a ring oscillator. Regarding improvement of the ratio of exclusive area.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

リングオシレータとは第4図の回路図に示すように、イ
ンバータ回路17を直列に奇数段縦続接続し、最終段の
出力を初段の入力に帰還することにより構成される。イ
ンバーター段あたりの遅延時間をtPD;段数をnとす
るとリングオシレータは なる周波数で発振する。即ち、倒置のインバータの速度
は高速でも、段数nを多くとれば、発振周波数は低くな
るので、このリングオシレータを半導体ウェハ上の一部
に設けておけば、高速半導体集積回路の性能(速度)を
低速の試験器で試験することか可能である。即ちリング
オシレータの低周波の発振周波数を測定することにより
、高速半導体集積回路の真の速度を試験することが可能
であるため高速半導体素子のウェハー段階での評価、検
査において、試験器の性能上、コスト上等の理由から高
速試験が不可能な場合には、このリングオシレータを半
導体ウェハ上の一部に設けておくことは、半導体ウェハ
の性能をウェハ単位で保証するのに非常に有効である。
As shown in the circuit diagram of FIG. 4, a ring oscillator is constructed by cascading an odd number of inverter circuits 17 in series and feeding back the output of the final stage to the input of the first stage. When the delay time per inverter stage is tPD; the number of stages is n, the ring oscillator oscillates at a certain frequency. In other words, even if the speed of an inverted inverter is high, if the number of stages n is large, the oscillation frequency will be lower, so if this ring oscillator is provided on a part of the semiconductor wafer, the performance (speed) of the high-speed semiconductor integrated circuit can be improved. It is possible to test with a low-speed tester. In other words, by measuring the low-frequency oscillation frequency of the ring oscillator, it is possible to test the true speed of a high-speed semiconductor integrated circuit. If high-speed testing is not possible due to cost reasons, it is very effective to provide this ring oscillator on a part of the semiconductor wafer to guarantee the performance of the semiconductor wafer on a wafer-by-wafer basis. be.

第5図に従来の半導体ウェハ試験方法の概念図を示す。FIG. 5 shows a conceptual diagram of a conventional semiconductor wafer testing method.

本図においては、個々の半導体チップ13内にリングオ
シレータ18とともにその接地、電源。
In this figure, each semiconductor chip 13 includes a ring oscillator 18 as well as its ground and power source.

出力用のパッド9,10.11を設けて配置する方法を
とっている。
A method of providing and arranging output pads 9, 10, and 11 is used.

試験手順は、機能回路120P/Wを行なう前に、適当
な位置のリングオシレータ回路18に専用のプローブカ
ード1の位置を合わせして探針2を接地、電源2出力の
各パッド9,10.11に接触せしめ、配線3を通して
出力端子4に周波数カウンタ(図示せず)を接続して、
リングオシレータ18の発振周波数を測定し、速度的に
問題が無ければ機能回路120P/Wを行なう。
The test procedure is that before running the functional circuit 120P/W, the dedicated probe card 1 is aligned with the ring oscillator circuit 18 at an appropriate position, the probe 2 is grounded, and each pad 9, 10 . 11 and connect a frequency counter (not shown) to the output terminal 4 through the wiring 3.
The oscillation frequency of the ring oscillator 18 is measured, and if there is no speed problem, the functional circuit 120P/W is performed.

以上のような方法で半導体ウェハの速度を調べて問題の
無いウェハのみを後工程に送って組立歩留を向上させる
ことができる。
By using the method described above, it is possible to check the speed of semiconductor wafers and send only wafers without problems to the subsequent process, thereby improving the assembly yield.

第6図は他の従来例を示すものでリングオシレータの配
置方法として、リングオシレータチップ19を独立して
作り、機能チップ20と組み合わせて面付け(くり返し
配置の最小単位)した例を示している。同図においては
、例えばリングオシレータチップ19−1と機能チッ7
”20−1 。
FIG. 6 shows another conventional example, in which a ring oscillator chip 19 is made independently and combined with a functional chip 20 for imposition (minimum unit of repeated arrangement). . In the figure, for example, a ring oscillator chip 19-1 and a functional chip 7 are shown.
“20-1.

