JPH01191328A - カートリツジ及びそれを用いた光学的情報処理装置 - Google Patents
カートリツジ及びそれを用いた光学的情報処理装置Info
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- JPH01191328A JPH01191328A JP63015234A JP1523488A JPH01191328A JP H01191328 A JPH01191328 A JP H01191328A JP 63015234 A JP63015234 A JP 63015234A JP 1523488 A JP1523488 A JP 1523488A JP H01191328 A JPH01191328 A JP H01191328A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、光ビームが照射されることによって情報が記
録又は再生される光学的記録媒体及びその媒体に情報を
記録、再生又は消去する光学的情報処理装置に関する。
録又は再生される光学的記録媒体及びその媒体に情報を
記録、再生又は消去する光学的情報処理装置に関する。
近年、光学的記録媒体に光ビームを照射し、情報の記録
或いは再生を高密度に行う光学的情報処理装置の開発が
盛んである。このような光学的記録媒体としては、−度
だけ追記が可能な追記(Write 0nce、以下
WOと記す)型記録媒体や、光磁気或いは相変化等を用
いた消去可能型記録媒体が知られている。以下、光磁気
ディスクを例に、情報の記録・再生について説明する。
或いは再生を高密度に行う光学的情報処理装置の開発が
盛んである。このような光学的記録媒体としては、−度
だけ追記が可能な追記(Write 0nce、以下
WOと記す)型記録媒体や、光磁気或いは相変化等を用
いた消去可能型記録媒体が知られている。以下、光磁気
ディスクを例に、情報の記録・再生について説明する。
光磁気ディスクは基板上に膜面に垂直な磁化容易軸を有
する磁性薄膜を形成して成り、この磁性薄膜の磁化方向
の変化によって情報を記録するものである。記録時には
まず前記磁性薄膜の磁化方向を予め一方向にそろえてお
き、これに前記磁化方向とは逆方向のバイアス磁界を印
加しながら、情報信号に従ってデジタル的に変調された
レーザビームを照射する。すると、レーザビームの照射
された部分の温度がキュリー点付近まで上昇して保磁力
が低下し、バイアス磁界の影響によって周囲と逆方向に
磁化されて、情報に応じて磁化パターンが形成される。
する磁性薄膜を形成して成り、この磁性薄膜の磁化方向
の変化によって情報を記録するものである。記録時には
まず前記磁性薄膜の磁化方向を予め一方向にそろえてお
き、これに前記磁化方向とは逆方向のバイアス磁界を印
加しながら、情報信号に従ってデジタル的に変調された
レーザビームを照射する。すると、レーザビームの照射
された部分の温度がキュリー点付近まで上昇して保磁力
が低下し、バイアス磁界の影響によって周囲と逆方向に
磁化されて、情報に応じて磁化パターンが形成される。
このように記録された情報は、低出力の無変調ビームを
媒体に照射することにより、良く知られた磁気光学効果
を用いて光学的に読み出すことが出来る。また記録時の
バイアス磁界と逆方向の磁界を印加することにより、記
録した情報を消去することも出来る。
媒体に照射することにより、良く知られた磁気光学効果
を用いて光学的に読み出すことが出来る。また記録時の
バイアス磁界と逆方向の磁界を印加することにより、記
録した情報を消去することも出来る。
記録時、再生時及び消去時における最適なレーザパワー
は夫々異なり、例えば、消去パワー6mW、記録パワー
4mW、再生パワー1mWのように設定される。
は夫々異なり、例えば、消去パワー6mW、記録パワー
4mW、再生パワー1mWのように設定される。
しかしながら、このような情報の記録は、レーザビーム
を照射して記録媒体を加熱することによって行っている
為、記録の状態が媒体の温度によって変化する場合があ
った。即ち、ある温度において記録パワーを最適なもの
に設定しても、媒体の温度が変化すると記録パワーが低
すぎたり、高すぎたりしてしまう。記録パワーが低すぎ
ると、記録されるビットの大きさが小さくなり、C/N
比は下がる。また、記録パワーが高すぎても、逆にピッ
トが大きくなり過ぎて、やはりC/N比は下がってくる
