JPH01189192A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents
多層回路基板の製造方法Info
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- JPH01189192A JPH01189192A JP1399588A JP1399588A JPH01189192A JP H01189192 A JPH01189192 A JP H01189192A JP 1399588 A JP1399588 A JP 1399588A JP 1399588 A JP1399588 A JP 1399588A JP H01189192 A JPH01189192 A JP H01189192A
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- JP
- Japan
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- conductor layer
- laser beam
- layer
- conductor
- circuit board
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、多層回路基板の製造方法に関し、特にその
バイアホールの形成に関するものである。
バイアホールの形成に関するものである。
第２図は特開昭５９−８４５９４号公報に記載された従
来の多層回路基板の製造方法を示す断面工程図であり、
図において、２は第１の導体層、３は絶縁層でこの場合
にはポリイミドを用いている。４は第２の導体層でレー
ザビーム照射用に絶縁層３の露出した窓６を設けておく
。ここで第１の導体層２と第２の導体層４の材質は銅を
用いており、絶縁層３にはポリイミドを用いている。５
はレーザビームでこの場合にはＱスイッチＮｄ ： Ｙ
ＡＧレーザビームを用いている。
来の多層回路基板の製造方法を示す断面工程図であり、
図において、２は第１の導体層、３は絶縁層でこの場合
にはポリイミドを用いている。４は第２の導体層でレー
ザビーム照射用に絶縁層３の露出した窓６を設けておく
。ここで第１の導体層２と第２の導体層４の材質は銅を
用いており、絶縁層３にはポリイミドを用いている。５
はレーザビームでこの場合にはＱスイッチＮｄ ： Ｙ
ＡＧレーザビームを用いている。
次に製造工程について説明する。
まず第２図＋８）において、窓６を通して絶縁層３にレ
ーザビーム５照射するとレーザビーム５が照射された絶
縁層３は炭化し、言い換えれば導電体７化し、第１の導
体層２と第２の導体層４の電気的接続が形成される。
ーザビーム５照射するとレーザビーム５が照射された絶
縁層３は炭化し、言い換えれば導電体７化し、第１の導
体層２と第２の導体層４の電気的接続が形成される。
従来の多層回路基板の製造方法は以上のように構成され
ており、第１の導体層と第２の導体層の電気的接続部は
金属／炭化物／金属の構成となっており、金属／金属の
構成と比較して接触抵抗が増加するという問題点があっ
た。さらに、ポリイミド等の有機物絶縁層のレーザビー
ムの照射によって形成される炭化物は粒子相互の結合力
が弱く、経時的に接触抵抗が変化しやすく、電気的な断
線に至る場合もあるという問題点があった。
ており、第１の導体層と第２の導体層の電気的接続部は
金属／炭化物／金属の構成となっており、金属／金属の
構成と比較して接触抵抗が増加するという問題点があっ
た。さらに、ポリイミド等の有機物絶縁層のレーザビー
ムの照射によって形成される炭化物は粒子相互の結合力
が弱く、経時的に接触抵抗が変化しやすく、電気的な断
線に至る場合もあるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、接触抵抗を減少させるとともに、接触抵抗の
経時的変化を減少させる多層回路基板の製造方法を得る
ことを目的とする。
たもので、接触抵抗を減少させるとともに、接触抵抗の
経時的変化を減少させる多層回路基板の製造方法を得る
ことを目的とする。
この発明に係る多層回路基板の製造方法は、少なくとも
第１の導体層と、該第１の導体層の上層に絶縁層を介し
て形成された第２の導体層を有する多層回路基板の、上
記第２の導体層の上方からレーザビームを照射して、該
レーザビームの照射中に上記第２の導体層の部分的な除
去、上記絶縁層の除去、上記第１の導体層と第２の導体
層との溶接を起こさせることにより上記第１の導体層と
第２の導体層を電気的に接続する工程を含むものである
。
第１の導体層と、該第１の導体層の上層に絶縁層を介し
て形成された第２の導体層を有する多層回路基板の、上
記第２の導体層の上方からレーザビームを照射して、該
レーザビームの照射中に上記第２の導体層の部分的な除
去、上記絶縁層の除去、上記第１の導体層と第２の導体
層との溶接を起こさせることにより上記第１の導体層と
第２の導体層を電気的に接続する工程を含むものである
。
この発明においては、第２の導体層の上方からレーザビ
ームを照射して、該レーザビームの照射中に上記第２の
導体層の部分的な除去、絶縁層の除去、第１の導体層と
第２の導体層との溶接を起こさせるようにしたから、上
記第１の導体層と第２の導体層の電気的接合部は金属／
金属となっており、中間に炭化物等の非金属の層を含ま
ないため、接触抵抗を低く抑えるとともに接触抵抗の経
時的変化を減少できる。
ームを照射して、該レーザビームの照射中に上記第２の
導体層の部分的な除去、絶縁層の除去、第１の導体層と
第２の導体層との溶接を起こさせるようにしたから、上
記第１の導体層と第２の導体層の電気的接合部は金属／
金属となっており、中間に炭化物等の非金属の層を含ま
ないため、接触抵抗を低く抑えるとともに接触抵抗の経
時的変化を減少できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による多層回路基板の製造方
法を示す断面工程図であり、図において、１は絶縁性基
板で、この場合にはアルミナセラミック基板を用いる。
法を示す断面工程図であり、図において、１は絶縁性基
板で、この場合にはアルミナセラミック基板を用いる。
２は厚み７μｍの銅導体からなる第１の導体層、３は厚
み２０μｍのポリイミドからなる絶縁層、４は厚み７μ
ｍの銅導体からなる第２の導体層である。５はレーザビ
ームで本実施例ではＱスイッチ発振のＮｄ：ＹＡＧレー
