JPS5843590A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS5843590A JPS5843590A JP14132881A JP14132881A JPS5843590A JP S5843590 A JPS5843590 A JP S5843590A JP 14132881 A JP14132881 A JP 14132881A JP 14132881 A JP14132881 A JP 14132881A JP S5843590 A JPS5843590 A JP S5843590A
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- JP
- Japan
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- layer
- type
- substrate
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 230000006735 deficit Effects 0.000 abstract 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単−横モード発振が可能なストライプ型二重ヘ
テ・構造の半導体し−ザに−する硫ので□ １
１ □ １ある。
テ・構造の半導体し−ザに−する硫ので□ １
１ □ １ある。
活性層をそれよシも禁制帯郷が大きく且つ屈折率が小さ
いキャリア及び光の閉込め層で３挾んだ二。
いキャリア及び光の閉込め層で３挾んだ二。
重へテロ構造の半導体レーザは、活性層平面に垂直な方
向に関しては、閉込め層の効果により良好な光及び電流
の閉込めを行うことができる。゛しかし活性層平面に水
平な、方向、即ち横方向１に関しては、屈折率ガイドに
よる導波機竺が形成されておらず、わずかに注入電流分
布に依存した屈ｊ折率の変動によってモードが立ってい
るだけであり、安定なモードはえら、れなり。また、電
流−光出力特性をみるといわゆるキン、りが生じること
が多い。
向に関しては、閉込め層の効果により良好な光及び電流
の閉込めを行うことができる。゛しかし活性層平面に水
平な、方向、即ち横方向１に関しては、屈折率ガイドに
よる導波機竺が形成されておらず、わずかに注入電流分
布に依存した屈ｊ折率の変動によってモードが立ってい
るだけであり、安定なモードはえら、れなり。また、電
流−光出力特性をみるといわゆるキン、りが生じること
が多い。
そこで、横モードを単一化するために、活性層あるいは
そα近くに導波路を埋込んだストライプ状の半導体レー
ザが従来より各種提案されている。
そα近くに導波路を埋込んだストライプ状の半導体レー
ザが従来より各種提案されている。
例えばこの種の従来型の半導体し−ザよりもさらに電流
−先出：力１特性゛の直麺性とモードの安定化°を目的
として活性層内の電−分布を均一化を行つ庭内部電流狭
窄゛型め半導体゛レーザが特願昭５６二４１２７０とし
て本発明者は出願し粋・る。 、 □この半導体
レーザの構造を第１図に示す。 。
−先出：力１特性゛の直麺性とモードの安定化°を目的
として活性層内の電−分布を均一化を行つ庭内部電流狭
窄゛型め半導体゛レーザが特願昭５６二４１２７０とし
て本発明者は出願し粋・る。 、 □この半導体
レーザの構造を第１図に示す。 。
ＭＷと垂直な方向にストライプ状に伸９た溝部８がｎ−
ＧａＡｐ基板ｌ基板ｌ面に形成−され、その、各側面の
端部でストライプ状の欠損部９が生じるようにｐ’−Ｇ
ａｐ−ｘＡｒＡｓ電流阻止層１がｎ−ＧａＡｓ基板ｌＯ
の全面に形成され、その上面にｎ−Ｇａｌ−２ＡＩｘＡ
８閉込め層２、ｎ又はし・形のＧａＡｓ活性層８ 、ｐ
”−Ｇａｌ；ｚＡ１ｘＡｓ閉込め層４及びｐ−ＧａＡｓ
オーミックコンタクト層５が順次形成されているもので
あり、最上層に発振領域に相当する部分上にＶ側電極６
、基板１０上にｎ側型、極７が設けもれている。
ＧａＡｐ基板ｌ基板ｌ面に形成−され、その、各側面の
端部でストライプ状の欠損部９が生じるようにｐ’−Ｇ