。C/N比が下がれば、アナログ記録、例えば画像を記
録している場合には、その再生画像の画質が落ち、デジ
タル記録の場合にはエラーレートが大きくなって、情報
の信頼性が低下する。
を照射して記録媒体を加熱することによって行っている
為、記録の状態が媒体の温度によって変化する場合があ
った。即ち、ある温度において記録パワーを最適なもの
に設定しても、媒体の温度が変化すると記録パワーが低
すぎたり、高すぎたりしてしまう。記録パワーが低すぎ
ると、記録されるビットの大きさが小さくなり、C/N
比は下がる。また、記録パワーが高すぎても、逆にピッ
トが大きくなり過ぎて、やはりC/N比は下がってくる
。C/N比が下がれば、アナログ記録、例えば画像を記
録している場合には、その再生画像の画質が落ち、デジ
タル記録の場合にはエラーレートが大きくなって、情報
の信頼性が低下する。
また、情報の再生成いは消去においても、温度変化によ
フて最適パワーが変化すると同様の問題を生じた。例え
ば、再生パワーが小さ過ぎるとC/N比が低下し、大き
過ぎると記録された情報を消失する恐れがあった。また
、消去パワーが小さ過ぎると消し残しを生ずる心配があ
り、大き過ぎると媒体自体を破壊してしまうことも考え
られた。更に、このような問題は光磁気記録媒体に限ら
ず、他の消去可能型或いはWO型の記録媒体でも同様で
あった。
フて最適パワーが変化すると同様の問題を生じた。例え
ば、再生パワーが小さ過ぎるとC/N比が低下し、大き
過ぎると記録された情報を消失する恐れがあった。また
、消去パワーが小さ過ぎると消し残しを生ずる心配があ
り、大き過ぎると媒体自体を破壊してしまうことも考え
られた。更に、このような問題は光磁気記録媒体に限ら
ず、他の消去可能型或いはWO型の記録媒体でも同様で
あった。
一方、前述の如きC/N比の低下を防止する光学的情報
処理装置が特開昭59−140647号に開示されてい
る。この装置は記録媒体の環境温度を検知し、この検知
結果に従って光ビームの強度を変化させることによって
、常に最適な記録パワーを得るものである。
処理装置が特開昭59−140647号に開示されてい
る。この装置は記録媒体の環境温度を検知し、この検知
結果に従って光ビームの強度を変化させることによって
、常に最適な記録パワーを得るものである。
しかしながら、上記の装置では環境温度を測定している
為、記録媒体自体の温度と差異が生じる場合があった。
為、記録媒体自体の温度と差異が生じる場合があった。
特に、装置内と大きな温度差を有する外部から媒体を挿
入した場合、媒体温度はすぐには環境温度に一致せず、
正確な温度検知をする為には、ある程度の時間待たねば
ならなかった。
入した場合、媒体温度はすぐには環境温度に一致せず、
正確な温度検知をする為には、ある程度の時間待たねば
ならなかった。
(発明の概要)
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、それ
自身の温度を簡単に検知することが可能な光学的記録媒
体を収納したカートリッジ及びその記録媒体に最適な光
強度で情報を記録、再生又は消去することが出来、高い
C/N比が得られる光学的情報処理装置を提供すること
にある。
自身の温度を簡単に検知することが可能な光学的記録媒
体を収納したカートリッジ及びその記録媒体に最適な光
強度で情報を記録、再生又は消去することが出来、高い
C/N比が得られる光学的情報処理装置を提供すること
にある。
本発明の上記目的は、光ビームが照射されることによっ
て情報が記録又は再生される光学的記録媒体を収納し、
一部に温度が変化すると変色する感温物質を設けたカー
トリッジによって達成される。また、このカートリッジ
に収納された光学的記録媒体に光ビームを照射すること
によって、情報を記録、再生又は消去する光学的情報処
理装置は、前記感温物質の変色から温度を検知する手段
と、その検知結果に応じて前記記録媒体に照射される光
ビームの強度を制御する手段とを備えている。
て情報が記録又は再生される光学的記録媒体を収納し、
一部に温度が変化すると変色する感温物質を設けたカー
トリッジによって達成される。また、このカートリッジ
に収納された光学的記録媒体に光ビームを照射すること
によって、情報を記録、再生又は消去する光学的情報処
理装置は、前記感温物質の変色から温度を検知する手段
と、その検知結果に応じて前記記録媒体に照射される光
ビームの強度を制御する手段とを備えている。