20−2.20−3で面付けを構成している。試験手順
は第5図の従来例と同様であるので省略する。
20-2.20-3 constitutes imposition. The test procedure is the same as that of the conventional example shown in FIG. 5, so a description thereof will be omitted.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述した第5図の従来例においては、各チップ13内に
本来の目的ではないリングオシレータ18を配置してい
るためその分チップサイズが大きくなり、面積的に非効
率的であるという欠点がある。
In the conventional example shown in FIG. 5 described above, the ring oscillator 18, which is not intended for the purpose, is arranged in each chip 13, which increases the chip size and has the disadvantage of being inefficient in terms of area. .

また上述した第6図の従来例においても、やはり半導体
ウェハ面積の1/4には機能チップ20を配置すること
ができず非効率的であることには変わりはない。
Furthermore, in the conventional example shown in FIG. 6 described above, the functional chips 20 cannot be placed in one quarter of the area of the semiconductor wafer, which is still inefficient.

もちろん面付はチップ数を増やしてリングオシレータチ
ップ19の占有する割合を少なくすることも可能である
が面付けの大きさしこほおのずと限界があるので特にチ
ップサイズが大きい場合にはどうしても機能チップの占
める面積に対するリングオシレータチップの占める面積
の相対的な割合は増加する。逆にチップサイズが小さけ
ればリングオシレータ19自体が入りきらないこともあ
る。
Of course, with imposition, it is possible to increase the number of chips and reduce the proportion occupied by the ring oscillator chip 19, but since there is a natural limit to the size of imposition, especially when the chip size is large, it is inevitable to use functional chips. The relative ratio of the area occupied by the ring oscillator chip to the area occupied by the ring oscillator chip increases. Conversely, if the chip size is small, the ring oscillator 19 itself may not fit inside.

さらに第6図のような従来例においてはリングオシレー
タチップ19は組み立てる必要がないので、リングオシ
レータの速度試験が完了したならば、機能チップとは別
に選り分けなげればならないというわずられしい工程が
必要である。
Furthermore, in the conventional example shown in FIG. 6, there is no need to assemble the ring oscillator chip 19, so once the speed test of the ring oscillator is completed, there is no need to separate it from the functional chips, which is a cumbersome process. is necessary.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の半導体ウェハ試験方法は、機能回路以外に、複
数個のインバータ回路を縦続接続したインバータ回路列
を有する半導体チップを半導体ウェハ上に配列し、プロ
ーブカードによって前記半導体チップ内のインバータ回
路列を複数個縦続接続して、リングオシレータを構成し
該リングオシレータの発振周波数を測定することによっ
て半導体ウェハの速度試験を行なっている。
In the semiconductor wafer testing method of the present invention, semiconductor chips having an inverter circuit array in which a plurality of inverter circuits are cascaded in addition to functional circuits are arranged on a semiconductor wafer, and the inverter circuit array in the semiconductor chip is detected using a probe card. A plurality of ring oscillators are connected in series to form a ring oscillator, and the speed of semiconductor wafers is tested by measuring the oscillation frequency of the ring oscillator.

〔実施例〕〔Example〕

次に、図面を参照して、本発明をより詳細に説明する。 Next, the present invention will be explained in more detail with reference to the drawings.

第1図、第2図に本発明の一実施例による半導体ウェハ
の試験方法の概念図を示す。半導体ウェハの上の個々の
半導体チップ13内には機能回路12(本回路)以外に
、第2図にその中身の例を示すようなインバータ回路列
7を有している(もちろんインバータ回路列は第2図に
示すような3段には限定されず何段であっても良い)。
FIGS. 1 and 2 are conceptual diagrams of a semiconductor wafer testing method according to an embodiment of the present invention. In addition to the functional circuit 12 (main circuit), each semiconductor chip 13 on the semiconductor wafer has an inverter circuit array 7 whose contents are shown in FIG. 2 (of course, the inverter circuit array is (The number of stages is not limited to three as shown in FIG. 2, but any number of stages may be used.)

各インバータ回路列7はチップ13上で入力パッド8゜
接地パッド9.電源パッド10.出力パッド11に接続
されている。
Each inverter circuit array 7 has an input pad 8°, a ground pad 9. Power pad 10. It is connected to the output pad 11.

プローブカード1は探針2より3個のインバータ回路列
7−1. 7−2. 7−3を接続し、リングオシレー
タを構成している。
The probe card 1 has three inverter circuit arrays 7-1. 7-2. 7-3 is connected to form a ring oscillator.

