JPH01187988A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
この発明は、可視光半導体レーザおよびその製造方法に
関するものである。
関するものである。
第４図は従来の可視光半導体レーザとしてのＳＢ Ａ
（５ｅｌｆ ａｌｉｇｎｅｄ １ａｓｅｒ ｗｉｔｈ
Ｂｅｎｔ Ａｃｔｉｖｅｌａｙｅｒ）レーザを示す斜視
図である。
（５ｅｌｆ ａｌｉｇｎｅｄ １ａｓｅｒ ｗｉｔｈ
Ｂｅｎｔ Ａｃｔｉｖｅｌａｙｅｒ）レーザを示す斜視
図である。
この図において、１はｐ形ＧａＡｓからなる基板、２ａ
はｐ形ＡｕＧａＡｓからなる第１クラッド層、３ａはｎ
形ＧａＡｓからなる電流ブロック層で、断面が逆台形の
ストライプ状溝１０が設けられており、その底部で第１
クラッド層２ａを露出させている。４はｐ形ＡｆｌＧａ
Ｉ ｎＰからなる第２クラッド層、５はアンドープＧ
ａ１ｎＰからなる活性層、６はｎ形ＡＪ２Ｇａ Ｉ ｎ
Ｐからなる第３クラット層、７はｎ形ＧａＡｓからなる
コンタクト層、８はｎ側電極、９はｐ ｆｆ１ｉＪ ’
に極、１１は活性領域である。
はｐ形ＡｕＧａＡｓからなる第１クラッド層、３ａはｎ
形ＧａＡｓからなる電流ブロック層で、断面が逆台形の
ストライプ状溝１０が設けられており、その底部で第１
クラッド層２ａを露出させている。４はｐ形ＡｆｌＧａ
Ｉ ｎＰからなる第２クラッド層、５はアンドープＧ
ａ１ｎＰからなる活性層、６はｎ形ＡＪ２Ｇａ Ｉ ｎ
Ｐからなる第３クラット層、７はｎ形ＧａＡｓからなる
コンタクト層、８はｎ側電極、９はｐ ｆｆ１ｉＪ ’
に極、１１は活性領域である。
次に動作について説明する。
上記半導体レーザにおいて、ｎ側電極９に正（＋）、ｎ
側電極８に負（−）の電圧を印加すると、電流は基板１
．第１クラッド層２ａから電流ブロック層３ａのストラ
イプ状溝１０を通って第２クラッド層４．活性層５．第
３クラッド層６およびコンタクト層７へと流れる。ｐｎ
接合は活性層５内に形成されており、ここに第２クラッ
ド層４からホールが、第３クラッド層６からは電子がそ
れぞれ注入される。したがって、電流を発振しきい値以
上に充分増加させることで、活性層５のストライプ状溝
１０の上方に位蓋する部分を活性領域１１としてレーザ
発振が生じる。
側電極８に負（−）の電圧を印加すると、電流は基板１
．第１クラッド層２ａから電流ブロック層３ａのストラ
イプ状溝１０を通って第２クラッド層４．活性層５．第
３クラッド層６およびコンタクト層７へと流れる。ｐｎ
接合は活性層５内に形成されており、ここに第２クラッ
ド層４からホールが、第３クラッド層６からは電子がそ
れぞれ注入される。したがって、電流を発振しきい値以
上に充分増加させることで、活性層５のストライプ状溝
１０の上方に位蓋する部分を活性領域１１としてレーザ
発振が生じる。
〔発明が解決しようとする課題）
上記のような従来の半導体レーザでは、第２クラッド層
４を形成するＡλＧａＩｎＰか電流ブロック層３ａを形
成するＧａＡｓおよびストライプ状溝１０の底部に露出
した第１クラッド層２ａを形成するＡｕＧａＡｓと接す
ることになる。
４を形成するＡλＧａＩｎＰか電流ブロック層３ａを形
成するＧａＡｓおよびストライプ状溝１０の底部に露出
した第１クラッド層２ａを形成するＡｕＧａＡｓと接す
ることになる。
このため、第２クラッド層４と電流ブロック層３ａ、第
