JPH01192146A - 半導体装置用基板 - Google Patents
半導体装置用基板Info
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- JPH01192146A JPH01192146A JP1779788A JP1779788A JPH01192146A JP H01192146 A JPH01192146 A JP H01192146A JP 1779788 A JP1779788 A JP 1779788A JP 1779788 A JP1779788 A JP 1779788A JP H01192146 A JPH01192146 A JP H01192146A
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- JP
- Japan
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- substrate
- resin
- sealing
- electrodes
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この宅間は、ＩＣカード、ハイブリッドＩＣなどを製造
する際に用いる半導体装置用基板に関するものである。
する際に用いる半導体装置用基板に関するものである。
以下、従来の半導体装置用基板としてＩＣカードモジュ
ール用基板につので図を用＾て説明する。
ール用基板につので図を用＾て説明する。
第１３図（ａ） 、 （′ｂ） 、 （（りは、封止前
のＩＣカードモジュールのそれぞれ上面図（茨側二半導
体素子側）下面図〔裏側：１甑側）、断面図である。
のＩＣカードモジュールのそれぞれ上面図（茨側二半導
体素子側）下面図〔裏側：１甑側）、断面図である。
第１４図（ＩＬ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） ｉｊ、封
止後のＩＣカードモジュールのそれぞれ上面図、下面図
、断面図〒ある。
止後のＩＣカードモジュールのそれぞれ上面図、下面図
、断面図〒ある。
第１５図（ａ） 、 （ｂ）は、第１３図における。そ
れぞれ（ｅ） 、 （ｆ）部の拡大図である。
れぞれ（ｅ） 、 （ｆ）部の拡大図である。
第１６図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） ａ、ＩＣカ
ードモジュール用基板において封止を行う際のプロセス
の説明図で、それぞれ、金型を型締めする前、聾締め後
、及び封止後における第１４図ｄ −ｄ’の断面図であ
る。
ードモジュール用基板において封止を行う際のプロセス
の説明図で、それぞれ、金型を型締めする前、聾締め後
、及び封止後における第１４図ｄ −ｄ’の断面図であ
る。
第１７図（ａ） 、 （ｂ）は、第１６図における。そ
れぞれ（ｄ） 、 （ｅ）部の拡大図である。
れぞれ（ｄ） 、 （ｅ）部の拡大図である。
第１８図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） Ｔｒｉ 、
ＩＣカードモジュール用基板において封°止を行う
際のプロセスの説明図で、第１６図のそれぞれ（ａ）
、 （１：＋） 、 （ｃ）の紙面に垂直、かつ第１４
図ｅ−θ′における縦断面図である、第１９図（ａ）
、 （ｂ）は、第１８図における、それぞれ（ｄ） 、
（ｅ）部の拡大図である。
ＩＣカードモジュール用基板において封°止を行う
際のプロセスの説明図で、第１６図のそれぞれ（ａ）
、 （１：＋） 、 （ｃ）の紙面に垂直、かつ第１４
図ｅ−θ′における縦断面図である、第１９図（ａ）
、 （ｂ）は、第１８図における、それぞれ（ｄ） 、
（ｅ）部の拡大図である。
図【おいて、（１）は基材、［２）Ｖｉ導体％（３）は
半導体素子１４）Ｖｉ導体（２）と半導体素子（３）を
電気的に接続する金属細線、（５）は基板の裏面にある
。 ＩＣカードモジュールと外部を電気的に接続する外
部電極。
半導体素子１４）Ｖｉ導体（２）と半導体素子（３）を
電気的に接続する金属細線、（５）は基板の裏面にある
。 ＩＣカードモジュールと外部を電気的に接続する外
部電極。
（６）は導体〔２）と外部ｔＷを電気的に接続する貫通
孔〒あるスルーホール、（７）ｔｉ半導体素子（３）と
基材（１）又は導体（２）の一部を接続するＤ／Ｂ材。
孔〒あるスルーホール、（７）ｔｉ半導体素子（３）と
基材（１）又は導体（２）の一部を接続するＤ／Ｂ材。
（８）は封止樹脂、（９）は金型で（９−ａ）Ｆｉ上金
屋、（９−Ｎ Ｖｉ下金屋。
屋、（９−Ｎ Ｖｉ下金屋。
αＯは金型内に設けである封止樹脂が注入される部分〒