ａｐ−ｘＡｒＡｓ電流阻止層１がｎ−ＧａＡｓ基板ｌＯ
の全面に形成され、その上面にｎ−Ｇａｌ−２ＡＩｘＡ
８閉込め層２、ｎ又はし・形のＧａＡｓ活性層８ 、ｐ
”−Ｇａｌ；ｚＡ１ｘＡｓ閉込め層４及びｐ−ＧａＡｓ
オーミックコンタクト層５が順次形成されているもので
あり、最上層に発振領域に相当する部分上にＶ側電極６
、基板１０上にｎ側型、極７が設けもれている。
このレーザの特徴は、内部に設けられ７Ｆ！：２本のス
トライプにより、電流狭窄が効果的に行われ″、ス）ラ
イブ間の電流限・正領域の存在により、電流の増加に伴
い電流が中央部に集中することを防ぎ、安定した単一基
本モード動作の範囲が広いことである。
トライプにより、電流狭窄が効果的に行われ″、ス）ラ
イブ間の電流限・正領域の存在により、電流の増加に伴
い電流が中央部に集中することを防ぎ、安定した単一基
本モード動作の範囲が広いことである。
しかしながらこの構造のし一部には一つの加工上の難点
を残している。すなわち、基板に溝を形成するとき、化
学エツチング法を用いるが、この化学エツチングによっ
て溝の底１□ｉ、、Ｐ部分は一般に凹凸が増加し、もと
の基板よりも平坦性は劣化ｊる。
を残している。すなわち、基板に溝を形成するとき、化
学エツチング法を用いるが、この化学エツチングによっ
て溝の底１□ｉ、、Ｐ部分は一般に凹凸が増加し、もと
の基板よりも平坦性は劣化ｊる。
このためこの上に成長した活性層の平坦性は、他の部分
に較べてわるくなっている。このためにし流の増加につ
ながる。
に較べてわるくなっている。このためにし流の増加につ
ながる。
本発明は上記の欠点を取除くことを可能とした半導体レ
ーザに関するものである。
ーザに関するものである。
本発明は、一方向にストラ・イブ状に伸びた凸部を有す
る第１導電型の半導体基板と、前記凸部を有する面上に
形成され且つ前記凸部の両側面の端部において層の一部
が欠損している第２導電型の電流阻止層と、前記電流阻
止層と前記欠損部上に順次積層されな第１導電型の光及
びキ□ャリアの閉込め層と、第１または第２！電型の活
性層と、第２導電型め光及びキャリ、アの閉込め層とを
具備した拳−横モード発振が可能な二重へテロ構造の半
導体レーザーで今る。
る第１導電型の半導体基板と、前記凸部を有する面上に
形成され且つ前記凸部の両側面の端部において層の一部
が欠損している第２導電型の電流阻止層と、前記電流阻
止層と前記欠損部上に順次積層されな第１導電型の光及
びキ□ャリアの閉込め層と、第１または第２！電型の活
性層と、第２導電型め光及びキャリ、アの閉込め層とを
具備した拳−横モード発振が可能な二重へテロ構造の半
導体レーザーで今る。
以下、本発明を実施例にもとづいて説明する。
実施例ｆｌ）
本実施例の半導体レーザの−っは第２図に示すように１
、紙面と垂直な方向にストライプ状に伸びた凸部１８が
ｎ−ＧａＡｓ基板１ｏの上面に形成され、−その各側面
の端部でストライプ状の欠ｍ１１９が生じるように、ｐ
−Ｇａｌ−２ＡｌｘＡｓ電流阻止”層１１゛がｎ −Ｇ
ａＡｓ基板ｌＯの全面に形成され、その上面にｎ−Ｇａ
１．Ａ’１ｘＡｓ閉込め−１２、ｎ又はｐ形Ｑ）ＧａＡ
ｓ活ｉ層１ Ｂ 、’ｐ−Ｇａ１−ｚＡｌｘＡｓ閉込め
層１４′及びｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層１５
が順次形成されているもの−であり、最上層□に発振領
域に相当する部分上にｐ側電極１６、基板１０にｎ側電
極１７が設けられている。凸部１・８は１μｍ以上の高
さ、電流阻止層１１は階、段状段差部１９の裾から２０
μｍ・以゛上離れた領域でその深さのＡ以下の厚さ、閉
込め層１２、閉。込め層１４及びオーミックコンタクト
層１５は０．５〜１．１＞ ｆｉｍの厚さ、活性層１８
は０．１〜０．８μｍの厚さとするものである。また、
閉込め層１２、活性層１８、閉込め層１４の禁制帯幅及
び屈折率をそれぞれ”ｇｇ＊ Ｅｇｓｅ Ｅｇ４＊ Ｎ
ｌｌ 、Ｎａ ＋Ｎ４とすると、Ｅ ｇ ８ ＜Ｅ ｇ
ｍ ＊ Ｅ ｇ ４ ＃ ＮＩｔ ＞ Ｎ Ｒ＋ Ｎ
４ とするものである。
、紙面と垂直な方向にストライプ状に伸びた凸部１８が