１クラッド層２ａとの接点においては、ＡＪ２Ｇａ Ｉ
ｎＰとＧａＡｓ、Ａｆｌ、ＧａＡｓの熱膨張係数の差
に起因した歪が発生するが、この歪は活性領域１１の近
傍に欠陥が生成される誘因になる慣れがあり、素子の信
頼性の点で無視できない。
１クラッド層２ａとの接点においては、ＡＪ２Ｇａ Ｉ
ｎＰとＧａＡｓ、Ａｆｌ、ＧａＡｓの熱膨張係数の差
に起因した歪が発生するが、この歪は活性領域１１の近
傍に欠陥が生成される誘因になる慣れがあり、素子の信
頼性の点で無視できない。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、活性領域近傍の成長界面での結晶材料の熱膨張係数
の差に起因した歪が発生しない半導体レーザおよびその
製造方法を得ることを目的とする。
で、活性領域近傍の成長界面での結晶材料の熱膨張係数
の差に起因した歪が発生しない半導体レーザおよびその
製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、第１導電型の化合物半
導体基板上に形成された第１導電型の（Ａ ｉ ｙ Ｇ
ａ ＋−ｙ）ｘ Ｉ ｎ ＋ −ｘ Ｐからなる第１
クラッド層と、この第１クラッド層上に形成され、断面
か逆台形状のストライプ状溝を有する第２導電型の （
Ａ Ｊ２２Ｇ ａ １−ｚ）ｘ Ｉ ｎ Ｉ−ｘ Ｐ
からなる電流ブロック層と、この電流ブロック層上およ
びストライプ状溝上に第１導電型の（Ａ ｊ２ 、：Ｌ
Ｇ ａ ＋−ｃ ）ｘＩｎ、−ウＰからなる第２クラッ
ド層、（ＡｊＺβＧａ＋−Ｂ ） ｘ Ｉ ｎ １−
Ｘ Ｐからなる活性層および第２導；型の（ＡＪＩ ｒ
Ｇａ＋−ｒ） ｘ Ｉ ｎ、−ｘＰからなる第３クラ
ッド層とから構成したものである。
導体基板上に形成された第１導電型の（Ａ ｉ ｙ Ｇ
ａ ＋−ｙ）ｘ Ｉ ｎ ＋ −ｘ Ｐからなる第１
クラッド層と、この第１クラッド層上に形成され、断面
か逆台形状のストライプ状溝を有する第２導電型の （
Ａ Ｊ２２Ｇ ａ １−ｚ）ｘ Ｉ ｎ Ｉ−ｘ Ｐ
からなる電流ブロック層と、この電流ブロック層上およ
びストライプ状溝上に第１導電型の（Ａ ｊ２ 、：Ｌ
Ｇ ａ ＋−ｃ ）ｘＩｎ、−ウＰからなる第２クラッ
ド層、（ＡｊＺβＧａ＋−Ｂ ） ｘ Ｉ ｎ １−
Ｘ Ｐからなる活性層および第２導；型の（ＡＪＩ ｒ
Ｇａ＋−ｒ） ｘ Ｉ ｎ、−ｘＰからなる第３クラ
ッド層とから構成したものである。
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法は、第１
導電型の化合物半導体基板上に第１導電型の（Ａｆｌｙ
Ｇａ＋−ｙ）ｘ Ｉ ｎｌ −ｘ Ｐからなる第１ク
ラッド層、ＧａＡｓからなるストッパ層および第２導電
型の （Ａ ｆｌ ｚ Ｇ ａ １−ｚ）ｘ Ｉ ｎ
Ｉ−ｘ Ｐからなる電流ブロック層を順次形成する工程
と、この電流ブロック層に、被エツチング材がＧａＡｓ
の場合のエツチング速度が無視できるエツチング液によ
り断面か逆台形状のストライプ状溝を形成する工程と、
このストライプ状溝の底面に露出したストッパ層を、被
エツチング材が （Ａｊ２ｙＧａ１−ｙ）、 Ｉｎ、−
ｘＰの場合のエツチング速度が無視できるエツチング液
により除去する工程と、電流ブロック層上およびストラ
イプ状溝上に第１導電型の（Ａ ｆＬ（１−Ｇ ａ ＋
−ｃ ）ｘＩ ｎ Ｉ−ｘ Ｐからなる第２クラツト層