本発明では、記録媒体を収納したカートリッジの温度を
検知している為、検知温度は媒体温度とほぼ等しいと見
なせ、媒体を装置に装填した直後のように媒体と周囲の
温度に差がある場合でも、正確な温度検知が可能である
。
検知している為、検知温度は媒体温度とほぼ等しいと見
なせ、媒体を装置に装填した直後のように媒体と周囲の
温度に差がある場合でも、正確な温度検知が可能である
。
〔実施例)
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明のカートリッジの一実施例を示す概略平
面図である。ここで、ディスクカートリッジ22の内部
には光磁気ディスク11が収納されている。カートリッ
ジ22の外表面には、軸Xで示す光学ヘッドの走査方向
に沿って、ディスク11の中心0に対してAの位置から
Bの位置にかけて、サーモクロミズム系の感温色素が1
0〜30μmの厚さで塗布された塗布部26が設けられ
ている。この色素は有機系の顔料(例えば、パイロット
インキ■製のメタモカラー(商標名)等)から成り、あ
る温度条件において透明から黒に変色する。また、塗布
部26は軸Xに沿って更に4つの領域26a、26b、
26c及び26dに分割され、各々10℃、20℃、3
0℃及び40℃で変色するように組成が調整された顔料
が塗布されている。
面図である。ここで、ディスクカートリッジ22の内部
には光磁気ディスク11が収納されている。カートリッ
ジ22の外表面には、軸Xで示す光学ヘッドの走査方向
に沿って、ディスク11の中心0に対してAの位置から
Bの位置にかけて、サーモクロミズム系の感温色素が1
0〜30μmの厚さで塗布された塗布部26が設けられ
ている。この色素は有機系の顔料(例えば、パイロット
インキ■製のメタモカラー(商標名)等)から成り、あ
る温度条件において透明から黒に変色する。また、塗布
部26は軸Xに沿って更に4つの領域26a、26b、
26c及び26dに分割され、各々10℃、20℃、3
0℃及び40℃で変色するように組成が調整された顔料
が塗布されている。
次に上記の光磁気ディスクに情報を記録・再生する光学
的情報処理装置の構成例を第2図に略断面図で示す。
的情報処理装置の構成例を第2図に略断面図で示す。
第2図において、半導体レーザ6から出射したレーザビ
ームはコリメータレンズ7で平行光となり、ビーム整形
プリズム8及び偏光ビームスプリッタ9を透過し、対物
レンズ10で光磁気ディスク11上に微小なスポットと
して結像される。
ームはコリメータレンズ7で平行光となり、ビーム整形
プリズム8及び偏光ビームスプリッタ9を透過し、対物
レンズ10で光磁気ディスク11上に微小なスポットと
して結像される。
光磁気ディスク11で反射された光は、再び対物レンズ
10を通り、偏光ビームスプリッタ9で反射されて媒体
への入射光と分離される。この反射光は更にセンサーレ
ンズ13を通り、ビームスプリッタ14で2分割されて
、夫々信号用センサ16及びサーボ用センサ17に集束
される。信号用センサ16の前には偏光板15が設けら
れ、磁気光学効果による偏光状態の変化を強度変調に変
換する。サーボ用センサ17は非点収差法及びプッシュ
プル法等の周知の方法でフォーカシング信号及びトラッ
キング信号を検知する。検出されたこれらのサーボ信号
は、レンズアクチュエータ12にフィードバックされ、
対物レンズ10を駆動することによって、オートフォー
カシング及びオートトラッキングが行われる。
10を通り、偏光ビームスプリッタ9で反射されて媒体
への入射光と分離される。この反射光は更にセンサーレ
ンズ13を通り、ビームスプリッタ14で2分割されて
、夫々信号用センサ16及びサーボ用センサ17に集束
される。信号用センサ16の前には偏光板15が設けら
れ、磁気光学効果による偏光状態の変化を強度変調に変
換する。サーボ用センサ17は非点収差法及びプッシュ
プル法等の周知の方法でフォーカシング信号及びトラッ
キング信号を検知する。検出されたこれらのサーボ信号
は、レンズアクチュエータ12にフィードバックされ、
対物レンズ10を駆動することによって、オートフォー
カシング及びオートトラッキングが行われる。
光磁気ディスク11は保護の為ディスクカートリッジ2
2に収納されている。そして、このディスク11は、ク
ランパ20によってターンテーブル19にクランプされ
、スピンドルモータ18によって回転される。光磁気デ