ｎ−ＧａＡｓ基板１ｏの上面に形成され、−その各側面
の端部でストライプ状の欠ｍ１１９が生じるように、ｐ
−Ｇａｌ−２ＡｌｘＡｓ電流阻止”層１１゛がｎ −Ｇ
ａＡｓ基板ｌＯの全面に形成され、その上面にｎ−Ｇａ
１．Ａ’１ｘＡｓ閉込め−１２、ｎ又はｐ形Ｑ）ＧａＡ
ｓ活ｉ層１ Ｂ 、’ｐ−Ｇａ１−ｚＡｌｘＡｓ閉込め
層１４′及びｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層１５
が順次形成されているもの−であり、最上層□に発振領
域に相当する部分上にｐ側電極１６、基板１０にｎ側電
極１７が設けられている。凸部１・８は１μｍ以上の高
さ、電流阻止層１１は階、段状段差部１９の裾から２０
μｍ・以゛上離れた領域でその深さのＡ以下の厚さ、閉
込め層１２、閉。込め層１４及びオーミックコンタクト
層１５は０．５〜１．１＞ ｆｉｍの厚さ、活性層１８
は０．１〜０．８μｍの厚さとするものである。また、
閉込め層１２、活性層１８、閉込め層１４の禁制帯幅及
び屈折率をそれぞれ”ｇｇ＊ Ｅｇｓｅ Ｅｇ４＊ Ｎ
ｌｌ 、Ｎａ ＋Ｎ４とすると、Ｅ ｇ ８ ＜Ｅ ｇ
ｍ ＊ Ｅ ｇ ４ ＃ ＮＩｔ ＞ Ｎ Ｒ＋ Ｎ
４ とするものである。
この構造の半導体レーザは次のようにして作製すること
ができる。まずｎ−ＧａＡｓ基板１０の上面に、フォト
レジストをコートし、露光して巾２〜１０μｍの細長い
ストライプを設け、この膜をマスクとして化学エツチン
グにより１〜８μｍの高さの凸部を形成する。エツチン
グ液としては、例えばリン酸と過酸化水素水の混合液を
用いると良く、凸部の高さはエツチング時間により調整
することができる。この凸部の形成された側の基板の上
にｐ −Ｇａ １−ＸＡＩＸＡｓ電流阻止層１１を液、
相エピタキシ ：ヤル成長法によりｎ−ＧａＡｓ基板ｌ
Ｏ上に形成する。 ・この場合、エピタキシャル成長速
度が凸部で零又は負になること、に起因して、電流阻止
層１１が凸 。
ができる。まずｎ−ＧａＡｓ基板１０の上面に、フォト
レジストをコートし、露光して巾２〜１０μｍの細長い
ストライプを設け、この膜をマスクとして化学エツチン
グにより１〜８μｍの高さの凸部を形成する。エツチン
グ液としては、例えばリン酸と過酸化水素水の混合液を
用いると良く、凸部の高さはエツチング時間により調整
することができる。この凸部の形成された側の基板の上
にｐ −Ｇａ １−ＸＡＩＸＡｓ電流阻止層１１を液、
相エピタキシ ：ヤル成長法によりｎ−ＧａＡｓ基板ｌ
Ｏ上に形成する。 ・この場合、エピタキシャル成長速
度が凸部で零又は負になること、に起因して、電流阻止
層１１が凸 。
部９両側面の階栓状段差部の蝉部吟より切断され、。
電流集中領域となる欠損部１９が溝の両側に形成 、
される。次に電流阻止層１１の上面に液相エピタキシャ
ル成長法により、０．．５〜１．５ μｍ＋ｉ’）厚さ
のｎ−Ｇａｌ−２Ａ１ｘＡｓ閉込め層１２．０．１〜０
．８ ｐｍの厚さのｎ又はｐ形のＧ’ａＡｓ活性層１８
．０．５〜ＩＩｔｍの厚さのＰ−Ｇａｌ−ｘＡ１ｘＡｓ
閉込め層１４及びｐ −ＧａＡｓオーミックコンタクト
層１５を順次形成し、最上層にストライプ状にｐ側電極
１６、基板１０にｎ側電極１７を形成して完成する。前
記ｎ−Ｇａ１−ｘＡ１ｘＡａ閉込め層１２は欠損部が生
じない程度の厚さとするものである。
される。次に電流阻止層１１の上面に液相エピタキシャ
ル成長法により、０．．５〜１．５ μｍ＋ｉ’）厚さ
のｎ−Ｇａｌ−２Ａ１ｘＡｓ閉込め層１２．０．１〜０
．８ ｐｍの厚さのｎ又はｐ形のＧ’ａＡｓ活性層１８
．０．５〜ＩＩｔｍの厚さのＰ−Ｇａｌ−ｘＡ１ｘＡｓ
閉込め層１４及びｐ −ＧａＡｓオーミックコンタクト
層１５を順次形成し、最上層にストライプ状にｐ側電極
１６、基板１０にｎ側電極１７を形成して完成する。前
記ｎ−Ｇａ１−ｘＡ１ｘＡａ閉込め層１２は欠損部が生
じない程度の厚さとするものである。
実施例（２）
本発明のもう一つの実施例は、基板に形成する凸部の断
面の形を逆台形状とした場合である。それは第８図に示
すようなものであり、図中の各番号は第２図の番号のも
のに対応するものを示す。
面の形を逆台形状とした場合である。それは第８図に示