、 （ＡｌβＧａｒ−ｓ ）ｘ Ｉ ｎｌ−。
導電型の化合物半導体基板上に第１導電型の（Ａｆｌｙ
Ｇａ＋−ｙ）ｘ Ｉ ｎｌ −ｘ Ｐからなる第１ク
ラッド層、ＧａＡｓからなるストッパ層および第２導電
型の （Ａ ｆｌ ｚ Ｇ ａ １−ｚ）ｘ Ｉ ｎ
Ｉ−ｘ Ｐからなる電流ブロック層を順次形成する工程
と、この電流ブロック層に、被エツチング材がＧａＡｓ
の場合のエツチング速度が無視できるエツチング液によ
り断面か逆台形状のストライプ状溝を形成する工程と、
このストライプ状溝の底面に露出したストッパ層を、被
エツチング材が （Ａｊ２ｙＧａ１−ｙ）、 Ｉｎ、−
ｘＰの場合のエツチング速度が無視できるエツチング液
により除去する工程と、電流ブロック層上およびストラ
イプ状溝上に第１導電型の（Ａ ｆＬ（１−Ｇ ａ ＋
−ｃ ）ｘＩ ｎ Ｉ−ｘ Ｐからなる第２クラツト層
、 （ＡｌβＧａｒ−ｓ ）ｘ Ｉ ｎｌ−。
Ｐからなる活性層および第２導電型の（Ａ４γＧａ＋−
ｒ） ｘ Ｉ ｎｌ−Ｘ Ｐからなる第３クラット層を
順次形成する工程とを含むものである。
ｒ） ｘ Ｉ ｎｌ−Ｘ Ｐからなる第３クラット層を
順次形成する工程とを含むものである。
（作用〕
この発明の半導体レーザにおいては、第１クラッド層、
電流ブロック層および第２クラッド層の何れもＡｎＧａ
Ｉ ｎＰ系結晶で構成され、活性領域近傍で、結晶材
料の熱膨張係数の違いに起因した歪が発生して、活性領
域近傍における結晶欠陥の生成の誘因となることを防ぐ
ことができる。
電流ブロック層および第２クラッド層の何れもＡｎＧａ
Ｉ ｎＰ系結晶で構成され、活性領域近傍で、結晶材
料の熱膨張係数の違いに起因した歪が発生して、活性領
域近傍における結晶欠陥の生成の誘因となることを防ぐ
ことができる。
また、この発明の半導体レーザの製造方法においては、
電流ブロック層にストライプ状溝を形成する際に電流ブ
ロック層のみが選択的に除去され、ストッパ層の上面で
エツチングが自動的に止まり、ざらに、ストライプ状溝
内のストッパ層を除去する際にもストッパ層のみが選択
的に除去され、第１クラッド層の上面でエツチングが自
動的に止まる。
電流ブロック層にストライプ状溝を形成する際に電流ブ
ロック層のみが選択的に除去され、ストッパ層の上面で
エツチングが自動的に止まり、ざらに、ストライプ状溝
内のストッパ層を除去する際にもストッパ層のみが選択
的に除去され、第１クラッド層の上面でエツチングが自
動的に止まる。
Ｃ実施例）
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例を示す斜視
図である。
図である。
この図において、第４図と同一符号は同一のものを示し
、２はｐ形ＡｎＧａｌｎＰからなる第１クラッド層、３
はｎ形ＧａＩｎＰからなる電流ブロック層である。
、２はｐ形ＡｎＧａｌｎＰからなる第１クラッド層、３
はｎ形ＧａＩｎＰからなる電流ブロック層である。
また、第２図はこの発明の半導体レーザの他の実施例を
示す斜視図である。この図において、第１図と同一符号
は同一のものを示し、１２はｐ形またはｎ形ＧａＡｓか
らなるストッパ層である。
示す斜視図である。この図において、第１図と同一符号
は同一のものを示し、１２はｐ形またはｎ形ＧａＡｓか
らなるストッパ層である。
次に第２図に示したこの発明の半導体レーザの製造方法