ィスク11の光ビームが照射される側とは反対側には、
バイアス磁石21が設けられ、記録時及び消去時にディ
スク11にバイアス磁界を印加する。
2に収納されている。そして、このディスク11は、ク
ランパ20によってターンテーブル19にクランプされ
、スピンドルモータ18によって回転される。光磁気デ
ィスク11の光ビームが照射される側とは反対側には、
バイアス磁石21が設けられ、記録時及び消去時にディ
スク11にバイアス磁界を印加する。
また前述の光学系等を内蔵する光学ヘッド27には、カ
ートリッジ22の感温色素の塗布部26に対向する光セ
ンサ23が設けられている。この先センサ23は、塗布
部26の変色からカートリッジ22の温度を検知する。
ートリッジ22の感温色素の塗布部26に対向する光セ
ンサ23が設けられている。この先センサ23は、塗布
部26の変色からカートリッジ22の温度を検知する。
光センサ23によって検知された温度は、中央処理装置
(Central Processing Uni
t、以下CPUと記す)24に送られ、この検知結果に
応じて、レーザ駆動回路25を介して半導体レーザ6の
出力が制御される。
(Central Processing Uni
t、以下CPUと記す)24に送られ、この検知結果に
応じて、レーザ駆動回路25を介して半導体レーザ6の
出力が制御される。
上記光センサ23による温度の検知は、以下のようにし
て行われる。第3図(a)及び第3図(b)は、第2図
示の装置における光学ヘッドの移動の様子を示す概略図
である。光学ヘッドは最初第3図(a)のようにAの位
置にあり、記録・再生に先だって第3図(b)のように
、そこからイニシャル位置であるBの位置、つまりディ
スクの最内周部に駆動する。これに伴って、光センサ2
3はカートリッジ22の塗布部26を走査する。
て行われる。第3図(a)及び第3図(b)は、第2図
示の装置における光学ヘッドの移動の様子を示す概略図
である。光学ヘッドは最初第3図(a)のようにAの位
置にあり、記録・再生に先だって第3図(b)のように
、そこからイニシャル位置であるBの位置、つまりディ
スクの最内周部に駆動する。これに伴って、光センサ2
3はカートリッジ22の塗布部26を走査する。
一方、塗布部26の領域28a、26b、26C及び2
8dには、前述のように変色温度の異なる材料が塗布さ
れている為、カートリッジ22の温度が変化すると、変
色した部分の長さが変化する。また、光センサは測定用
の光をディスクに照射し、その反射光を光電変換する。
8dには、前述のように変色温度の異なる材料が塗布さ
れている為、カートリッジ22の温度が変化すると、変
色した部分の長さが変化する。また、光センサは測定用
の光をディスクに照射し、その反射光を光電変換する。
従って、光センサ23がこれらの領域上を走査すると、
変色域の長さによってセンサ23の出力信号の波形が変
化する。例えば、センサ23によって検知される光量が
、顔料が透明の場合をLL、黒色の場合をり、とすると
、第3図(a)〜(b)のような光量変化と相似形の信
号がセンサ23から出力される。ここで、第3図は横軸
が時間で、縦軸が検知光量を示し、(a)、(b)、(
c)及び(d)は、それぞれディスクの温度が10〜2
0℃。
変色域の長さによってセンサ23の出力信号の波形が変
化する。例えば、センサ23によって検知される光量が
、顔料が透明の場合をLL、黒色の場合をり、とすると
、第3図(a)〜(b)のような光量変化と相似形の信
号がセンサ23から出力される。ここで、第3図は横軸
が時間で、縦軸が検知光量を示し、(a)、(b)、(
c)及び(d)は、それぞれディスクの温度が10〜2
0℃。
20〜30℃、30〜40℃及び40℃以上の場合であ
る。この出力信号の変化をCPU24で判別することに
よって、カートリッジ22の温度が検知される。
る。この出力信号の変化をCPU24で判別することに
よって、カートリッジ22の温度が検知される。
本実施例の装置において、情報を記録する際には、回転
している光磁気ディスク11にバイアス磁石21からバ
イアス磁界を印加しながら、半導体レーザ6から発した
レーザビームを照射することによって行う。この時、半
導体レーザ6は記録情報に従って駆動され、強度変調を
受けたレーザビームを出射する。また、このレーザビー
ムの強度は、カラーセンサ23で検知された媒体温度に
おいて、最適な記録パワーとなるようにCPU24によ