キャビティ％ｏｈ基板裏面外部電甑の間、基板周囲Ｖｃ
ｌ生した樹脂パリ、（ハ）は金型（９）に設けた溝で、
封止樹＠（８）が外部からキャビティαＯへ注入される
際の通路〒ゲートと呼ばれる部分である。
キャビティ％ｏｈ基板裏面外部電甑の間、基板周囲Ｖｃ
ｌ生した樹脂パリ、（ハ）は金型（９）に設けた溝で、
封止樹＠（８）が外部からキャビティαＯへ注入される
際の通路〒ゲートと呼ばれる部分である。
（至）は基板の裏面にある外部電極（５）間及び基板と
金属（９）間のすき間、α４）ｔｉ組立てられた基板で
ある。
金属（９）間のすき間、α４）ｔｉ組立てられた基板で
ある。
次にＩＣカードモジエールの製造プロセスのうち、封止
プロセスを、この発明に特に関係の深い低圧トランスフ
ァー法を例に示す。
プロセスを、この発明に特に関係の深い低圧トランスフ
ァー法を例に示す。
ＩＣカードモジュールを製造する際、基材（１）に半導
体素子（３）をＤ／Ｂ材（７）を用いて接着し、その後
。
体素子（３）をＤ／Ｂ材（７）を用いて接着し、その後
。
金やアルミニウムを素材とする金属細線（４）を用いて
半導体素子（３）とモジュール基板を電気的に接続する
。
半導体素子（３）とモジュール基板を電気的に接続する
。
上記ＩＣカードモジュールを封止樹脂（８）で封止した
のが第１４図に示すＩＣカードモジュールである０封止
工程を第１８図を例に説明すふと、第１８図（ａ） Ｖ
Ｃ示すように封止前のＩＣカードモジエールを金型（９
）の所定の場所（キャビティαυ）に置き、金型（９）
を型締めした後、外部からゲート（２）を通して封止樹
＠（８）が注入され、金型（９）内で硬化させて完成す
るＯ 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半導体装置用基板は以上のように溝底されて＾る
の〒、外部電極（５）のすき間（至）の部分が通路とな
＃）、封止樹脂（８）の注入時に、封止樹脂（８）が流
れ込み樹脂パリＩになってしまう。
のが第１４図に示すＩＣカードモジュールである０封止
工程を第１８図を例に説明すふと、第１８図（ａ） Ｖ
Ｃ示すように封止前のＩＣカードモジエールを金型（９
）の所定の場所（キャビティαυ）に置き、金型（９）
を型締めした後、外部からゲート（２）を通して封止樹
＠（８）が注入され、金型（９）内で硬化させて完成す
るＯ 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半導体装置用基板は以上のように溝底されて＾る
の〒、外部電極（５）のすき間（至）の部分が通路とな
＃）、封止樹脂（８）の注入時に、封止樹脂（８）が流
れ込み樹脂パリＩになってしまう。
第１６図〜第１９図にパリの生成状況を示す。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、封止樹脂（８）の樹脂パＩＪ （１１）が発
生しなりり、低圧トランスファー法による樹脂封止ＩＣ
カード、あるいけハイブリッドエ０を製作することが〒
きる半導体装置用基板を得ることを目的とするう 〔課題を解決するための手段〕 との発明に係る半導体装置用基板は、基板の裏面、半導
体素子を搭載してのない部分の、外部電極間のすき間の
部分全面又はすき間の部分で、基板の周囲の部分又は外
部電極の表面、及びすき間の部分で基板の周囲の部分に
、ソルダーレジスト等有機高分子又は他の可撓性材料を
充填又はコーティングし、ソルダーレジスト等有機高分
子又は他の可撓性材料の部分を設けたものである。
たもので、封止樹脂（８）の樹脂パＩＪ （１１）が発
生しなりり、低圧トランスファー法による樹脂封止ＩＣ
カード、あるいけハイブリッドエ０を製作することが〒
きる半導体装置用基板を得ることを目的とするう 〔課題を解決するための手段〕 との発明に係る半導体装置用基板は、基板の裏面、半導
体素子を搭載してのない部分の、外部電極間のすき間の
部分全面又はすき間の部分で、基板の周囲の部分又は外
部電極の表面、及びすき間の部分で基板の周囲の部分に
、ソルダーレジスト等有機高分子又は他の可撓性材料を
充填又はコーティングし、ソルダーレジスト等有機高分
子又は他の可撓性材料の部分を設けたものである。
この発明におけるソルダーレジスト等有機高分子又は他
の可撓性材料の部分は、外部電極と基材の間にできた段
差をなくすか又は減少させ、封止樹脂の通路となり、ｔ
た。樹脂パリの原因となる外部！甑間のすき間の高さを
なくすか又は減少させ、封止樹脂の流れ込みを防止し、
樹脂パリの発生をなくす。
の可撓性材料の部分は、外部電極と基材の間にできた段
差をなくすか又は減少させ、封止樹脂の通路となり、ｔ