を第３図（ａ）〜（ｅ）について説明する。
を第３図（ａ）〜（ｅ）について説明する。
まず、第３図（ａ）に示すように、基板１に第１クラッ
ド層２．ストッパ層１２．電流ブロック層３を順次ＭＯ
ＣＶＤ法またはＭＢＥ法等により結晶成長させる。
ド層２．ストッパ層１２．電流ブロック層３を順次ＭＯ
ＣＶＤ法またはＭＢＥ法等により結晶成長させる。
次に、写真製版技術とエツチング技術とを用いて、第３
図（ｂ）に示すように電流ブロック層３をストッパ層１
２までストライプ状にエツチングすることによって、逆
台形のストライプ状溝１０を形成する。このストライプ
状溝１０の形成方法としては、フォトレジストをマスク
として、イ列えば塩酸あるいは希塩酸を用いて電流ブロ
ック層３をストッパ層１２に到達するまでエツチングす
ることにより形成できる。ここで、塩酸あるいは希塩酸
のＧａＡｓに対するエツチング速度は零である。従って
この実施例の構成によれば電流ブロック層３のみが選択
的にエツチングされ、ストッパ層１２の表面でエツチン
グは止まるので、溝形状、特にストライプ状溝１ｏの深
さを再現性よく制御することができる。
図（ｂ）に示すように電流ブロック層３をストッパ層１
２までストライプ状にエツチングすることによって、逆
台形のストライプ状溝１０を形成する。このストライプ
状溝１０の形成方法としては、フォトレジストをマスク
として、イ列えば塩酸あるいは希塩酸を用いて電流ブロ
ック層３をストッパ層１２に到達するまでエツチングす
ることにより形成できる。ここで、塩酸あるいは希塩酸
のＧａＡｓに対するエツチング速度は零である。従って
この実施例の構成によれば電流ブロック層３のみが選択
的にエツチングされ、ストッパ層１２の表面でエツチン
グは止まるので、溝形状、特にストライプ状溝１ｏの深
さを再現性よく制御することができる。
このストライプ状溝１０の形成後、第３図（Ｃ）に示す
ように、ストライプ状溝１０の底部に露出したストッパ
層１２をエツチングにより除去する。ここで、ストッパ
層１２に対するエツチング液としては、例えば硫酸・過
酸化水素・水の混合液等の硫酸系エツチング液を用いれ
ばよく、硫酸・過酸化水素・水の混合液等の硫酸系エツ
チング液のＡｆｌＧａ Ｉ ｎＰに対するエツチング速
度はほぼτであるから、今度はストッパ層１２のみが選
択的にエツチング除去され、第１クラッド層２の表面で
エツチングが止まる。
ように、ストライプ状溝１０の底部に露出したストッパ
層１２をエツチングにより除去する。ここで、ストッパ
層１２に対するエツチング液としては、例えば硫酸・過
酸化水素・水の混合液等の硫酸系エツチング液を用いれ
ばよく、硫酸・過酸化水素・水の混合液等の硫酸系エツ
チング液のＡｆｌＧａ Ｉ ｎＰに対するエツチング速
度はほぼτであるから、今度はストッパ層１２のみが選
択的にエツチング除去され、第１クラッド層２の表面で
エツチングが止まる。
次に、第３図（ｄ）に示すように、順次ＭＯＣＶＤ法に
より、第２クラッド層４．活性層５．第３クラッド層６
．コンタクト層７を成長させる。
より、第２クラッド層４．活性層５．第３クラッド層６
．コンタクト層７を成長させる。
そして、最後に、第３図（ｅ）に示すように、ｎ ｆｆ
ｔｌｌ電極８．ｐ側電極９を形成すれば第２図に示すよ
うな半導体レーザが完成する。
ｔｌｌ電極８．ｐ側電極９を形成すれば第２図に示すよ
うな半導体レーザが完成する。
