JPH01191347A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH01191347A JPH01191347A JP63014220A JP1422088A JPH01191347A JP H01191347 A JPH01191347 A JP H01191347A JP 63014220 A JP63014220 A JP 63014220A JP 1422088 A JP1422088 A JP 1422088A JP H01191347 A JPH01191347 A JP H01191347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- recording medium
- optical information
- film
- cnr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ビームを用いて情報が記録再生される光記
録媒体に関するものである。
録媒体に関するものである。
テルル化ゲルマニウム（ＧｅＴｅ）は、光記録材料とし
て記録感度が高（、再生信号の信号対雑音比（ＣＮＲ）
を大きくすることができる好適な材料である。
て記録感度が高（、再生信号の信号対雑音比（ＣＮＲ）
を大きくすることができる好適な材料である。
さて、光情報記録媒体は、情報の長期保存、例えば１０
年以上の目的に使用されることがあり、高温高湿の環境
下に放置されても記録材料の変化がなく、記録情報を正
確に読み書きできることが必要である。
年以上の目的に使用されることがあり、高温高湿の環境
下に放置されても記録材料の変化がなく、記録情報を正
確に読み書きできることが必要である。
ＧｅＴｅ材料はかかる点についてみると、その薄膜が高
温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化腐食し反
射率や透過率薯光学的性質が変化する現象がある。
温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化腐食し反
射率や透過率薯光学的性質が変化する現象がある。
この原因として、Ｇ ｅ Ｔ ｅ結晶は菱面体構造をし
ているが、原子半径の小さい他の原子が侵入することの
できるすきまが存在することをあげることが出来る。即
ち、非晶質相のＧｅＴｅ薄膜中のＧｅ−Ｔｅ結晶原子間
距離は、均一でなく非常に広い分布をもつために、Ｇｅ
Ｔｅ薄膜が高温高湿の環境下におかれると、原子半径の
小さい酸素がこのすきまに侵入し、Ｑｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−
Ｇｅ。
ているが、原子半径の小さい他の原子が侵入することの
できるすきまが存在することをあげることが出来る。即
ち、非晶質相のＧｅＴｅ薄膜中のＧｅ−Ｔｅ結晶原子間
距離は、均一でなく非常に広い分布をもつために、Ｇｅ
Ｔｅ薄膜が高温高湿の環境下におかれると、原子半径の
小さい酸素がこのすきまに侵入し、Ｑｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−
Ｇｅ。
Ｔｅ−Ｔｅ結合を切断し、Ｇｅｍ２．Ｔｅａ□となって
徐々に薄膜を酸化させる。
徐々に薄膜を酸化させる。
この為、従来は、ＧｅＴｅ薄膜に酸化物、窒化物等の無
機薄膜を被着させて保護膜とし、高温高湿環境下におけ
るＧｅＴｅ薄膜の劣化を防止していたが、上記保護膜作
製に長時間を要したり、光情報記録媒体作製工程の複雑
化や媒体製造価格の上昇を招くという欠点があった。
機薄膜を被着させて保護膜とし、高温高湿環境下におけ
るＧｅＴｅ薄膜の劣化を防止していたが、上記保護膜作
製に長時間を要したり、光情報記録媒体作製工程の複雑
化や媒体製造価格の上昇を招くという欠点があった。
本出願人はこのような欠点を解消し、高温高温環境下に
放置されても、正確に情報を記録再生できる光情報記録