即ち配線3−1によってインバータ列7−1と7−2.
配線3−2によってインバータ列7−2と7−3を接続
し、配線3−3によってインバータ列7−3の出力をイ
ンバータ列7−1の入力に戻すと同時に出力端子4を取
り出している。
That is, the wiring 3-1 connects the inverter rows 7-1 and 7-2.
The wiring 3-2 connects the inverter rows 7-2 and 7-3, and the wiring 3-3 returns the output of the inverter row 7-3 to the input of the inverter row 7-1, and simultaneously takes out the output terminal 4.

また配線3−4.3−5はおのおの電源および接地をイ
ンバータ回路列7−1.7−2.7−3に与えている。
Further, the wirings 3-4, 3-5 respectively provide power and ground to the inverter circuit array 7-1.7-2.7-3.

機能回路120P/Wに先たち、適当な位置のリングオ
シレータ列にプローブカード1を合わせて、プローブカ
ード1の出力端子4を周波数カウンタに接続し周波数を
測定して半導体ウェハの選別を行なう。尚、電源端子5
.接地端子6からは動作電圧が与えられている。
Prior to the functional circuit 120P/W, the probe card 1 is aligned with the ring oscillator row at an appropriate position, the output terminal 4 of the probe card 1 is connected to a frequency counter, the frequency is measured, and semiconductor wafers are sorted. In addition, power terminal 5
.. An operating voltage is applied from the ground terminal 6.

第3図は本発明による半導体ウェハの試験方法の他の実
施例の概念図である。本図においては第1図における配
線3−1.3−2.3−3がおのおのプローブカード上
の印刷配線21−1.21−2.21−3になっている
。他の内容に関しては第1図に関する説明と同様である
FIG. 3 is a conceptual diagram of another embodiment of the semiconductor wafer testing method according to the present invention. In this figure, the wires 3-1.3-2.3-3 in FIG. 1 are printed wires 21-1.21-2.21-3 on each probe card. The other contents are the same as the explanation regarding FIG. 1.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上の説明で明らかなように、本発明による半導体試験
方法においては、比較的小規模のインバータ回路列を機
能回路とは別に半導体チップ内に配置し、これらのイン
バータ回路のうち適当な複数個をプローブカードによっ
て縦続接続してリングオシレータを構成し、その発振周
波数を測定するという方式を用いることにより、リング
オシレータが半導体ウェハ上に占める専有面積の割合を
小さくし機能チップを効率良く配置できるという効果が
あり、またリングオシレータチップを機能チップと独立
して配置した場合のように、速度試験が完了した後には
、不要となるリングオシレータチップをマーキングし、
必要な機能チップとは別にするという余分な作業をなく
すことができるという効果がある。
As is clear from the above explanation, in the semiconductor testing method according to the present invention, a relatively small-scale inverter circuit array is arranged inside the semiconductor chip separately from the functional circuits, and a suitable plurality of these inverter circuits are By using a method in which a ring oscillator is connected in series using probe cards and its oscillation frequency is measured, the ratio of the area occupied by the ring oscillator on the semiconductor wafer is reduced and functional chips can be placed efficiently. In addition, when the ring oscillator chip is placed independently from the functional chip, marking the ring oscillator chip that is no longer needed after the speed test is completed.
This has the effect of eliminating the extra work of separating it from the necessary functional chips.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例による半導体ウェハの試験
方法の概念図、第2図はインバータ回路列の例を示す回
路図、第3図は本発明の他の実施例による試験方法の概
念図、第4図はりングオシレータの例を示す回路図、第
5図は従来の半導体ウェハの試験方法を示す概念図、第
6図はリングオシレータチップの面付は方法の例を示す
平面図である。 1・・・・・・プローブカーV、2・・・・・・探針、
3・・・・・・配線、4・・・・・・出力端子、5・・
・・・・電源端子、6・・・・・・接地端子、7・・・
・・・インバータ回路列、8・・・・・・入力バッド、
9・・・・・・接地パッド、10・・・・・・電源パッ
ド、11・・・・・・出力パッド、12・・・・・・機
能回路、13・・・・・・半導体チップ、14・・・・
・・半導体ウニノー。 代理人 弁理士  内 原   音 遭Z旧 /汐−−−Xhj亀j /に一−−土刀塙) /7−−−インバータ回星4 第40 zt−tniり酌亡第1(、/J−−−+77’   
  12 −−−@能@”i?J>7−77−2−−−
イン八゛−りriJy、g、列  /−−−グσ−バ2
−W、針筒3 圏 第4図 1クー−’7シクオシシータ チッグ どρ−−−機・弁トケ、7)゛
FIG. 1 is a conceptual diagram of a semiconductor wafer testing method according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of an inverter circuit array, and FIG. 3 is a conceptual diagram of a test method according to another embodiment of the present invention. Conceptual diagram, Figure 4 is a circuit diagram showing an example of a ring oscillator, Figure 5 is a conceptual diagram showing a conventional semiconductor wafer testing method, and Figure 6 is a plan view showing an example of a method for mounting ring oscillator chips. It is. 1... Probe car V, 2... Probe,
3... Wiring, 4... Output terminal, 5...
...Power terminal, 6...Ground terminal, 7...
... Inverter circuit row, 8 ... Input pad,
9... Ground pad, 10... Power supply pad, 11... Output pad, 12... Functional circuit, 13... Semiconductor chip, 14...
...Semiconductor Unino. Agent: Patent Attorney Uchihara Otoki Z Old/Shio--- ---+77'
12 ---@Noh@”i?J>7-77-2---
In 8゛-ririJy, g, row /---G σ-bar 2
-W, Needle tube 3 Area Fig. 4 1 Ku-'7 shikuoshita Tigg do ρ--- Machine/valve toke, 7)゛