た。樹脂パリの原因となる外部！甑間のすき間の高さを
なくすか又は減少させ、封止樹脂の流れ込みを防止し、
樹脂パリの発生をなくす。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例として、ＩＣカードモジュー
ル基板をもとに図につ匹て説明する。第１なめし第６図
は、それぞれ従来例の第１３．１５なめし１９図に相当
し、また図において％【１）ないしα４も従来例に示し
たものと同等であるの〒説明の重複を避ける。Ｑ５ｔ！
外部装置の電極と接触すみ部分、Ｑ！はソルダレジスト
である。
ル基板をもとに図につ匹て説明する。第１なめし第６図
は、それぞれ従来例の第１３．１５なめし１９図に相当
し、また図において％【１）ないしα４も従来例に示し
たものと同等であるの〒説明の重複を避ける。Ｑ５ｔ！
外部装置の電極と接触すみ部分、Ｑ！はソルダレジスト
である。
この実施例においては、有機高分子又は他の可撓性材料
としてソルダーレジストα０を用ハ、ソルダーレジスト
（至）等有機高分子又は他の可撓性材料の部分を、外部
電極（５）の表面及び外部電極（５）のすき間（至）の
うち、基板α◆の周囲の部分に設けたものである１この
実施例のように外部電極（５）の表面にソルダーレジス
ト３６１等の部分を設ける場合、第１図（１））に示す
ように外部装置のｔｉと接触する部分（至）に掛からな
いように注意する必要がある。なお、工０カードモジュ
ールにおける、外部装置の電極と接触すみ部分（至）の
仕様は工Ｓ Ｏ／Ｔ Ｏ９’７７８ Ｃｌワ／ＷＧ４（
第６図）で国際的に決められてβる口 以下１作用につ＾で説明する。第１図のように外部電極
（５）及び基板α１個の、基板α４の周囲の部分にソル
ダーレジストαＱ等、可撓性材料の部分を設けることに
より、第２図（ｂ）（第１図（ｃ）の（ｅ）部拡大図）
に示すように、外部軍隊（５）の厚さによる基板α４上
の溝が浅くなるか又は塞がれる。基板α尋を第３図のよ
うに金型（９−ａ）、 （９−Ｎにお＾で、低圧トラン
スファー封止した場合、第４図（ａ）の様に下金ｆｆ１
（９−ｂ）と基板α−の間のすき間（至）が塞がれるた
め、封止後のモジュールにお−でも第４図（ｂ）のよう
に電甑間に樹脂バリαＤができなＡｏなお、上記実施例
ではソルダーレジスト等可撓性材料の部分を基板の電極
側周囲部分に設けたが。
としてソルダーレジストα０を用ハ、ソルダーレジスト
（至）等有機高分子又は他の可撓性材料の部分を、外部
電極（５）の表面及び外部電極（５）のすき間（至）の
うち、基板α◆の周囲の部分に設けたものである１この
実施例のように外部電極（５）の表面にソルダーレジス
ト３６１等の部分を設ける場合、第１図（１））に示す
ように外部装置のｔｉと接触する部分（至）に掛からな
いように注意する必要がある。なお、工０カードモジュ
ールにおける、外部装置の電極と接触すみ部分（至）の
仕様は工Ｓ Ｏ／Ｔ Ｏ９’７７８ Ｃｌワ／ＷＧ４（
第６図）で国際的に決められてβる口 以下１作用につ＾で説明する。第１図のように外部電極
（５）及び基板α１個の、基板α４の周囲の部分にソル
ダーレジストαＱ等、可撓性材料の部分を設けることに
より、第２図（ｂ）（第１図（ｃ）の（ｅ）部拡大図）
に示すように、外部軍隊（５）の厚さによる基板α４上
の溝が浅くなるか又は塞がれる。基板α尋を第３図のよ
うに金型（９−ａ）、 （９−Ｎにお＾で、低圧トラン
スファー封止した場合、第４図（ａ）の様に下金ｆｆ１
（９−ｂ）と基板α−の間のすき間（至）が塞がれるた
め、封止後のモジュールにお−でも第４図（ｂ）のよう
に電甑間に樹脂バリαＤができなＡｏなお、上記実施例
ではソルダーレジスト等可撓性材料の部分を基板の電極
側周囲部分に設けたが。
ソルダーレジスト等可撓性材料の部分は外部装置のｗ１
隠と接続すみ部分以外の所であればよｌＡ９第７図な＾
し第１２図に、ソルダーレジスト等可撓性材料の部分を
電隠開のすき間を埋めるような形で設けた例を示し、そ
れぞれ第１図ないし第６図にて示した本のと対応する〇 また、この実施例でけ可撓性材料の部分に、ソルダーレ
ジストを用いたが、可撓性材料であれば何でも良な。
隠と接続すみ部分以外の所であればよｌＡ９第７図な＾
し第１２図に、ソルダーレジスト等可撓性材料の部分を
電隠開のすき間を埋めるような形で設けた例を示し、そ
れぞれ第１図ないし第６図にて示した本のと対応する〇 また、この実施例でけ可撓性材料の部分に、ソルダーレ
ジストを用いたが、可撓性材料であれば何でも良な。
また、この実施例でけ可撓性材料の表面が平面としてい
るが、実際には完全な平面になる場合は少ない。経験的
にげ、封止樹脂（８）に含まれるフィラーの粒径によっ
て４違うが、 ２０ｐ以内の凸凹であれば樹脂パリの余