って制御される。従って、室温或いは装置内の温度変動
に伴って、記録媒体の温度が変化した場合にも、常にC
/N比の高い情報記録が可能である。
している光磁気ディスク11にバイアス磁石21からバ
イアス磁界を印加しながら、半導体レーザ6から発した
レーザビームを照射することによって行う。この時、半
導体レーザ6は記録情報に従って駆動され、強度変調を
受けたレーザビームを出射する。また、このレーザビー
ムの強度は、カラーセンサ23で検知された媒体温度に
おいて、最適な記録パワーとなるようにCPU24によ
って制御される。従って、室温或いは装置内の温度変動
に伴って、記録媒体の温度が変化した場合にも、常にC
/N比の高い情報記録が可能である。
上記の如く記録された情報を再生する場合には、半導体
レーザ6より低出力で無変調のレーザビームを光磁気デ
ィスク11に照射し、その反射光を信号用センサ16で
検出することによって行う。また、記録された情報を消
去する場合には、光磁気ディスク11にバイアスfiT
1石21より記録時と逆方向のバイアス磁界を印加し、
高出力で無変調のレーザビームを照射することによって
行う。このような情報の再生時或いは消去時にも、前述
のカラーセンサ23を用いて、媒体に照射される光ビー
ムが媒体温度に応じた最適の強度となるように制御して
も良い。通常、最適な消去パワーは、最適な記録パワー
の0.5〜1mW増し、最適な再生パワーは最適な記録
パワーの1/3〜115程度である。
レーザ6より低出力で無変調のレーザビームを光磁気デ
ィスク11に照射し、その反射光を信号用センサ16で
検出することによって行う。また、記録された情報を消
去する場合には、光磁気ディスク11にバイアスfiT
1石21より記録時と逆方向のバイアス磁界を印加し、
高出力で無変調のレーザビームを照射することによって
行う。このような情報の再生時或いは消去時にも、前述
のカラーセンサ23を用いて、媒体に照射される光ビー
ムが媒体温度に応じた最適の強度となるように制御して
も良い。通常、最適な消去パワーは、最適な記録パワー
の0.5〜1mW増し、最適な再生パワーは最適な記録
パワーの1/3〜115程度である。
本発明においては、カートリッジの温度に応じて光強度
を制御している。このカートリッジとそれに収納された
ディスクとは、常に一体で扱われる為、これらは等しい
温度を有していると考えられる。また、通常、カートリ
ッジ及びディスクは共に比熱0.25〜o、4cal/
gKのプラスチックで形成されている(多くの場合、両
方とも比熱0.3cal/gKのポリカーボネートで形
成される)為、環境温度が上昇或いは下降した場合の温
度変化もほぼ等しい。従って、カートリッジの温度を検
知することによって実質的に記録媒体の温度を知ること
が出来、光ビームの強度を最適なものとすることが出来
る。
を制御している。このカートリッジとそれに収納された
ディスクとは、常に一体で扱われる為、これらは等しい
温度を有していると考えられる。また、通常、カートリ
ッジ及びディスクは共に比熱0.25〜o、4cal/
gKのプラスチックで形成されている(多くの場合、両
方とも比熱0.3cal/gKのポリカーボネートで形
成される)為、環境温度が上昇或いは下降した場合の温
度変化もほぼ等しい。従って、カートリッジの温度を検
知することによって実質的に記録媒体の温度を知ること
が出来、光ビームの強度を最適なものとすることが出来
る。
最適な記録パワーは、例えば以下のようにして設定され
る。第5図(a)及び第5図(b)は、前述の光磁気デ
ィスク11に記録パワーを変化させて記録した場合に、
再生される信号のC/N比を示す図である。第5図(a
)及び第5図(b)は、それぞれディスクの最内周付近
及び最外周付近におけるデータである。最内周の方がピ
ットが密に記録される為、高い記録パワーにおけるC/
N比の低下が著しい。また、各々の曲線は媒体温度Tを
パラメータとしたデータを示す。この図から、媒体温度
に応じた最適の記録パワーが決定できる。例えば、実線
で示す媒体温度T=25℃の場合には、最適記録パワー
は3〜4mWである。
る。第5図(a)及び第5図(b)は、前述の光磁気デ
ィスク11に記録パワーを変化させて記録した場合に、
再生される信号のC/N比を示す図である。第5図(a
)及び第5図(b)は、それぞれディスクの最内周付近
及び最外周付近におけるデータである。最内周の方がピ
ットが密に記録される為、高い記録パワーにおけるC/
