JPH0119254B2 - - Google Patents
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- JPH0119254B2 JPH0119254B2 JP3574281A JP3574281A JPH0119254B2 JP H0119254 B2 JPH0119254 B2 JP H0119254B2 JP 3574281 A JP3574281 A JP 3574281A JP 3574281 A JP3574281 A JP 3574281A JP H0119254 B2 JPH0119254 B2 JP H0119254B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- discharge
- high frequency
- frequency electrode
- shield
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、平行平板型高周波電極を用いたスパ
ツタリング、ドライエツチング、プラズマCVD
などのプラズマ処理装置に関する。特に浮遊容量
が小さく、しかも不必要な部分でのプラズマの発
生を防いだ改良された電極を有するプラズマ処理
装置に関する。
ツタリング、ドライエツチング、プラズマCVD
などのプラズマ処理装置に関する。特に浮遊容量
が小さく、しかも不必要な部分でのプラズマの発
生を防いだ改良された電極を有するプラズマ処理
装置に関する。
一般のプラズマ処理装置においては、高周波を
電極に印加して放電を発生させる場合、高周波電
源の出力インピーダンスと放電インピーダンスが
マツチングしていないと放電が起らなかつたり反
射電力が大きくなり、放電電力を大きくすること
ができなくなつたりする。放電インピーダンスは
放電圧力、放電ガスの種類、放電電力、電極形状
等により大きく変わる。スパツタリング、ドライ
エツチング、プラズマCVDなどの場合のその値
は100Ω〜1kΩ程度の範囲で変化する。一方高周
波電源の出力インピーダンスは一般に一定であり
50Ωにする場合が多い。高周波電源の出力インピ
ーダンスと放電インピーダンスをマツチングさせ
るため高周波電源と高周波電極の間にマツチング
回路を入れ、マツチング回路を含む放電インピー
ダンスが高周波電源の出力インピーダンスに等し
くなるようにする。
電極に印加して放電を発生させる場合、高周波電
源の出力インピーダンスと放電インピーダンスが
マツチングしていないと放電が起らなかつたり反
射電力が大きくなり、放電電力を大きくすること
ができなくなつたりする。放電インピーダンスは
放電圧力、放電ガスの種類、放電電力、電極形状
等により大きく変わる。スパツタリング、ドライ
エツチング、プラズマCVDなどの場合のその値
は100Ω〜1kΩ程度の範囲で変化する。一方高周
波電源の出力インピーダンスは一般に一定であり
50Ωにする場合が多い。高周波電源の出力インピ
ーダンスと放電インピーダンスをマツチングさせ
るため高周波電源と高周波電極の間にマツチング
回路を入れ、マツチング回路を含む放電インピー
ダンスが高周波電源の出力インピーダンスに等し
くなるようにする。
放電時のインピーダンスは等価的に抵抗Ｒと容
量Ｃとが並列に電極間に入つているものとして表
わすことができる。この容量は更に目的のプラズ
マ発生のため平行平板電極間の容量とこれらの電
極とこれらの電極を取り囲む真空容器その他の接
地あるいは非接地の導体との間に関係する容量に
分けられる。後者の容量は、一般に浮遊容量と呼
ばれ普通プラズマ処理装置では平行平板間の容量
よりも浮遊容量の方が大きい。浮遊容量が大きい
ことは特に以下の二つの点で好ましくない。(1)マ
ツチング回路によりRF電源の出力インピーダン
スと放電インピーダンスをマツチングさせても浮
遊容量が大きくなると放電に消費される実効パワ
ーが小さくなる。(2)放電状態の変化により放電イ
ンピーダンスは変化するためマツチング回路内の
可変容量コンデンサーもしくは可変誘導コイルで
インピーダンスを変え、RF電源の出力インピー
ダンスに一致させるようにする。この場合浮遊容
量が大きいと可変インピーダンスの範囲が大きく
なり大きい可変容量コンデンサーもしくは可変誘
導コイルが必要になる。一般的に可変容量コンデ
ンサーの方がよく用いられ真空コンデンサーを用
いることが多いが真空コンデンサーは高価である
ため、低価格にするためできる限り低容量である
ことが望まれる。
量Ｃとが並列に電極間に入つているものとして表
わすことができる。この容量は更に目的のプラズ
マ発生のため平行平板電極間の容量とこれらの電