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  機能回路以外に、複数個のインバータ回路を縦続接続
したインバータ回路列を有する半導体チップを半導体ウ
ェハ上に配列し、プローブカードによって前記半導体チ
ップ内のインバータ回路列を複数個縦続接続して、リン
グオシレータを構成し、該リングオシレータの発振周波
数を測定することによって半導体ウェハの速度試験を行
なうことを特徴とする半導体ウェハ試験方法。
In addition to functional circuits, a semiconductor chip having an inverter circuit array in which a plurality of inverter circuits are cascaded is arranged on a semiconductor wafer, and a plurality of inverter circuit arrays in the semiconductor chip are cascaded using a probe card to create a ring oscillator. 1. A semiconductor wafer testing method comprising: a ring oscillator; and a speed test of a semiconductor wafer is performed by measuring the oscillation frequency of the ring oscillator.
JP63011103A 1988-01-20 1988-01-20 Testing of semiconductor wafer Pending JPH01185933A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63011103A JPH01185933A (en) 1988-01-20 1988-01-20 Testing of semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63011103A JPH01185933A (en) 1988-01-20 1988-01-20 Testing of semiconductor wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01185933A true JPH01185933A (en) 1989-07-25

Family

ID=11768677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63011103A Pending JPH01185933A (en) 1988-01-20 1988-01-20 Testing of semiconductor wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01185933A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04219947A (en) * 1990-12-20 1992-08-11 Nec Corp Semiconductor wafer device
US5744964A (en) * 1995-03-11 1998-04-28 Fujitsu Automation Limited Method and apparatus for electrical test of wiring patterns formed on a printed circuit board

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04219947A (en) * 1990-12-20 1992-08-11 Nec Corp Semiconductor wafer device
US5744964A (en) * 1995-03-11 1998-04-28 Fujitsu Automation Limited Method and apparatus for electrical test of wiring patterns formed on a printed circuit board

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7847568B2 (en) Multi-site probe
JPH04230045A (en) Semiconductor device
JPH01185933A (en) Testing of semiconductor wafer
JP3487989B2 (en) Semiconductor device
JPS6281724A (en) Semiconductor device
JPS6379337A (en) Semicounductor substrate
JPH063838B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH1082834A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS6331131A (en) Semiconductor wafer
KR0172397B1 (en) Load borders for multipackage testing
JPH0541429A (en) Semiconductor ic wafer and manufacture of semiconductor ic
JPH0864648A (en) Semiconductor wafer
JPS63260048A (en) Master slice semiconductor device
JPH0636580Y2 (en) Semiconductor integrated circuit
JPH02144931A (en) Semiconductor device
JP2005026544A (en) Semiconductor integrated circuit and probe card
JPS63104363A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS5936914Y2 (en) semiconductor integrated circuit
JPH05136243A (en) Aging test pattern-provided semiconductor wafer
JP2659487B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JPH0577177B2 (en)
JPH04186749A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS62194635A (en) Wafer scale integrated circuit
JPS6112043A (en) Master slice type gate array device
JPH04127449A (en) Semiconductor integrated device