JPH01187924A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH01187924A
JPH01187924A JP63012866A JP1286688A JPH01187924A JP H01187924 A JPH01187924 A JP H01187924A JP 63012866 A JP63012866 A JP 63012866A JP 1286688 A JP1286688 A JP 1286688A JP H01187924 A JPH01187924 A JP H01187924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
light
unit
state
photosensitive
Prior art date
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Pending
Application number
JP63012866A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsunori Takahashi
勝徳 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63012866A priority Critical patent/JPH01187924A/ja
Priority to US07/246,733 priority patent/US4982226A/en
Publication of JPH01187924A publication Critical patent/JPH01187924A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分里テ〕 この発明は、半導体製造時の写真製版工程におけル適正
露光量を得ることができる露光装置に関するものである
。
〔従来の技術〕
第３図は従来の露光装置の一例を示す概略構成図である
。
この図において、１１は光源で、通常は水銀ランプを使
用している。１２はレディクルマスクで、写真製版工程
における投影画像となる。１３は縮小レンズ系で、レテ
ィクルマスク１２の画像を縮小する。１４はレジストで
、縮小されたレディクルマスク１２の画像を焼付ける感
光体である。１５はシリコンウェハで、その表面にレジ
スト１４を塗布された半導体装置の基板である。１６は
ウェハステージで、シリコンウェハ１５を載置する。１
７はレジスト露光部で、光源１１から発せられた光がレ
ジスト１４を感光させて潜像を形成する部分である。１
８は光センサで、光路途中に配置され光源１の照度に関
する情報を検出する。
次に動作について説明する。図示した露光装置は、ステ
ップアンドリピータあるいはプロジェクションアライナ
等の方式によりレジスト１４を露光する。その際、光源
１１より発せられた紫外光の一部が光センサ１８に照射
される。光センサ１８は、経時変化によって劣化する光
源１１の照度を検出する。このとき検出された照度に対
応して、図示しないシャッタの開放時間が補正され、レ
ジスト露光部１７へ常に一定の露光量が照射されるよう
にしていた。
すなわち、光源１１の照度に相関するレジスト１４の感
光状態を経験上から割り出して推定することにより、露
光量が決定されていた。
〔発明が解決しようとする課題） ところが、実際に露光する場合、シリコンウェハ１５面
内でのレジスト１４の膜厚のバラツキやレジスト１４下
地の状態の違いなどによって１回１回の露光条件に差が
あるため、これらの要因によってレジスト露光部１７の
感光状態のバラツキが発生し、被露光体であるレジスト
露光部１７そのものに対する露光量の補正はなされてい
ない等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、レジスト露光部について直接的な露光量の
コントロールを行うことによってシリコンウェハ全面に
わたり安定した露光状態を実現できる露光装置を得るこ
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る露光装置は、レジスト露光部からの光ま
たは超音波の反射状態により前記レジスト露光部の感光
状態を示す情報を出力する感光情報出力部を設けたもの
である。
〔作用） この発明においては、感光情報出力部がレジスト露光部
からの光または超音波の反射状態によりレジスト露光部
の感光状態を示す情報を出力する。
（実施例） 第１図はこの発明の一実施例を示す露光装置の概略構成
図である。
この図において、第３図と同一符号は同一または相当部
分を示し、１は発光器、２は受光器で、この発明による
感光情報出力部となり、発光器１からレジスト露光部１
７へ向けて所定の波長を有する光を照射し、この光の反
射光を受光器２で受光して反射光の変化から感光状態を
示す情報を出力する。
第２図はこの発明の他の実施例を示す露光装置の概略構
成図である。
この図において、第１図と同一符号は同一または相当部
分を示し、３は光センサで、この発明による感光情報出
力部となり、光源１１からレジスト露光部１７に照射さ
れた光の反射光を受光して反射光の変化から感光状態を
示す情報を出力する。
次に動作について説明する。
レジスト露光部１７にレティクルマスク１２等を通して
紫外光が照射されると、光エネルギーを吸収による光化
学反応によって変質したレジストの変化はある特定の波
長をもった光に対し、その光化学反応の終了前後では反
射光の強度もしくは波長成分の変化となって現れる。そ
して、光化学反応終了時には安定した状態となる。この
一連の変化を第１図および第２図に示した受光器２また
は光センサ３により検出し、正確な露光終了時を判断す
る。この情報に基すいてシャッタの開放時間を決定し、
正確な露光量を得ることができる。
なお。上記実施例ではレジスト露光部１７の感光状態を
示す情報を検出するために光を用いたか、光のかわりに
超音波を使用しても良い。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明は、レジスト露光部からの
光の反射状態によりレジスト露光部の感光状態を示す情
報を出力する感光情報出力部を設けたので、適正露光量
をレジストそのものの変質を検知することにより決定す
ることができ、従来制御不能であった被露光体の感光状
態に即した形でより実際的な制御が可能となる効果があ
る。
また、この結果、露光におけるバラツキを減少させ、歩
留りを向上できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す露光装置の概略構成
図、第２図はこの発明の他の実施例を示す露光装置の概
略構成図、第３図は従来の露光装置′の一例を示す概略
構成図である。 図におい、て、１は発光器、２は受光器、３は光センサ
、１７はレジスト露光部である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　　（外２名）第１図 １′ｌ°　　レジスト露光召５

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　情報に基づいてレジスト露光部へ照射する露光量を制
    御する露光装置において、前記レジスト露光部からの光
    または超音波の反射状態により前記レジスト露光部の感
    光状態を示す情報を出力する感光情報出力部を具備した
    ことを特徴とする露光装置。
JP63012866A 1988-01-22 1988-01-22 露光装置 Pending JPH01187924A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63012866A JPH01187924A (ja) 1988-01-22 1988-01-22 露光装置
US07/246,733 US4982226A (en) 1988-01-22 1988-09-20 Exposure device

Applications Claiming Priority (1)

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JP63012866A JPH01187924A (ja) 1988-01-22 1988-01-22 露光装置

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JPH01187924A true JPH01187924A (ja) 1989-07-27

Family

ID=11817333

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JP63012866A Pending JPH01187924A (ja) 1988-01-22 1988-01-22 露光装置

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US (1) US4982226A (ja)
JP (1) JPH01187924A (ja)

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US4982226A (en) 1991-01-01

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