以上のように、この発明の半導体レーザにおいては、ス
トライプ状溝１０の底部に露出した第１クラッド層２は
ＡＪ２Ｇａ Ｉ ｎＰ、電流ブロック層３はＧａＩｎＰ
で何れもＡｎＧａ Ｉ ｎＰ系結晶材料で構成されてお
り、また、その上に接して成長する第２クラッド層４も
ＡｎＧａ Ｉ ｎＰである。
トライプ状溝１０の底部に露出した第１クラッド層２は
ＡＪ２Ｇａ Ｉ ｎＰ、電流ブロック層３はＧａＩｎＰ
で何れもＡｎＧａ Ｉ ｎＰ系結晶材料で構成されてお
り、また、その上に接して成長する第２クラッド層４も
ＡｎＧａ Ｉ ｎＰである。
従って第４図に示したように、第１クラッド層２ａがＡ
ｕＧａＡｓ、電流ブロック層３ａがＧａＡＳと何れもＡ
ｕＧａＡｓ系結晶材料で構成されており、一方、その上
に成長する第２クラッド層４がＡｌＧａ Ｉ ｎ Ｐで
構成されていた従来の半導体レーザで問題になっていた
ような、ＡｌｌＧａ ｒ ｎＰとＡｕＧａＡｓ、ＧａＡ
ｓの熱膨張係数の差に起因した歪が発生せず、活性領域
１１の近傍に結晶欠陥が生成されるという問題は生じな
い。
ｕＧａＡｓ、電流ブロック層３ａがＧａＡＳと何れもＡ
ｕＧａＡｓ系結晶材料で構成されており、一方、その上
に成長する第２クラッド層４がＡｌＧａ Ｉ ｎ Ｐで
構成されていた従来の半導体レーザで問題になっていた
ような、ＡｌｌＧａ ｒ ｎＰとＡｕＧａＡｓ、ＧａＡ
ｓの熱膨張係数の差に起因した歪が発生せず、活性領域
１１の近傍に結晶欠陥が生成されるという問題は生じな
い。
この発明の半導体レーザの動作も従来のものと同任であ
り、ｐ側電極９に正（＋）、ｎ側電極８に負（−）の電
圧を印加すると、電流は基板１゜第１クラッド層２から
電流ブロック層３のストライプ状溝１０を通って第２ク
ラッド層４．活性層５、第３クラッド層６．およびコン
タクト層７へ流れる。そして、第２クラッド層４からは
ホールか、第３クラッド層６からは；子がそれぞれ活性
層５に注入され、電子とホールの再結合による発光か生
じる。従って、電流レベルを充分に増加させることによ
り、誘導放出が始まり、活性領域１１においてレーザ発
光が生じる。
り、ｐ側電極９に正（＋）、ｎ側電極８に負（−）の電
圧を印加すると、電流は基板１゜第１クラッド層２から
電流ブロック層３のストライプ状溝１０を通って第２ク
ラッド層４．活性層５、第３クラッド層６．およびコン
タクト層７へ流れる。そして、第２クラッド層４からは
ホールか、第３クラッド層６からは；子がそれぞれ活性
層５に注入され、電子とホールの再結合による発光か生
じる。従って、電流レベルを充分に増加させることによ
り、誘導放出が始まり、活性領域１１においてレーザ発
光が生じる。
なお、上記実２ｉ八例では、活性層５および電流ブロッ
ク３をＧａＩｎＰで形成したが、活性層５はＧａＩｎＰ
の代わりにＡΩＧａＩｎＰで構成してもよい。また、第
１クラッド層２．第２クラッド層４．第３クラッド層６
は何れもＡｎＧａ Ｉ ｎＰで形成したか、これらの層
は、ＡλＧａ Ｉ ｎＰの代わりにＡＪ２ＩｎＰで形成
してもよく、要は（ＡｆｌＧａ）ＩｎＰ系のものを用い
ればよい。
ク３をＧａＩｎＰで形成したが、活性層５はＧａＩｎＰ
の代わりにＡΩＧａＩｎＰで構成してもよい。また、第
１クラッド層２．第２クラッド層４．第３クラッド層６
は何れもＡｎＧａ Ｉ ｎＰで形成したか、これらの層
は、ＡλＧａ Ｉ ｎＰの代わりにＡＪ２ＩｎＰで形成