極とこれらの電極を取り囲む真空容器その他の接
地あるいは非接地の導体との間に関係する容量に
分けられる。後者の容量は、一般に浮遊容量と呼
ばれ普通プラズマ処理装置では平行平板間の容量
よりも浮遊容量の方が大きい。浮遊容量が大きい
ことは特に以下の二つの点で好ましくない。(1)マ
ツチング回路によりRF電源の出力インピーダン
スと放電インピーダンスをマツチングさせても浮
遊容量が大きくなると放電に消費される実効パワ
ーが小さくなる。(2)放電状態の変化により放電イ
ンピーダンスは変化するためマツチング回路内の
可変容量コンデンサーもしくは可変誘導コイルで
インピーダンスを変え、RF電源の出力インピー
ダンスに一致させるようにする。この場合浮遊容
量が大きいと可変インピーダンスの範囲が大きく
なり大きい可変容量コンデンサーもしくは可変誘
導コイルが必要になる。一般的に可変容量コンデ
ンサーの方がよく用いられ真空コンデンサーを用
いることが多いが真空コンデンサーは高価である
ため、低価格にするためできる限り低容量である
ことが望まれる。
一方スパツタリング、ドライエツチング、プラ
ズマCVDなどのプラズマ処理装置は工業的に用
いられるようになり、その高周波電極はますます
大型化してきている。それに伴ない電極の浮遊容
量も大きくなつてきている。この浮遊容量を小さ
くする一つの方法として第１図のような高周波電
極が提案されている。第１図について説明する。
高周波電極１は絶縁物２を介しチヤンバー蓋３に
固定されている。真空シールはＯリング４，５に
よりなされている。高周波電極１に対した位置に
接地されたアノード６が設けられている。チヤン
バー７内を適当な圧力にして高周波電極１にマツ
チング回路８を介し高周波電源９より高周波を印
加すると高周波電極１とアノード６に放電が起
る。シールド板１０は他の部分に放電を廻り込ま
せないような役割を果している。このような電極
構造にすると、高周波電極と接地部が相対してい
る面積が少なく浮遊容量が小さくできる。
ズマCVDなどのプラズマ処理装置は工業的に用
いられるようになり、その高周波電極はますます
大型化してきている。それに伴ない電極の浮遊容
量も大きくなつてきている。この浮遊容量を小さ
くする一つの方法として第１図のような高周波電
極が提案されている。第１図について説明する。
高周波電極１は絶縁物２を介しチヤンバー蓋３に
固定されている。真空シールはＯリング４，５に
よりなされている。高周波電極１に対した位置に
接地されたアノード６が設けられている。チヤン
バー７内を適当な圧力にして高周波電極１にマツ
チング回路８を介し高周波電源９より高周波を印
加すると高周波電極１とアノード６に放電が起
る。シールド板１０は他の部分に放電を廻り込ま
せないような役割を果している。このような電極
構造にすると、高周波電極と接地部が相対してい
る面積が少なく浮遊容量が小さくできる。
絶縁物２は加工性がよいこと、真空中で使用で
きること、耐電圧がよいこと、誘電損失が小さい
ことなどの条件を満さなければならないため、四
フツ化エチレン樹脂が一般的に用いられている。
四フツ化エチレン樹脂は高価であるため高周波電
極１が大きくなれば、絶縁物２も大きくなり、高
周波電極部は非常に高価格になる。又、高周波電
極を回転させたり、250℃以上に加熱したりする
場合は第１図に示す構造の高周波電極は全く適し
ていない。
きること、耐電圧がよいこと、誘電損失が小さい
ことなどの条件を満さなければならないため、四
フツ化エチレン樹脂が一般的に用いられている。
四フツ化エチレン樹脂は高価であるため高周波電
極１が大きくなれば、絶縁物２も大きくなり、高
周波電極部は非常に高価格になる。又、高周波電
極を回転させたり、250℃以上に加熱したりする
場合は第１図に示す構造の高周波電極は全く適し
ていない。
浮遊容量を小さくする他の方法として、高周波
電極と接地部（以下シールド板と呼ぶ）の相対し
ている面積が大きくてもその間の距離を大きくし
た電極構造にすることが考えられる。しかし電極
とシールド板の間隔が大きいとその間でも放電が
生じてしまう。放電を生じさせない間隔は放電条
件により異なるがスパツタリングの場合５〜８
mm、ドライエツチングの場合３〜５mm、プラズマ
CVDの場合１〜５mmでその間隔はあまり変えら
れない。放電を生じさせず等価的に距離を大きく
する方法としてこの間隔を大きくし、その間に絶
縁物を入れる構置がよく用いられている。この絶
縁物は第１図説明のとき述べた性質を備えている
必要があるため四フツ化エチレン樹脂が一般的に
用いられる。前述したように大きい電極になれば
非常に高価になり、250℃以上の高温では使用で
きないという欠点がこの電極構造にはある。