ザビームの第２高調波を用いる。このレーザビームは可
視光であり、緑色のパルスレーザビームである。
み２０μｍのポリイミドからなる絶縁層、４は厚み７μ
ｍの銅導体からなる第２の導体層である。５はレーザビ
ームで本実施例ではＱスイッチ発振のＮｄ：ＹＡＧレー
ザビームの第２高調波を用いる。このレーザビームは可
視光であり、緑色のパルスレーザビームである。
次に製造工程について説明する。
第１図（ａ）に示すように、し、−ザビーム５を出力５
μＪ／Ｐとして第２の導体層４上に焦点をとるように集
光して照射する。レーザビームの照射にともない、形成
される穴の底部は下方へ進行する。
μＪ／Ｐとして第２の導体層４上に焦点をとるように集
光して照射する。レーザビームの照射にともない、形成
される穴の底部は下方へ進行する。
進行する穴の底部に動的に焦点を割りあてながらレーザ
ビームの照射をｍ続すると第１図（ｂ）に示すように第
２の導体層４と絶縁層３が除去される。
ビームの照射をｍ続すると第１図（ｂ）に示すように第
２の導体層４と絶縁層３が除去される。
本実施例においてはレーザビームとして上述のようにＹ
ＡＧレーザビームの第２高調波を用いている。この緑色
のレーザビームは被照射体に対してほとんど熱として作
用せず、光分解を行なう。
ＡＧレーザビームの第２高調波を用いている。この緑色
のレーザビームは被照射体に対してほとんど熱として作
用せず、光分解を行なう。
従ってこの緑色のレーザビームの照射によってポリイミ
ドはほとんど炭化することはなく除去される。また、可
視光であるためレンズ等の光学系での吸収はなく、照射
点への集光が容易である。
ドはほとんど炭化することはなく除去される。また、可
視光であるためレンズ等の光学系での吸収はなく、照射
点への集光が容易である。
さらに焦点を動的に割りあてながらレーザビームの照射
を継続すると、第１図（Ｃ）に示すように第１の導体層
２と第２の導体層４は溶接され、第１の導体層２と第２
の導体層４の電気的接続が達成される。この間の所要時
間は約２秒であり、穴の径は２０μｍφである。さらに
接触抵抗は５０ｍΩ以下である。このような低い接触抵
抗は第１の導体Ｎ２と第２の導体層４の電気的接続が炭
化物のような非金属層を介在することなく、銅導体と銅
導体が相互に溶接された結果であり、経時的に接触抵抗
はほとんど変化することはない。
を継続すると、第１図（Ｃ）に示すように第１の導体層
２と第２の導体層４は溶接され、第１の導体層２と第２
の導体層４の電気的接続が達成される。この間の所要時
間は約２秒であり、穴の径は２０μｍφである。さらに
接触抵抗は５０ｍΩ以下である。このような低い接触抵
抗は第１の導体Ｎ２と第２の導体層４の電気的接続が炭
化物のような非金属層を介在することなく、銅導体と銅
導体が相互に溶接された結果であり、経時的に接触抵抗
はほとんど変化することはない。
このように本実施例では第２の導体層の上方からＹＡＧ
レーザビームの第２高調波である緑色レーザビームを照
射して、該レーザビームの照射中に該レーザビームの光
分解作用により第２の導体層の部分的な除去、絶縁層の
除去をするとともに第１の導体層と第２の導体層との溶
接を起こさせるようにしたから、上記第１の導体層と第
２の導体層の電気的接合部は金属／金属となっており、
中間に炭化物等の非金属の層を含まないため、接触抵抗
を低く抑えるとともに接触抵抗の経時的変化を減少でき
る。また本実施例においては、第２の導体層は導体接続
のためのホールの形成されていない平坦な絶縁層上に形
成するので、写真製版法による微細パターン形成が容易
である。
レーザビームの第２高調波である緑色レーザビームを照
射して、該レーザビームの照射中に該レーザビームの光
分解作用により第２の導体層の部分的な除去、絶縁層の
除去をするとともに第１の導体層と第２の導体層との溶
接を起こさせるようにしたから、上記第１の導体層と第
２の導体層の電気的接合部は金属／金属となっており、
中間に炭化物等の非金属の層を含まないため、接触抵抗
を低く抑えるとともに接触抵抗の経時的変化を減少でき
る。また本実施例においては、第２の導体層は導体接続
のためのホールの形成されていない平坦な絶縁層上に形
成するので、写真製版法による微細パターン形成が容易
である。
なお、第１図では第２の導体層が最上層となっているも
のを示したが、第２の導体層の上層にポリイミド等の絶
縁層が存在するものであってもレーザビームで該上層の
ポリイミドも除去できるので本発明を適用することがで
きる。
のを示したが、第２の導体層の上層にポリイミド等の絶
縁層が存在するものであってもレーザビームで該上層の
ポリイミドも除去できるので本発明を適用することがで
きる。
また、上記実施例ではレーザビームとしてＱスイッチ発
振のＮｄ ： ＹＡＧレーザビームの第２高調波を用い
たものを示したが、キセノンレーザビーム等の他の可視
光のレーザビームでも同等の作用を有するのでこれをレ
ーザビームとして用いることも可能である。
振のＮｄ ： ＹＡＧレーザビームの第２高調波を用い
たものを示したが、キセノンレーザビーム等の他の可視
光のレーザビームでも同等の作用を有するのでこれをレ
ーザビームとして用いることも可能である。
また、絶縁層としてポリイミドを用いたものを示したが
、これはエポキシ系樹脂、シリコン系樹脂等の他の高分
子樹脂を用いたものであってもよい。
、これはエポキシ系樹脂、シリコン系樹脂等の他の高分
子樹脂を用いたものであってもよい。
また、導体層としては銅メツキによるもののは〔発明の
効果〕 以上のように、この発明によれば、少なくとも第１の導
体層と、該第１の導体層の上層に絶縁層を介して形成さ
れた第２の導体層を有する多層回路基板の製造方法にお
いて、上記第２の導体層の上方からレーザビームを照射
して、該レーザビームの照射中に上記第２の導体層の部
分的な除去。
効果〕 以上のように、この発明によれば、少なくとも第１の導
体層と、該第１の導体層の上層に絶縁層を介して形成さ
れた第２の導体層を有する多層回路基板の製造方法にお
いて、上記第２の導体層の上方からレーザビームを照射
して、該レーザビームの照射中に上記第２の導体層の部
分的な除去。
上記絶縁層の除去、上記第１の導体層と第２の導体層と
の溶接を起こさせることにより上記第１の導体層と第２
の導体層を電気的に接続するようにしたから、第１の導
体層と第２の導体層の電気的接続の接触抵抗を小さくで
き、経時的変化の少ない多層回路基板が製造できる効果
がある。また、第１の導体層と第２の導体層の間の絶縁