してもよく、要は（ＡｆｌＧａ）ＩｎＰ系のものを用い
ればよい。
（発明の効果）
この発明の半導体レーザは以上説明したとおり、第１導
電型の化合物半導体基板上に形成された第１導電型の（
Ａ ｆｌ、ｙ Ｇ ａ ＋−ｙ）。Ｉｎ、−ｘＰからな
る第１クラッド層と、この第１クラッド層上に形成され
、断面が逆台形状のストライプ状溝を有する第２４−型
の （Ａ ｊ２ ｚ Ｇ ａ １−ｚ）ｘ Ｉ ｎ
１−Ｐからなる電流ブロック層と、この電流ブロック層
上およびストライプ状溝上に第１導電型の（Ａ Ｉｌ
ｃＬＧ ａ ＋−ｃＬ）ｘ Ｉ ｎ ＋ −ｘ Ｐから
なる第２クラッド層、 （Ａ、Ｑｓ Ｇａ＋−ｓ ）
ｘ Ｉ ｎｌ−ｘ Ｐからなる活性層および第２４電
型の（Ａ Ｊ２ ｒ Ｇ ａ ｒ −ｒ ） ｘＩｎ、
−ｘＰからなる第３クラッド層とから構成したので、各
層を構成する結晶材料の熱膨張係数の違いに起因した歪
が発生し、さらには、この歪が誘因となって活性領域近
傍に結晶欠陥が生成される惧れがなく、信顆性の高い半
導体レーザが得られるという効果がある。
電型の化合物半導体基板上に形成された第１導電型の（
Ａ ｆｌ、ｙ Ｇ ａ ＋−ｙ）。Ｉｎ、−ｘＰからな
る第１クラッド層と、この第１クラッド層上に形成され
、断面が逆台形状のストライプ状溝を有する第２４−型
の （Ａ ｊ２ ｚ Ｇ ａ １−ｚ）ｘ Ｉ ｎ
１−Ｐからなる電流ブロック層と、この電流ブロック層
上およびストライプ状溝上に第１導電型の（Ａ Ｉｌ
ｃＬＧ ａ ＋−ｃＬ）ｘ Ｉ ｎ ＋ −ｘ Ｐから
なる第２クラッド層、 （Ａ、Ｑｓ Ｇａ＋−ｓ ）
ｘ Ｉ ｎｌ−ｘ Ｐからなる活性層および第２４電
型の（Ａ Ｊ２ ｒ Ｇ ａ ｒ −ｒ ） ｘＩｎ、
−ｘＰからなる第３クラッド層とから構成したので、各
層を構成する結晶材料の熱膨張係数の違いに起因した歪
が発生し、さらには、この歪が誘因となって活性領域近
傍に結晶欠陥が生成される惧れがなく、信顆性の高い半
導体レーザが得られるという効果がある。
また、この発明の半導体レーザの製造方法は以上説明し
たとおり、第１導電型の化合物半導体基板上に第１導電
型の（Ａ Ｊ２ ｙ Ｇ ａ ＋−ｙ）ｘ Ｉ ｎ ＋
−ｘＰからなる第１クラッド層、ＧａＡｓからなるスト
ッパ層および第２導電型の （Ａｌ２ Ｇ ａ Ｉ−ｚ
） ｘＩｎ、−ｘＰからなる電流ブロック層を順次形成
する工程と、この電流ブロック層に、被エツチング材か
ＧａＡｓの場合のエツチング速度か無視できるエツチン
グ液により断面が逆台形状のストライプ状溝を形成する
工程と、このストライプ状溝の底面に露出したストッパ
層を、被エツチング材が（Ａ ＩＩ ｙ Ｇ ａ 、−
ｙ）ｘ Ｉ ｎ 、−ｘ Ｐの場合のエツチング速度が
無視できるエツチング液により除去する工程と、電流ブ
ロック層上およびストライプ状溝上に第１導電型の（Ａ
ｆｌａ Ｇ ａ １−ＣＬ）ｘＩ ｎ Ｉ−Ｘ Ｐか
らなる第２クラッド層、＜Ａｆｌｓ Ｇａ、−Ｂ ）ｘ
Ｉｎ＋−ｘ Ｐからなる活性層および第２導電型の（Ａ
１．ｒ Ｇａ＋−ｒ）ｘ Ｉ ｎｌ−ｘ Ｐからなる第
３クラッド層を順次形成する工程とを含むので、上記発
明の半導体レーザを再現性良く得ることができるという
効果がある。
たとおり、第１導電型の化合物半導体基板上に第１導電
型の（Ａ Ｊ２ ｙ Ｇ ａ ＋−ｙ）ｘ Ｉ ｎ ＋
−ｘＰからなる第１クラッド層、ＧａＡｓからなるスト