生に有効となると思われる〇この実施例では、ＩＣカー
ドモジュールを例に説明したが、この発明の適用範囲は
ＩＣカード七ジュールに限定されず、片側を低圧トラン
スファー封止法により樹脂封止するハイブリッドＩＣ基
板なら何でも良く、その材質もガラスエポキシ基板に止
まらず、セラミック基板等でもよ＾。
るが、実際には完全な平面になる場合は少ない。経験的
にげ、封止樹脂（８）に含まれるフィラーの粒径によっ
て４違うが、 ２０ｐ以内の凸凹であれば樹脂パリの余
生に有効となると思われる〇この実施例では、ＩＣカー
ドモジュールを例に説明したが、この発明の適用範囲は
ＩＣカード七ジュールに限定されず、片側を低圧トラン
スファー封止法により樹脂封止するハイブリッドＩＣ基
板なら何でも良く、その材質もガラスエポキシ基板に止
まらず、セラミック基板等でもよ＾。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、ＩＣカード。
ハイブリノドエＣなどを製造する際に用する半導体装置
用基板の電甑側周囲に可撓性材料による樹脂の流れ止め
の部分を設けたので、低圧トランスファー法による封止
が行なえ、装置が安価にでき、また信頼性の良す製品が
得られる効果がある。
用基板の電甑側周囲に可撓性材料による樹脂の流れ止め
の部分を設けたので、低圧トランスファー法による封止
が行なえ、装置が安価にでき、また信頼性の良す製品が
得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置用基板の
外形図、第２図は第１図（ｅ） 、 （ｆ）部の拡大図
、第３図は第１図に示した半導体装置用基板を、金型を
用いて低圧トランスファー法により封止するプロセス及
び封止後の半導体装置の断面を示す図、第４図Ｆｉ第３
図（ｄ） 、 （８）部の拡大図、第５図は第３図の紙
面に垂直な面での断面図、第６図は第５図（ｄ） 、
（ｅ）部の拡大図、第７図はこの発明の他の実施例によ
る半導体装置用基板の外形図、第８図は第７図（ｅ）
、 （ｆ）部の拡大図％第９図は第７図に示した半導体
装置用基板を、金型を用めで低圧トランスファー法によ
シ封止するプロセス及び封止後の半導体装置の断面を示
す図％第１Ｏ図は第９図（（転）、（ｅ）部の拡大図、
第１１図は第９図の紙面に垂直な面での断面図、第１２
図は第１１図（ｄ）、（θ）部の拡大図である。 第１３図は従来のＩＣカードモジュール基板の外形図、
第１４図ハＩＣカードモジュールの外形図及び断面図、
第１５図は従来のＩＣカードモジュール基板を低圧トラ
ンスファー法で作製する際の問題点を示す図で、第１３
図（ｅ） 、 （ｆ）部の拡大図％第１６図〜第１９図
は第１３図に示した従来基板を低圧トランスファー法を
用りて封止する場合の問題点を示す図であシ、第１６図
は第１３図に示した半導体装置用基板を金型を用いて低
圧トランスファー法により封止するプロセス及び、封止
後の半導体装置を示す断面図、第１７図は第１６図の（
ｄ） 、 （，３）部の拡大図、第１８図は第１６図の
紙面に垂直な面での断面図、第１９図は第１８図（ｄ）
、 （ｅ）部の拡大図であるＯ 図中％（１）は基材、（２）は導体、（３）は半導体素
子。 （４）は金属細線％（５）は外部ｉｌＥ隠、（６）はス
ルーホール、（７） ｕ Ｄ／Ｂ材、（８）ハ封止樹脂
、（９）ハ金型で（９−ａ）は下金Ｗ、（９−ＮＨ下金
型、αｄはキャビティ、αＤμ樹脂パリ％（２）はゲー
ト、ａ３はすき間、ａ１１板、（至）は外部装置のｗＬ
甑の接触する部分、αＧはソルダーレジストである。 なお１図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 佑１図 第２図 第３図 第す図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１８図 第１９図 手続補正書（自発）
外形図、第２図は第１図（ｅ） 、 （ｆ）部の拡大図
、第３図は第１図に示した半導体装置用基板を、金型を
用いて低圧トランスファー法により封止するプロセス及
び封止後の半導体装置の断面を示す図、第４図Ｆｉ第３
図（ｄ） 、 （８）部の拡大図、第５図は第３図の紙
面に垂直な面での断面図、第６図は第５図（ｄ） 、
（ｅ）部の拡大図、第７図はこの発明の他の実施例によ
る半導体装置用基板の外形図、第８図は第７図（ｅ）
、 （ｆ）部の拡大図％第９図は第７図に示した半導体
装置用基板を、金型を用めで低圧トランスファー法によ
シ封止するプロセス及び封止後の半導体装置の断面を示
す図％第１Ｏ図は第９図（（転）、（ｅ）部の拡大図、
第１１図は第９図の紙面に垂直な面での断面図、第１２