媒体を提供し得る記録薄膜として、ＧｅＴｅ材料にＡｇ
を添加した材料の記録薄膜を見出した。この様なＡｇが
添加されたＧｅＴｅ薄膜においては、Ａｇ原子によって
あらかじめＧｅ−Ｔｅ格子内のすきまが埋められている
ため酸素は侵入しにくく、またわずかに侵入した酸素は
Ａｇと結合しＡｇＯとなって安定するので、ＧｅＴｅ薄
膜は酸素の侵入による劣化から保護される。
放置されても、正確に情報を記録再生できる光情報記録
媒体を提供し得る記録薄膜として、ＧｅＴｅ材料にＡｇ
を添加した材料の記録薄膜を見出した。この様なＡｇが
添加されたＧｅＴｅ薄膜においては、Ａｇ原子によって
あらかじめＧｅ−Ｔｅ格子内のすきまが埋められている
ため酸素は侵入しにくく、またわずかに侵入した酸素は
Ａｇと結合しＡｇＯとなって安定するので、ＧｅＴｅ薄
膜は酸素の侵入による劣化から保護される。
ところが、上記Ａｇ添加ＧｅＴｅ薄膜を光記録膜とする
光情報記録媒体は、Ａｇ添加量が多いほど寿命が長（な
るものの、逆に信号対雑音比（ＣＮＲ）は徐々に劣化し
、従って、Ａｇが３原子パーセント以上では信頼できる
光情報記録媒体としての性能が得難＜、又Ａｇ含有量を
へらしたのでは寿命があまり延びないという問題があっ
た。
光情報記録媒体は、Ａｇ添加量が多いほど寿命が長（な
るものの、逆に信号対雑音比（ＣＮＲ）は徐々に劣化し
、従って、Ａｇが３原子パーセント以上では信頼できる
光情報記録媒体としての性能が得難＜、又Ａｇ含有量を
へらしたのでは寿命があまり延びないという問題があっ
た。
即ち、ＧｅＴｅ薄膜が記録光ビームの照射を受けて非晶
質相から結晶質相に転移すると、ＧｅＴｅ結合原子間距
離の分布は均一化され、Ａｇ原子が結晶質相Ｇｅ−Ｔｅ
格子内に入り得る量は制限され、非晶質相Ｇｅ−Ｔｅ格
子内にあったＡｇ原子がＧｅＴｅ薄膜の結晶化によって
Ｇｅ−Ｔｅ結晶格子外に排斥されＡｇが析出する。こう
して、析出したＡｇが再生光ビームの反射率を変化させ
て雑音成分となり、上述の如＜ ＣＮＲを低下させるも
のと思われる。
質相から結晶質相に転移すると、ＧｅＴｅ結合原子間距
離の分布は均一化され、Ａｇ原子が結晶質相Ｇｅ−Ｔｅ
格子内に入り得る量は制限され、非晶質相Ｇｅ−Ｔｅ格
子内にあったＡｇ原子がＧｅＴｅ薄膜の結晶化によって
Ｇｅ−Ｔｅ結晶格子外に排斥されＡｇが析出する。こう
して、析出したＡｇが再生光ビームの反射率を変化させ
て雑音成分となり、上述の如＜ ＣＮＲを低下させるも
のと思われる。
従って本発明は、寿命が長く、しかもＣＮＲの大きい光
情報記録媒体を提供することを目的としてなされたもの
である。
情報記録媒体を提供することを目的としてなされたもの
である。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明による光情報記録媒体は、基体上に形成された光
記録薄膜と、該光記録薄膜上に形成された保護膜からな
る光情報記録媒体において、前記光記録薄膜の主成分を
Ａｇが添加されたＧｅ−Ｔｅ系材料とし、前記光記録薄
膜中のＧｅの一部がＳｎで置換されてなることを特徴と
するものである。
記録薄膜と、該光記録薄膜上に形成された保護膜からな
る光情報記録媒体において、前記光記録薄膜の主成分を
Ａｇが添加されたＧｅ−Ｔｅ系材料とし、前記光記録薄
膜中のＧｅの一部がＳｎで置換されてなることを特徴と
するものである。
この様に本発明による光情報記録媒体においては、光記
録薄膜中々中のＣｕｅの一部がＳｎで置換されているた
めＧｅ （Ｓｎ） −Ｔｅ結合の原子間距離はＧｅ−Ｔ
ｅ結合原子間距離よりも大きくなる。
録薄膜中々中のＣｕｅの一部がＳｎで置換されているた
めＧｅ （Ｓｎ） −Ｔｅ結合の原子間距離はＧｅ−Ｔ
ｅ結合原子間距離よりも大きくなる。
従って結晶相Ｇｅ５ｎＴｅ格子内に入りうるＡｇ原子の
量が大きくなり、Ｇｅ５ｎＴｅ薄膜が結晶化してもＡｇ
の析出は起こらず、ＣＮＲも低下することなく、耐酸化
腐食性だけが向上する。
量が大きくなり、Ｇｅ５ｎＴｅ薄膜が結晶化してもＡｇ