ッパ層および第２導電型の （Ａｌ２ Ｇ ａ Ｉ−ｚ
） ｘＩｎ、−ｘＰからなる電流ブロック層を順次形成
する工程と、この電流ブロック層に、被エツチング材か
ＧａＡｓの場合のエツチング速度か無視できるエツチン
グ液により断面が逆台形状のストライプ状溝を形成する
工程と、このストライプ状溝の底面に露出したストッパ
層を、被エツチング材が（Ａ ＩＩ ｙ Ｇ ａ 、−
ｙ）ｘ Ｉ ｎ 、−ｘ Ｐの場合のエツチング速度が
無視できるエツチング液により除去する工程と、電流ブ
ロック層上およびストライプ状溝上に第１導電型の（Ａ
ｆｌａ Ｇ ａ １−ＣＬ）ｘＩ ｎ Ｉ−Ｘ Ｐか
らなる第２クラッド層、＜Ａｆｌｓ Ｇａ、−Ｂ ）ｘ
Ｉｎ＋−ｘ Ｐからなる活性層および第２導電型の（Ａ
１．ｒ Ｇａ＋−ｒ）ｘ Ｉ ｎｌ−ｘ Ｐからなる第
３クラッド層を順次形成する工程とを含むので、上記発
明の半導体レーザを再現性良く得ることができるという
効果がある。
第１図は、この発明の半導体レーザの一実施例を示す斜
視図、第２図は、この発明の半導体レーザの他の実施例
を示す斜視図、第３図は、この発明の半導体レーザの製
造方法の一実施例を示す断面図、第４図は従来の半導体
レーザを示す斜視図である。 図において、１はｐ形ＧａＡｓからなる基板、２はｐ形
ＡｕＧａ Ｉ ｎＰからなる第１クラッド層、３はｎ形
ＧａＩｎＰからなる電流ブロック層、４はｐ形Ａｆ１．
ＧａＴｎＰからなる第２クラッド層、５はアンドープＧ
ａＩｎＰからなる活性層、６はｎ形ＡｌＧａ Ｉ ｎＰ
からなる第３クラッド層、１０はストライプ状溝、１１
は活性領域、１２はストッパ層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 １２：ストｌへ〇眉 第３図 第４図 手 続 補 正 書 （自発）
視図、第２図は、この発明の半導体レーザの他の実施例
を示す斜視図、第３図は、この発明の半導体レーザの製
造方法の一実施例を示す断面図、第４図は従来の半導体
レーザを示す斜視図である。 図において、１はｐ形ＧａＡｓからなる基板、２はｐ形
ＡｕＧａ Ｉ ｎＰからなる第１クラッド層、３はｎ形
ＧａＩｎＰからなる電流ブロック層、４はｐ形Ａｆ１．
ＧａＴｎＰからなる第２クラッド層、５はアンドープＧ
ａＩｎＰからなる活性層、６はｎ形ＡｌＧａ Ｉ ｎＰ
からなる第３クラッド層、１０はストライプ状溝、１１
は活性領域、１２はストッパ層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 １２：ストｌへ〇眉 第３図 第４図 手 続 補 正 書 （自発）
Claims (2)
- （１）第１導電型の化合物半導体基板上に形成された第
１導電型の（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）＿ｘＩｎ＿１
＿−＿ｘＰからなる第１クラッド層と、この第１クラッ
ド層上に形成され断面が逆台形状のストライプ状溝を有
する第２導電型の（Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚ）＿ｘＩ
ｎ＿１＿−＿ｘＰからなる電流ブロック層と、この電流
ブロック層上および前記ストライプ状溝上に第１導電型
の（Ａｌ＿αＧａ＿１＿−＿α）＿ｘＩｎ＿１＿−＿ｘ
Ｐからなる第２クラッド層、（Ａｌ＿βＧａ＿１＿−＿
