JPH0416424Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0416424Y2 JPH0416424Y2 JP1985127974U JP12797485U JPH0416424Y2 JP H0416424 Y2 JPH0416424 Y2 JP H0416424Y2 JP 1985127974 U JP1985127974 U JP 1985127974U JP 12797485 U JP12797485 U JP 12797485U JP H0416424 Y2 JPH0416424 Y2 JP H0416424Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- exposure
- light
- intensity
- reduction projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、ウエハにパターンを縮小して投影
し露光を行う縮小投影露光装置に関するものであ
る。
し露光を行う縮小投影露光装置に関するものであ
る。
従来のこの種の縮小投影露光装置の構成を第５
図〜第８図によつて説明する。第５図は従来の縮
小投影露光装置の原理説明図で、ウエハを露光す
るときの光の入射と反射を説明するための図であ
り、１６はポジ型フオトレジスト、１７は透明薄
膜、１８はシリコン基板である。また１９はウエ
ハに対する入射光であり、２０はウエハからの反
射光を示し、それぞれ方向と強度を示している。
第６図は単色光でウエハを露光するときの反射光
の強度を透明薄膜１７の膜厚に対して表わした図
である。
図〜第８図によつて説明する。第５図は従来の縮
小投影露光装置の原理説明図で、ウエハを露光す
るときの光の入射と反射を説明するための図であ
り、１６はポジ型フオトレジスト、１７は透明薄
膜、１８はシリコン基板である。また１９はウエ
ハに対する入射光であり、２０はウエハからの反
射光を示し、それぞれ方向と強度を示している。
第６図は単色光でウエハを露光するときの反射光
の強度を透明薄膜１７の膜厚に対して表わした図
である。
次にこの種の縮小投影露光装置の露光方式につ
いて説明する。第５図のウエハを露光するとき、
露光装置から入射光１９がウエハに入るが、その
うち反射光２０の分だけが反射される。この反射
光２０の強度は、透明薄膜１７の膜厚について周
期的に変化し、その周期は入射光１９の波長をλ
とし、透明薄膜１７の屈折率をｎとするとλ／
2nとなる。
いて説明する。第５図のウエハを露光するとき、
露光装置から入射光１９がウエハに入るが、その
うち反射光２０の分だけが反射される。この反射
光２０の強度は、透明薄膜１７の膜厚について周
期的に変化し、その周期は入射光１９の波長をλ
とし、透明薄膜１７の屈折率をｎとするとλ／
2nとなる。
ポジ型フオトレジスト１６に吸収されるエネル
ギーは反射光２０の強度が大きいほど少なくなる
ため、第６図に示すようにポジ型フオトレジスト
１６に吸収される光のエネルギーも透明薄膜１７
の膜厚に対して依存性をもつ。ポジ型フオトレジ
スト１６は第７図に示すように吸収する光エネル
ギーが大きいほどパターン幅が小さくなるという
特性をもつているので、結局は第８図に示すよう
に透明薄膜１７の膜厚に対してパターン幅が周期
λ／2nでΔL内で変動する。
ギーは反射光２０の強度が大きいほど少なくなる
ため、第６図に示すようにポジ型フオトレジスト
１６に吸収される光のエネルギーも透明薄膜１７
の膜厚に対して依存性をもつ。ポジ型フオトレジ
スト１６は第７図に示すように吸収する光エネル
ギーが大きいほどパターン幅が小さくなるという
特性をもつているので、結局は第８図に示すよう
に透明薄膜１７の膜厚に対してパターン幅が周期
λ／2nでΔL内で変動する。
従来のこの種の縮小投影露光装置による露光は
以上のような原理によつているので、透明薄膜１
７の膜厚変動によりポジ型フオトレジスト１６の
パターン幅が変化し、透明薄膜１７の膜厚のばら
つきが大きいときレジストパターン幅の制御が困
難になる。例えば透明薄膜１７をポリシリコン
（ｎ＝４）とし、波長をλ＝4356Åとすれば、周
期はλ／2n＝544.5Åとなる。ポリシリコンの膜
厚ばらつきを±300Åとすれば、これは１周期を
こえるためパターン幅は第８図のΔLとして約
0.4μｍの変動がでるという問題点があつた。
以上のような原理によつているので、透明薄膜１
７の膜厚変動によりポジ型フオトレジスト１６の
パターン幅が変化し、透明薄膜１７の膜厚のばら
つきが大きいときレジストパターン幅の制御が困
難になる。例えば透明薄膜１７をポリシリコン
（ｎ＝４）とし、波長をλ＝4356Åとすれば、周
期はλ／2n＝544.5Åとなる。ポリシリコンの膜
厚ばらつきを±300Åとすれば、これは１周期を
こえるためパターン幅は第８図のΔLとして約
0.4μｍの変動がでるという問題点があつた。
この考案は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、透明薄膜の膜厚が変動して
もレジストのパターン幅が変動しないような縮小
投影露光装置を得ることを目的とする。
めになされたもので、透明薄膜の膜厚が変動して
もレジストのパターン幅が変動しないような縮小
投影露光装置を得ることを目的とする。
この考案に係る縮小投影露光装置は、実際の露
光波長あるいはそれに近い波長の光を露光の前に
ウエハのあらかじめ定められた箇所に照射せしめ
る測定用光源と、反射光の強度を測定するための
検出器および測定した反射光の強度に応じて露光
時間を補正する補正手段とを備えたものである。
光波長あるいはそれに近い波長の光を露光の前に
ウエハのあらかじめ定められた箇所に照射せしめ
る測定用光源と、反射光の強度を測定するための
検出器および測定した反射光の強度に応じて露光
時間を補正する補正手段とを備えたものである。
この考案における縮小投影露光装置は、検出器
を用いて、ウエハを露光する前にウエハからの反
射光の強度を測定し、その強度に応じて露光の時
間を補正し、これにより、レジストのパターン幅
を一定に保つ。
を用いて、ウエハを露光する前にウエハからの反
射光の強度を測定し、その強度に応じて露光の時
間を補正し、これにより、レジストのパターン幅
を一定に保つ。
以下、この考案の一実施例を第１図により説明
する。
する。
第１図は反射強度の測定のしくみを示したもの
で、１は露光用光源、２はレテイクル、３は縮小
投影レンズ、４はウエハ、５はステージである。
また６は反射光強度の測定用光源で、単色光源が
用いられる。７はハーフミラー、８はビームスプ
リツタ、９は反射光の検出器、１０は露光時間を
補正する補正手段である。
で、１は露光用光源、２はレテイクル、３は縮小
投影レンズ、４はウエハ、５はステージである。
また６は反射光強度の測定用光源で、単色光源が
用いられる。７はハーフミラー、８はビームスプ
リツタ、９は反射光の検出器、１０は露光時間を
補正する補正手段である。
次に第２図は露光時間の補正手段１０の構成の
一例を示したもので、１１はＡ／Ｄ変換器、１２
は計算機、１３は露光時間補正用データ、１４は
入力、１５は露光時間制御回路である。
一例を示したもので、１１はＡ／Ｄ変換器、１２
は計算機、１３は露光時間補正用データ、１４は
入力、１５は露光時間制御回路である。
第３図は反射光強度の測定箇所の一例を示した
ものであり、４はウエハ、４′はチツプ、Ｐは測
定箇所である。
ものであり、４はウエハ、４′はチツプ、Ｐは測
定箇所である。
第４図は露光時間補正用データの一例を示した
もので、これにより必要な露光時間が決定され
る。
もので、これにより必要な露光時間が決定され
る。
次に動作について説明する。
第１図において、測定用光源６より出た光は、
ハーフミラー７、ビームスプリツタ８、縮小投影
レンズ３を通つてウエハ４の測定箇所Ｐに入射す
る。この測定箇所Ｐは、第３図に示すようにウエ
ハ４内に１箇所とするか、あるいは各チツプ４′
内に１箇所だけあらかじめ設けておく。第１図で
ウエハ４から反射された光は、再び縮小投影レン
ズ３、ビームスプリツタ８、ハーフミラー７を通
り、検出器９に入る。検出器９の出力は補正手段
１０に入る。
ハーフミラー７、ビームスプリツタ８、縮小投影
レンズ３を通つてウエハ４の測定箇所Ｐに入射す
る。この測定箇所Ｐは、第３図に示すようにウエ
ハ４内に１箇所とするか、あるいは各チツプ４′
内に１箇所だけあらかじめ設けておく。第１図で
ウエハ４から反射された光は、再び縮小投影レン
ズ３、ビームスプリツタ８、ハーフミラー７を通
り、検出器９に入る。検出器９の出力は補正手段
１０に入る。
補正手段１０の動作を第２図により説明する。
検出器９に入つた光の強度は電気信号に変換さ
れ、Ａ／Ｄ変換器１１を通つて計算機１２に入
る。計算機１２はあらかじめ記憶してある露光時
間補正用データ（例えば第４図）を使つて入力１
４から入力された露光時間を補正し、補正したデ
ータを露光時間制御回路１５におくり、これによ
り露光用光源１の発光時間、つまり露光時間が制
御される。
れ、Ａ／Ｄ変換器１１を通つて計算機１２に入
る。計算機１２はあらかじめ記憶してある露光時
間補正用データ（例えば第４図）を使つて入力１
４から入力された露光時間を補正し、補正したデ
ータを露光時間制御回路１５におくり、これによ
り露光用光源１の発光時間、つまり露光時間が制
御される。
この考案は以上説明したとおり、露光波長また
はそれに近い波長の光を露光の前にウエハのあら
かじめ定められた個所に照射せしめす測定用光源
を露光用光源とは別に具備し、ウエハごとに反射
光の強度を測定し、この強度に応じて露光時間を
補正するように構成したので、透明薄膜の膜厚が
変化してウエハの反射率がかわつても、それに応
じて露光時間を自動的に補正でき、透明薄膜の膜
厚変動があつても、一定のレジストパターン幅が
得られる効果がある。
はそれに近い波長の光を露光の前にウエハのあら
かじめ定められた個所に照射せしめす測定用光源
を露光用光源とは別に具備し、ウエハごとに反射
光の強度を測定し、この強度に応じて露光時間を
補正するように構成したので、透明薄膜の膜厚が
変化してウエハの反射率がかわつても、それに応
じて露光時間を自動的に補正でき、透明薄膜の膜
厚変動があつても、一定のレジストパターン幅が
得られる効果がある。
第１図はこの考案の一実施例を示す縮小投影露
光装置の構成略図、第２図は第１図中の補正手段
の補正の一例を示すブロツク図、第３図はウエハ
上の測定箇所の例を示す図、第４図は露光時間補
正用データの一例を示す図、第５図は従来の方式
におけるウエハが露光されるしくみを示す図、第
６図は基板上の透明薄膜の膜厚に対して反射光お
よびフオトレジストに吸収される光のエネルギー
が変化するようすを示す図、第７図はフオトレジ
ストが吸収する光エネルギーと現象後のレジスト
のパターン幅の関係を示した図、第８図は一定の
露光時間でウエハを露光した場合の透明薄膜の膜
厚と現象後のレジストのパターン幅の関係を示し
た図である。 図において、１は露光用光源、２はレテイク
ル、３は縮小投影レンズ、４はウエハ、５はステ
ージ、６は測定用光源、７はハーフミラー、８は
ビームスプリツタ、９は検出器、１０は補正手段
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分
を示す。
光装置の構成略図、第２図は第１図中の補正手段
の補正の一例を示すブロツク図、第３図はウエハ
上の測定箇所の例を示す図、第４図は露光時間補
正用データの一例を示す図、第５図は従来の方式
におけるウエハが露光されるしくみを示す図、第
６図は基板上の透明薄膜の膜厚に対して反射光お
よびフオトレジストに吸収される光のエネルギー
が変化するようすを示す図、第７図はフオトレジ
ストが吸収する光エネルギーと現象後のレジスト
のパターン幅の関係を示した図、第８図は一定の
露光時間でウエハを露光した場合の透明薄膜の膜
厚と現象後のレジストのパターン幅の関係を示し
た図である。 図において、１は露光用光源、２はレテイク
ル、３は縮小投影レンズ、４はウエハ、５はステ
ージ、６は測定用光源、７はハーフミラー、８は
ビームスプリツタ、９は検出器、１０は補正手段
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分
を示す。
Claims (1)
- ウエハごとにパターンを縮小して投影し露光を
行う縮小投影露光装置において、露光波長または
それに近い波長の光を前記露光の前に前記ウエハ
のあらかじめ定められた箇所に照射せしめる測定
用光源と、前記ウエハからの反射光の強度を測定
するために検出器と、測定した反射光の強度に応
じて露光時間を補正する補正手段とを備えたこと
を特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985127974U JPH0416424Y2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985127974U JPH0416424Y2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236532U JPS6236532U (ja) | 1987-03-04 |
| JPH0416424Y2 true JPH0416424Y2 (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=31023222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985127974U Expired JPH0416424Y2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0416424Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068066A (ja) * | 1973-10-17 | 1975-06-07 | ||
| JPS60177623A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP1985127974U patent/JPH0416424Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6236532U (ja) | 1987-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1998059364A1 (en) | Projection aligner, method of manufacturing the aligner, method of exposure using the aligner, and method of manufacturing circuit devices by using the aligner | |
| JPH05343288A (ja) | 露光装置 | |
| JP3359193B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP3139020B2 (ja) | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法 | |
| JPH0416424Y2 (ja) | ||
| EP0134453A2 (en) | Method for exposure dose calculation of photolithography projection printers | |
| JPS60177623A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0423816B2 (ja) | ||
| US6063530A (en) | Control of critical dimensions through measurement of absorbed radiation | |
| JP2796404B2 (ja) | 露光方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜生産制御方法及びその装置 | |
| US4982226A (en) | Exposure device | |
| JPS60188950A (ja) | 光量制御装置の校正方法 | |
| JPS62132318A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0225851A (ja) | 露光方法 | |
| JP3265574B2 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイスの製造方法 | |
| JPS6076728A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH0435018A (ja) | フォトレジスト塗布手段 | |
| JPH07111235A (ja) | 露光方法および装置 | |
| JPH03156347A (ja) | 透過率測定方法 | |
| JPH0225852A (ja) | 露光装置 | |
| JP3331686B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP2689264B2 (ja) | 回折格子縞露光装置におけるレーザー光の方向調整方法およびその装置 | |
| JPH05315217A (ja) | 半導体フォトプロセス用露光装置 | |
| JPS6012732A (ja) | 露光装置 | |
| JPH022103A (ja) | 露光装置 |