の析出は起こらず、ＣＮＲも低下することなく、耐酸化
腐食性だけが向上する。
第１図は、本発明による光情報記録媒体の一実施例を示
したものである。即ち、１１はポリカーボネート基板で
あり、その上に光情報薄膜としてＡｇが添加されたＧｅ
５ｎＴｅ薄膜１２を有している。更に、該記録薄膜上に
傷や埃を防止するための樹脂保護膜１３を積層した。
したものである。即ち、１１はポリカーボネート基板で
あり、その上に光情報薄膜としてＡｇが添加されたＧｅ
５ｎＴｅ薄膜１２を有している。更に、該記録薄膜上に
傷や埃を防止するための樹脂保護膜１３を積層した。
ここで基板１１はポリカーボネートに限ることなく、従
来からの公知のＰＭＭＡ、 ポリオレフィン、エポキシ
等の透明樹脂板やガラス板を使用できる。
来からの公知のＰＭＭＡ、 ポリオレフィン、エポキシ
等の透明樹脂板やガラス板を使用できる。
光記録薄膜１２はスパッタリ〃゛法および蒸着法にて作
製する。
製する。
第２図は、該光記録薄膜を作製す不時に使用するスパッ
タリイ゛装置の概略図である。真空槽２１内の上部に設
けられた回転式基板支持テーブル２２の下面に、ポリカ
ーボネー１−？Ｊ板１１をとりつけ、真空槽２１内を約
５ＸＩＯ−’Ｐａに排気後、真空槽２１内にＡｒ等の活
性ガスを導入してガス圧を約５Ｘ１０−’Ｐａにする。
タリイ゛装置の概略図である。真空槽２１内の上部に設
けられた回転式基板支持テーブル２２の下面に、ポリカ
ーボネー１−？Ｊ板１１をとりつけ、真空槽２１内を約
５ＸＩＯ−’Ｐａに排気後、真空槽２１内にＡｒ等の活
性ガスを導入してガス圧を約５Ｘ１０−’Ｐａにする。
この状態でＧｅ３０原子パーセント、５ｎ２０原子パー
セント、Ｔｅ５０原子パーセントからなる合金ターゲッ
ト２３とＡｇターゲット２４に同時に高周波電流を印加
すると、スパッタリ？゛作用によって、基板１１上にＡ
ｇが添加されたＧｅＴｅ薄膜であって、該薄膜中のＧｅ
の一部がＳｎで置換されたＡｇ−Ｇｅ５ｎ’ｌ’ｅが形
成される。このとき３ＭＴＲ膜中のＳｎ量は、Ｇｅ５ｎ
Ｔｅ合金ターゲット２３中のＳｎ含有量を変化させるこ
とで任意に調整することができ、ＡｇｅはＡｇターゲッ
ト２４に印加される高周波電力によって任意に調整する
ことができる。
セント、Ｔｅ５０原子パーセントからなる合金ターゲッ
ト２３とＡｇターゲット２４に同時に高周波電流を印加
すると、スパッタリ？゛作用によって、基板１１上にＡ
ｇが添加されたＧｅＴｅ薄膜であって、該薄膜中のＧｅ
の一部がＳｎで置換されたＡｇ−Ｇｅ５ｎ’ｌ’ｅが形
成される。このとき３ＭＴＲ膜中のＳｎ量は、Ｇｅ５ｎ
Ｔｅ合金ターゲット２３中のＳｎ含有量を変化させるこ
とで任意に調整することができ、ＡｇｅはＡｇターゲッ
ト２４に印加される高周波電力によって任意に調整する
ことができる。
また、Ｓｎを調整する他の方法としては、ターゲットに
Ｇｅ５０原子パーセント、Ｔｅ５０原子パーセントの合
金を用い、該ターゲット上に５ｎ５０原子パー妄ント、
Ｔｅ５０原子パーセントの合金チップを載・置し、スパ
ッタリングすることによって、Ｇｅの一部をＳｎで置換
したＧｅ５ｎＴｅ薄膜を得るさい、該５ｎＴｅ合金チッ
プの数を増減させると、それに伴いＧｅ５ｎＴｅｌ膜中
のＳｎ量を増減させることができる。
Ｇｅ５０原子パーセント、Ｔｅ５０原子パーセントの合
金を用い、該ターゲット上に５ｎ５０原子パー妄ント、
Ｔｅ５０原子パーセントの合金チップを載・置し、スパ
ッタリングすることによって、Ｇｅの一部をＳｎで置換
したＧｅ５ｎＴｅ薄膜を得るさい、該５ｎＴｅ合金チッ
プの数を増減させると、それに伴いＧｅ５ｎＴｅｌ膜中
のＳｎ量を増減させることができる。
また、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｅ量を一定としてＡｇを変化させ
るには、上記方法以外に、Ｇｅ５ｎＴｅ合金ターゲット
２３上にＡｇチップを載置してスパツクすることで、Ａ
ｇ添加Ｇｅ５ｎＴｅ薄膜を得るさい、該Ａｇチップの数