電極と接地部（以下シールド板と呼ぶ）の相対し
ている面積が大きくてもその間の距離を大きくし
た電極構造にすることが考えられる。しかし電極
とシールド板の間隔が大きいとその間でも放電が
生じてしまう。放電を生じさせない間隔は放電条
件により異なるがスパツタリングの場合５〜８
mm、ドライエツチングの場合３〜５mm、プラズマ
CVDの場合１〜５mmでその間隔はあまり変えら
れない。放電を生じさせず等価的に距離を大きく
する方法としてこの間隔を大きくし、その間に絶
縁物を入れる構置がよく用いられている。この絶
縁物は第１図説明のとき述べた性質を備えている
必要があるため四フツ化エチレン樹脂が一般的に
用いられる。前述したように大きい電極になれば
非常に高価になり、250℃以上の高温では使用で
きないという欠点がこの電極構造にはある。
本発明は、処理効率を上げるための装置の大型
化に伴う高周波電極の大型化によつて浮遊容量が
増加したり、高温加熱が実質的に極めて困難にな
つたりする従来の電極構造を改善することによつ
て高性能のプラズマ処理装置を提供することを目
的とする。
化に伴う高周波電極の大型化によつて浮遊容量が
増加したり、高温加熱が実質的に極めて困難にな
つたりする従来の電極構造を改善することによつ
て高性能のプラズマ処理装置を提供することを目
的とする。
上述の目的を達成するため本発明のプラズマ処
理装置においては、接地されていない高周波電極
の周囲のうち、対向高周波電極（アノード）に面
する部分を除いた部分の周囲の真空容器やシール
ド板などの接地電位の導体との間にこれらの接地
電位の導体とも、内部の高周波電極とも電気的に
は絶縁された金属板を挿入する方法を採つてい
る。金属板は必要に応じて、１枚のみならず２枚
以上挿入することもできる。このように金属板を
挿入することにより、高周波電極と、対向電極を
除いた周囲導体との間の浮遊容量を減少させ、し
かも不要部分での放電、プラズマの発生を防ぐこ
とができる。
理装置においては、接地されていない高周波電極
の周囲のうち、対向高周波電極（アノード）に面
する部分を除いた部分の周囲の真空容器やシール
ド板などの接地電位の導体との間にこれらの接地
電位の導体とも、内部の高周波電極とも電気的に
は絶縁された金属板を挿入する方法を採つてい
る。金属板は必要に応じて、１枚のみならず２枚
以上挿入することもできる。このように金属板を
挿入することにより、高周波電極と、対向電極を
除いた周囲導体との間の浮遊容量を減少させ、し
かも不要部分での放電、プラズマの発生を防ぐこ
とができる。
以下第２図により本発明を詳細に説明する。チ
ヤンバー７とチヤンバー蓋３とで形成される真空
室内に高周波電極１とアノード６が対して設置さ
れる。排気ポート１１より真空ポンプ（図示せ
ず）で真空室内を排気しながら、放電ガス１２を
ガス導入口１３より導入し適切な放電圧力にす
る。マツチング回路８を介して高周波電力を高周
波電源９より高周波電極１に供給する。すると高
周波電極１とアノード６との間にプラズマ１３が
発生する。高周波電極１の前面以下で不要な放電
を起させないため通常その高周波電極１の後面、
側面にはシールド板１４が設けられる。
ヤンバー７とチヤンバー蓋３とで形成される真空
室内に高周波電極１とアノード６が対して設置さ
れる。排気ポート１１より真空ポンプ（図示せ
ず）で真空室内を排気しながら、放電ガス１２を
ガス導入口１３より導入し適切な放電圧力にす
る。マツチング回路８を介して高周波電力を高周
波電源９より高周波電極１に供給する。すると高
周波電極１とアノード６との間にプラズマ１３が
発生する。高周波電極１の前面以下で不要な放電
を起させないため通常その高周波電極１の後面、
側面にはシールド板１４が設けられる。
本実施例においては、高周波電極１と接地電位
にあるシールド板１４との間に互に絶縁されかつ
高周波電極１、シールド板１４とも絶縁された２
枚の金属板１５および１６が挿入されている。こ
れらの金属板はシールド板１４と近い作用もあり
便宜上シールド電極Ａ１５、シールド電極Ｂ１６
と呼ぶ。高周波電極１とシールド板１４の間はシ
ールド電極Ａ１５とシールド電極Ｂ１６によりほ
ぼ等分されるよう絶縁石１７で固定される。そし
てこれらの間隔は放電が入り込まないような距離
例えば〜５mmに設定される。この距離はあまり小
さくすると高周波電極３と各シールド電極シール
ド板間でアーク放電を生じるので、放電が入り込
まない程度に小さく、アーク放電が生じない程度
に大きくとらなければならない。高周波電極１と
シールド電極Ｂ１６の間の浮遊容量をC1とし、
シールド電極Ｂ１６とシールド電極Ａ１５の間の
浮遊容量をC2とし、シールド電極Ａ１５とシー
ルド板１４の間の浮遊容量をC3とする。高周波