図は第１１図（ｄ）、（θ）部の拡大図である。 第１３図は従来のＩＣカードモジュール基板の外形図、
第１４図ハＩＣカードモジュールの外形図及び断面図、
第１５図は従来のＩＣカードモジュール基板を低圧トラ
ンスファー法で作製する際の問題点を示す図で、第１３
図（ｅ） 、 （ｆ）部の拡大図％第１６図〜第１９図
は第１３図に示した従来基板を低圧トランスファー法を
用りて封止する場合の問題点を示す図であシ、第１６図
は第１３図に示した半導体装置用基板を金型を用いて低
圧トランスファー法により封止するプロセス及び、封止
後の半導体装置を示す断面図、第１７図は第１６図の（
ｄ） 、 （，３）部の拡大図、第１８図は第１６図の
紙面に垂直な面での断面図、第１９図は第１８図（ｄ）
、 （ｅ）部の拡大図であるＯ 図中％（１）は基材、（２）は導体、（３）は半導体素
子。 （４）は金属細線％（５）は外部ｉｌＥ隠、（６）はス
ルーホール、（７） ｕ Ｄ／Ｂ材、（８）ハ封止樹脂
、（９）ハ金型で（９−ａ）は下金Ｗ、（９−ＮＨ下金
型、αｄはキャビティ、αＤμ樹脂パリ％（２）はゲー
ト、ａ３はすき間、ａ１１板、（至）は外部装置のｗＬ
甑の接触する部分、αＧはソルダーレジストである。 なお１図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 佑１図 第２図 第３図 第す図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１８図 第１９図 手続補正書（自発）
Claims (1)
- ＩＣカード、ハイブリッドＩＣなど、１つ又は複数の
半導体素子をガラスエポキシ材やセラミックを基材とし
、金属銅や銀−パラジウム焼成導体で回路や導体を形成
した基板上に搭載した半導体装置に用いる上記基板にお
いて、基板の裏面、又は半導体素子を搭載していない側
の特に周囲に、ソルダーレジスト等有機高分子、又は他
の可撓性材料の部分を設けたことを特徴とする半導体装
置用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1779788A JPH01192146A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 半導体装置用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1779788A JPH01192146A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 半導体装置用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192146A true JPH01192146A (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=11953706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1779788A Pending JPH01192146A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 半導体装置用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01192146A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157763A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Mitsumi Electric Co Ltd | 回路モジュール |
| JP2008149677A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止金型 |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP1779788A patent/JPH01192146A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157763A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Mitsumi Electric Co Ltd | 回路モジュール |
| JP2008149677A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止金型 |
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