N比の低下が著しい。また、各々の曲線は媒体温度Tを
パラメータとしたデータを示す。この図から、媒体温度
に応じた最適の記録パワーが決定できる。例えば、実線
で示す媒体温度T=25℃の場合には、最適記録パワー
は3〜4mWである。
このような最適記録パワーは第6図のように示される。
第6図は横軸に媒体温度を、縦軸にその温度における最
適記録パワーをとったものである。
適記録パワーをとったものである。
従って、第2図におけるCPU24は、光センサ23で
検知される媒体温度に基づき、第6図に従って半導体レ
ーザ6の出力を制御すれば良い。
検知される媒体温度に基づき、第6図に従って半導体レ
ーザ6の出力を制御すれば良い。
本発明は、以上説明した実施例の他にも、種々の応用が
可能である。例えば、実施例では検知温度によって半導
体レーザの出力を制御したが、光路中に可変透過率フィ
ルターなどを設けて記録媒体に照射される光ビームの強
度を変化させても良い。また、感温物質として、やはり
ある温度で変色を示すコレステリック系等の液晶を用い
ても良い。更に実施例では顔料をカートリッジ表面に塗
布したが、これらの顔料をカートリッジの材料であるポ
リカーボネート或いはスチロール系樹脂中に溶かし込ま
せて成形するようにしても構わない。また、光センサを
透過型とすることも出来る。
可能である。例えば、実施例では検知温度によって半導
体レーザの出力を制御したが、光路中に可変透過率フィ
ルターなどを設けて記録媒体に照射される光ビームの強
度を変化させても良い。また、感温物質として、やはり
ある温度で変色を示すコレステリック系等の液晶を用い
ても良い。更に実施例では顔料をカートリッジ表面に塗
布したが、これらの顔料をカートリッジの材料であるポ
リカーボネート或いはスチロール系樹脂中に溶かし込ま
せて成形するようにしても構わない。また、光センサを
透過型とすることも出来る。
本発明は光磁気デイクスに限らず、相変化を用いた消去
可能型記録媒体やWO型記録媒体にも適用が可能である
。記録媒体の形状もカード状。
可能型記録媒体やWO型記録媒体にも適用が可能である
。記録媒体の形状もカード状。
テープ状等、いかなるものであっても構わない。
本発明は、実施例のように記録、再生及び消去を同一の
装置で行うものの他に、記録専用装置や再生専用装置に
も適用出来る。
装置で行うものの他に、記録専用装置や再生専用装置に
も適用出来る。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明は従来の光学的記録媒体を
収納したカートリッジの一部に感温物質を設け、この物
質の変色から媒体温度を検知して、その検知結果に応じ
て前記記録媒体に照射される光ビームの強度を制御する
ようにしたので、媒体の温度が変化した場合にも常に最
適な光強度での記録・再生・消去が可能で、記録情報の
消失や媒体の破壊の恐れをなくし、再生C/N比を向上
させる効果が得られたものである。
収納したカートリッジの一部に感温物質を設け、この物
質の変色から媒体温度を検知して、その検知結果に応じ
て前記記録媒体に照射される光ビームの強度を制御する
ようにしたので、媒体の温度が変化した場合にも常に最
適な光強度での記録・再生・消去が可能で、記録情報の
消失や媒体の破壊の恐れをなくし、再生C/N比を向上
させる効果が得られたものである。
第1図は本発明のカートリッジの一実施例を示す概略平
面図、第2図は第1図示のカートリッジを用いた光学的
情報処理装置の構成例を示す略平面図、第3図(a)及
び第3図(b)は夫々第2図示の装置における光学ヘッ
ドの駆動の様子を示す概略図、第4図(a)〜(d)は
夫々光センサで検出される光量変化を示す図、第5図(
a)及び第5図(b)は夫々記録パワーと再生C/N比
との関係を示す図、第6図は媒体温度と最適記録パワー
との関係を示す図である。 6・・・・・・・・・・・・半導体レーザ10・・・・
・・・・・・・・・対物レンズ11・・・・・・・・・
・・光磁気ディスク22・・・・・・・・ディスクカー
トリッジ23・・・・・・・・・・・・・・光センサ2
4・・・・・・・・・・・・・・・CPU25・・・・
・・・・・・・レーザ駆動回路26・・・・・・・・・
・・・顔料の塗布部用願人 キャノン株式会社 7′2− θ /254 5 6 iにづL琴)ノP’)−(mW) fと;ε碍ハ0ワー(ynWブ θ /θ ?ρ 30 40 g煤勾饗
ん変(・C)