電極１とアノード６間の浮遊容量を無視すると高
周波電極１の浮遊容量Ｃは１／Ｃ＝１／C1＋
１／C2＋１／C3となる。C1C2C3とするとＣ
１／３C1となる。シールド電極をｎ個入れるそれ らの間隔をほぼ等しくすれば高周波電極の浮遊容
量ＣはＣ＝１／ｎ＋１C1となり、従来用いられてい るような１個のシールド板付高周波電極に比し浮
遊容量を小さくできる。なお高周波電極、各シー
ルド電極、シールド板間の電気容量をほぼ等しく
しておけば各電極間あるいは電極シールド板間に
かかる電圧もほぼ等分配されこれらの間で異常放
電が起ることもない。これらのシールド電極、シ
ールド板はステンレス板で作られており、絶縁物
１７は小さくてすむため絶縁石を用いることがで
きる。従つて高周波電極を250℃以上まで加熱し
ても全く問題が生じないのみならず、２板のシー
ルド電極は熱絶縁に対しても非常に有効である。
（但し軸シール部の水冷は必要であるが狭い部分
の冷却なので容易である）。
にあるシールド板１４との間に互に絶縁されかつ
高周波電極１、シールド板１４とも絶縁された２
枚の金属板１５および１６が挿入されている。こ
れらの金属板はシールド板１４と近い作用もあり
便宜上シールド電極Ａ１５、シールド電極Ｂ１６
と呼ぶ。高周波電極１とシールド板１４の間はシ
ールド電極Ａ１５とシールド電極Ｂ１６によりほ
ぼ等分されるよう絶縁石１７で固定される。そし
てこれらの間隔は放電が入り込まないような距離
例えば〜５mmに設定される。この距離はあまり小
さくすると高周波電極３と各シールド電極シール
ド板間でアーク放電を生じるので、放電が入り込
まない程度に小さく、アーク放電が生じない程度
に大きくとらなければならない。高周波電極１と
シールド電極Ｂ１６の間の浮遊容量をC1とし、
シールド電極Ｂ１６とシールド電極Ａ１５の間の
浮遊容量をC2とし、シールド電極Ａ１５とシー
ルド板１４の間の浮遊容量をC3とする。高周波
電極１とアノード６間の浮遊容量を無視すると高
周波電極１の浮遊容量Ｃは１／Ｃ＝１／C1＋
１／C2＋１／C3となる。C1C2C3とするとＣ
１／３C1となる。シールド電極をｎ個入れるそれ らの間隔をほぼ等しくすれば高周波電極の浮遊容
量ＣはＣ＝１／ｎ＋１C1となり、従来用いられてい るような１個のシールド板付高周波電極に比し浮
遊容量を小さくできる。なお高周波電極、各シー
ルド電極、シールド板間の電気容量をほぼ等しく
しておけば各電極間あるいは電極シールド板間に
かかる電圧もほぼ等分配されこれらの間で異常放
電が起ることもない。これらのシールド電極、シ
ールド板はステンレス板で作られており、絶縁物
１７は小さくてすむため絶縁石を用いることがで
きる。従つて高周波電極を250℃以上まで加熱し
ても全く問題が生じないのみならず、２板のシー
ルド電極は熱絶縁に対しても非常に有効である。
（但し軸シール部の水冷は必要であるが狭い部分
の冷却なので容易である）。
以上のように、本発明によるプラズマ処理装置
は大型の高周波電極を設置しても、浮遊容量が小
さく、不要部分での放電、プラズマの発生を防
ぎ、電極加熱も容易であり、電極を加熱した場合
の熱のシールドにも優れており、これらの特長を
安価に実現できる。更に、実施例でも説明したよ
うに必要があれば、高周波電極を回転させる構造
も、従来の装置と比較すれば極めて容易にでき
る。
は大型の高周波電極を設置しても、浮遊容量が小
さく、不要部分での放電、プラズマの発生を防
ぎ、電極加熱も容易であり、電極を加熱した場合
の熱のシールドにも優れており、これらの特長を
安価に実現できる。更に、実施例でも説明したよ
うに必要があれば、高周波電極を回転させる構造
も、従来の装置と比較すれば極めて容易にでき
る。
以上の説明は、例として挙げたもので、本発明
の範囲を限定するものではない。要するに高周波
電極の周囲の少なくとも一部に、周囲の導体との
間に高周波電極、周囲の導体と絶縁された金属板
を挿入する構造を有するプラズマ処理装置はすべ
て本発明の範囲であり、金属板の枚数、位置など
の制約は受けない。又、電極位置の上下関係など
も自由に選べることは明白である。場合によれば
金属板に任意の孔をあけるなどの変形を行ない排
気やガス交換を容易にすることも、本発明の目的
を守れる範囲で行い得ることも明らかである。
の範囲を限定するものではない。要するに高周波
電極の周囲の少なくとも一部に、周囲の導体との
間に高周波電極、周囲の導体と絶縁された金属板
を挿入する構造を有するプラズマ処理装置はすべ
て本発明の範囲であり、金属板の枚数、位置など
の制約は受けない。又、電極位置の上下関係など
も自由に選べることは明白である。場合によれば
金属板に任意の孔をあけるなどの変形を行ない排