すようなものであり、図中の各番号は第２図の番号のも
のに対応するものを示す。
実施例（３）
本発明の他のもう一つの実施例としての第４図は、第２
図と同様台形状の溝を利用するものであるが、活性層が
平坦となるようにエピタキシャル成長させた場合を示す
。
図と同様台形状の溝を利用するものであるが、活性層が
平坦となるようにエピタキシャル成長させた場合を示す
。
この第４図でも、図中の番号は第２図の番号のものに対
応するものを示す。
応するものを示す。
この場合にも溝の形を逆台形としてもよい。
以上説明した実施例で代表′漬れるような構造の半導体
レーザにおいては、次のような格別に秀れた特徴のある
ものが得られ □ 。＊＊＊＊＊−ｒ、ｖ、、＊ｗ６”％ｘ ｙ ？ ７
ｙ ｔ、ｌｒ、ため、もとの基板と同じ平坦度のままで
あり、他の部分はエツチングにより平坦度が劣化してい
る。
レーザにおいては、次のような格別に秀れた特徴のある
ものが得られ □ 。＊＊＊＊＊−ｒ、ｖ、、＊ｗ６”％ｘ ｙ ？ ７
ｙ ｔ、ｌｒ、ため、もとの基板と同じ平坦度のままで
あり、他の部分はエツチングにより平坦度が劣化してい
る。
したがってこの上部に形成された活性層は基板の平坦性
の影響を受け、発振部分は平坦性がよく、その両側の部
分は平坦性がわるく散乱ロスを増加させるようになって
おり、横モードの安定化に効果がある。
の影響を受け、発振部分は平坦性がよく、その両側の部
分は平坦性がわるく散乱ロスを増加させるようになって
おり、横モードの安定化に効果がある。
さらに本発明の半導体レーザも特願昭５６−４１２７０
の半導体レーザと共通した次のような効果をもつもので
ある。
の半導体レーザと共通した次のような効果をもつもので
ある。
■内部に設けられた２本のストライプにより、電流狭窄
が行われている。凸部の幅がキャリアの拡散長以下であ
れば２本のストライプ型であっても発振部分が２つに分
離することはなく、発振部分は、凸部に近い活性層の部
分にわたって一様に分布し、出力＆ｉ一本のビームとな
っている。
が行われている。凸部の幅がキャリアの拡散長以下であ
れば２本のストライプ型であっても発振部分が２つに分
離することはなく、発振部分は、凸部に近い活性層の部
分にわたって一様に分布し、出力＆ｉ一本のビームとな
っている。
■基板の上に設けられた閉込め層１２は、凸部の上の領
域では中心はど薄くなっているが、導波路を構成してい
、、戸・ ■凸部の上面に１）設けられた電流阻止領域によって、
電流の増加に伴い電流が中央部分に集中することを防い
でいる。
域では中心はど薄くなっているが、導波路を構成してい
、、戸・ ■凸部の上面に１）設けられた電流阻止領域によって、
電流の増加に伴い電流が中央部分に集中することを防い
でいる。
このため、発振は、大電流の場合にも安定しているので
、単一基本モード動作の範囲が広（１゜■電流阻止層の
形成は一連の工・ビタキ□シャル工程の一つに含まれる
ので、連続した一回のエピタキシャル成長工程ですむの
で、半導体の内部力；外気に曝されることがない。した
がって素子の信頼性が高く、シかも工程が短いという特
徴がある。
、単一基本モード動作の範囲が広（１゜■電流阻止層の
形成は一連の工・ビタキ□シャル工程の一つに含まれる
ので、連続した一回のエピタキシャル成長工程ですむの
で、半導体の内部力；外気に曝されることがない。した
がって素子の信頼性が高く、シかも工程が短いという特
徴がある。
■さらに、第４図に示すように活性層を平坦となるよう
エピタキシャル成長させた場合、或は基板の凸部の断面
形状が逆台形で活性層を平坦となるようエピタキシャル
成長させた場合には、活性層がわん曲している場合に比
較して、大出力時の光電流特性の直線性がすぐれている
。
エピタキシャル成長させた場合、或は基板の凸部の断面
形状が逆台形で活性層を平坦となるようエピタキシャル
成長させた場合には、活性層がわん曲している場合に比
較して、大出力時の光電流特性の直線性がすぐれている
。
以上の実施例では、電流阻止層がｐ−Ｇａ１−ＸＡＩＸ
Ａｓ（ｘ＝０．８）を用いているが、ｐ−ＧａＡｓを用
１．ｚた場合であっても本発明の効果は明らかに減する
ことはない。
Ａｓ（ｘ＝０．８）を用いているが、ｐ−ＧａＡｓを用
１．ｚた場合であっても本発明の効果は明らかに減する
ことはない。
また以上の実施例は、ＧａＡｌＡｓとＧａＡｓとの二重
へテロ接合構造についてのものであるが、他の多元化合
物、例えば１ｎＰとＩｎＧａＡｓＰとの二重ヘテ四接合
を有する半導体発光装置にも、本発明を適用し得ること
は勿論のことである。
へテロ接合構造についてのものであるが、他の多元化合
物、例えば１ｎＰとＩｎＧａＡｓＰとの二重ヘテ四接合
を有する半導体発光装置にも、本発明を適用し得ること
は勿論のことである。
第１図は従来のストライプ型二重へテロ構造半導体レー
ザの側断面図、第２図、第８図、第４図□は本発明の実
施例を表わす側断面図である。 ｌＯはｎ−ＧａＡｓ基板、１１はｐ −Ｇａｌ−ｚ Ａ
ｌｘＡｓ電流阻止層、１２はｎ−Ｇａ１−ＸＡＩＸＡ８
閉込め層、１３はｎ又はｐ形のＧａＡｓ活性層、１４は
ｐ −Ｇａ １−ｘＡ１ｘＡｓ閉込め層、１５はｐ−Ｇ
ａＡ’ｓオーミックコンタクト層、１６．１７はｐ側及
びｎ側電極、１８は階段状段差部、１９ｉ欠損部である
。 １２図 ［″ ｉｌｌ： ・ ”′）
ザの側断面図、第２図、第８図、第４図□は本発明の実
施例を表わす側断面図である。 ｌＯはｎ−ＧａＡｓ基板、１１はｐ −Ｇａｌ−ｚ Ａ
ｌｘＡｓ電流阻止層、１２はｎ−Ｇａ１−ＸＡＩＸＡ８
閉込め層、１３はｎ又はｐ形のＧａＡｓ活性層、１４は
ｐ −Ｇａ １−ｘＡ１ｘＡｓ閉込め層、１５はｐ−Ｇ
ａＡ’ｓオーミックコンタクト層、１６．１７はｐ側及
びｎ側電極、１８は階段状段差部、１９ｉ欠損部である
。 １２図 ［″ ｉｌｌ： ・ ”′）
Claims (1)
- （１）一方向、にストライプ状に伸びた凸部を有す、る
第１導電型の半導体基板と、前記凸部を有する面Ｅに形
成され且つ、前記凸部の両側面の端部において層の一部
が欠損している第２導電型の電流、阻止層と、前記電流
阻止層と前記欠損部上に順次積層されに第１導電型の光
及びキャリアの爾込め層と、第１また）よ第２導電型め
活性層と、第２導電型の光及びキャリアの閉込め層とを
具備したことを特徴とする半導体レーザ ′
□
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14132881A JPS5843590A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14132881A JPS5843590A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843590A true JPS5843590A (ja) | 1983-03-14 |
Family
ID=15289379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14132881A Pending JPS5843590A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843590A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118189A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置およびその製造方法 |
| JPS6118191A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP14132881A patent/JPS5843590A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118189A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置およびその製造方法 |
| JPS6118191A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
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