面図、第2図は第1図示のカートリッジを用いた光学的
情報処理装置の構成例を示す略平面図、第3図(a)及
び第3図(b)は夫々第2図示の装置における光学ヘッ
ドの駆動の様子を示す概略図、第4図(a)〜(d)は
夫々光センサで検出される光量変化を示す図、第5図(
a)及び第5図(b)は夫々記録パワーと再生C/N比
との関係を示す図、第6図は媒体温度と最適記録パワー
との関係を示す図である。 6・・・・・・・・・・・・半導体レーザ10・・・・
・・・・・・・・・対物レンズ11・・・・・・・・・
・・光磁気ディスク22・・・・・・・・ディスクカー
トリッジ23・・・・・・・・・・・・・・光センサ2
4・・・・・・・・・・・・・・・CPU25・・・・
・・・・・・・レーザ駆動回路26・・・・・・・・・
・・・顔料の塗布部用願人 キャノン株式会社 7′2− θ /254 5 6 iにづL琴)ノP’)−(mW) fと;ε碍ハ0ワー(ynWブ θ /θ ?ρ 30 40 g煤勾饗
ん変(・C)
Claims (2)
- (1)光ビームが照射されることによって情報が記録又
は再生される光学的記録媒体を収納し、一部に温度が変
化すると変色する感温物質を設けたカートリッジ。 - (2)カートリッジに収納された光学的記録媒体に光ビ
ームを照射することによって、情報を記録、再生又は消
去する光学的情報処理装置において、 前記カートリッジはその一部に温度が変化すると変色す
る感温物質を有し、この感温物質の変色から温度を検知
する手段と、その検知結果に応じて前記記録媒体に照射
される光ビームの強度を制御する手段とを備えたことを
特徴とする光学的情報処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015234A JPH01191328A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | カートリツジ及びそれを用いた光学的情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015234A JPH01191328A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | カートリツジ及びそれを用いた光学的情報処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01191328A true JPH01191328A (ja) | 1989-08-01 |
Family
ID=11883177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63015234A Pending JPH01191328A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | カートリツジ及びそれを用いた光学的情報処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01191328A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03168943A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-22 | Hitachi Ltd | 光メモリ及び情報処理装置 |
| JPH04184716A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 情報記録装置 |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP63015234A patent/JPH01191328A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03168943A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-22 | Hitachi Ltd | 光メモリ及び情報処理装置 |
| JPH04184716A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 情報記録装置 |
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