気やガス交換を容易にすることも、本発明の目的
を守れる範囲で行い得ることも明らかである。
第１図は従来の高周波電極の説明をするための
断面図であり、第２図は本発明の実施例を示す高
周波電極の断面図である。 １……高周波電極、６……高周波電極（アノー
ド）、１５，１６……シールド電極、１７……絶
縁物。
断面図であり、第２図は本発明の実施例を示す高
周波電極の断面図である。 １……高周波電極、６……高周波電極（アノー
ド）、１５，１６……シールド電極、１７……絶
縁物。
Claims (1)
- １ 相対する平行平板高周波電極を有するプラズ
マ処理装置において、前記電極のうち接地電位に
ない電極と該電極の周囲の接地電位の導体との間
に、該電極および該電極の周囲の導体のいずれか
らも絶縁された浮遊容量を小さくするための金属
板を少なくとも１枚挿入した電極構造を有するこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3574281A JPS57149735A (en) | 1981-03-12 | 1981-03-12 | Plasma treating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3574281A JPS57149735A (en) | 1981-03-12 | 1981-03-12 | Plasma treating device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57149735A JPS57149735A (en) | 1982-09-16 |
| JPH0119254B2 true JPH0119254B2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=12450270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3574281A Granted JPS57149735A (en) | 1981-03-12 | 1981-03-12 | Plasma treating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57149735A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7582185B2 (en) | 2002-12-26 | 2009-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma-processing apparatus |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194068A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-10-02 | Ulvac Corp | シ−ルド型放電電極 |
| JPS61177375A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-09 | Shimadzu Corp | 平面型プラズマｃｖｄ装置 |
| FR2606038B1 (fr) * | 1986-10-30 | 1988-12-16 | Ibm France | Perfectionnement aux enceintes pour le traitement des substrats semiconducteurs |
| JP4509369B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2010-07-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ支援スパッタ成膜装置 |
-
1981
- 1981-03-12 JP JP3574281A patent/JPS57149735A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7582185B2 (en) | 2002-12-26 | 2009-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma-processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57149735A (en) | 1982-09-16 |
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