を増減させるとＡｇが添加されたＧｅ５ｎＴｅ薄膜中の
Ａｇ量を増減させることができる。
るには、上記方法以外に、Ｇｅ５ｎＴｅ合金ターゲット
２３上にＡｇチップを載置してスパツクすることで、Ａ
ｇ添加Ｇｅ５ｎＴｅ薄膜を得るさい、該Ａｇチップの数
を増減させるとＡｇが添加されたＧｅ５ｎＴｅ薄膜中の
Ａｇ量を増減させることができる。
真空蒸着法においても同様に、Ｇｅ５ｎＴｅ合金とＡｇ
の２種の蒸発源からの２源同時蒸着法で、Ｇｅ５ｎＴｅ
合金の蒸発速度とＡｇの蒸発速度とを調整してＡｇ添加
Ｇｅ５ｎＴｅ薄膜が得られる。
の２種の蒸発源からの２源同時蒸着法で、Ｇｅ５ｎＴｅ
合金の蒸発速度とＡｇの蒸発速度とを調整してＡｇ添加
Ｇｅ５ｎＴｅ薄膜が得られる。
樹脂保護膜１３は、紫外線硬化型樹脂液をスピンナにて
塗布し、その後紫外線を照射すると樹脂は硬化し、皮膜
を形成する。樹脂保護膜１３は紫外線硬化型樹脂のみな
らず、湿気硬化型樹脂、二液反応型樹脂、溶剤型樹脂い
ずれも適用できる。
塗布し、その後紫外線を照射すると樹脂は硬化し、皮膜
を形成する。樹脂保護膜１３は紫外線硬化型樹脂のみな
らず、湿気硬化型樹脂、二液反応型樹脂、溶剤型樹脂い
ずれも適用できる。
この様にして作製したディスク状光情報記録媒体にレー
ザ光を照射して、回転数１８００ ｒｍ−ｐ。
ザ光を照射して、回転数１８００ ｒｍ−ｐ。
周波数ＩＭＨｚの信号を記録し、その後ＪＴＳＣ５０２
４Ｍ−１の温湿度加速試験を行い、ビット誤り率の増加
割合から媒体寿命を決定した。第１表に、本実施例によ
る光情報記録媒体の光記録膜組成、光記録膜の結晶化温
度、ＣＮＲ，媒体寿命を示す。また比較のためにＡｇが
添加されたＧｅＴｅ薄膜を光記録膜とする従来の光情報
記録媒体の光記録組成、光記録膜結晶化温度、ＣＮＲ，
媒体寿命も示す。
４Ｍ−１の温湿度加速試験を行い、ビット誤り率の増加
割合から媒体寿命を決定した。第１表に、本実施例によ
る光情報記録媒体の光記録膜組成、光記録膜の結晶化温
度、ＣＮＲ，媒体寿命を示す。また比較のためにＡｇが
添加されたＧｅＴｅ薄膜を光記録膜とする従来の光情報
記録媒体の光記録組成、光記録膜結晶化温度、ＣＮＲ，
媒体寿命も示す。
第 １ 表
この様に、本実施例による光情報記録媒体はＧｅＴｅ光
記録膜中のＧｅの約４０％が３ｎで置換されているため
に、添加するＡｇ量を５原子パーセントと大きくしても
、ＣＮＲは５１ｄＢと高い値を示し、従来例よりも多量
にＡｇが添加されているので媒体寿命は１８年と極めて
長くなっている。
記録膜中のＧｅの約４０％が３ｎで置換されているため
に、添加するＡｇ量を５原子パーセントと大きくしても
、ＣＮＲは５１ｄＢと高い値を示し、従来例よりも多量
にＡｇが添加されているので媒体寿命は１８年と極めて
長くなっている。
第３図には、本実施例と同様にして作製した本発明によ
る光情報記録媒体の光記録膜中のＳｎ量とＡｇ量を種々
に変化させた場合のＳｎ量、Ａｇ量と該光情報記録媒体
のＣＮＲ，媒体寿命の関係を示す。
る光情報記録媒体の光記録膜中のＳｎ量とＡｇ量を種々
に変化させた場合のＳｎ量、Ａｇ量と該光情報記録媒体
のＣＮＲ，媒体寿命の関係を示す。
従来例においては、点線３３の如（ＧｅＴｅ薄膜にＡｇ
を添加するにしたがって、媒体寿命は一点鎖線３４の如
く向上するものの、ＣＮＲが点線３３の如く徐々に低下
し、Ａｇ添加量が３原子パーセント以上になると、得ら
れるＣＮＲは４５ｄＢ以下となり、光情報記録媒体とし
ての性能は不十分である。Ａｇ添加量が３原子パーセン
ト未満では光情報記録媒体としての性能は得られるが媒
体寿命は６年未満となり情報長期保存の用途には適さな
くなる。
を添加するにしたがって、媒体寿命は一点鎖線３４の如
く向上するものの、ＣＮＲが点線３３の如く徐々に低下
し、Ａｇ添加量が３原子パーセント以上になると、得ら
れるＣＮＲは４５ｄＢ以下となり、光情報記録媒体とし
ての性能は不十分である。Ａｇ添加量が３原子パーセン
ト未満では光情報記録媒体としての性能は得られるが媒
体寿命は６年未満となり情報長期保存の用途には適さな