層をバターニングする必要がないため省工程となるとと
もに上記第２の導体層のパターン形成は、導体接続用の
ホールが形成されていない平坦な絶縁層上に行なうため
、写真製版法による微細パターン形成に有利である効果
がある。
の溶接を起こさせることにより上記第１の導体層と第２
の導体層を電気的に接続するようにしたから、第１の導
体層と第２の導体層の電気的接続の接触抵抗を小さくで
き、経時的変化の少ない多層回路基板が製造できる効果
がある。また、第１の導体層と第２の導体層の間の絶縁
層をバターニングする必要がないため省工程となるとと
もに上記第２の導体層のパターン形成は、導体接続用の
ホールが形成されていない平坦な絶縁層上に行なうため
、写真製版法による微細パターン形成に有利である効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例による多層回路基板の製造
方法を示す工程断面図、第２図は従来の多層回路基板の
製造方法を示す工程断面図である。 １は基板、２は第１の導体層、３は絶縁層、−４は第２
の導体層、５はレーザビーム。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
方法を示す工程断面図、第２図は従来の多層回路基板の
製造方法を示す工程断面図である。 １は基板、２は第１の導体層、３は絶縁層、−４は第２
の導体層、５はレーザビーム。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）少なくとも第１の導体層と、該第１の導体層の上
層に絶縁層を介して形成された第２の導体層を有する多
層回路基板の製造方法において、上記第２の導体層の上
方からレーザビームを照射して、該レーザビームの照射
中に上記第２の導体層の部分的な除去、上記絶縁層の除
去、上記第１の導体層と第２の導体層との溶接を起こさ
せ、上記第１の導体層と第２の導体層を電気的に接続す
る工程を含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013995A JP2792650B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 多層回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013995A JP2792650B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 多層回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189192A true JPH01189192A (ja) | 1989-07-28 |
| JP2792650B2 JP2792650B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=11848815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63013995A Expired - Lifetime JP2792650B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 多層回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2792650B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03120778A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
| JP2000202668A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-07-25 | Nec Corp | Ｑスイッチレ―ザによる穴あけ加工方法 |
| JP2007109883A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tdk Corp | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62210691A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | 株式会社東芝 | 多層配線板の製造方法 |
| JPS6355877A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | 富士電機株式会社 | シ−トコイルの接続方法 |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP63013995A patent/JP2792650B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62210691A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | 株式会社東芝 | 多層配線板の製造方法 |
| JPS6355877A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | 富士電機株式会社 | シ−トコイルの接続方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03120778A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
| JP2000202668A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-07-25 | Nec Corp | Ｑスイッチレ―ザによる穴あけ加工方法 |
| JP2007109883A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tdk Corp | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2792650B2 (ja) | 1998-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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