β）＿ｘＩｎ＿１＿−＿ｘＰからなる活性層および第２
導電型の（Ａｌ＿γＧａ＿１＿−＿γ）＿ｘＩｎ＿１＿
−＿ｘＰからなる第３クラッド層とから構成したことを
特徴とする半導体レーザ。 - （２）第１導電型の化合物半導体基板上に第１導電型の
（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）＿ｘＩｎ＿１＿−＿ｘＰ
からなる第１クラッド層、ＧａＡｓからなるストッパ層
および第２導電型の（Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚ）＿ｘ
Ｉｎ＿１＿−＿ｘＰからなる電流ブロック層を順次形成
する工程と、この電流ブロック層に被エッチング材がＧ
ａＡｓの場合のエッチング速度が無視できるエッチング
液により断面が逆台形状のストライプ状溝を形成する工
程と、このストライプ状溝の底面に露出した前記ストッ
パ層を被エッチング材が（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）
＿ｘＩｎ＿１＿−＿ｘＰの場合のエッチング速度が無視
できるエッチング液により除去する工程と、前記電流ブ
ロック層上およびストライプ状溝上に第１導電型の（Ａ
ｌ＿αＧａ＿１＿−α）＿ｘＩｎ＿１＿−＿ｘＰからな
る第２クラッド層、（Ａｌ＿βＧａ＿１＿−＿β）＿ｘ
Ｉｎ＿１＿−＿ｘＰからなる活性層および第２導電型の
（Ａｌ＿γＧａ＿１＿−＿γ）＿ｘＩｎ＿１＿−＿ｘＰ
からなる第３クラッド層を順次形成する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285888A JPH01187988A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285888A JPH01187988A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187988A true JPH01187988A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11817104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1285888A Pending JPH01187988A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01187988A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5933443A (en) * | 1995-09-08 | 1999-08-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP1285888A patent/JPH01187988A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5933443A (en) * | 1995-09-08 | 1999-08-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser |
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