くなる。
一方９本発明による光情報記録媒体においては、ＧｅＴ
ｅ光記録膜中のＧｅの一部がＳｎで置換されているため
に、Ａｇ添加量を増してもＣＮＲの低下は小さく、した
がってＡｇ添加量をおおきくして媒体寿命を長くするこ
とができる。光記録膜中のＳｎ量が２６原子パーセント
においては、Ａｇ添加量が６原子パーセントであっても
ＣＮＲは５５ｄＢが得られ、寿命も２０年以上と極めて
長い。
ｅ光記録膜中のＧｅの一部がＳｎで置換されているため
に、Ａｇ添加量を増してもＣＮＲの低下は小さく、した
がってＡｇ添加量をおおきくして媒体寿命を長くするこ
とができる。光記録膜中のＳｎ量が２６原子パーセント
においては、Ａｇ添加量が６原子パーセントであっても
ＣＮＲは５５ｄＢが得られ、寿命も２０年以上と極めて
長い。
以上説明したように、本発明による光情報記録媒体にお
いては、光記録膜はＡｇを添加したＧｅＴｅ薄膜を主成
分とし、Ｇｅの一部がＳｎで置換されているために、光
情報記録媒体のＣＮＲを劣化させることなく、Ａｇ添加
量を増すことができ、したがって該光情報記録媒体の寿
命を長くすることができる。
いては、光記録膜はＡｇを添加したＧｅＴｅ薄膜を主成
分とし、Ｇｅの一部がＳｎで置換されているために、光
情報記録媒体のＣＮＲを劣化させることなく、Ａｇ添加
量を増すことができ、したがって該光情報記録媒体の寿
命を長くすることができる。
第一図は本発明による光情報記録媒体の一実施例を示す
断面図、第２図は本発明に適用しうるスパッタリング装
置の概略図、第３図はその特性の説明に供する線図であ
る。 １１・・・基板 １２・・・光記録薄膜 １３・・・樹脂保護膜 ２１・・・真空槽 ２２・・・基板支持テーブル ２３・”Ｇｅ５ｎＴｅターゲツト ２４・・・Ａｇターゲット
断面図、第２図は本発明に適用しうるスパッタリング装
置の概略図、第３図はその特性の説明に供する線図であ
る。 １１・・・基板 １２・・・光記録薄膜 １３・・・樹脂保護膜 ２１・・・真空槽 ２２・・・基板支持テーブル ２３・”Ｇｅ５ｎＴｅターゲツト ２４・・・Ａｇターゲット
Claims (1)
- 基体上に形成された光記録薄膜と、該光記録薄膜上に形
成された保護膜からなる光情報記録媒体において、前記
光記録薄膜の主成分をＡｇが添加されたＧｅ−Ｔｅ系材
料とし、前記光記録薄膜中のＧｅの一部がＳｎで置換さ
れてなることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014220A JP2571557B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014220A JP2571557B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01191347A true JPH01191347A (ja) | 1989-08-01 |
| JP2571557B2 JP2571557B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=11854994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63014220A Expired - Fee Related JP2571557B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571557B2 (ja) |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP63014220A patent/JP2571557B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2571557B2 (ja) | 1997-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |